JP2009526423A - 電圧レベルシフト回路 - Google Patents
電圧レベルシフト回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009526423A JP2009526423A JP2008552654A JP2008552654A JP2009526423A JP 2009526423 A JP2009526423 A JP 2009526423A JP 2008552654 A JP2008552654 A JP 2008552654A JP 2008552654 A JP2008552654 A JP 2008552654A JP 2009526423 A JP2009526423 A JP 2009526423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- channel transistor
- logic
- gate
- level shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018521—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
- G11C11/4085—Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0013—Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/003—Changing the DC level
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/02—Shaping pulses by amplifying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Description
200 レベルシフト回路
202 第2の高電源電圧レベルにまでレベルシフト回路出力を駆動制御する回路
204 第2の低電源電圧レベルにまでレベルシフト回路出力を駆動制御する回路
206 クローバ電流制限回路
300 バッファ
Claims (9)
- 第1の高および低電圧源によって駆動されるロジック回路から出力され、第1の高および低電圧レベルに対応する論理「1」および「0」のレベルを持つロジック信号を、第2の高および低電圧レベルを持つ出力信号に、変換するレベルシフト回路であって、
前記ロジック信号の第1の状態に対応して、前記第2の高電圧レベルを前記出力信号に生じさせるために、第2の高電圧供給を受ける第1の回路と、
前記ロジック信号の第2の状態に対応して、前記第2の低電圧レベルを前記出力信号に生じさせるために、第2の低電圧供給を受ける第2の回路と、
前記ロジック信号の状態遷移の間に前記第1の回路と前記第2の回路との間で流れるクローバ電流を制限するために、前記第1の回路と前記第2の回路との間の前記出力信号の伝送路に接続されたクローバ電流制限回路と、
を有することを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記クローバ電流制限回路は、
前記第1の回路における前記第2の高電圧供給をするためのプルアップ回路と前記出力信号の伝送路とに直列に接続されている第1の電流制限回路と、
前記第2の回路における前記第2の低電圧供給をするためのプルダウン回路と前記出力信号の伝送路とに直列に接続されている第2の電流制限回路と、を有し、
前記第1および第2の電流制限回路は、コモン入力信号に応答する請求項1に記載のレベルシフト回路。 - 前記コモン入力信号は、前記ロジック信号から論理的に得られたものである請求項2に記載のレベルシフト回路。
- 前記第1の電流制限回路は、Pチャネルトランジスタであり、
前記第2の電流制限回路は、Nチャネルトランジスタである請求項2に記載のレベルシフト回路。 - 前記第1の回路は、
前記ロジック信号の第1の状態に対応して、第1のPチャネルトランジスタのゲートを第1の低電圧レベルにまで放電するプルダウン回路と、
前記第1のPチャネルトランジスタのゲートと前記第2の高電圧供給との間に接続された第2のPチャネルトランジスタと、を有し、
前記第1のPチャネルトランジスタは、前記第2の高電圧供給に接続されており、
前記第2のPチャネルトランジスタのゲートは、前記ロジック信号の前記第2の状態に対応して、前記第1のPチャネルトランジスタのゲートを前記第2の高電圧レベルにまで充電するために、前記レベルシフト回路の出力信号の伝送路に接続されている請求項1に記載のレベルシフト回路。 - 前記第2の回路は、
前記ロジック信号の前記第2の状態に対応して、第1のNチャネルトランジスタのゲートを前記第1の高電圧レベルにまで充電するためのプルアップ回路と、
前記第1のNチャネルトランジスタのゲートと前記第2の低電圧供給との間に接続された第2のNチャネルトランジスタと、を有し、
前記第1のNチャネルトランジスタは、前記第2の低電圧供給に接続されており、
前記第2のNチャネルトランジスタのゲートは、前記ロジック信号の前記第1の状態に対応して、前記第1のNチャネルトランジスタのゲートを前記第2の低電圧レベルにまで充電するために、前記レベルシフト回路の出力信号の伝送路に接続されている請求項1に記載のレベルシフト回路。 - 第1の高および低電圧源によって駆動されるロジック回路から出力され、第1の高および低電圧レベルに対応する論理「1」および「0」のレベルを持つ入力ロジック信号を、第2の高および低電圧レベルを持つ出力信号に、変換するレベルシフト回路であって、
第2の高電圧源に接続されたソースを持つ第1のPチャネルトランジスタと、
前記第2の高電圧源に接続されたソースと、前記第1のPチャネルトランジスタのゲートに接続されたドレインと、前記出力信号の伝送路に接続されたゲートとを持つ第2のPチャネルトランジスタと、
前記第2のPチャネルトランジスタのドレインに接続されたドレインと、前記第1の低電圧源に接続されたソースと、前記第1の高および低電圧レベルを持つ第1のロジック信号路に接続されたゲートとを持つ第1のNチャネルトランジスタと、
前記第1のPチャネルトランジスタのドレインと前記出力信号の伝送路との間に接続された第3のPチャネルトランジスタと、
第2の低電圧源に接続されたソースを持つ第2のNチャネルトランジスタと、
第2の低電圧源に接続されたソースと、前記第2のNチャネルトランジスタのゲートに接続されたドレインと、前記出力信号の伝送路に接続されたゲートとを持つ第3のNチャネルトランジスタと、
前記第2のNチャネルトランジスタのゲートに接続されたドレインと、前記第1の高電圧源に接続されたソースと、前記第1の高および低ロジック電圧レベルを持つ前記第1のロジック信号路に接続されたゲートとを持つ第4のPチャネルトランジスタと、
前記第2のNチャネルトランジスタのドレインと前記出力信号の伝送路との間に接続されているとともに、前記第1の高および低ロジック電圧レベルを持つ前記第2のロジック信号路に接続されたゲートを持つ第4のNチャネルトランジスタと、を有し、
前記第3のPチャネルトランジスタは、前記第1の高および低ロジック電圧レベルを持つ第2ロジック信号路に接続されたゲートを持つことを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記第1のロジック信号は、前記第1の高および低電圧源によって駆動される論理ゲートによって生成される請求項7に記載のレベルシフト回路。
- 前記第2のロジック信号は、前記第1のロジック信号を受信するインバータから生成され、
前記インバータは、前記第1の高および低電圧源によって駆動される請求項8に記載のレベルシフト回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/347,289 | 2006-02-06 | ||
US11/347,289 US7312636B2 (en) | 2006-02-06 | 2006-02-06 | Voltage level shifter circuit |
