JP2009526405A5

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Publication number: JP2009526405A5
Application number: JP2008554403A
Authority: JP
Filing date: 2007-02-09
Publication date: 2015-01-29
Anticipated expiration: 2027-02-09

Description

成長中にｐ型ドーパントがドープされたｐ型半極性ＩＩＩ窒化物半導体を使用して、該ＩＩＩ窒化物デバイスまたはＩＩＩ窒化物半導体を製造する方法、半極性ＩＩＩ窒化物半導体、および、ｐ型ＩＩＩ窒化物半導体を製造する方法

（関連出願の引用）
本出願は、同時係属出願であって、共通の譲受人の米国特許出願第６０／７７２，１８４号（２００６年２月１０日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＣＯＮＤＵＣＴＩＶＩＴＹＣＯＮＴＲＯＬＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ」、出願人（ＪｏｈｎＦ．Ｋａｅｄｉｎｇ、ＨｉｔｏｓｈｉＳａｔｏ、ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＨｉｒｏｋｕｎｉＡｓａｍｉｚｕ、ＨｏｎｇＺｈｏｎｇ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、代理人整理番号３０７９４．１６６−ＵＳ−Ｐ１（２００６−２８５））に対する米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するものであり、その出願内容は、参考として本明細書に援用される。

本出願は、下記の同時係属、共通の譲受人の出願に関連する：
米国実用特許出願第１１／３７２，９１４号（２００６年３月１０日出願、出願人（ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＰａｕｌＴ．Ｆｉｎｉ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＦＯＲＴＨＥＧＲＯＷＴＨＯＦＰＬＡＮＡＲＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｕ１（２００５−４７１））であって、米国仮特許出願第６０／６６０，２８３号（２００５年３月１０日出願、出願人（ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＰａｕｌＴ．Ｆｉｎｉ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＦＯＲＴＨＥＧＲＯＷＴＨＯＦＰＬＡＮＡＲＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｐ１（２００５−４７１））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国実用特許出願第１１／４４４，９４６号（２００６年６月１日出願、出願人（ＲｏｂｅｒｔＭ．Ｆａｒｒｅｌｌ，Ｊｒ．、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＡｒｐａｎＣｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．ＭｏｒｇａｎＰａｔｔｉｓｏｎ、ＲａｊａｔＳｈａｒｍａ、ＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＦＯＲＴＨＥＧＲＯＷＴＨＡＮＤＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）ＮＴＨＩＮＦＩＬＭＳ，ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ，ＡＮＤＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４０−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−６６８））であって、米国仮特許出願第６０／６８６，２４４号（２００５年６月１日出願、出願人（ＲｏｂｅｒｔＭ．Ｆａｒｒｅｌｌ，Ｊｒ．、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＡｒｐａｎＣｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．ＭｏｒｇａｎＰａｔｔｉｓｏｎ、ＲａｊａｔＳｈａｒｍａ、ＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＦＯＲＴＨＥＧＲＯＷＴＨＡＮＤＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）ＮＴＨＩＮＦＩＬＭＳ，ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ，ＡＮＤＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４０−ＵＳ−Ｐｌ（２００５−６６８））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国実用特許出願第１１／４８６，２２４号（２００６年７月１３日出願、出願人（ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＬＡＴＥＲＡＬＧＲＯＷＴＨＭＥＴＨＯＤＦＯＲＤＥＦＥＣＴＲＥＤＵＣＴＩＯＮＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲＮＩＴＲＩＤＥＦＩＬＭＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４１−ＵＳ−Ｕ１（２００５−６７２））であって、米国仮特許出願第６０／６９８，７４９号（２００５年７月１３日出願、出願人（ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＬＡＴＥＲＡＬＧＲＯＷＴＨＭＥＴＨＯＤＦＯＲＤＥＦＥＣＴＲＥＤＵＣＴＩＯＮＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲＮＩＴＲＩＤＥＦＩＬＭＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４１−ＵＳ−Ｐ１（２００５−６７２））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国実用特許出願第１１／５１７，７９７号（２００６年９月８日出願、出願人（ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＥＮＨＡＮＣＩＮＧＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＶＩＡＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１４４−ＵＳ−Ｕ１（２００５−７７２））であって、米国仮特許出願第６０／７１５，４９１号（２００５年９月９日出願、出願人（ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＥＮＨＡＮＣＩＮＧＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＶＩＡＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１４４−ＵＳ−Ｐ１（２００５−７７２））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国実用特許出願第１１／５２３，２８６号（２００６年９月１８日出願、出願人（ＳｉｄｄｈａｒｔｈＲａｊａｎ、ＣｈａｎｇＳｏｏＳｕｈ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ）、名称「Ｎ−ＰＯＬＡＲＡＬＵＭＩＮＵＭＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥ／ＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥＥＮＨＡＮＣＥＭＥＮＴ−ＭＯＤＥＦＩＥＬＤＥＦＦＥＣＴＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ」、代理人整理番号３０７９４．１４８−ＵＳ−Ｕ１（２００６−１０７））であって、米国仮特許出願第６０／７１７，９９６号（２００５年９月１６日出願、出願人（ＳｉｄｄｈａｒｔｈＲａｊａｎ、ＣｈａｎｇＳｏｏＳｕｈ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ）、名称「Ｎ−ＰＯＬＡＲＡＬＵＭＩＮＵＭＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥ／ＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥＥＮＨＡＮＣＥＭＥＮＴ−ＭＯＤＥＦＩＥＬＤＥＦＦＥＣＴＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ」、代理人整理番号３０７９４．