CN1798880A - 采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法 - Google Patents

采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1798880A
CN1798880A CN 200480014829 CN200480014829A CN1798880A CN 1798880 A CN1798880 A CN 1798880A CN 200480014829 CN200480014829 CN 200480014829 CN 200480014829 A CN200480014829 A CN 200480014829A CN 1798880 A CN1798880 A CN 1798880A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
diamond
diamond thin
film
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 200480014829
Other languages
English (en)
Inventor
吉武刚
永山邦仁
原武嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Japan Science and Technology Agency
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Science and Technology Agency filed Critical Japan Science and Technology Agency
Publication of CN1798880A publication Critical patent/CN1798880A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

以往采用PLD法生长的金刚石薄膜，其金刚石晶粒的尺寸是1μm左右，并且膜的表面是凹凸的。在采用激光烧蚀法制造金刚石薄膜的方法中，衬底温度为450－650℃，反应室内是氢气氛，激光能量在100mJ或以上，靶与衬底之间的距离为15－25mm，在靶与衬底之间形成原子态氢和碳的过饱和状态，同时形成足以选择性地完全腐蚀除去沉积在衬底上的sp3键成分和sp2键成分中的sp2键成分(石墨成分)的氢气氛压力，从而生长出实质上不含非金刚石成分的单相超平微晶金刚石薄膜。

Description

采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法
技术领域
本发明是关于采用物理气相沉积法中的一种、即激光烧蚀法(pulsed laser ablation)制造超平微晶金刚石薄膜的方法。
背景技术
薄膜的制造方法可以大致分为物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)。金刚石薄膜大部分一直是采用后一种方法进行研究，得到单相的金刚石薄膜，但是，过去采用CVD法得到的薄膜，其表面粗糙度在70nm或以上。最近人们已经在开发粗糙度1nm或以下的超平化技术，目前已经达到探讨在器件上应用的阶段，不过，在生长极平膜时还存在以下问题，即沉积速度极小，仅有20-30nm/小时。另一方面，在物理气相沉积法中，人们已在尝试采用溅射法和离子束蒸镀法进行晶体生长，但进展并不明显，现在基本上已不在进行研究了。
在物理气相沉积法中，激光烧蚀法近年来被用于氧化物和化合物半导体等各种各样的材料，由于在低温下可以得到高品质的膜，因而受到人们的关注。作为这种制造方法的独特的特征，可以举出：(1)由于附着高能量的粒子，因而与其它制造方法相比可以进行低温生长；(2)容易生成准稳定相和非平衡相；(3)可以制作高纯度膜；(4)与靶的组成偏差较小；(5)制造装置简单等。其中，上述第(1)、(2)和(3)的特征被认为对于制造金刚石薄膜是极其有效的，不过，这方面的试验研究基本上还没有进行。
专利文献1中公开了在以石墨为靶材的激光烧蚀法中，通过组合使用将氢气氛和气氛气体分解的光照射的光CVD法生长金刚石的方法。这种方法的缺点是，只能生长粒状的金刚石，另外，由于从金刚石到衬底有一些距离，导致沉积速度减小。
专利文献2(美国专利第5368681号)中公开了采用激光烧蚀法制作金刚石薄膜的方法，该方法使用聚合物作为靶，以Si为衬底，衬底温度是450-700℃，衬底与靶之间的距离为30-40mm，反应气体使用氧或氢。但是，如同该文献附图中的SEM照片(图4和图5)所示，所得到的膜是由许多晶粒构成的表面凹凸的膜，由拉曼光谱(图6)可知，该膜是残留的无定形碳与金刚石的不连续的混相膜。
另外，1995年M.C.Polo等人的报告指出，采用激光烧蚀法在450℃左右的较低衬底温度下得到含有金刚石微晶的无定形碳薄膜，但这是在无定形碳膜中析出金刚石晶粒。此外，专利文献3中公开了，在采用激光烧蚀法形成碳类物质有薄膜的方法中、通过光化学反应根据反应光的照射条件选择性地生长特定的碳类物质晶体的方法。
