JPH0558781A - 多結晶シリコン半導体の製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0558781A JPH0558781A JP22034491A JP22034491A JPH0558781A JP H0558781 A JPH0558781 A JP H0558781A JP 22034491 A JP22034491 A JP 22034491A JP 22034491 A JP22034491 A JP 22034491A JP H0558781 A JPH0558781 A JP H0558781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- mold
- casting mold
- silicon semiconductor
- polycrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、鋳型内の側壁にテーパを付ける工
程、及び鋳型に注入されたシリコン融液の冷却固化後、
鋳型から鋳塊を取り出す際の工程を省略することによっ
て、量産性を向上させることを目的とする。 【構成】 本発明は、鋳型中に満たされたシリコン融液
を冷却固化して多結晶シリコン半導体の鋳塊とした後、
上記鋳型ごと上記鋳塊を切断又はスライスすることによ
ってウエハ形状の多結晶シリコン半導体を形成すること
を特徴とする。
程、及び鋳型に注入されたシリコン融液の冷却固化後、
鋳型から鋳塊を取り出す際の工程を省略することによっ
て、量産性を向上させることを目的とする。 【構成】 本発明は、鋳型中に満たされたシリコン融液
を冷却固化して多結晶シリコン半導体の鋳塊とした後、
上記鋳型ごと上記鋳塊を切断又はスライスすることによ
ってウエハ形状の多結晶シリコン半導体を形成すること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多結晶シリコン半導体
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多結晶シリコン半導体からなる太陽電池
は、最近盛んに研究開発が行われており、変換効率もア
モルファスシリコン太陽電池に比較して高効率となって
いる。
は、最近盛んに研究開発が行われており、変換効率もア
モルファスシリコン太陽電池に比較して高効率となって
いる。
【０００３】そのような太陽電池に用いられる多結晶シ
リコン半導体の製造方法が、特開昭６２−１０８５１５
号公報に開示されている。
リコン半導体の製造方法が、特開昭６２−１０８５１５
号公報に開示されている。
【０００４】これによれば、高純度の黒鉛からなる４枚
の側壁並びに１枚の底板を螺子で組立てて鋳型として、
この鋳型中にシリコン融液を注入し、冷却固化した後、
上記螺子を取り外すことによって鋳塊を取り出してい
た。
の側壁並びに１枚の底板を螺子で組立てて鋳型として、
この鋳型中にシリコン融液を注入し、冷却固化した後、
上記螺子を取り外すことによって鋳塊を取り出してい
た。
【０００５】然し乍ら、鋳型は側壁並びに底板を螺子に
よって組み立てており、それら側壁並びに底板が夫々接
触する個所を精度よく作製しておかないと、シリコン融
液の注入の際に鋳型の外部に上記融液が漏洩してしまう
恐れがあったり、また冷却固化した鋳塊を取り出すとき
に側壁並びに底板をハンマー等で叩いて、側壁並びに底
板を取り外すことがあり、それら側壁並びに底板が欠損
したりすることがある。
よって組み立てており、それら側壁並びに底板が夫々接
触する個所を精度よく作製しておかないと、シリコン融
液の注入の際に鋳型の外部に上記融液が漏洩してしまう
恐れがあったり、また冷却固化した鋳塊を取り出すとき
に側壁並びに底板をハンマー等で叩いて、側壁並びに底
板を取り外すことがあり、それら側壁並びに底板が欠損
したりすることがある。
【０００６】一方、鋳型を一体成形して作成する場合に
あっては、シリコン融液の冷却固化後、鋳型内の鋳塊を
取り出し易くするために、鋳型内の側壁にテーパを付け
ることが通常行われており、そのテーパを付ける作業を
別途必要とする。
あっては、シリコン融液の冷却固化後、鋳型内の鋳塊を
取り出し易くするために、鋳型内の側壁にテーパを付け
ることが通常行われており、そのテーパを付ける作業を
別途必要とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、鋳
型に注入されたシリコン融液の冷却固化後、鋳型から鋳
塊を取り出す際の工程、及び鋳型作成時の鋳型内の側壁
にテーパを付ける工程を省略することによって、ウエハ
の量産性を向上させることを目的とする。
型に注入されたシリコン融液の冷却固化後、鋳型から鋳
塊を取り出す際の工程、及び鋳型作成時の鋳型内の側壁
にテーパを付ける工程を省略することによって、ウエハ
の量産性を向上させることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、鋳型中に満た
されたシリコン融液を冷却固化して多結晶シリコン半導
体の鋳塊とした後、上記鋳型ごと上記鋳塊を切断又はス
ライスすることによってウエハ形状の多結晶シリコン半
導体を形成することを特徴とする。
されたシリコン融液を冷却固化して多結晶シリコン半導
体の鋳塊とした後、上記鋳型ごと上記鋳塊を切断又はス
ライスすることによってウエハ形状の多結晶シリコン半
導体を形成することを特徴とする。
【０００９】
【作用】鋳型内の鋳塊を取り出す際に、鋳型ごと鋳塊を
切断又はスライスする。
切断又はスライスする。
【００１０】
【実施例】本発明の多結晶シリコン半導体の製造工程図
を図１に示す。
を図１に示す。
【００１１】図１（ａ）に示すように、本発明で用いら
れる鋳型１は、内壁幅２２ｃｍ×２２ｃｍ、深さ２２ｃ