１４８−ＵＳ−Ｐ１（２００６−１０７））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国実用特許出願第＿＿／＿＿＿，＿＿＿号（２００７年１月１９日出願、出願人（ＪｏｈｎＫａｅｄｉｎｇ、Ｄｏｎｇ−ＳｅｏｎＬｅｅ、ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＨｉｔｏｓｈｉＳａｔｏ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、ＳｔｅｖｅｎＰ．Ｄｅｎｂａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＩＭＰＲＯＶＥＤＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ，Ｂ）Ｎ」、代理人整理番号３０７９４．１５０−ＵＳ−Ｕ１（２００６−１２６））であって、米国仮特許出願第６０／７６０，７３９号（２００６年１月２０日出願、出願人（ＪｏｈｎＫａｅｄｉｎｇ，ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＨｉｔｏｓｈｉＳａｔｏ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、ＳｔｅｖｅｎＰ．Ｄｅｎｂａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＩＭＰＲＯＶＥＤＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ，Ｂ）Ｎ」、代理人整理番号３０７９４．１５０−ＵＳ−Ｐ１（２００６−１２６））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国実用特許出願第１１／６５５，５７２号（２００７年１月１９日出願、出願人（ＨｉｔｏｓｈｉＳａｔｏ、ＪｏｈｎＫａｅｄｉｎｇ、ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＥＮＨＡＮＣＩＮＧＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＶＩＡＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１５９−ＵＳ−Ｕ１（２００６−１７８））であって、米国仮特許出願第６０／７６０，６２８号（２００６年１月２０日出願、出願人（ＨｉｔｏｓｈｉＳａｔｏ、ＪｏｈｎＫａｅｄｉｎｇ、ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＴｒｏｙＪ．Ｂａｋｅｒ、ＢｅｎｊａｍｉｎＡ．Ｈａｓｋｅｌｌ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＥＮＨＡＮＣＩＮＧＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＶＩＡＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１５９−ＵＳ−Ｐ１（２００６−１７８））の米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張するもの；
米国仮特許出願第６０／７７４，４６７号（２００６年２月１７日出願、出願人（ＨｏｎｇＺｈｏｎｇ、ＪｏｈｎＦ．Ｋａｅｄｉｎｇ、ＲａｊａｔＳｈａｒｍａ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＧＲＯＷＴＨＯＦＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１７３ −ＵＳ−Ｐｌ（２００６−４２２））；
米国仮特許出願第６０／７９８，９３３号（２００６年５月９日出願、出願人（ＡｒｐａｎＣｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、Ｋｗａｎｇ−ＣｈｏｏｎｇＫｉｍ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ）、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＦＯＲＤＥＦＥＣＴＲＥＤＵＣＴＩＯＮＩＮＮＯＮＰＯＬＡＲＡＮＤＳＥＭＩＰＯＬＡＲＧＡＬＬＩＵＭＮＩＴＲＩＤＥＦＩＬＭＳＵＳＩＮＧＩＮ−ＳＩＴＵＳＩＬＩＣＯＮＮＩＴＲＩＤＥＮＡＮＯＭＡＳＫＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．１８０−ＵＳ−Ｐ１（２００６−５３０））；
米国仮特許出願第６０／８０９，７７４号（２００６年５月３１日出願、出願人（ＮｉｃｈｏｌａｓＡ．Ｆｉｃｈｔｅｎｂａｕｍ、ＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ、ＣａｒｌＪ．Ｎｅｕｆｅｌｄ、およびＳｔａｃｉａＫｅｌｌｅｒ）、名称「ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＤＥＶＩＣＥＳＦＯＲＭＥＤＢＹＲＥＧＲＯＷＴＨＯＮＮ−ＰＯＬＡＲＮＡＮＯＰＩＬＬＡＲＡＮＤＮＡＮＯＳＴＲＩＰＥＡＲＲＡＹＳ」、代理人整理番号３０７９４．１８２−ＵＳ−Ｐ１（２００６−６３８））；
米国仮特許出願第６０／８２２，６００号（２００６年８月１６日出願、出願人（ＭｉｃｈａｅｌＩｚａ、ＨｉｔｏｓｈｉＳａｔｏ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮＯＦＭＡＧＮＥＳＩＵＭＤＯＰＥＤ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１８７−ＵＳ−Ｐ１（２００６−６７８））；
米国仮特許出願第６０／８６６，０３５号（２００６年１１月１５日出願、出願人（ＳｔａｃｉａＫｅｌｌｅｒ、ＵｍｅｓｈＫ．Ｍｉｓｈｒａ、およびＮｉｃｈｏｌａｓＡ．Ｆｉｃｈｔｅｎｂａｕｍ）、名称「ＭＥＴＨＯＤＦＯＲＨＥＴＥＲＯＥＰＩＴＡＸＩＡＬＧＲＯＷＴＨＯＦＨＩＧＨ− ＱＵＡＬＩＴＹＮ−ＦＡＣＥＧａＮ，ＩｎＮ，ａｎｄＡＩＮＡＮＤＴＨＥＩＲＡＬＬＯＹＳＢＹＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．２０７−ＵＳ−Ｐ１（２００７−１２１））；
米国仮特許出願第６０／８６９，５４０号（２００６年１１月１１日出願、出願人（ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＭａｔｈｅｗＣ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、ＫｗａｎｇＣｈｏｏｎｇＫｉｍ、ＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ、およびＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ）、名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ（Ｍ−ＰＬＡＮＥ）ＡＮＤＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲＥＭＩＴＴＩＮＧＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１３−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−３１７））；および
米国仮特許出願第６０／８６９，７０１号（２００６年１１月１１日出願、出願人（ＫｗａｎｇＣｈｏｏｎｇＫｉｍ、ＭａｔｈｅｗＣ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、ＦｅｎｇＷｕ、ＡｓａｋｏＨｉｒａｉ、ＭｅｌｖｉｎＢ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、ＳｔｅｖｅｎＰ．ＤｅｎＢａａｒｓ、ＳｈｕｊｉＮａｋａｍｕｒａ、およびＪａｍｅｓＳ．Ｓｐｅｃｋ）、名称「ＣＲＹＳＴＡＬＧＲＯＷＴＨＯＦＭ−ＰＬＡＮＥＡＮＤＳＥＭＩＰＯＬＡＲＰＬＡＮＥＳＯＦ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮＯＮＶＡＲＩＯＵＳＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１４−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３３４））；
これらの出願内容は、参考として本明細書に援用される。

（発明の技術分野）
本発明は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎの伝導性を制御する方法に関する。