另外，使石墨靶和衬底彼此间隔60mm或以上，在激光照射气氛中供给5×10-3Torr左右的氢气，形成金刚石薄膜或金刚石状碳(DLC)膜的方法的发明已经申请了专利(专利文献4)。但是，其实施例中所述的全都是DLC膜，该文献中教导说，靶与衬底之间的距离越大，越接近于金刚石。此后，在1999年，吉本等人报告有采用激光烧蚀法，在氧气氛中使用蓝宝石衬底，在无定形碳膜中异相外延生长直径几μm的金刚石晶体，相关的发明已经申请专利(专利文献5)。此外，使用飞秒激光器高速生长DLC膜的方法发明也已经申请了专利(专利文献6)。本发明人也曾报告了基于激光烧蚀法的金刚石薄膜的生长过程的研究结果(非专利文献1)。
专利文献1特开平6-234594号公报
专利文献2美国专利第5368681号说明书和附图
专利文献3特开平7-291773号公报
专利文献4特开平11-100295号公报
专利文献5特开平11-246299号公报
专利文献6WO 00/22184
非专利文献1Tsuyoshi Yoshitake et al.，“Consideration of growthprocess of diamond thin films in ambient oxygen by pulsed laser ablation ofgraphite”，Applied Surface Science，vol.197-198，352-356(2002)
发明内容
迄今为止用PLD法生长的金刚石薄膜，金刚石晶粒的尺寸为1μm左右并且膜表面是凹凸的。目前还没有报告指出，可以得到不含非金刚石成分的单相膜、经AFM测定粗糙度在1nm或以下、在原子水平上平整的超平微晶金刚石的连续膜。为了将来将金刚石薄膜应用到器件上，希望得到更为平整的膜。此外，以往金刚石薄膜一直是采用低压气相合成法、GSMBE法等制造的，但其生长速度非常慢，前者是几μm/小时，后者是几/小时。如果使用PLD法可以高速生长微晶金刚石薄膜，则对于在工业上应用是极为有利的。
图8中所示的，是在本发明人以前的研究中，使用氧作为气氛气体采用激光烧蚀法制成的金刚石的SEM图像。在该研究中，由于在采用激光烧蚀法生长金刚石薄膜的过程中使用石墨(99.99％)作为靶材，因而衬底上存在由金刚石引起的sp3键成分以及由石墨、无定形碳引起的sp2键成分。
因此，只要除去sp2键成分，使sp3键成分残留在衬底上就可以实现金刚石单相膜生长，由此出发，本发明人在以往的研究中，为了除去sp2键成分(石墨成分)，使用氧作为气氛气体，从而成功地实现金刚石的单相膜生长。氧具有选择性地腐蚀sp2键成分(石墨成分)的作用，只要制造条件达到最适宜程度，就可以在衬底上只生长sp3键成分(金刚石成分)。但是，在生成的膜中金刚石晶粒的尺寸为1μm左右，膜表面是凹凸的，因此将来在电子器件和涂层中应用还有困难。
本发明人在采用激光烧蚀法制造金刚石薄膜的方法中，使用氢代替氧，根据激光能量提高氢气氛的压力，并且形成碳的过饱和状态，从而成功地实现了以超高速的沉积速度实现在原子水平上平整的、被称为超平的经AFM测定粗糙度为1nm或以下的、超平微晶的实质上由单相金刚石构成的连续薄膜的生长。
即，本发明是：
(1)采用激光烧蚀法制造超平微晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，在采用激光烧蚀法制造金刚石薄膜的方法中，衬底温度为450-650℃，反应室内是氢气氛，激光能量在100mJ或以上，靶与衬底之间的距离为15-25mm，在靶与衬底之间形成原子态氢和碳的过饱和状态，同时，形成足以选择性地完全腐蚀除去沉积在衬底上的sp3键成分和sp2键成分中的sp2键成分(石墨成分)的氢气氛压力，从而生长出实质上不含非金刚石成分的单相超平微晶金刚石薄膜。
(2)上述(1)的采用激光烧蚀法制造超平微晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，氢气氛的压力是2Torr或以上。
(3)上述(1)或(2)的采用激光烧蚀法制造超平微晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，金刚石薄膜的生长速度是4μm/小时或以上。
在本发明的方法中，反应室内为氢气氛，形成足以选择性地完全腐蚀除去沉积在衬底上的sp2键成分(石墨成分)的氢气氛压力，同时，靶与衬底之间的距离是15-25mm。另外，在烧蚀法中，由于粒子是相对于靶的表面大致垂直地飞出，因而，靶与衬底之间的距离可以定义为靶表面的激光照射点与从该点延伸的垂线和衬底的交点的距离。
通过将靶与衬底之间的距离减至极小的15-25mm的程度，对于高温高压相金刚石的生长来说不可缺少的过饱和碳的过饱和度提高了，并且，从靶中释放出的高能量碳粒子与氢气氛碰撞，使其分解成原子态氢。在烧蚀烟流(plume)中存在受到激励的碳原子·分子和原子态的氢，衬底存在于烟流之中。结果，可以同时向衬底供给用于生长金刚石的过饱和的碳和原子态氢。
现已知道，这种原子态氢具有二个作用。一个作用是，选择性地腐蚀sp2键成分(石墨成分)，尽管这种作用与氧相比要弱一些。如果是氧，50-70mTorr的压力就可以了，与此相比氢的作用要弱一些，因此在将靶与衬底之间的距离减至极小的15-25mm程度的情况下，最好是形成2-10Torr的压力。
