JP2010006794A - ジオキサアンタントレン系化合物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ジオキサアンタントレン系化合物は、以下の構造式(1)で表される。但し、R3及びR8の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である。
【選択図】 図1
Description
1.本発明の第1の態様〜第15の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物、及び、本発明の第1の態様〜第2の態様に係る半導体装置、全般に関する説明
2.実施例1(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第4の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
3.実施例2(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第5の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
4.実施例3(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第6の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
5.実施例4(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第7の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
6.実施例5(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第8の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
7.実施例6(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第9の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
8.実施例7(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第10の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
9.実施例8(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第11の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
10.実施例9(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第12の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
11.実施例10(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第13の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
12.実施例11(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第14の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
13.実施例12(本発明の第1の態様、第2の態様、第3の態様、及び、第15の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物)
14.実施例13(本発明の第1の態様〜第2の態様に係る半導体装置、その他)
以下の説明において、本発明の第1の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物あるいは本発明の第1の態様に係る半導体装置を総称して、単に、『本発明の第1の態様』と呼ぶ場合がある。また、本発明の第2の態様に係るジオキサアンタントレン系化合物あるいは本発明の第2の態様に係る半導体装置を総称して、単に、『本発明の第2の態様』と呼ぶ場合がある。更には、本発明の第1の態様及び本発明の第2の態様を総称して、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある。
(1−1)R3を水素以外の置換基とし、R9を水素原子とするケース
(1−2)R9を水素以外の置換基とし、R3を水素原子とするケース
(1−3)R3及びR9を水素以外の置換基とするケース
がある。ここで、ケース(1−3)の場合、R3とR9とは、同一の置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよい。
(2−1)R1を水素以外の置換基とし、R3〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−2)R3を水素以外の置換基とし、R1,R4〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−3)R4を水素以外の置換基とし、R1,R3,R5〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−4)R5を水素以外の置換基とし、R1〜R4,R7〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−5)R7を水素以外の置換基とし、R1〜R5,R9〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−6)R9を水素以外の置換基とし、R1〜R7,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−7)R10を水素以外の置換基とし、R1〜R9,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(2−8)R11を水素以外の置換基とし、R1〜R10を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
が存在し得る。尚、上記のケースの数は重複したケースを含んでいる。また、R1,R3,R4,R5,R7,R9,R10,R11のそれぞれは、同一の置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよい。
(3−1)R3を水素以外の置換基とし、R1,R4〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(3−2)R9を水素以外の置換基とし、R1〜R7,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、27通りのケース)
(3−3)R3及びR9を水素以外の置換基とし、R1,R4,R5,R7,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、26通りのケース)
(3−4)R3を水素以外の置換基とし、R1を水素原子とし、R4〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、26通りのケース)
(3−5)R3を水素以外の置換基とし、R7を水素原子とし、R1,R4,R5,R9〜R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、26通りのケース)
(3−6)R9を水素以外の置換基とし、R1を水素原子とし、R3〜R7,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、26通りのケース)
(3−7)R9を水素以外の置換基とし、R7を水素原子とし、R1,R3〜R5,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、26通りのケース)
(3−8)R3及びR9を水素以外の置換基とし、R1を水素原子とし、R4〜R7,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、25通り)
(3−9)R3及びR9を水素以外の置換基とし、R7を水素原子とし、R1,R4,R5,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、25通り)
(3−10)R3及びR9を水素以外の置換基とし、R1及びR7を水素原子とし、R4,R5,R10,R11を水素以外の置換基又は水素原子とするケース(合計、24通り)
が存在し得る。尚、上記のケースの数は重複したケースを含んでいる。また、R1,R3,R4,R5,R7,R9,R10,R11のそれぞれは、同一の置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよい。
(A)基体上に形成されたゲート電極、
(B)ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層、
(C)ゲート絶縁層上に形成されたソース/ドレイン電極、並びに、
(D)ソース/ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域、
を備えている。
(A)基体上に形成されたゲート電極、
(B)ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層、