（注：本出願は、多くの異なる出版物および特許を参照し、それらは本明細書において括弧内の１つ以上の参照番号、例えば［ｘ］で示される。これらの参照番号に基づいてリストされた異なる出版物および特許の一覧は、以下の「参考文献」のセクションで見られる。これらの出版物および特許はそれぞれ、本明細書において参照により援用される）。

窒化ガリウム（ＧａＮ）の有効性およびその三元／四元化合物は、アルミニウムおよびインジウム（ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＩｎＧａＮ）を内包し、可視および紫外線光電子デバイスおよび高出力電子デバイスの製造用に確立されている。これらのデバイスは、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、および水素化物気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）を含む成長技術を使用し、一般にエピタキシャルに成長させられる。

半導体光電子デバイスは、一般に光の光子の後続発光または吸収による充てん電子状態と非充てん電子状態との間の電子の移行に依存する。発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、または光電池などの最新の光電子デバイスは、半導体ダイオード接合を組み込む。ダイオード接合は、異なるｎ型とｐ型キャリアとを有する半導体の領域内または領域間の移行によって生じる。ｎ型半導体は、半導体結晶の伝導帯内における自由電荷キャリアの正味超過分を有する材料を示す。ｐ型半導体は、半導体結晶の価電子帯内における自由電荷キャリアの正味超過分を有する材料を示す。そのため、光電子半導体デバイスの製造は、半導体結晶の領域内または領域間の自由電荷キャリアの濃度および種類を意図的に調整する能力に依存する。

ＧａＮおよびその合金は、六方晶形のウルツ鉱結晶構造に最も適している。その構造は、互いに１２０°回転された２つ（または３つ）の等価底面軸（ａ軸）によって記述される。それらの軸はすべて固有のｃ軸に垂直である。ＩＩＩ群および窒化物原子は、結晶のｃ軸に沿ってｃ平面の変更に従事する。ウルツ鉱構造における対称要素は、ＩＩＩ窒化物がこのｃ軸に沿って大量の自発性分極を有し、ウルツ鉱構造が圧電性分極を示すよう決定づける。

電子および光電子デバイス用の現行の窒化物技術は、分極ｃ方向に沿って成長させられた窒化物膜を採用する。しかし、ＩＩＩ窒化物ベースの光電子および電子デバイスにおける従来のｃ平面量子井戸は、強い圧電性および自発性分極が存在するため、望ましくない量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）の影響を受ける。ｃ方向に沿う強力な内蔵式電場は、逆にキャリア再結合効率を生じる電子および正孔の空間分離を生じる。

ＧａＮ光電子デバイスにおける同時および圧電性分極効果を排除するための１つのアプローチは、結晶の無極性平面上でデバイスを成長させることである。そのような平面は等数のＧａおよびＮ原子を含み、電荷中性である。さらに、後続無極性層は互いに結晶学的に等しいため、結晶は成長方向に沿って分極しない。ＧａＮにおける対称等価無極性平面のそのような２つの群は、集合的にａ平面として知られる

群、および集合的にｍ平面として知られる

群である。本発明の出願人であるカリフォルニア大学の研究者によって進展されたにもかかわらず、無極性窒化物の成長は未だ困難であり、ＩＩＩ窒化物産業において広く採用されていない。

ＧａＮ光電子デバイスにおける分極効果を削減または可能ならば抹消するための別のアプローチは、結晶の半極性平面上にデバイスを成長させることである。半極性平面という用語を使用し、２つの非ゼロｈ、ｉ、またはｋミラー指数および非ゼロ１ミラー指数を有する多様な平面を参照することができる。一般に観察されるｃ平面ＧａＮヘテロエピタキシにおける半極性平面の一部例は、

および

平面を含み、これらはピットの平面において見られる。これらの平面は、著者が平面膜の形状で成長させたものと偶然同じである。ウルツ鉱結晶構造における半極性平面のその他の例は、

および

を含むがそれらに限定されない。そのような平面内における、またはそのような平面の法線における窒化物結晶の分極ベクトルは、平面の法線に対してある程度の角度傾斜している。例えば、

および

平面は、ｃ平面に対してそれぞれ６２．９８°および３２．０６°にある。

自発性分極に加え、窒化物に存在する分極の第２形態は、圧電性分極である。これは、異なる組成（したがって異なる格子定数）の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ層が窒化物へテロ構造において成長できることと同様に、材料が圧縮または引っ張りひずみを経験すると生じる。例えば、ＧａＮテンプレート上の薄いＡｌＧａＮ層は、面内引っ張りひずみを有し、ＧａＮテンプレート上の薄いＩｎＧａＮ層は面内圧縮ひずみを有する。これらはＧａＮとの格子マッチが乏しいことにより生じる。そのため、ＧａＮ上のＩｎＧａＮ量子井戸の場合、圧電性分極は、ＩｎＧａＮおよびＧａＮの自発性分極とは反対方向を指す。ＧａＮに格子マッチされたＡｌＧａＮ層の場合、圧電性分極はＡｌＧａＮおよびＧａＮの自発性分極の方向と同一方向を指す。

Ｎａｋａｍｕｒａらは、マグネシウム（Ｍｇ）ドーピングおよび後続熱アニールステップを使用して初の高品質ｐ型ＧａＮ材料を開発した。この技術およびその他の研究者による後続の改良については、どちらも参考文献［１（非特許文献１），２（非特許文献２），３（特許文献１）］に記載されている。しかし、これらの技術は、極性［０００１］方向に沿って成長するＧａＮ膜を使用する。ｃ平面窒化物上で半極性平面を使用する利点は、総分極が減少することである。特定の平面における特定の合金組成の場合、分極がゼロとなる場合もある。最も重要なことは、ｃ平面窒化物構造と比較して分極が減少することである。そのため、半導体結晶のバンド構造、したがって伝導性を変える半極性成長配向を使用し、著しい改良を行ってもよい。