其第二个作用是，将金刚石晶粒之间连接，促进连续膜的生长。一旦达到碳的过饱和状态，在衬底上开始生长金刚石，则原子态氢就进入金刚石晶体之间，将晶体之间连接。当进入金刚石晶体连接、生长的阶段时，原子态氢移动至膜的表面，基本上不会残留在膜中。也就是说，可以获得表面活性剂的效果。在CVD法的场合，主要由于CH4而引起，氢残留在生成的膜中，当膜中存在氢的话，则光透射率和硬度降低，品质下降，因此，原子态氢不容易残留对于生长高品质的膜这一点是十分有利的。假如靶与衬底之间的距离大，不能形成过饱和的状态，原子态氢就会与碳原子结合，形成氢化无定形碳。
在以往的报告中，都是生成由晶粒构成的在膜表面方向上不连续的膜，与此相对，采用本发明的方法，由于上面所述的二种作用可以生长下面所述的金刚石单相连续膜，即，表面粗糙度1nm或以下的超平、微晶并且实质上不含非金刚石成分，也就是说，通过拉曼光谱测定只能看到由金刚石引起的1333cm-1的尖锐峰。而且，可以以4μm/小时或以上的超高生长速度进行生长。表1中示出微晶金刚石同金刚石状碳、多晶金刚石、单晶金刚石的性能比较。
                                      表1
  金刚石状碳   微晶金刚石   多晶金刚石   单晶金刚石
  非晶质   纳米微晶   多晶   单晶
  在异种衬底上生长   ◎容易   ○可能   △困难   ×极其困难
温度稳定性   ×由于是非平衡相，随温度而变质 ○稳定 ○稳定 ○稳定
带隙   在5.6eV间，根据sp2/sp3比例而改变 5.6eV 5.6eV 5.6eV
  绝缘性   ○   ○   ○   ◎
  膜的平滑性   ◎平滑   ◎平滑   ×凹凸   ◎平滑
  光洁度   ◎   ◎   ◎   △
  热传导率   ×   ◎   ◎   ◎
  透光性   ○   ◎   ◎   ◎
  作为高温工作半导体的可能性   ×   ○   ○   △
  作为涂覆材料的可能性   ◎   ◎   △   ×
  作为吸热材料的可能性   ×   ◎   △   ×
从晶粒直径的角度看，微晶金刚石是纳米数量级的微晶，处于非晶质的金刚石状碳(DLC)和多晶金刚石(晶粒直径为微米数量级)之间。如上所述，这种特征同时具有DLC和多晶金刚石的优点。由于DLC是非平衡相，在100℃或以上有随着温度而变质的缺点，而微晶金刚石是极其稳定的。
另一方面，单晶金刚石和多晶金刚石难以生成，即使能够生成，晶粒之间也容易形成间隙，易生成凹凸的不连接膜。微晶金刚石可以巧妙地克服这些缺点而又基本上不损害金刚石的其它优点。
为了将来将金刚石薄膜应用到器件上，要求超平的单相金刚石膜，通过使用氢作为气氛气体，形成高的氢气氛压力，减小靶与衬底之间的距离，能以超高速生长超平的微晶金刚石薄膜。
附图说明
图1是用于实施本发明方法的、采用激光烧蚀法的金刚石薄膜形成装置的示意图。
图2是在本发明的方法中示意地表示根据激光能量和氢气氛压力的关系形成超平金刚石单相膜的区域的图。
图3是在本发明的方法中示意地表示根据氢气氛的压力和靶与衬底间距离的关系形成超平金刚石单相膜的区域的图。
图4是表示比较例2中在2Torr的氢压力和550℃衬底温度下生长的无定型碳薄膜的SEM图像的代替附图的照片(a)和拉曼光谱(b)。
图5是表示比较例3中在3Torr氢压力和550℃衬底温度下生长的膜的SEM图像的代替附图的照片。
图6是表示实施例1中在4Torr氢压力和550℃衬底温度下生长的膜的SEM图像的代替附图的照片。
图7是实施例1中在4Torr氢压力和550℃衬底温度下生长的膜的拉曼光谱。
图8是表示以往例的使用氧作为气氛气体制成的金刚石薄膜的SEM图像的代替附图的照片。
图9是表示实施例1中在4Torr氢压力和550℃衬底温度下生长的膜的AFM图像的代替附图的照片。
图10是实施例1中在4Torr氢压力和550℃衬底温度下生长的膜的、通过AFM测定得到的膜的剖面粗糙外形轮廓。
图11是表示实施例1中生长的包含衬底的膜的剖面明场相和各部位的电子衍射花样的代替附图的照片。
图12是表示图11的各个部位的衍射环的代替附图的照片。
图13是表示实施例1中生长的包含衬底的膜的代替附图的照片，其中，(a)：衍射花样，(b)：明场相，(c)和(d)：(a)的部位的使用衍射光的暗场相。
具体实施方式
本发明的方法是，在实质上由氢构成的气氛中，对于由石墨、球壳状碳分子(フラ-レン)、聚乙烯等烃化合物等构成的靶进行激光烧蚀，使上述靶中飞溅出碳，在由金刚石、SiC、Si、蓝宝石、铂、钯等构成的衬底上生长金刚石膜的方法。
图1是示意表示本发明方法中使用的金刚石薄膜形成装置的一个例子的俯视图。在反应室1的内部，将通过透镜2聚光的激光3照射到设在靶座4上的靶5上，使由靶5上产生的碳粒子附着在设置于衬底座7上的衬底8上。靶座4和衬底座7分别以转动轴41和71旋转。利用泵9和开关阀10向反应室1内供给作为气氛气体的氢气。