PCT/CA2006/001896 WO2007090261A1 (en) | 2006-02-06 | 2006-11-21 | Voltage level shifter circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009526423A true JP2009526423A (ja) | 2009-07-16 |
JP5128499B2 JP5128499B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=38333425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008552654A Expired - Fee Related JP5128499B2 (ja) | 2006-02-06 | 2006-11-21 | 電圧レベルシフト回路 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7312636B2 (ja) |
EP (1) | EP1982413B1 (ja) |
JP (1) | JP5128499B2 (ja) |
KR (1) | KR101287776B1 (ja) |
CN (1) | CN101366179B (ja) |
ES (1) | ES2455091T3 (ja) |
TW (1) | TWI426525B (ja) |
WO (1) | WO2007090261A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9007790D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Lines Valerie L | Dynamic memory wordline driver scheme |
US7312636B2 (en) * | 2006-02-06 | 2007-12-25 | Mosaid Technologies Incorporated | Voltage level shifter circuit |
US20070188194A1 (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co: Ltd. | Level shifter circuit and method thereof |
US7622954B2 (en) * | 2008-02-26 | 2009-11-24 | Standard Microsystems Corporation | Level shifter with memory interfacing two supply domains |
US20090243705A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High Voltage Tolerative Driver Circuit |
US7804350B1 (en) | 2009-04-22 | 2010-09-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Level shifting using cross-coupled cascode transistors |
US20100321083A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-23 | International Business Machines Corporation | Voltage Level Translating Circuit |
KR101193061B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2012-10-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 레벨 쉬프터 회로 |
WO2011132022A1 (en) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage level shifter having a first operating mode and a second operating mode |
US8860461B2 (en) | 2010-04-22 | 2014-10-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage level shifter, decoupler for a voltage level shifter, and voltage shifting method |
KR101206499B1 (ko) * | 2010-11-22 | 2012-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 집적 회로 |
US8207755B1 (en) * | 2011-02-15 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low leakage power detection circuit |
US8698541B2 (en) * | 2011-02-17 | 2014-04-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Threshold voltage detection apparatus |
CN102323844B (zh) * | 2011-06-20 | 2013-11-13 | 旭曜科技股份有限公司 | 宽输出范围的转换系统 |
US8830784B2 (en) * | 2011-10-14 | 2014-09-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Negative word line driver for semiconductor memories |
CN102545267B (zh) * | 2012-02-09 | 2016-04-13 | 上海交通大学 | 双馈风电机组低电压穿越方法 |
CN103106921B (zh) * | 2012-12-26 | 2017-03-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于行译码电路的电平位移器 |
CN103346773B (zh) * | 2013-07-10 | 2016-11-09 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 电平转换电路 |
KR102242582B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2021-04-22 | 삼성전자주식회사 | 수신 회로 및 그것의 신호 수신 방법 |
US9673821B1 (en) | 2014-10-28 | 2017-06-06 | University Of South Florida | Wide operating level shifters |
US9490780B2 (en) * | 2014-12-18 | 2016-11-08 | Intel Corporation | Apparatuses, methods, and systems for dense circuitry using tunnel field effect transistors |
US9768779B2 (en) * | 2015-06-05 | 2017-09-19 | Qualcomm Incorporated | Voltage level shifters employing preconditioning circuits, and related systems and methods |
