JP5573219B2 - 薄膜トランジスタ、ならびに電子機器およびその製造方法 - Google Patents
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1.薄膜トランジスタ
2.薄膜トランジスタの適用例(電子機器)
[薄膜トランジスタの全体構成]
図1および図2は、それぞれ本発明の一実施形態における薄膜トランジスタである有機TFTの断面構成および平面構成を表しており、図1では、図2に示したI−I線に沿った断面を示している。
この有機TFTは、例えば、以下の手順により製造される。なお、以下では、有機TFTの一連の構成要素の形成材料については既に説明したので、その説明を随時省略する。また、ここで説明する有機TFTの製造方法はあくまで一例であり、各構成要素の形成材料および形成方法などは適宜変更可能である。
この有機TFTによれば、能動層3が可溶性有機半導体材料および可溶性高分子材料を含んでいると共に、その可溶性高分子材料のガラス転移温度がパッケージング工程における最高温度よりも高くなっている。この可溶性高分子材料のガラス転移温度は、具体的には、150℃以上である。この場合には、電子機器の製造工程において、加熱を伴う工程(最高温度=150℃)を含むパッケージング工程に有機TFTが投入されても、能動層3の特性が劣化しにくくなる。このため、複数の有機TFTの間において、移動度およびオンオフ比などの性能がばらつきにくくなる。よって、性能を安定化することができると共に、電子機器の性能向上に寄与することができる。
なお、有機TFTは、ボトムゲート・トップコンタクト型に限らず、図3に示したように、ボトムゲート・ボトムコンタクト型でもよい。この場合には、能動層3がソース電極4およびドレイン電極5の上側に重なることになる。この他、ここでは具体的に図示しないが、ゲート電極1が能動層3の上側に位置するトップゲート・トップコンタクト型またはトップゲート・トップコンタクト型でもよい。これらの場合においても、同様の効果を得ることができる。
次に、上記した薄膜トランジスタ(有機TFT)の適用例について説明する。この有機TFTは、さまざまな電子機器に適用可能である。
ここで説明する液晶表示装置は、例えば、有機TFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶ディスプレイであり、その有機TFTは、スイッチング(画素選択)用の素子として用いられる。この液晶表示装置は、図4に示したように、駆動基板10と対向基板20との間に液晶層31が封入されたものである。
この液晶表示装置では、有機TFT12により画素電極14が選択され、その画素電極14と対向電極22との間に電界が印加されると、その電界強度に応じて液晶層31における液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶分子の配向状態に応じて光の透過量(透過率)が制御されるため、階調画像が表示される。
この液晶表示装置は、例えば、以下の手順により製造される。
この液晶表示装置およびその製造方法によれば、可溶性有機半導体材料および可溶性高分子材料を含む能動層を備えた有機TFT12を形成したのち、その有機TFT12をパッケージング工程に投入している。この場合において、パッケージング工程における最高温度よりも可溶性高分子材料のガラス転移温度を高くしているので、そのパッケージング工程において能動層の特性が劣化しにくくなると共に、複数の有機TFT12の間において性能がばらつきにくくなる。よって、電子機器の性能向上を図ることができる。これ以外の効果は、上記した有機TFTと同様である。なお、液晶表示装置は、透過型に限らずに反射型でもよい。
ボトムゲート・ボトムコンタクト型の試験用有機TFTを作製して、その性能を調べた。有機TFTを作製する場合には、最初に、ゲート電極の機能を担う基体として、ホウ素(B)、リン(P)、アンチモン(Sb)またはヒ素(As)がドープされたシリコンウェハを準備した。続いて、シリコンウェハの一面に、二酸化ケイ素(SiO2 )からなるゲート絶縁層(厚さ=150nm)を形成した。続いて、ゲート絶縁層の上に、金からなるソース電極およびドレイン電極を形成した。この場合には、図2に示した寸法(L,W)をL=50μm、W=30mmとした。続いて、表1に示した可溶性有機半導体材料および可溶性高分子材料(ガラス転移温度Tg:℃)をトルエンに溶解させて溶液を調製した。この場合には、可溶性有機半導体材料と可溶性高分子材料との混合比(重量比)=1:1、総固形分=1重量%とした。可溶性有機半導体材料としては、式(1)で表されるジオキサンアンタントレン系化合物(peri-xanthenoxanthene の誘導体)を用いた。可溶性高分子材料としては、ポリスチレン、分子量が異なるポリプラスチックス株式会社製の環状ポリオレフィン(シクロオレフィン・コポリマー:TOPAS6015,TOPAS6017:いずれも商品名)、またはポリフェニルエーテル(PPE:polyphenylether )を用いた。続いて、スピンコート法により溶液を塗布したのち、オーブン中において100℃で乾燥させて能動層(厚さ=50nm〜100nm)を形成した。
Claims (5)
- ゲート電極と、
ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極に対向配置されると共に可溶性有機半導体材料および可溶性高分子材料を含む能動層と、
互いに離間されると共に前記能動層に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタとパッケージングされるパッケージング部材と、
を備え、
前記可溶性有機半導体材料は、式(1)で表されるジオキサンアンタントレン系化合物を含み、
前記可溶性高分子材料は、ポリフェニルエーテルを含み、
前記可溶性高分子材料のガラス転移温度は、150℃以上であり、
前記パッケージング部材は、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁層または前記薄膜トランジスタに接続される電極を含む、
電子機器。
- 前記可溶性有機半導体材料および前記可溶性高分子材料の溶解度は共通の溶媒に対して0.5重量%以上である、
請求項1記載の電子機器。 - ゲート電極と、ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極に対向配置されると共に可溶性有機半導体材料および可溶性高分子材料を含む能動層と、互いに離間されると共に前記能動層に接続されたソース電極およびドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタをパッケージング部材とパッケージングする工程と、
を含み、
前記可溶性有機半導体材料は、式(1)で表されるジオキサンアンタントレン系化合物を含み、
前記可溶性高分子材料は、ポリフェニルエーテルを含み、
前記パッケージング部材は、前記薄膜トランジスタを覆う絶縁層または前記薄膜トランジスタに接続される電極を含み、
前記薄膜トランジスタが前記パッケージング部材とパッケージングされる工程における最高温度よりも、前記可溶性高分子材料のガラス転移温度を高くする
電子機器の製造方法。
- 前記パッケージング工程はフォトリソグラフィ工程およびウェットエッチング工程を含む、
請求項3記載の電子機器の製造方法。
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