ｍの黒鉛性で一体成形されており、その鋳型１内に２２
ｋｇのシリコン融液を注入し、室温まで冷却固化して鋳
塊２を作製する。
れる鋳型１は、内壁幅２２ｃｍ×２２ｃｍ、深さ２２ｃ
ｍの黒鉛性で一体成形されており、その鋳型１内に２２
ｋｇのシリコン融液を注入し、室温まで冷却固化して鋳
塊２を作製する。
【００１２】この後、図１（ｂ）に示すように鋳型１の
側面と共に鋳塊２の側周辺部を切り落として、断面が１
０ｃｍ四方の角柱３を４本作製する。
側面と共に鋳塊２の側周辺部を切り落として、断面が１
０ｃｍ四方の角柱３を４本作製する。
【００１３】最後に、図１（ｃ）に示すようにワイヤー
ソーで夫々の角柱３を厚さ０．５ｍｍのウエハ４に切断
する。
ソーで夫々の角柱３を厚さ０．５ｍｍのウエハ４に切断
する。
【００１４】このように、本発明の特徴とするところ
は、鋳型１の側面と共に鋳塊２の側周辺部を同時に切り
落とした後、所定のウエハ形状の多結晶シリコン半導体
に作製する点である。
は、鋳型１の側面と共に鋳塊２の側周辺部を同時に切り
落とした後、所定のウエハ形状の多結晶シリコン半導体
に作製する点である。
【００１５】なお、本実施例では、冷却固化された鋳塊
２の側周辺部を、鋳型１の側面と共に切り落としている
が、これに限られず、鋳型１ごとワイヤーソーでスライ
スすることによりウエハ４を作製して、この後、ウエハ
４の周辺部を切り落としても良いことはいうまでもな
い。
２の側周辺部を、鋳型１の側面と共に切り落としている
が、これに限られず、鋳型１ごとワイヤーソーでスライ
スすることによりウエハ４を作製して、この後、ウエハ
４の周辺部を切り落としても良いことはいうまでもな
い。
【００１６】
【発明の効果】本発明の多結晶シリコン半導体の製造方
法によれば、鋳型内の側壁にテーパを付ける工程を必要
としないと共に、鋳型中に満たされたシリコン融液を冷
却固化して多結晶シリコン半導体の鋳塊とした後、上記
鋳型ごと上記鋳塊を切断又はスライスすることによって
ウエハ形状の多結晶シリコン半導体とし、鋳塊作製後の
鋳型から当該鋳塊を取り出したり、また鋳型を取り外し
たりする工程を必要としない結果、高い量産性を実現す
ることができる。
法によれば、鋳型内の側壁にテーパを付ける工程を必要
としないと共に、鋳型中に満たされたシリコン融液を冷
却固化して多結晶シリコン半導体の鋳塊とした後、上記
鋳型ごと上記鋳塊を切断又はスライスすることによって
ウエハ形状の多結晶シリコン半導体とし、鋳塊作製後の
鋳型から当該鋳塊を取り出したり、また鋳型を取り外し
たりする工程を必要としない結果、高い量産性を実現す
ることができる。
【図１】本発明の多結晶シリコン半導体の製造工程図
１ 鋳型 ２ 鋳塊 ３ 角柱 ４ ウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 鋳型中に満たされたシリコン融液を冷却
固化して多結晶シリコン半導体の鋳塊とした後、上記鋳
型ごと上記鋳塊を切断又はスライスすることによってウ
エハ形状の多結晶シリコン半導体を形成することを特徴
とする多結晶シリコン半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22034491A JPH0558781A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 多結晶シリコン半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22034491A JPH0558781A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 多結晶シリコン半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558781A true JPH0558781A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16749675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22034491A Pending JPH0558781A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 多結晶シリコン半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0558781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08107945A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Itachibori Seisakusho:Kk | 可変噴霧ノズル |
| JP2009298659A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の研削方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP22034491A patent/JPH0558781A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08107945A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Itachibori Seisakusho:Kk | 可変噴霧ノズル |
| JP2009298659A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の研削方法 |
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