JP2009298659A - 炭化ケイ素単結晶の研削方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 坩堝蓋体3を切削予定面Cの位置でワイヤーソーを用いて切断する。切削予定面Cから種結晶載置部3Cの表面までの厚さtは、種結晶4を含む炭化ケイ素単結晶5の成長高さhの3倍以下になるように設定する。次いで、炭化ケイ素単結晶5を研削装置の中空円筒状砥石を用いて研削(円形加工)する。
【選択図】 図2
Description
本発明に係る炭化ケイ素単結晶の研削方法を適用したサンプル20個と、本発明を適用せずに従来の研削方法を適用したサンプル18個と、を用いて、炭化ケイ素単結晶に発生したクラック数とクラック発生率を以下の表1に示す。
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
Claims (3)
- 黒鉛でなる円筒形状の坩堝本体と、前記坩堝本体の一方の開口部を閉塞し、前記坩堝本体内に臨む面に炭化ケイ素の種結晶が配置される、黒鉛でなる坩堝蓋体と、を備えてなる坩堝を用いて、前記種結晶上に形成された炭化ケイ素単結晶の研削方法であって、
前記炭化ケイ素単結晶が形成された前記坩堝蓋体が残るように、前記坩堝本体のみを取り外す工程と、
前記坩堝蓋体を前記坩堝本体の軸方向と直角をなす方向に切削する工程と、
前記炭化ケイ素単結晶を研削する工程と、
を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の研削方法。 - 前記坩堝蓋体の切削により、坩堝蓋体の厚さが、前記種結晶を含む炭化ケイ素単結晶の成長高さの3倍以下に設定することを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素単結晶の研削方法。
- 前記坩堝蓋体の切削により、坩堝蓋体の厚さが、前記種結晶を含む炭化ケイ素単結晶の成長高さの1.5倍以下に設定することを特徴とする請求項2に記載の炭化ケイ素単結晶の研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5061038B2 JP5061038B2 (ja) | 2012-10-31 |
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JP (1) | JP5061038B2 (ja) |
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