JP2009519193A5 - - Google Patents
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- 単結晶ダイヤモンドを含むノズルであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造される、ノズル。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項1に記載のノズル。
- 高圧水噴射切断装置で使用される、請求項1に記載のノズル。
- 単結晶ダイヤモンドを含む切断エッジを備える外科手術器具用切断ブレードであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、切断ブレード。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項4に記載の切断ブレード。
- 単結晶ダイヤモンドを含む切断エッジを備える切断器具であって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、切断器具。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項6に記載の切断器具。
- 単結晶ダイヤモンドを含む伸線ダイスであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、伸線ダイス。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項8に記載の伸線ダイス。
- 単結晶ダイヤモンドを含む軸受けであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、軸受け。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項10に記載の軸受け。
- 単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンドアンビルであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、ダイヤモンドアンビル。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項12に記載のダイヤモンドアンビル。
- 前記単結晶ダイヤモンドが実質的には無色である、請求項12に記載のダイヤモンドアンビル。
- ブリッジマンアンビルまたはParis−Edinburghトロイド状アンビルである、請求項12に記載のダイヤモンドアンビル。
- 単結晶ダイヤモンドを含むエタロンであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、エタロン。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項16に記載のエタロン。
- 単結晶ダイヤモンドを含む光学窓であって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、光学窓。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項18に記載の光学窓。
- 単結晶ダイヤモンドを含むα粒子検出器であって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造された、α粒子検出器。
i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項20に記載のα粒子検出器。
- 以下を含む方法によって製造されるレーザ彫り込み単結晶ダイヤモンド。
i)単結晶ダイヤモンドを作製するためにCVDプロセスを開始する前に、ダイヤモンド基板上にマークをレーザ彫り込みすること、
ii)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400℃の範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および
iii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内でダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること - 前記単結晶ダイヤモンドが、前記蒸着チャンバ雰囲気中で単位CH4当たり約5〜約25%のO2を使用することをさらに含む方法によって製造される、請求項22に記載のレーザ彫り込み単結晶ダイヤモンド。
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Family Cites Families (28)
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US6007916A (en) * | 1989-04-06 | 1999-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Synthetic single crystal diamond for wiring drawing dies and process for producing the same |
US5099788A (en) * | 1989-07-05 | 1992-03-31 | Nippon Soken, Inc. | Method and apparatus for forming a diamond film |
US5209182A (en) * | 1989-12-01 | 1993-05-11 | Kawasaki Steel Corporation | Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film |
US5704976A (en) * | 1990-07-06 | 1998-01-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High temperature, high rate, epitaxial synthesis of diamond in a laminar plasma |
US5410125A (en) * | 1990-10-11 | 1995-04-25 | Harry Winston, S.A. | Methods for producing indicia on diamonds |
US5507629A (en) * | 1994-06-17 | 1996-04-16 | Jarvik; Robert | Artificial hearts with permanent magnet bearings |
US5932119A (en) * | 1996-01-05 | 1999-08-03 | Lazare Kaplan International, Inc. | Laser marking system |
WO1998004382A1 (en) * | 1996-07-30 | 1998-02-05 | Drukker International B.V. | A method of producing a cutting tool insert |
AUPP089397A0 (en) * | 1997-12-12 | 1998-01-08 | Silverbrook Research Pty Ltd | Image creation method and apparatus (IJ37) |
US6582513B1 (en) * | 1998-05-15 | 2003-06-24 | Apollo Diamond, Inc. | System and method for producing synthetic diamond |
WO2001031082A1 (en) | 1999-10-28 | 2001-05-03 | P1 Diamond, Inc. | Improved diamond thermal management components |
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GB2383588B (en) | 2000-06-15 | 2004-05-05 | Element Six | Single crystal diamond prepared by CVD |
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US6811610B2 (en) * | 2002-06-03 | 2004-11-02 | Diamond Innovations, Inc. | Method of making enhanced CVD diamond |
GB0220767D0 (en) * | 2002-09-06 | 2002-10-16 | Diamanx Products Ltd | Diamond radiation detector |
GB0227261D0 (en) * | 2002-11-21 | 2002-12-31 | Element Six Ltd | Optical quality diamond material |
GB2396249B (en) * | 2002-11-21 | 2005-01-12 | Bookham Technology Plc | Wavelength locker |
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