JP2013184904A - アンタントレン系化合物およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記式(1)において、R1〜R4の少なくとも1つがハロゲン原子(臭素原子、ヨウ素原子など)であってもよく、特に、R2〜R4の少なくとも1つがハロゲン原子(特に、ヨウ素原子)であってもよい。代表的には、式(1)において、R1が水素原子であり、R2〜R4の少なくとも2つがヨウ素原子であってもよく、特に式(1)において、Eが酸素原子であり、R1およびR4が水素原子であり、R2およびR3がヨウ素原子であってもよい。
上記式(2)において、Xは、ハロゲン原子、特に、ヨウ素原子であってもよい。
下記式(2b−1)で表される化合物と、N,N−ジハロ−5,5−ジアルキルヒダントイン(例えば、N,N−ジヨード−5,5−ジメチルヒダントイン)とを反応させて下記式(2b−2)で表される化合物を得る工程と、
この工程で得られた(2b−2)で表される化合物とN,N−ジハロ−5,5−ジアルキルヒダントインおよびトリフルオロメタンスルホン酸とを反応させて下記式(2c−1)で表される化合物を得る工程と、
この工程で得られた下記式(2c−1)で表される化合物を加溶媒分解して下記式(2a−1)で表される化合物を得る工程とを含む。
本発明の化合物(アンタントレン系化合物、アンタントレン骨格を有する化合物)は、下記式(1)で表される。
上記式(1)において、Eは酸素原子又は硫黄原子であり、2つのEは同一又は異なっていてもよい。好ましいEは酸素原子であってもよい。
本発明のアンタントレン系化合物は、特に限定されないが、下記式(2)で表される化合物(2,2’−ジヒドロキシ又はジメルカプト−3,3’−ジホルミル−8,8’−ジハロ−1,1’−ビナフチル骨格を有する化合物など)を反応させる(環化反応させる)ことにより、効率よく得ることができる。すなわち、下記式(2)で表される化合物を反応させると、下記式(2)において、1位と8’位との間および1’位と8位との間でそれぞれHX(脱ハロゲン化水素など)の脱離を伴って環化反応(−E−を形成する反応)が生じ、本発明の化合物が得られる。
上記式(2)において、基Xとしては、基−EH(又は基−EHを構成する水素原子)、すなわち、ヒドロキシル基又はメルカプト基(ヒドロキシル基又はメルカプト基を構成する)との反応により、HXの脱離を伴って環化(−E−の形成)可能であれば特に限定されず、例えば、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など)、アルカンスルホニルオキシ基(メタンスルホニルオキシ基などのC1−4アルカンスルホニルオキシ基)、ハロアルカンスルホニルオキシ基(例えば、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基などのハロC1−4アルカンスルホニルオキシ基)、アリールスルホニルオキシ基(例えば、トシル基などのC6−10アリールスルホニルオキシ基)などが挙げられる。中でも、ハロゲン原子(特に、ヨウ素原子)が好ましい。なお、2つのXは同一又は異なる基であってもよく、通常同一であってもよい。また、式(2)において、R1〜R4は、好ましい態様も含めて、前記式(1)の場合と同様である。
なお、上記式(2a)で表される化合物は、1位の水素原子間で選択的に脱水素カップリングしやすいが、必要に応じて1位の水素原子間で脱水素カップリングした化合物(すなわち、式(2)で表される化合物)を反応生成物から分離して用いてもよい。また、式(2a)で表される化合物として、R1〜R4が異なる化合物を組み合わせて用いることで、2つのR1、R2、R3及び/又はR4が異なる式(2)で表される化合物が得られる。
式(2a)で表される化合物(2−ナフトアルデヒド類)は、市販品を利用してもよく、慣用の方法(例えば、WO2011/111762号公報に記載の方法)により合成したものを使用してもよい。
すなわち、上記反応では、3位にトリフルオロメタンスルホニルオキシ基が導入されるとともに、2−ナフトアルデヒド類の5位がハロゲン化される。
また、このような反応では、2−ナフトアルデヒドの5位と6〜9位とのハロゲン化速度の差を利用して、段階的にハロゲン化することもできる。例えば、酸触媒(例えば、トリフルオロメタンスルホン酸など)の存在下、前記式(2b−1)で表される化合物と、N,N−ジハロ−5,5−ジアルキルヒダントインとを反応させて下記式(2b−2)で表される化合物を製造し、得られた(2b−2)で表される化合物とN,N−ジハロ−5,5−ジアルキルヒダントインおよびトリフルオロメタンスルホン酸とを反応させて前記式(2c−1)で表される化合物を製造してもよい。
なお、上記反応において、式(2b−1)で表される化合物とN,N−ジハロ−5,5−ジアルキルヒダントインの割合は、2−ナフトアルデヒドの8位でのハロゲン化を生じにくくするという観点から、式(2b−1)で表される化合物1モルに対して、N,N−ジハロ−5,5−ジアルキルヒダントインを3モル以下(例えば、1〜2.8モル)、好ましくは1.2〜2.5モル、さらに好ましくは1.3〜2.3モル、特に1.5〜2.1モル程度であってもよい。
以下のようにして、2つの合成方法にて、5,5’,6,6’,8,8’−ヘキサヨード−3,3’−ジホルミル−2,2’−ジヒドロキシ−1,1’−ビナフチルを合成した。
(1)5,7,8−トリヨード−3−(トリフルオロメチルスルホニル)オキシ−2−ナフトアルデヒドの調製
窒素雰囲気下でN,N’−ジヨード−5,5−ジメチルヒダントイン(17.0g,44.7mmol)にCH2Cl2(160mL)を加えた後、60℃にてトリフルオロメタンスルホン酸(7.93mL,89.6mmol)を滴下し、その後、2−ナフトアルデヒド(2.00g,12.8mmol)をCH2Cl2(40mL)に溶解させた溶液も同様に滴下した。60℃で3時間撹拌させた後、反応液に亜硫酸ナトリウム水溶液を加えてクエンチを行った。有機層を水および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過・濃縮した。得られた茶褐色粘体にアセトニトリルを加えて溶かし、−20℃で一晩再結晶を行うことで、下記式で表される化合物、すなわち、5,7,8−トリヨード−3−(トリフルオロメチルスルホニル)オキシ−2−ナフトアルデヒド(3.36g,38%)を得た。