在本发明的方法中，适宜的激光能量是100mJ或以上。低于100mJ时，由靶释放出的粒子数量较少，难以形成用于在衬底上生成金刚石的过饱和状态，并且膜的沉积速度降低。激光能量越高，可以供给衬底的高能量粒子越多，因而容易形成过饱和的状态，能够高速生长金刚石薄膜。如果激光能量较低，只能向衬底上供给少量的碳粒子，因而生长出无定形碳。
氢气氛压力的最适宜数值取决于靶与衬底之间的距离和激光能量而改变。通过找出最适宜的氢气氛压力值，可以得到超平的、完美的金刚石薄膜。激光能量越大，最适宜形成超平金刚石膜的氢气氛压力越高。例如，靶与衬底之间的距离是20mm的场合，激光能量为125mJ时，氢气氛的压力为2Torr就可以生长超平金刚石薄膜，而激光能量为200mJ时，要想生长超平的金刚石薄膜，氢气氛的压力应在4Torr或以上。图2中示意地表示出该激光能量和氢气氛压力的这种关系。图2中示出靶与衬底之间的距离为20mm时适合于形成超平金刚石单相膜的激光能量和氢气氛压力的范围。
另外，对于形成超平金刚石单相膜来说，氢气氛的压力越大，靶与衬底之间的距离越小。图3中示意地表示了这种关系。在需要增大氢气氛压力超过10Torr而以某种程度地提高激光能量时，由靶中释放出的粒子由于气氛气体中的氢的作用而强烈散射，到达衬底时的动能降低，不能形成过饱和的状态。
据认为，是否能够选择性地腐蚀sp2键成分(石墨成分)取决于衬底上的沉积量与气氛氢的量的比例，这是因为，当激光能量提高，沉积量增加时，生成的sp2键成分(石墨成分)增加，因而需要更多的氢才能选择性地将其腐蚀掉。
气氛中的氢分子在等离子体中离解，以原子状态自动地供给到衬底上。氢气氛的压力较低时，sp2键成分(石墨成分)不能充分被腐蚀而残留下来。氢气氛的压力较高时，氢分子使得由靶释放出的碳粒子散射，到达衬底上的碳粒子的数量·能量都减少了，不能形成过饱和的状态。
但是，通过将靶与衬底之间的距离减至极小的15-25mm的程度，可以形成对于生长高温高压相的金刚石不可缺少的碳的过饱和状态。靶与衬底之间的距离增大超过25mm时，供给到衬底上的碳量减少，不能达到过饱和的条件；反之，靶与衬底之间的距离小于15mm时，由于几何学上的问题，无法使激光照射到靶上。
衬底的温度在450-650℃为宜。低于该范围时，沉积在衬底上的粒子的移动性降低，生长出无定形碳；高于该范围时，生长中的金刚石软化，生长出稳定相的石墨。
实施例
下面通过比较例和实施例进一步具体地说明本发明。
用ArF受激准分子激光器(λ＝193nm)聚光，以45°入射角照射到靶的表面上，照射面积约为2mm2，在距离靶20mm、与之相对的金刚石(100)衬底上制作膜。金刚石(100)衬底预先使用丙酮进行超声波清洗。衬底温度是550℃，重复频率为50Hz，注量为10J/cm2，激光能量的大小是200mJ。
靶使用石墨(99.99％)。室内用涡轮高真空泵排气至10-6Torr以下，流入氢进行膜制作。比较例1-3和实施例1只是氢压力不同。使用扫描电子显微镜(SEM)分析生成膜的膜表面，使用拉曼光谱分析膜结构。
比较例1
将氢压力设定为1Torr。在1Torr氢压力下观测拉曼光谱时，观察到G峰和D峰，由此可知生成了典型的无定型碳。在进行膜表面的SEM观察时，没有观察到被认为是金刚石的物质。
比较例2
将氢压力设定为2Torr。如图4(a)所示，在2Torr的氢压力条件下，观察到许多直径0.5μm的有规则排列的四棱柱的粒子，但是，如图4(b)所示，在拉曼光谱测定时观察到G峰和D峰，由此可知是无定型碳。
比较例3
将氢压力设定为3Torr。如图5所示，在3Torr的氢压力条件下观测到具有直径0.2μm左右的呈带状规则排列的四棱柱粒子的区域。在各区域的拉曼光谱中，都观察到依赖于无定型碳的G峰和D峰。
实施例1
将氢压力设定为4Torr。如图6所示，在4Torr氢压力条件下观测到膜整体超平的薄膜。如图7所示，在拉曼光谱测定时只得到由金刚石引起的1333cm-1的尖锐峰。由此可知，生长了实质上不含非金刚石成分的单相金刚石。
将图8所示的使用氧作为气氛气体制备的金刚石的SEM图像与图6的SEM图像相比，可以看出使用氢作为气氛气体的膜是超平的。图9中示出实施例1得到的金刚石膜的AFM图像。图10中示出通过AFM测定得到的表面凹凸外形轮廓。观察到金刚石衬底本身所具有的条纹图案。测定的表面平均粗糙度是2.2nm，如果没有衬底的凹凸，可以说是1nm或以下的原子水平的超平膜。
使用表面粗糙度测定器测定生成膜的膜厚。在使用氧作为气氛气体的场合，在1-1.5小时的沉积时间内，沉积的膜厚约为1μm左右，而在使用氢的场合，在同样的沉积时间内形成约5-5.5μm的膜厚。目前，由于采用化学气相生长法生长金刚石，需要6-40小时，由此可知本发明的方法是极高速的沉积。
使用透射电子显微镜观察微晶金刚石薄膜。图11中示出包含衬底的膜的剖面明场相和各个部位的电子衍射花样。由衬底观测到典型的金刚石的衍射图像，由薄膜观测到与各种金刚石的晶格平面相当的环状的花样，由此可知是无取向的。如图12所示，各衍射环是由金刚石产生的衍射光。在图13中，(b)表示明场相，(c)和(d)表示(a)的衍射花样的c、d部分的使用衍射光的暗场相。由图示可知，生长的膜是由晶粒直径20nm或以下的金刚石微晶构成的。
实施例2
激光能量是150mJ，靶与基板之间的距离是15mm，氢压力为2Torr，除此之外按照与实施例1相同的条件生长超平的微晶的单相连续金刚石薄膜。