Ｍｇでドープされた従来のｃ平面配向窒化物半導体結晶は、ドープされた極性窒化物結晶の電子バンド構造のため、Ｍｇドーパント濃度の約１００分の１のｐ型キャリア濃度を有する。しかし、本発明はＭｇドーパント濃度より１０のファクターだけ低いｐ型キャリア濃度を有する半極性窒化物半導体結晶をもたらす。言い換えれば、ドーピング濃度は、極性窒化物結晶のそれと比較して劇的に増加する。この強化されたＭｇ活性化によって、本発明が従来の極性窒化物ｐ型ドーピング技術より優れたものになる。本発明の別の新規特徴は、高い正孔濃度＞１０^１８ｃｍ^−３を示すｐ型（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ膜をもたらすと同時に、８〜１４ｃｍ^２／Ｖｓのホール移動度を維持する。言い換えれば、キャリア濃度および移動度は同時に増加または最大化することができ、極性窒化物より高くなる。従来のｃ平面配向ｐ型窒化物半導体結晶は、等価正孔濃度の移動度よりはるかに低い移動度を示す。結果として生じる製品のホール移動度および濃度は、本発明を使用して製造された（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶の伝導性をより高くする。
Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｔ．Ｍｕｋａｉ、Ｍ．Ｓｅｎｏｈ、Ｎ．Ｉｗａｓａ、Ｊｐｎ．、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、Ｖｏｌ．３１（１９９２）、ｐｐ．Ｌ１３９−Ｌ１４２．Ｉ．Ｗａｋｉ、Ｈ．Ｆｕｊｉｏｋａ、Ｍ．Ｏｓｈｉｍａ、Ｈ．Ｍｉｋｉ、Ａ．Ｆｕｋｉｚａｗａ、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８２８９９（２００１）．米国特許第５，３０６，６６２号明細書

本発明によって、窒化物（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶におけるｐ型伝導性の制御が可能になる。ｐ型伝導性の制御は、窒化物半導体に関して以前に報告されているが、窒化物半導体においてｐ型伝導性を制御するための半極性および無極性平面の使用は、開示されていない。

本発明は、ドープされた半極性または無極性窒化物半導体を使用し、窒化物デバイスまたは半導体窒化物を製造するステップを含む、窒化物デバイスまたは半導体窒化物において伝導特性を強化または調整する方法を開示する。この強化または調整は、バンド構造の調整、伝導性制御の向上、キャリア濃度に貢献するドーパントの数を増加することによってドーパント活性化を増加することと、キャリア濃度と移動度とを同時に高めることおよびそれによる伝導性の増加、正孔質量の低減、自由度または異方性面内電子特性の導入、または非意図的な不純物の削減を含んでもよい。そのため、本発明は、デバイス品質の窒化物半導体結晶の伝導性を制御する方法を説明する。窒化物半導体の半極性または無極性配向によって、典型的な極性［０００１］窒化物半導体に対する伝導性制御が向上し、キャリア濃度および移動度が極性窒化物半導体より高くなる。ドープされた半極性または無極性窒化物半導体は、窒化物デバイスまたは半導体窒化物のｐ型伝導特性を強化または調整するためにドープされたｐ型であってもよい。

本発明は、ミスカット基板のミスカット角度を変更し、半極性または無極性窒化物半導体をミスカット基板上に堆積することによって、半極性または無極性窒化物半導体の伝導性、例えばｐ型伝導性を制御するステップを含む、半極性または無極性窒化物を成長する方法も開示する。ミスカット基板は、＜０１１＞方向にミスカットされた｛１００｝ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネル基板であってもよい。

半極性窒化物半導体は、

窒化ガリウム（ＧａＮ）を含んでもよく、または半極性窒化物半導体は、

または

半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎを含んでもよい。無極性窒化物半導体は、ａ平面またはｍ平面無極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎを含んでもよい。

本方法は、堆積ステップ中に窒化物半導体において意図的または非意図的にドーパントを内包するステップを含んでもよい。ドーパントは、シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）または炭素（Ｃ）を含んでもよい。非意図的なドーパントは、１ｘ１０^１９ｃｍ^−３未満の濃度を有する水素であってもよい。

本方法は、堆積ステップの後に後次熱アニールステップを実行するステップをさらに含んでもよい。ここで、半極性窒化物半導体内の水素などの非意図的な不純物原子の濃度を変えることによって、半極性窒化物半導体結晶の伝導性が向上する。

また、本発明は、半極性または無極性窒化物半導体の伝導性を調整する１つ以上のドーパントを内包する半極性または無極性窒化物半導体についても開示する。ドーパントは、半極性または無極性窒化物半導体にｐ型伝導性を付与することができ、半極性または無極性窒化物半導体は、１０^１８ｃｍ^−３を上回る正孔濃度を含むが、少なくとも８ｃｍ^２／Ｖｓのホール移動度を維持してもよい。ドーパント、一般にマグネシウムは、半極性または無極性窒化物半導体にｐ型伝導性を付与することができ、半極性または無極性窒化物半導体は、最大でドーパント濃度の１０分の１であるキャリア濃度を含んでもよい。

本発明は、発光ダイオードおよびレーザダイオードなどの実践的な半極性または無極性窒化物デバイスの製造も可能にする。

ここで図面を参照する。同様の参照番号は、全体を通して対応する部分を表す。

好ましい実施形態に関する以下の記載において、本明細書の一部を成す添付図面を参照する。図面は、本発明が実施され得る特定の実施形態を説明する目的で示される。当然のことながら、その他の実施形態を利用してもよく、本発明の範囲から逸脱することなく構造上の変更を行ってもよい。

（概要）
本発明は、半極性窒化物結晶のドーピングによって、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶におけるｐ型伝導性を制御する方法を含む。そのような制御の例は、＜０１１＞方向にミスカットされた｛１００｝ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネル基板上に堆積される

ＧａＮ膜を使用して示されている。本発明の一実施形態において、マグネシウム原子を意図的に成長させる半極性窒化物膜に内包し、半導体結晶のバンド構造に使用可能な電子状態を内包することによって、ｐ型伝導性をもたらす。好適な電子状態の同様な内包をもたらす亜鉛（Ｚｎ）または炭素（Ｃ）などのその他の不純物原子を使用してもよい。