13C−NMR(CDCl3)δ:185.90,149.37,147.01,143.54,135.78,135.20,129.13,126.69,119.21(q,J=319.7Hz),116.36,112.56,99.73。
合成した5,7,8−トリヨード−3−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−2−ナフトアルデヒド(1.00g,1.47mmol)に1,4−ジオキサン(4.70mL)、メタノール(2.20mL)を加えた後、1規定の水酸化ナトリウム水溶液(4.40mL,4.40mmol)を滴下し、室温で12時間撹拌した。反応終了後、反応溶液に6規定塩酸水溶液を加えてクエンチを行った。懸濁液をろ過にかけ、残留物を水で流し洗った後に自然乾燥を行い、下記式で表される化合物、すなわち、5,7,8−トリヨード−3−ヒドロキシ−2−ナフトアルデヒド(793mg,98%)を得た。
塩化鉄六水和物(1.97g,7.29mmol)と合成した5,7,8−トリヨード−3−ヒドロキシ−2−ナフトアルデヒド(200mg,364μmol)をすり鉢ですりつぶし混ぜ合わせた。得られた混合物を50mLのサンプル管に入れ、H20を0.2mL加え1分間ゆっくりと撹拝した。それをμリアクター(四国計測工業(株))を用いて210wで780秒間加熱撹拌した。反応後6規定のHClを30mL加え15時間撹拌したのち、水でろ過し乾燥させることで黄褐色の粗生成物を得た。これをブロモベンゼンに溶かし、フラッシュカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製することで橙色固体を得た。この操作をもう一度繰り返すことで下記式で表される化合物、すなわち、5,5’,6,6’,8,8’−ヘキサヨード−3,3’−ジホルミル−2,2’−ジヒドロキシ−1,1’−ビナフチルを得た。
(1)7,8−ジヨード−2−ナフトアルデヒドの調製
窒素雰囲気下でN,N’−ジヨード−5,5−ジメチルヒダントイン(4.88g,12.8mmol)にCH2Cl2(50mL)を加えた懸濁溶液にトリフルオロメタンスルホン酸(1.13mL,12.8mmol)を滴下した後、2−ナフトアルデヒド(1.00g,6.40mmol)をCH2Cl2(10mL)に溶解させた溶液も同様に滴下した。室温で30分間撹拌させた後、反応液に亜硫酸ナトリウム水溶液を加えてクエンチを行った。有機層を水および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過・濃縮し、黄色固体の粗生成物(2.46g)を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製し、下記式で表される化合物、すなわち、7,8−ジヨード−2−ナフトアルデヒド(2.26g,87%)を得た。
13C−NMR(CDCl3)δ:191.29,140.79,139.22,138.89,137.65,135,83,134.35,134.31,125.21,102.08,100.36。
窒素雰囲気下でN,N’−ジヨード−5,5−ジメチルヒダントイン(186mg,490μmol)にCH2Cl2(2.0mL)を加えた懸濁溶液にトリフルオロメタンスルホン酸(174μL,1.97mmol)を滴下した後、得られた7,8−ジヨード−2−ナフトアルデヒド(100mg,245μmol)をCH2Cl2(3.0mL)に溶解させた溶液も同様に滴下した。室温で30分間撹絆させた後、反応液に亜硫酸ナトリウム水溶液を加えてクエンチを行った。有機層を水および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過・濃縮し、下記式で表される化合物、すなわち、5,7,8−トリヨード−3−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−2−ナフトアルデヒド(134mg,80%)を得た。
13C−NMR(CDCl3)δ185.90,149.37,147.01,143.54,135.78,135.20,129.13,126.69,119.21(q,J=319.7Hz),116.36,112.56,99.73。
窒素雰囲気下で、合成例1で得た化合物(5,5’,6,6’,8,8’−ヘキサヨード−3,3’−ジホルミル−2,2’−ジヒドロキシ−1,1’−ビナフチル)0.100g,(0.091mmol)、酢酸カリウム(AcOK)75.5mg(0.547mmol)、酢酸パラジウム(Pd(Oac)2)1.15mg(5.1μmol)をジムロートを付けた二口フラスコに入れ、エチルメチルケトン(MeCOEt)を2.5ml加えて120℃で3時間撹拌した。反応後、溶媒を濃縮し、ろ紙上でクロロホルムと水を用いて洗浄することで生成物(純度98%以上)を得た。生成物をNMRおよび高分解能質量分析(HMRS)にて分析し、下記化合物であることを確認した。
HRMS(FAB+) M+ calcd for C22H6I4O4 841.6445, found 841.6456。
窒素雰囲気下で、合成例2で得た化合物(5,5’,6,6’,8,8’−ヘキサヨード−3,3’−ジホルミル−2,2’−ジヒドロキシ−1,1’−ビナフチル)0.050g(0.0456mmol)、水酸化カリウム(KOH)5.62g(0.100mmol)を、ジムロートを付けた二口フラスコに入れ、テトラヒドロフラン(THF)を3.0ml加えて80℃で5時間撹拌した。反応後、室温まで冷やし、ろ紙上でTHFと酢酸エチル(AcOEt)を用いて洗浄することで生成物(純度98%以上)を得た。生成物をNMRおよびHMRSにて分析し、下記化合物(すなわち、実施例1で得られた化合物同じ)であることを確認した。
HRMS(FAB+) M+ calcd for C22H6I4O4 841.6445, found 841.6456
Claims (9)
- 式(1)において、R1〜R4の少なくとも1つがハロゲン原子である請求項1記載の化合物。