比较例4
靶与基板之间的距离为30mm，其它条件与实施例1相同，生成无定形碳。
产业上应用的可能性
如表1所示，用本发明的制造方法得到的微晶金刚石薄膜的各种性能优异，与其它种类的金刚石薄膜相比，作为高温工作的半导体、涂覆材料以及吸热材料的可能性更大。

Claims (3)

1.采用激光烧蚀法制造超平微晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，在采用激光烧蚀法制造金刚石薄膜的方法中，衬底温度为450-650℃，反应室内是氢气氛，激光能量在100mJ或以上，靶与衬底之间的距离为15-25mm，在靶与衬底之间形成原子态氢和碳的过饱和状态，同时，形成足以选择性地完全腐蚀除去沉积在衬底上的sp3键成分和sp2键成分中的sp2键成分的氢气氛压力，从而生长出实质上不含非金刚石成分的单相超平微晶金刚石薄膜。
2.权利要求1所述的采用激光烧蚀法制造超平微晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，氢气氛的压力是2Torr或以上。
3.权利要求1或2所述的采用激光烧蚀法制造超平微晶金刚石薄膜的方法，其特征在于，金刚石薄膜的生长速度是4μm/小时或以上。
CN 200480014829 2003-05-30 2004-03-22 采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法 Pending CN1798880A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003155406 2003-05-30
JP155406/2003 2003-05-30
JP398298/2003 2003-11-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1798880A true CN1798880A (zh) 2006-07-05

Family

ID=36819209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200480014829 Pending CN1798880A (zh) 2003-05-30 2004-03-22 采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1798880A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102583228A (zh) * 2012-03-14 2012-07-18 贵州大学 利用可控脉冲激光加工纳米结构的方法及装置
CN105253883A (zh) * 2015-09-25 2016-01-20 郑州华晶金刚石股份有限公司 一种新型可控型的层状结构的纳米钻石烯
CN105476309A (zh) * 2015-12-16 2016-04-13 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种高耐磨性橱柜台面及生产方法
CN105476308A (zh) * 2015-12-16 2016-04-13 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 耐磨橱柜台面及生产工艺
CN105508479A (zh) * 2016-02-01 2016-04-20 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种高耐磨高导热刹车片及制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102583228A (zh) * 2012-03-14 2012-07-18 贵州大学 利用可控脉冲激光加工纳米结构的方法及装置
CN102583228B (zh) * 2012-03-14 2015-05-20 贵州大学 利用可控脉冲激光加工纳米结构的方法及装置
CN105253883A (zh) * 2015-09-25 2016-01-20 郑州华晶金刚石股份有限公司 一种新型可控型的层状结构的纳米钻石烯
CN105476309A (zh) * 2015-12-16 2016-04-13 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种高耐磨性橱柜台面及生产方法
CN105476308A (zh) * 2015-12-16 2016-04-13 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 耐磨橱柜台面及生产工艺
CN105476309B (zh) * 2015-12-16 2017-11-03 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种高耐磨性橱柜台面及生产方法