（技術説明）
一実施形態において、

ＧａＮ膜は、市販のＭＯＣＶＤシステムを使用して成長させられる。

ＧａＮの一般的な成長パラメータは、１０トールから１０００トールの間の圧力、および４００℃から１４００℃の間の温度である。圧力および温度におけるこの変化は、好適な基板を使用するＧａＮ成長の安定性を示す。エピタキシャル関係および状態についても、リアクタの種類に関係なく同様のことが言える。しかし、これらの平面を成長させるためのリアクタ状態は、個別のリアクタおよび成長方法（例えば、ＨＶＰＥ、ＭＯＣＶＤ、およびＭＢＥ）に基づいて異なる。ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム（Ｃｐ_２Ｍｇ）をＭｇドーパント原子のソースとして使用してもよい。不純物原子のその他の好適なソースを使用してもよく、使用される成長技術に部分的に基づいてソース選択を決定してもよい。例えば、ＭＢＥによって成長させられる半極性窒化物半導体の伝導性を制御するためのドーパントソースとしてＭｇ元素ソースを使用してもよい。ドーパントソースおよび成長技術の選択は、本発明の範囲から逸脱することなく異なってもよい。

成長する半導体膜における不純物ドーパント原子の濃度は、半導体成長の技術に精通する者によって、成長状態の好適な修正を通じて制御されてもよい。例えば、ＭＯＣＶＤによって成長させられる半極性ＧａＮ結晶におけるマグネシウム［Ｍｇ］の濃度は、Ｇａ：Ｍｇ有機金属前駆体分子の比率を変更することによって変えてもよい。付加的であるが非独占的な技術は、成長率、圧力、温度または雰囲気ガス組成を意図的に変えることを含む。

半極性結晶の成長中に、追加の不純物原子は、意図的または非意図的に半導体結晶に内包されてもよい。これらの原子の一部は、意図的ドーパント原子と相互作用し、ドーパント原子の電子活性を変えて、伝導性制御に影響してもよい。例えば、［０００１］方向のＧａＮ結晶における水素（Ｈ）とＭｇとの相互作用は、ｐ型伝導性を抑制することが知られている。しかし、Ｈ含有半導体結晶がＨ欠乏環境に置かれ、好適な熱エネルギーが提供される場合、Ｈは窒化物結晶から拡散して、ｐ型伝導性をもたらす。このプロセスは、活性化として知られている。

半極性結晶方位に沿う（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶のバンド構造は、極性結晶方位に沿って成長する（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎに対する電気挙動ｐ型ドーパント原子に変化をもたらす。そのため、本発明は、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶をドーピングおよび活性化することにより、窒化物結晶における伝導性を制御する方法を説明する。

（プロセスステップ）
図１は、本発明の好適な実施形態に基づく、スピネル基板上の半極性ＧａＮ薄膜上における成長のためのＭＯＣＶＤプロセスに関するステップを説明する。また図１は、ドープされた半極性窒化物半導体を使用し、窒化物デバイスを製造するステップを含む、窒化物装置における伝導特性を強化または調整する方法を説明する。

ブロック１００は、ＭＯＣＶＤリアクタ等のリアクタに基板を装填するステップを表す。基板にはミスカットがあってもなくてもよい。窒化物の堆積に好適な任意の基板を使用してもよい。

ブロック１０２は、例えば、水素および／または窒化物および／またはアンモニア下で基板を加熱するステップを表す。

ブロック１０４は、核形成または緩衝層を基板に堆積する任意のステップを表す。核形成層は、半導体窒化物の成長に好適な任意の材料で生成できる。

ブロック１０６は、例えば、Ｍｇを用いて、ＧａＮ膜などの半極性窒化物半導体を核形成層上、または基板上に直接堆積、およびドーピングするステップを表す。

ブロック１０８は、半極性窒化物を冷却するステップを表す。

ブロック１１０は、例えば、水素（Ｈ）欠乏雰囲気ガスにおいて半極性窒化物をアニールするステップを表す。

ブロック１１２は、この方法の結果、１つ以上のドーパントを内包し、半極性窒化物半導体の伝導性を調整した半極性窒化物半導体、例えばドープされたｐ型半極性（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ膜を表す。図１の方法を使用して、デバイスを製造してもよい。必要に応じて、ステップを追加または省略してもよい。

一例として、

ＧａＮを成長させるため、＜０１１＞方向にミスカットを有する（１００）スピネル基板が使用される。ブロック１００において示されるように、基板はＭＯＣＶＤに装填される。ブロック１２に示されるように、基板表面の窒化を促進する条件下でヒータを作動させ、１０２５℃の設定点温度に上げる。一般に、窒素および／または水素および／またはアンモニアは、大気圧において基板上を流れる。設定点温度に達すると、アンモニア量は０．１から３．０ｓｌｐｍに設定される。ブロック１０４に示されるように、１〜２０分後、リアクタ設定点温度は１０２５℃に維持され、リアクタ圧力は７６トールまで減少し、０〜３ｓｃｃｍのトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）および／または２０ｓｃｃｍのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）がリアクタに内包され、Ａｌ_ｘＧａ_１‐ｘＮ緩衝層または核形成層の成長を開始する。１〜４０分後、Ａｌ_ｘＧａ_１‐ｘＮ核形成層は、望ましい厚みに達する。ブロック１０６に示されるように、この時点で、ＴＭＡｌ流れは遮断され、ヒータの測定温度は９７５℃まで低下し、リアクタ圧力は７６０トールまで増加し、約１〜４時間のＧａＮ成長の間にＴＭＧａ流量が９．５ｓｃｃｍまで増加する。ブロック１０６によって示されるステップ中の任意の時点において、Ｃｐ_２Ｍｇの追加的流れを開始し、ｐ型ＧａＮを生成してもよい。Ｃｐ_２Ｍｇの流量は、成長膜において望ましい［Ｍｇ］濃度に応じて、一般に０から０．３μモル／分まで変化する。望ましいｐ型ＧａＮ厚が得られると、Ｃｐ_２Ｍｇの流れは中断される。望ましい総ＧａＮ厚が得られると、ブロック１０８に示されるように、ＴＭＧａの流れは遮断され、リアクタは冷却されるが、アンモニアおよび／または窒化物および／または水素の流れによりＧａＮ膜が保護される。

本明細書に記載されるマグネシウムを内包する方法によって、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によって測定されるように、結晶中に５ｘ１０^１９ｃｍ^−３未満のマグネシウム濃度が内包される。マグネシウム濃度は、Ｃｐ_２Ｍｇ流量対Ｍｇ濃度を示すグラフである図２に示されるように、調査された範囲を越えて、Ｃｐ_２Ｍｇ流量とともに直線的に変化する。

冷却後、ＧａＮはｐ型伝導性を示す場合がある。半極性ＧａＮ結晶の伝導性は、後続熱アニールステップによって強化されてもよい。膜は、ＭＯＣＶＤリアクタから除去され、５５０℃〜８５０℃の温度で１５分間アニールされる。アニール環境は、ＧａＮ半極性結晶に対する窒素またはアルゴン、および／または酸素などの水素欠乏雰囲気ガスを含む。Ｈ濃度はＭｇ濃度の増加とともに高まるが、Ｍｇ濃度対Ｈ濃度を示すグラフである図３に示されるように、成長後アニールによって、ｐ型半極性窒化物半導体層における残留Ｈ濃度は１ｘ１０^１９ｃｍ^−３未満に下がる。

ファンデルポー法を使用したホール効果の測定値は、結果として生じるＭｇドープ半極性ＧａＮ膜のｐ型伝導性を示す。正孔濃度は、Ｍｇ濃度［Ｍｇ］対正孔濃度を示すグラフである図４に示されるように、マグネシウム濃度の関数として、約２．５ｘ１０^１８ｃｍ^−３から１ｘ１０^１８ｃｍ^−３未満まで直線的に減少する。

成長後アニール温度の最適化によって、一定Ｍｇ濃度における正孔濃度が高まる。さらに、ｐ型半極性窒化物膜の測定されたホール移動度は、約８ｃｍ^２／Ｖｓから１４ｃｍ^２／Ｖｓまで変化する。図５は、アニール温度対キャリア密度および移動度、例えば、一定［Ｍｇ］における正孔濃度およびホール移動度におけるアニール温度の影響を示すグラフであり、最適アニール温度は５５０℃〜８５０℃であることを示す。

最後に、ヘテロエピタキシャルに成長させられた半極性窒化物半導体膜の結晶品質および膜形態は、開始基板の意図的なミスカットによって向上する場合がある。これに対応して、ミスカット基板の使用は、一定［Ｍｇ］において、名目上の平面から１．０°までのミスカット角度を増加に対して、５ｘ１０^１７ｃｍ^−３未満から２ｘ１０^１８ｃｍ^−３まで正孔濃度を増加させる。ミスカット角度のさらなる増加は、ミスカット角度対キャリア密度および移動度、すなわち、一定［Ｍｇ］における正孔濃度およびホール移動度上の定型ミスカット角度の効果を示すグラフである図６に示されるように、正孔濃度を向上させない。

そのため、図１〜６は、ドープされた半極性窒化物半導体を使用して窒化物デバイスを製造するステップを含む、窒化物デバイスにおける伝導特性を強化または調整するための方法を示す。

（可能な修正および変形例）
本発明の範囲は、本明細書において引用される特定の例以外も含む。

例えば、本発明は、任意の半極性および無極性平面上のすべての窒化物に関し、ｐ型伝導性を実現することが望ましい。窒化物膜の制御可能な伝導性は、半極性配向を用いて本明細書において示されている。しかし、ここに開示される方法は、任意の半極性および無極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎとの使用に好適である。例えば、これらの方法および技術を使用し、無極性または

若しくは

半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶において制御可能なｐ型伝導性を実現できる。

本明細書は、特にＭＯＣＶＤによる半極性窒化物層のヘテロエピタキシャル成長を参照するが、本発明は、任意の成長技術、または制御可能なｐ型伝導性を有する半極性または無極性窒化物半導体結晶を取得する方法に関する。例えば、ｐ型半極性窒化物半導体結晶は、Ｍｇ元素をドーパントソースとして使用し、ＭＢＥによって成長させることもできる。さらに、Ｍｇはｐ型ドーパント原子として使用されるが、好適な電子構造を条件とし、例えばＺｎなどのその他のドーパント原子を使用してもよい。これらの例およびその他の可能性であっても、平面半極性ｐ型半導体結晶の利益を被る。

本明細書は、ｐ型半極性結晶膜のｐ型伝導性を最大化するために使用される成長後アニールステップについて記載するが、成長後アニールは、すべての半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶の伝導性制御に必要でない場合がある。例えば、ＭＢＥなどの一部の成長技術または水素欠乏成長環境は、アニールする前に、１０^１９ｃｍ^−３未満の残留水素濃度をもたらす場合がある。

さらに、ドーピング原子の変化による半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎの電子バンド構造における変化、および／またはそれらの結晶内に内包された電子状態における変化によって、それらの半極性半導体膜がＨなどの非意図的な不純物に対して敏感でなくなる場合がある。

リアクタの状態は、リアクタの種類および設計によって異なる。上述のプロセスステップにおいて記載された成長は、半極性ＧａＮの成長に有利な状態であることが判明している一連の状態のみを含む。また、それらの膜は、圧力、温度、ガス量などの広いパラメータ空間下で成長し、すべて平面半極性窒化物膜を生成することも発見されている。

アニール温度、時間、および雰囲気ガス環境は、使用されるアニールシステム（例えば、高速熱アニール対チューブ溶炉など）、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体膜（例えば、ＧａＮ対Ａｌ_０．４Ｇａ_０．６Ｎ）、および半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体配向（例えば、

対

）によって異なってもよい。さらに、本明細書において採用される方法は、二次的アニールシステムを使用するが、ｐ型ドープ半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶の堆積後に、雰囲気ガスおよびリアクタ温度の好適な制御を通じ、成長システムにおいて原位置でアニールを行ってもよい。