- 式(1)において、R2〜R4の少なくとも1つがヨウ素原子である請求項1又は2記載の化合物。
- 式(1)において、R1が水素原子であり、R2〜R4の少なくとも2つがヨウ素原子である請求項1〜3のいずれかに記載の化合物。
- 式(1)において、Eが酸素原子であり、R1およびR4が水素原子であり、R2およびR3がヨウ素原子である請求項1〜4のいずれかに記載の化合物。
- 式(2)において、Xがヨウ素原子である請求項6記載の製造方法。
- 塩基の存在下で、式(2)で表される化合物を反応させる請求項6又は7記載の製造方法。
- 塩基が、カルボン酸金属塩および金属水酸化物から選択された少なくとも1種である請求項8記載の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111087407A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-05-01 | 北京燕化集联光电技术有限公司 | 一种oled材料及其应用 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004529937A (ja) * | 2001-04-27 | 2004-09-30 | エルジー ケミカル エルティーディー. | 二重スピロ型有機化合物及び電気発光素子 |
WO2007108457A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Pioneer Corporation | ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 |
JP2009544743A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料 |
JP2010006794A (ja) * | 2008-05-26 | 2010-01-14 | Sony Corp | ジオキサアンタントレン系化合物及び半導体装置 |
WO2010058833A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 国立大学法人広島大学 | 新規な複素環式化合物及びその利用 |
JP2010522708A (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-08 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ヘテロ環式架橋ビフェニル |
JP2011012001A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Sony Corp | アンタントレン系化合物及び半導体装置 |
US20120025173A1 (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-02 | Sony Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004529937A (ja) * | 2001-04-27 | 2004-09-30 | エルジー ケミカル エルティーディー. | 二重スピロ型有機化合物及び電気発光素子 |
WO2007108457A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Pioneer Corporation | ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 |
JP2009544743A (ja) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料 |
JP2010522708A (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-08 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ヘテロ環式架橋ビフェニル |
JP2010006794A (ja) * | 2008-05-26 | 2010-01-14 | Sony Corp | ジオキサアンタントレン系化合物及び半導体装置 |
WO2010058833A1 (ja) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 国立大学法人広島大学 | 新規な複素環式化合物及びその利用 |
JP2011012001A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Sony Corp | アンタントレン系化合物及び半導体装置 |
US20120025173A1 (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-02 | Sony Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
KOBAYASHI, N. ET AL.: "Stable peri-Xanthenoxanthene Thin-Film Transistors with Efficient Carrier Injection", CHEMISTRY OF MATERIALS, vol. 21(3), JPN6015035964, 2009, pages 552 - 556, ISSN: 0003264496 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111087407A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-05-01 | 北京燕化集联光电技术有限公司 | 一种oled材料及其应用 |
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Publication number | Publication date |
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