CN105508479A (zh) * 2016-02-01 2016-04-20 郑州人造金刚石及制品工程技术研究中心有限公司 一种高耐磨高导热刹车片及制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11359276B2 (en) Self-supporting ultra-fine nanocrystalline diamond thick film
Chattopadhyay et al. Nanotips: growth, model, and applications
JP2009519193A5 (zh)
CN102409399A (zh) 一种高质量石墨烯的制法
US20070251446A1 (en) Chemically attached diamondoids for CVD diamond film nucleation
Jafari et al. Growth of boron carbide nanostructures on silicon using hot filament chemical vapour deposition
Clausing et al. Electron microscopy of the growth features and crystal structures of filament assisted CVD diamond films
CN1798880A (zh) 采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜的方法
EP1640482A1 (en) Process for producing extremely flat microcrystalline diamond thin film by laser ablation method
CN1271243C (zh) 纳米微晶金刚石薄膜及其制备方法
Chow et al. Fullerene formation during production of chemical vapor deposited diamond
Sajjad et al. Design and installation of a CO2-pulsed laser plasma deposition system for the growth of mass product nanostructures
Sajjad et al. Effect of substrate temperature in the synthesis of BN nanostructures
Lu et al. Amorphous hydrogenated carbon synthesized by pulsed laser deposition from cyclohexane
Komatsu et al. High‐pressure phases of boron nitride grown by laser‐assisted plasma chemical vapor deposition from BCl3+ NH3+ H2+ Ar
Linnik et al. Deposition of polycrystalline diamond films with a controlled grain size by periodic secondary nucleation
Sharma et al. Diamond nucleation at the organic liquid-metal interface by laser-induced reactive quenching
US5334453A (en) Diamond-coated bodies and process for preparation thereof
KR102314020B1 (ko) 육방정계 질화붕소/그래핀 2차원 복합 소재 제조방법
Komatsu et al. Cubic boron nitride crystallites grown by laser-enhanced plasma chemical vapour deposition
Zou et al. The fabrication of cubic boron nitride nanocone and nanopillar arrays via reactive ion etching
Akiba et al. Formation of a nanogroove-striped NiO surface using atomic steps
JPH06262406A (ja) 切削工具およびその製造法
CN1083813C (zh) 晶态α和β相氮化碳薄膜材料的制备方法
CN1255553A (zh) C3n4/mn多层复合超硬薄膜及其合成装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned
C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned