JP2009514128A - セルフリフレッシュ・メモリセルのためのダイナミックランダムアクセスメモリデバイスおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
215 セルフリフレッシュ制御装置
217 発振器
225 アドレスデコーダ
Claims (22)
- セルフリフレッシュモードと非セルフリフレッシュモードとで選択的に動作するダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスであって、
前記リフレッシュモードの選択に対応してセルフリフレッシュモード信号を出力する検出回路と、
DRAM電力表示信号に対応して発振信号を生成する発振回路と、
前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号に対応してセルフリフレッシュ要求信号を出力するセルフリフレッシュ要求回路と、
前記セルフリフレッシュ要求信号に対応してリフレッシュされるようにDRAMセルのリフレッシュアドレスを出力するリフレッシュアドレス回路と
を有することを特徴とするDRAMデバイス。 - 前記発振回路は、前記発振信号を生成する自励発振器を有し、
前記自励発振器は、電力信号に対応して前記発振信号の生成を開始する請求項1に記載のDRAMデバイス。 - 検出回路は、前記セルフリフレッシュモードに入ることとそこから出ることのそれぞれに対応してセルフリフレッシュモード信号をイネーブルおよび非イネーブルにするものであり、
セルフリフレッシュ要求回路は、前記セルフリフレッシュモードに入ることと前記セルフリフレッシュモードから出ることのそれぞれに対応してセルフリフレッシュ要求信号をイネーブルおよび非イネーブルにするものである請求項2に記載のDRAMデバイス。 - 前記検出回路は、セルフリフレッシュモードと非セルフリフレッシュモードのそれぞれに対応して、前記セルフリフレッシュモード信号が「ハイ」および「ロー」論理状態になることを可能にする請求項3に記載のDRAMデバイス。
- 前記発振回路は、前記発振信号として「ハイ」および「ロー」論理状態を持つパルス信号を生成し、
前記発振信号の論理状態の変化は、前記セルフリフレッシュモード信号の論理状態にかかわらずに行われる請求項4に記載のDRAMデバイス。 - 前記セルフリフレッシュ要求回路は、
前記セルフリフレッシュ要求信号として論理的に組み合わされた出力信号を出力するために、前記セルフリフレッシュモード信号と前記発振信号とを論理的に組み合わせる論理回路を有する請求項5に記載のDRAMデバイス。 - 前記論理回路は、前記セルフリフレッシュモード信号の論理状態が「ハイ」のとき、前記発振信号の「ロー」論理状態から「ハイ」論理状態への変化に対応して前記セルフリフレッシュ要求信号を出力する請求項6に記載のDRAMデバイス。
- 前記論理回路は、前記セルフリフレッシュモード信号の論理状態が「ロー」のとき、前記セルフリフレッシュ要求信号の出力を停止する請求項7に記載のDRAMデバイス。
- 前記論理回路は、
前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号の「ハイ」論理状態がオーバラップしているとき、前記セルフリフレッシュモード信号と前記発振信号との間の信号タイミングの競合を調停する調停回路を有する請求項6に記載のDRAMデバイス。 - 前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号の「ハイ」論理状態がオーバラップしているとき、前記論理回路は、前記発振信号の「ロー」論理状態から「ハイ」論理状態へのその後の変化に対応して、前記セルフリフレッシュ要求信号を出力する請求項9に記載のDRAMデバイス。
- 前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号の「ハイ」論理状態がオーバラップしているとき、前記論理回路は、前記発振信号の「ハイ」論理状態から「ロー」論理状態へのその後の変化に対応して、前記セルフリフレッシュ要求信号の出力を停止する請求項10に記載のDRAMデバイス。
- 前記調停回路は、
カスケード接続された第1および第2フリップフロップ回路を有するラッチ回路を有し、
前記第1および第2フリップフロップ回路のそれぞれは、セット入力およびリセット入力を持ち、
前記第1フリップフロップ回路のセット入力およびリセット入力は、それぞれ、前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号を受け、