US9620176B2 (en) * | 2015-09-10 | 2017-04-11 | Ememory Technology Inc. | One-time programmable memory array having small chip area |
CN105304043B (zh) * | 2015-11-11 | 2018-01-02 | 开封市金石科技有限公司 | 一种基于电流方向的隔离式串行液晶驱动系统及方法 |
CN105632438B (zh) * | 2016-01-08 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电平偏移单元、电平偏移电路及驱动方法、栅极驱动电路 |
US9536593B1 (en) * | 2016-05-23 | 2017-01-03 | Qualcomm Incorporated | Low power receiver with wide input voltage range |
US9948303B2 (en) * | 2016-06-30 | 2018-04-17 | Qualcomm Incorporated | High speed voltage level shifter |
US9997208B1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-06-12 | Qualcomm Incorporated | High-speed level shifter |
CN108712166B (zh) * | 2018-02-27 | 2022-06-28 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种自适应电平转换电路 |
KR101918212B1 (ko) * | 2018-03-07 | 2019-01-29 | 주식회사 이노액시스 | 전류 재사용 회로 |
US10355694B1 (en) * | 2018-04-24 | 2019-07-16 | Stmicroelectronics International N.V. | Level shifting circuit with conditional body biasing of transistors |
US10733353B2 (en) * | 2018-09-18 | 2020-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | System and method for forming integrated device |
US11063593B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Level shifter enable |
CN109917888B (zh) * | 2019-02-26 | 2023-12-12 | 深圳微步信息股份有限公司 | 一种内存转vpp_2v5电路及计算机 |
CN114070297A (zh) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 微功耗的电平翻转电路及降低电路中瞬态电流的方法 |
US11264093B1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Duo-level word line driver |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59175218A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | Cmosインバ−タ |
JPH09200035A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Sharp Corp | レベル変換回路 |
JPH09205351A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Sony Corp | レベルシフト回路 |
JP2001102916A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Sony Corp | レベルシフト回路 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4274014A (en) * | 1978-12-01 | 1981-06-16 | Rca Corporation | Switched current source for current limiting complementary symmetry inverter |
EP0264614A1 (en) * | 1986-09-11 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Mos fet drive circuit providing protection against transient voltage breakdown |
US5136190A (en) * | 1991-08-07 | 1992-08-04 | Micron Technology, Inc. | CMOS voltage level translator circuit |
US5321324A (en) | 1993-01-28 | 1994-06-14 | United Memories, Inc. | Low-to-high voltage translator with latch-up immunity |
JP3227946B2 (ja) * | 1993-11-12 | 2001-11-12 | ソニー株式会社 | レベル変換回路 |
JPH08330939A (ja) | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Toshiba Microelectron Corp | レベルシフタ回路 |
JP3731322B2 (ja) | 1997-11-04 | 2006-01-05 | ソニー株式会社 | レベルシフト回路 |
US6191636B1 (en) | 1999-09-22 | 2001-02-20 | Cypress Semiconductor Corp. | Input buffer/level shifter |
JP3532181B2 (ja) * | 2001-11-21 | 2004-05-31 | 沖電気工業株式会社 | 電圧トランスレータ |
JP3813538B2 (ja) | 2001-11-28 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | レベルシフタ |
JP2003309462A (ja) | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | レベルシフト回路 |
JP3657243B2 (ja) | 2002-06-28 | 2005-06-08 | Necエレクトロニクス株式会社 | レベルシフタ、半導体集積回路及び情報処理システム |
US6801064B1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-10-05 | Cypress Semiconductor, Corp | Buffer circuit using low voltage transistors and level shifters |
US6803801B2 (en) | 2002-11-07 | 2004-10-12 | Lsi Logic Corporation | CMOS level shifters using native devices |