好ましい実施形態は、ＡｌＧａＮ核形成層上のＧａＮ膜の成長について説明した。半極性または無極性窒化物膜をもたらすその他の種類の核形成層を使用することもできる。しかし、核形成層上で成長させられる構造は、変化する組成または段階的な組成を有する複数の層で構成されてもよい。大部分の窒化物デバイスは、異なる（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ組成の層を含むヘテロ構造で構成される。本発明は、任意の窒化物合金組成および任意の数の層またはそれらの組み合わせの成長に使用できる。伝導性制御は、機能的な半導体装置の製造に度々使用される。層、組成、ドーピングの種類および濃度、およびそれらの層の成長状態、アニールパラメータの数を調整し、本発明の意図および実践から逸脱することなく、最適な製造およびそれら半導体デバイスの機能を実現してもよい。

さらに、本発明の第１の利点はｐ型伝導性の制御において実現されるが、Ｓｉなどの追加のドーパントを使用してｎ型伝導性を実現してもよい。半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎの変更された対称性およびバンド構造によっても、本発明により記載される方法でｎ型伝導性が向上する場合がある。最後に、本発明は特に半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体におけるｐ型伝導性の制御を参照する。しかし、本発明は、従来の極性窒化物配向とは異なるバンド構造を有する任意の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ膜を含む。そのため、本発明は、ｍ平面またはａ平面配向などの非極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ膜における伝導性制御を含む。

（利点および改良点）
既存の実践は、平面に対してｃ平面の法線を有するＧａＮを成長させることである。該平面は、自発分極および圧電性分極を有し、デバイスの性能にとって有害である。ｃ平面窒化物膜上の半極性の利点は、分極の低減および特定デバイスの内部量子効率の向上である。

無極性平面を使用し、デバイスにおける分極効果を完全に抹消できる。しかし、これらの平面を成長させることは非常に困難であるため、無極性窒化物デバイスは現在製造されていない。無極性窒化物膜上の半極性は成長が容易である。半極性平面は、大きなパラメータ空間を有し、そこで成長することがわかっている。例えば、無極性平面は、大気圧下では成長しないが、半極性平面は実験上、６２．５トールから７６０トールで成長し、恐らくそれよりさらに広い範囲を有することが立証されている。

固体照明アプリケーション、レーザダイオード、両極性トランジスタ、および光電池用の高効率発光ダイオードなどの実際の電子デバイスは、ｎ型またはｐ型の主要キャリアを含む選択された領域を有する半導体結晶の制御製造を必要とする。本発明は、従来の極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎにおいて現在使用されている制御可能な伝導性と組み合わされる半極性および／または無極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶の利点により、光電子および電子デバイスの製造を可能にする。

Ｍｇでドープされた従来のｃ平面配向窒化物半導体結晶は、ドープされた極性窒化物結晶の電子バンド構造のため、Ｍｇドーパント濃度の約１００分の１のｐ型キャリア密度を有する。しかし、本発明は、Ｍｇドーパント濃度のただ１０分の１のｐ型キャリア密度を有する半極性窒化物半導体結晶をもたらす。言い換えれば、ドーピング濃度は、極性窒化物結晶のそれと比較して、劇的に増加させることができる。この強化Ｍｇ活性化によって、本発明を従来の極性窒化物ｐ型ドーピング技術より優れたものにする。本発明の別の新規特徴は、両方の高い正孔濃度＞１０^１８ｃｍ^−３を示すｐ型（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ膜をもたらすが、同時に８〜１４ｃｍ^２／Ｖｓのホール移動度を維持する。言い換えれば、キャリア密度および移動度を同時に増加または最大化することができ、極性窒化物の場合よりも高くなる。従来のｃ平面配向のｐ型窒化物半導体結晶は、等価な正孔濃度に対して、はるかに低い移動度を示す。結果として生じるホール移動度および濃度の結果は、本発明を使用して製造された（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶の場合、高い伝導性をもたらす。

さらに、従来のｃ平面配向窒化物半導体結晶は、伝導性などについて等方性面内電子特性を示す。しかし、半極性窒化物半導体の対称性が低減することによって、異方性面内電子特性がもたらされる。そのため、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ装置構造における２つの直交面内格子方向に沿う伝導性は、異なることが予測される。この相違は、設計者に電流波及、電流注入、熱放散、および光抽出のための装置設計における新たな自由度を可能にする。

最後に、半極性方向に沿う（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ半導体結晶の異なる電子バンド構造により、正孔質量が軽くなる。これによって、逆に、従来の極性窒化物結晶方位に関連して伝導性が高まり、発光ダイオードおよびレーザダイオードの性能が向上する。

半極性および無極性窒化物の伝導特性は非常に類似しているため、このセクションに記載される利点は、無極性窒化物に対しても同様のことが言える。伝導性を制御するための半極性または無極性平面の使用は新規である。そのため、本明細書に記載される方法は、無極性半導体窒化物にまで拡大できる。

（参考文献）
以下の参考文献は、参照することにより本明細書に組み込まれる。

（結論）
これで本発明の好ましい実施形態に関する記載を完結する。本発明の１つ以上の実施形態に関する前述の記載は、説明および記述目的で提示されている。本発明を包括すること、または本発明を開示された正確な形態に限定することを意図しない。上述の記載に照らして、多くの修正および変形例が可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されることを意図する。

本発明の方法、およびスピネル基板上に半極性ＧａＮ薄膜を成長するためのＭＯＣＶＤ処理を含む、好ましい実施形態を示すフローチャートである。Ｃｐ_２Ｍｇ流量対Ｍｇ濃度を示すグラフである。Ｍｇ濃度対Ｈ濃度を示すグラフである。Ｍｇ濃度対正孔濃度を示すグラフである。マグネシウム一定濃度に関するアニール温度対キャリア密度、および移動度を示すグラフであり、四角で表されるデータポイントはキャリア密度であり、菱形で表されるデータポイントは移動度である。＜０１１＞平面から離れたスピネル｛１００｝ＭｇＡｌ_２Ｏ_４のミスカット角度、マグネシウム一定濃度における対キャリア密度および移動度を示すグラフである。四角によって表されるデータポイントは移動度であり、菱形で表されるデータポイントはキャリア密度である。