前記第2フリップフロップ回路のセット入力およびリセット入力は、それぞれ、前記第1フリップフロップ回路の出力および前記発振信号を受け、
前記第2フリップフロップ回路の出力は、提供される前記セルフリフレッシュ要求信号を出力する請求項9に記載のDRAMデバイス。 - 前記論理回路は、
前記セルフリフレッシュ要求信号として論理的に組み合わされた信号を生成するために、前記第2フリップフロップ回路の出力信号と前記発振信号とを論理的に組み合わせるANDゲートをさらに有する請求項12に記載のDRAMデバイス。 - セルフリフレッシュモードと非セルフリフレッシュモードとで動作するメモリセルを持つダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスをセルフリフレッシュするための方法であって、
前記セルフリフレッシュモードと非セルフリフレッシュモードとで、それぞれイネーブルおよび非イネーブルにされるセルフリフレッシュモード信号を出力するステップと、
前記セルフリフレッシュモード信号の状態にかかわらずに発振信号を生成するステップと、
前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号に対応してセルフリフレッシュ要求信号を出力するステップと、
アドレス信号によって選択されたワードラインに関連するメモリセルをリフレッシュするために、前記セルフ要求信号に対応して前記アドレス信号を出力するステップとを有することを特徴とする方法。 - 前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号に対応してセルフリフレッシュ要求信号の出力を停止するステップをさらに有する請求項14に記載の方法。
- 前記発振信号を生成するステップは、
前記DRAMデバイスの動作状態に対応して提供される電力信号に対応して自励発振信号を生成するステップを有する請求項15に記載の方法。 - 前記セルフリフレッシュモード信号を出力するステップは、「ハイ」および「ロー」論理状態を持つセルフリフレッシュモード信号を出力するステップを有し、
前記発振信号を生成するステップは、「ハイ」および「ロー」論理状態を持つ発振信号を生成するステップを有し、
前記セルフリフレッシュ要求信号を出力するステップは、前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号の論理状態に対応してセルフリフレッシュ要求信号を出力するステップを有する請求項16に記載の方法。 - 前記セルフリフレッシュ要求信号を出力するステップは、
前記セルフリフレッシュモード信号および前記発振信号が「ハイ」論理状態である状況における前記論理状態に基づいて、前記セルフリフレッシュ要求信号を出力するタイミングを調停するステップを有する請求項17に記載の方法。 - 前記タイミングを調停するステップは、
前記セルフリフレッシュモード信号の上昇変化が前記発振信号の上昇変化よりも早期である状況では、前記発振信号のその後の上昇変化に対応して前記セルフリフレッシュ信号を出力するステップを有する請求項18に記載の方法。 - 前記タイミングを調停するステップは、
前記発振信号の上昇変化が前記セルフリフレッシュモード信号の上昇変化よりも早期である状況では、前記発振信号のその後の降下変化に対応して、前記セルフリフレッシュ信号の出力を停止するステップを有する請求項18に記載の方法。 - セルフリフレッシュモードと非セルフリフレッシュモードとで選択的に動作するダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスに使用されるセルフリフレッシュ制御装置であって、
前記リフレッシュモードの選択に対応してセルフリフレッシュモード信号を出力する検出回路と、
DRAM電力表示信号に対応して発振信号を生成する発振回路と、を有し、
セルフリフレッシュ要求信号に対応して、前記DRAMのワードラインに関連するメモリセルをリフレッシュするために、アドレス信号を出力することを特徴とするセルフリフレッシュ制御装置。 - 前記発振回路は、セルフリフレッシュモードおよび非セルフリフレッシュモードの期間に前記発振信号を生成するものであり、
前記検出回路は、前記発振信号と並行にセルフリフレッシュモード信号を出力するものであり、
前記セルフリフレッシュモード信号は、前記セルフリフレッシュモードにおいてイネーブルにされる請求項21に記載のセルフリフレッシュ制御装置。
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