(C)ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、並びに、
(D)チャネル形成領域延在部上に形成されたソース/ドレイン電極、
を備えている。
(A)基体上に形成されたソース/ドレイン電極、
(B)ソース/ドレイン電極の間の基体上に形成されたチャネル形成領域、
(C)チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
(D)ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えている。
(A)基体上に形成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、
(B)チャネル形成領域延在部上に形成されたソース/ドレイン電極、
(C)ソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
(D)ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えている。
空間群:Pccn(#56)
格子定数
a=15.920(5)Å
b=18.508(5)Å
c= 6.930(5)Å
V=2041.9(17)Å3
Z=8
を意味する。
空間群:P−1(#2)
格子定数
a= 8.279(2) Å
b=18.015(5) Å
c= 4.9516(13)Å
α= 97.291(4)°
β=103.559(4)°
γ= 98.867(4)°
V=699.0(3)Å3
Z=1
(A)基体10,11上に形成されたゲート電極12、
(B)ゲート電極12上に形成されたゲート絶縁層13、
(C)ゲート絶縁層13上に形成されたチャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14A、並びに、
(D)チャネル形成領域延在部14A上に形成されたソース/ドレイン電極15、
を備えている。
先ず、基体(ガラス基板10、及び、その表面にSiO2から成る絶縁膜11が形成されている)上にゲート電極12を形成する。具体的には、絶縁膜11上に、ゲート電極12を形成すべき部分が除去されたレジスト層(図示せず)を、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としてのクロム(Cr)層(図示せず)、及び、ゲート電極12としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフトオフ法に基づき、ゲート電極12を得ることができる。
次に、ゲート電極12を含む基体(絶縁膜11)上にゲート絶縁層13を形成する。具体的には、SiO2から成るゲート絶縁層13を、スパッタリング法に基づきゲート電極12及び絶縁膜11上に形成する。ゲート絶縁層13の成膜を行う際、ゲート電極12の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極12の取出部(図示せず)をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
次に、ゲート絶縁層13上に、チャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14Aを形成する。具体的には、真空蒸着法に基づき、先に説明した実施例1〜実施例12において説明したジオキサアンタントレン系化合物のいずれかの成膜を行う。
その後、チャネル形成領域延在部14Aの上に、チャネル形成領域14を挟むようにソース/ドレイン電極15を形成する。具体的には、全面に、密着層としてのクロム(Cr)層(図示せず)、及び、ソース/ドレイン電極15としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。こうして、図5の(A)に示した構造を得ることができる。ソース/ドレイン電極15の成膜を行う際、チャネル形成領域延在部14Aの一部をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極15をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
最後に、全面にパッシベーション膜である絶縁層(図示せず)を形成し、ソース/ドレイン電極15の上方の絶縁層に開口部を形成し、開口部内を含む全面に配線材料層を形成した後、配線材料層をパターニングすることによって、ソース/ドレイン電極15に接続された配線(図示せず)が絶縁層上に形成された、ボトムゲート/トップコンタクト型のFET(TFT)を得ることができる。
(A)基体10,11上に形成されたゲート電極12、
(B)ゲート電極12上に形成されたゲート絶縁層13、
(C)ゲート絶縁層13上に形成されたソース/ドレイン電極15、並びに、
(D)ソース/ドレイン電極15の間であってゲート絶縁層13上に形成されたチャネル形成領域14、
を備えている。
先ず、[工程−1300A]と同様にして、基体(絶縁膜11)上にゲート電極12を形成した後、[工程−1310A]と同様にして、ゲート電極12及び絶縁膜11上にゲート絶縁層13を形成する。
次に、ゲート絶縁層13の上に金(Au)層から成るソース/ドレイン電極15を形成する。具体的には、ゲート絶縁層13上に、ソース/ドレイン電極15を形成すべき部分が除去されたレジスト層をリソグラフィ技術に基づき形成する。そして、[工程−1300A]と同様にして、レジスト層及びゲート絶縁層13上に、密着層としてのクロム(Cr)層(図示せず)、及び、ソース/ドレイン電極15としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法にて成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフトオフ法に基づき、ソース/ドレイン電極15を得ることができる。
その後、[工程−1320A]と同様の方法に基づき、ソース/ドレイン電極15の間のゲート絶縁層13の部分の上にチャネル形成領域14を形成する。こうして、図5の(B)に示した構造を得ることができる。
最後に、[工程−1340A]と同様の工程を実行することで、ボトムゲート/ボトムコンタクト型のFET(TFT)を得ることができる。
(A)基体10,11上に形成されたチャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14A、
(B)チャネル形成領域延在部14A上に形成されたソース/ドレイン電極15、
(C)ソース/ドレイン電極15及びチャネル形成領域14上に形成されたゲート絶縁層13、並びに、
(D)ゲート絶縁層13上に形成されたゲート電極12、
を備えている。
先ず、基体(ガラス基板10、及び、その表面にSiO2から成る絶縁膜11が形成されている)上に、[工程−1320A]と同様の方法に基づき、チャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14Aを形成する。
次いで、チャネル形成領域延在部14A上に、チャネル形成領域14を挟むようにソース/ドレイン電極15を形成する。具体的には、全面に、密着層としてのクロム(Cr)層(図示せず)、及び、ソース/ドレイン電極15としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。ソース/ドレイン電極15の成膜を行う際、チャネル形成領域延在部14Aの一部をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極15をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
次いで、ソース/ドレイン電極15及びチャネル形成領域14上に、ゲート絶縁層13を形成する。具体的には、PVAをスピンコーティング法にて全面に成膜することで、ゲート絶縁層13を得ることができる。
その後、ゲート絶縁層13上にゲート電極12を形成する。具体的には、密着層としてのクロム(Cr)層(図示せず)、及び、ゲート電極12としての金(Au)層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜する。こうして、図6の(A)に示した構造を得ることができる。ゲート電極12の成膜を行う際、ゲート絶縁層13の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極12をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。最後に、[工程−1340A]と同様の工程を実行することで、トップゲート/トップコンタクト型のFET(TFT)を得ることができる。
(A)基体10,11上に形成されたソース/ドレイン電極15、
(B)ソース/ドレイン電極15の間の基体10,11上に形成されたチャネル形成領域14、
(C)チャネル形成領域14上に形成されたゲート絶縁層13、並びに、
(D)ゲート絶縁層13上に形成されたゲート電極12、
を備えている。
先ず、基体(ガラス基板10、及び、その表面にSiO2から成る絶縁膜11が形成されている)上に、ソース/ドレイン電極15を形成する。具体的には、絶縁膜11上に、密着層としてのクロム(Cr)層(図示せず)、ソース/ドレイン電極15としての金(Au)層を真空蒸着法に基づき形成する。ソース/ドレイン電極15の成膜を行う際、基体(絶縁膜11)の一部をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極15をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
その後、ソース/ドレイン電極15の間の基体(絶縁膜11)上に、[工程−1320A]と同様の方法に基づき、チャネル形成領域14を形成する。実際には、ソース/ドレイン電極15の上にチャネル形成領域延在部14Aが形成される。
次に、ソース/ドレイン電極15及びチャネル形成領域14上に(実際には、チャネル形成領域14及びチャネル形成領域延在部14A上に)、[工程−1320C]と同様にして、ゲート絶縁層13を形成する。
その後、[工程−1330C]と同様にして、ゲート絶縁層13上にゲート電極12を形成する。こうして、図6の(B)に示した構造を得ることができる。最後に、[工程−1340A]と同様の工程を実行することで、トップゲート/ボトムコンタクト型のFET(TFT)を得ることができる。
Claims (31)
- 以下の構造式(1)で表されるジオキサアンタントレン系化合物。
但し、R3及びR9の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である。 - 前記水素以外の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された置換基である請求項1に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 前記水素以外の置換基は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、及び、ハロゲン原子から成る群から選択された置換基である請求項1に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 以下の構造式(2)で表されるジオキサアンタントレン系化合物。
但し、R1,R3,R4,R5,R7,R9,R10,R11の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である。 - R3及びR9の内の少なくとも1つは水素以外の置換基であり、
R1,R4,R5,R7,R10,R11の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である請求項4に記載のジオキサアンタントレン系化合物。 - 前記水素以外の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された置換基である請求項4に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 前記水素以外の置換基は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、及び、ハロゲン原子から成る群から選択された置換基である請求項4に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 基体上に形成された、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域を備えており、
チャネル形成領域は、以下の構造式(1)で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る半導体装置。
但し、R3及びR9の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である。 - 前記水素以外の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された置換基である請求項8に記載の半導体装置。
- 前記水素以外の置換基は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、及び、ハロゲン原子から成る群から選択された置換基である請求項8に記載の半導体装置。
- 基体上に形成された、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース/ドレイン電極及びチャネル形成領域を備えており、
チャネル形成領域は、以下の構造式(2)で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る半導体装置。
但し、R1,R3,R4,R5,R7,R9,R10,R11の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である。 - R3及びR9の内の少なくとも1つは水素以外の置換基であり、
R1,R4,R5,R7,R10,R11の内の少なくとも1つは水素以外の置換基である請求項11に記載の半導体装置。 - 前記水素以外の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された置換基である請求項11に記載の半導体装置。
- 前記水素以外の置換基は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、及び、ハロゲン原子から成る群から選択された置換基である請求項11に記載の半導体装置。
- ペリキサンテノキサンテンをハロゲン化して3,9−ジハロペリキサンテノキサンテンを得た後、ハロゲン原子を置換基で置換することで得られた、6,12−ジオキサアンタントレンの3位、9位の少なくとも一方を水素以外の該置換基で置換して成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ハロゲン原子は臭素である請求項15に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 置換基は、アリール基又はアリールアルキル基から成る請求項15又は請求項16に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 置換基は、2位乃至6位のいずれか少なくとも1つがアルキル基又はアリール基で置換されたアリール基から成る請求項15又は請求項16に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- 置換基は、p−トリル基、p−エチルフェニル基、p−イソプロピルフェニル基、4−プロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、4−ノニルフェニル基、又は、p−ビフェニルから成る請求項15又は請求項16に記載のジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をフェニル基で置換することで得られた、3,9−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をトランス−1−オクテン−1−イル基で置換することで得られた、3,9−ジ(トランス−1−オクテン−1−イル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をβナフチル基で置換することで得られた、3,9−ジ(2−ナフチル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子を2,2’−ビチオフェン−5−イル基で置換することで得られた、3,9−ビス(2,2’−ビチオフェン−5−イル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をトランス−2−(4−ペンチルフェニル)ビニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(トランス−2−(4−ペンチルフェニル)ビニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をp−トリル基で置換することで得られた、3,9−ジ(p−トリル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をp−エチルフェニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(p−エチルフェニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をp−イソプロピルフェニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(p−イソプロピルフェニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子を4−プロピルフェニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(4−プロピルフェニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子を4−ブチルフェニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(4−ブチルフェニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子を4−ノニルフェニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(4−ノニルフェニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
- ペリキサンテノキサンテンと臭素とを反応させて3,9−ジブロモペリキサンテノキサンテンを得た後、臭素原子をp−ビフェニル基で置換することで得られた、3,9−ビス(p−ビフェニル)ペリキサンテノキサンテンから成るジオキサアンタントレン系化合物。
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