Claims

成長中にｐ型ドーパントがドープされたｐ型半極性ＩＩＩ窒化物半導体を使用して、該ＩＩＩ窒化物デバイスまたはＩＩＩ窒化物半導体を製造する方法であって、
前記ｐ型半極性ＩＩＩ窒化物半導体に対する成長条件、および半極性結晶方向に沿うバンド構造を選択することにより、前記ｐ型半極性ＩＩＩ窒化物半導体の正孔濃度およびホール移動度を制御すること
を含み、
前記成長条件を選択することとして、少なくとも、前記ｐ型ドーパントの濃度を制御することを含み、
前記ＩＩＩ窒化物は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎであって、Ａｌ _ｘＩｎ _ｙＧａ _ｎＢ _ｚＮの組成比が、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｎ≦１、０≦ｚ≦１であり、
該正孔濃度は、ｐ型ドーパント濃度の少なくとも１０％である、方法。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、窒化ガリウム（ＧａＮ）であり、アニーリングされていない窒化ガリウム（ＧａＮ）に比べて、より高いキャリア濃度と共に改善された伝導性制御をさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体をミスカット基板上に堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
前記ミスカット基板は、＜０１１＞方向にミスカットされた｛１００｝ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネル基板であり、前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、
窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む、請求項３に記載の方法。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、
または
半極性ＩＩＩ窒化物を含む、請求項１に記載の方法。
前記成長中に、意図的または非意図的にドーパントを前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体に組み込むことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記ドーパントは、シリコン（Ｓｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、または炭素（Ｃ）を含む、請求項６に記載の方法。
前記非意図的なドーパントは、濃度が１×１０^１９ｃｍ^−３未満の水素である、請求項６に記載の方法。
成長中に前記ｐ型ドーパントを前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体にドープした後に、引き続く熱アニーリングステップを実行することをさらに含み、該熱アニーリングステップは、該ドープされた半極性ＩＩＩ窒化物半導体内の非意図的なドーパントの濃度を変え、該ドープされた半極性ＩＩＩ窒化物半導体の伝導性の改善をもたらす、請求項１に記載の方法。
請求項１に記載の方法により製造されたデバイス。
半極性ＩＩＩ窒化物半導体であって、
該半極性ＩＩＩ窒化物半導体における制御されたホール移動度およびｐ型キャリア濃度に基づくｐ型伝導性を含み、
前記ＩＩＩ窒化物は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎであって、Ａｌ _ｘＩｎ _ｙＧａ _ｎＢ _ｚＮの組成比が、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｎ≦１、０≦ｚ≦１であり、
該ｐ型キャリア濃度は、該半極性ＩＩＩ窒化物半導体内のｐ型ドーパント濃度の少なくとも１０％であり、該半極性ＩＩＩ窒化物半導体のホール移動度は、８〜１４ｃｍ^２／Ｖｓである、半極性ＩＩＩ窒化物半導体。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、８〜１４ｃｍ^２／Ｖｓのホール移動度を含み、前記ｐ型キャリア濃度は、前記ドーパント濃度の１０％である、請求項１１に記載の半極性ＩＩＩ窒化物半導体。
前記ｐ型半極性ＩＩＩ窒化物半導体はミスカット基板上またはミスカット基板の上方にある、請求項１１に記載の半導体。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、ＧａＮを含む、請求項１１に記載の半導体。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、｛１０−１−３｝、｛１０−１−１｝、｛１０−１２｝、｛２０−２１｝、｛１０−１４｝または｛１１−２２｝ＩＩＩ窒化物を含む、請求項１１に記載の半導体。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、｛１０−１−３｝または｛１１−２２｝ＩＩＩ窒化物を含む、請求項１１に記載の半導体。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体は、
ＩＩＩ窒化物を含む、請求項３に記載の方法。
ｐ型ＩＩＩ窒化物半導体を製造する方法であって、
成長中にｐ型ドーパントをＩＩＩ窒化物半導体にドープすることであって、該ＩＩＩ窒化物半導体は、半極性ＩＩＩ窒化物半導体である、ことと、
該ｐ型ドーパントを該ＩＩＩ窒化物半導体に成長中にドープした後に、引き続く熱アニーリングステップを実行することであって、該熱アニーリングステップは、該ｐ型ドーパントがドープされたＩＩＩ窒化物半導体内の非意図的なドーパントの濃度を変え、該ｐ型ドーパントがドープされたＩＩＩ窒化物半導体の伝導性の改善をもたらす、ことと
を含み、
前記ＩＩＩ窒化物は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎであって、Ａｌ _ｘＩｎ _ｙＧａ _ｎＢ _ｚＮの組成比が、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｎ≦１、０≦ｚ≦１であり、
該ＩＩＩ窒化物半導体内の正孔濃度は、ｐ型ドーパント濃度の少なくとも１０％であり、該ＩＩＩ窒化物半導体のホール移動度は、８〜１４ｃｍ^２／Ｖｓである、方法。
前記ｐ型ドーパントはマグネシウムであり、
前記ｐ型ドーパントの濃度を制御することは、マグネシウムドーパント濃度を生成する、ドーピング中のＣｐ_２Ｍｇの流れを変化させることによって、前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体における該マグネシウムの濃度を変化させることをさらに含み、
該流れは、０よりも大きく０．３μモル／分以下で変化し、該マグネシウムの濃度は、５×１０^１９ｃｍ^−３未満である、請求項１または１７に記載の方法。
前記ｐ型半極性ＩＩＩ窒化物半導体の所望の正孔濃度およびホール移動度を得るために、前記ミスカット基板のミスカット角を選択することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
前記アニーリングは、５５０℃〜８５０℃の温度で行われる、請求項９または１８に記載の方法。
前記アニーリングは、８００℃より高く、前記正孔濃度は、前記ｐ型ドーパント濃度の１０％である、請求項９または１８に記載の方法。
前記半極性ＩＩＩ窒化物半導体はＧａＮを含む、請求項１に記載の方法。