US6842043B1 (en) | 2003-03-11 | 2005-01-11 | Xilinx, Inc. | High-speed, low current level shifter circuits for integrated circuits having multiple power supplies |
US6954100B2 (en) | 2003-09-12 | 2005-10-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Level shifter |
US20050174158A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Khan Qadeer A. | Bidirectional level shifter |
GB2411059B (en) | 2004-02-11 | 2007-09-19 | Motorola Inc | An apparatus for voltage level shifting |
JP3914933B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2007-05-16 | エルピーダメモリ株式会社 | レベル変換回路 |
US7312636B2 (en) * | 2006-02-06 | 2007-12-25 | Mosaid Technologies Incorporated | Voltage level shifter circuit |
-
2006
- 2006-02-06 US US11/347,289 patent/US7312636B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-10 TW TW095141702A patent/TWI426525B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-11-21 WO PCT/CA2006/001896 patent/WO2007090261A1/en active Application Filing
- 2006-11-21 JP JP2008552654A patent/JP5128499B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 ES ES06804754.7T patent/ES2455091T3/es active Active
- 2006-11-21 KR KR1020087021709A patent/KR101287776B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-11-21 CN CN2006800523440A patent/CN101366179B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 EP EP06804754.7A patent/EP1982413B1/en not_active Not-in-force
-
2007
- 2007-10-31 US US11/930,527 patent/US7541837B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59175218A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-04 | Fujitsu Ltd | Cmosインバ−タ |
JPH09200035A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Sharp Corp | レベル変換回路 |
JPH09205351A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Sony Corp | レベルシフト回路 |
JP2001102916A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Sony Corp | レベルシフト回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7312636B2 (en) | 2007-12-25 |
US20070182450A1 (en) | 2007-08-09 |
JP5128499B2 (ja) | 2013-01-23 |
US20080054941A1 (en) | 2008-03-06 |
KR101287776B1 (ko) | 2013-07-23 |
ES2455091T3 (es) | 2014-04-14 |
TWI426525B (zh) | 2014-02-11 |
CN101366179A (zh) | 2009-02-11 |
CN101366179B (zh) | 2013-04-10 |
EP1982413B1 (en) | 2014-01-08 |
EP1982413A1 (en) | 2008-10-22 |
TW200733131A (en) | 2007-09-01 |
US7541837B2 (en) | 2009-06-02 |
EP1982413A4 (en) | 2010-05-26 |
WO2007090261A1 (en) | 2007-08-16 |
KR20090003202A (ko) | 2009-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5128499B2 (ja) | 電圧レベルシフト回路 | |
KR100801059B1 (ko) | 누설 전류를 감소시키기 위한 반도체 메모리 장치의드라이버 회로 | |
US6545923B2 (en) | Negatively biased word line scheme for a semiconductor memory device | |
US10325650B2 (en) | Semiconductor storage device | |
KR100640651B1 (ko) | 워드라인 드라이버 | |
US8804454B2 (en) | Word line selection circuit and row decoder | |
US20110273940A1 (en) | Level shifting circuit | |
GB2325322A (en) | A high speed and low power signal line driver and semiconductor memory device using the same | |
US20200327931A1 (en) | A memory unit | |
JP4562515B2 (ja) | 論理回路及びワードドライバ回路 | |
KR100311973B1 (ko) | 로직 인터페이스 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 | |
JP4342467B2 (ja) | 半導体メモリ | |
US6424176B2 (en) | Logic circuits used for address decoding | |
JP2005353204A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2001203326A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH10335608A (ja) | 半導体集積回路装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120229 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120306 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |