JPH04342409A - 金属ウエハーの生産のためのプロセスとシリコンウエハーの使用 - Google Patents
金属ウエハーの生産のためのプロセスとシリコンウエハーの使用Info
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- JPH04342409A JPH04342409A JP4032953A JP3295392A JPH04342409A JP H04342409 A JPH04342409 A JP H04342409A JP 4032953 A JP4032953 A JP 4032953A JP 3295392 A JP3295392 A JP 3295392A JP H04342409 A JPH04342409 A JP H04342409A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体又は金属融成物
が基板に結晶化されたシート圧伸プロセスによる規定寸
法の半導体又は金属ウェハーの生産のためにプロセスに
関し、そしてまた、そのプロセスによる生産されたシリ
コンウェハーの使用に関する。
が基板に結晶化されたシート圧伸プロセスによる規定寸
法の半導体又は金属ウェハーの生産のためにプロセスに
関し、そしてまた、そのプロセスによる生産されたシリ
コンウェハーの使用に関する。
【０００２】
【従来技術及びその課題】光起電力効果は、太陽電池の
ための生産費用をさらに低減することに成功した時、大
規模な電気エネルギー生産の経済的観点から有望になっ
た。
ための生産費用をさらに低減することに成功した時、大
規模な電気エネルギー生産の経済的観点から有望になっ
た。
【０００３】過去には、多結晶シリコン製の太陽電池が
、光起電力エネルギー生産の重要な役割を確保し、無汚
染の性質、開始物質二酸化ケイ素の広分布と長期にわた
って安定な比較的高い効率の如くシリコンの固有な利点
のほかに、太陽電池の生産のためのすでに成熟した技術
の利点がある。しかし、継続する不満足な費用状況が、
多結晶シリコンに基づいた太陽電池のいっそうの普及を
さえぎっている。かなりの費用削減の開始点は、多結晶
シリコンウェハーの生産である。
、光起電力エネルギー生産の重要な役割を確保し、無汚
染の性質、開始物質二酸化ケイ素の広分布と長期にわた
って安定な比較的高い効率の如くシリコンの固有な利点
のほかに、太陽電池の生産のためのすでに成熟した技術
の利点がある。しかし、継続する不満足な費用状況が、
多結晶シリコンに基づいた太陽電池のいっそうの普及を
さえぎっている。かなりの費用削減の開始点は、多結晶
シリコンウェハーの生産である。
【０００４】先行技術は、柱状結晶成長による多結晶鋳
塊へのシリコンの融解、鋳込及び指向性凝固である。機
械的細分化の続く段階は、高効率の太陽電池が生産され
る多結晶シリコンウェハーにつながる。
塊へのシリコンの融解、鋳込及び指向性凝固である。機
械的細分化の続く段階は、高効率の太陽電池が生産され
る多結晶シリコンウェハーにつながる。
【０００５】多結晶シリコン鋳塊の生産の装置は、例え
ば、米国特許第４、１７５、６１０号と第４、２５６、
６８１号とＥＰ−Ａ ０ ０２１ ３８５から公
知である。鋳塊を細分化するために、機械的鋸が、通常
使用され、穴びき鋸原理（ＥＰＡ０ ２６９ ９９
７）により主に動作する。金属帯から成る鋸で半導体物
質を分割するための装置が、ＤＰ−Ａ ３ ３０５
６９６において記載される。各鋸段階での切りくず
は、穴びき鋸で少なくとも１８０μｍであり、そしてワ
イヤ鋸でも同一規模の切りくずが切り幅が１２０〜１５
０μｍであることから発生する。
ば、米国特許第４、１７５、６１０号と第４、２５６、
６８１号とＥＰ−Ａ ０ ０２１ ３８５から公
知である。鋳塊を細分化するために、機械的鋸が、通常
使用され、穴びき鋸原理（ＥＰＡ０ ２６９ ９９
７）により主に動作する。金属帯から成る鋸で半導体物
質を分割するための装置が、ＤＰ−Ａ ３ ３０５
６９６において記載される。各鋸段階での切りくず
は、穴びき鋸で少なくとも１８０μｍであり、そしてワ
イヤ鋸でも同一規模の切りくずが切り幅が１２０〜１５
０μｍであることから発生する。
【０００６】幾つかの平行金属帯の長鋸盤も同様に１２
０〜１５０μｍの切り幅につながる。これらの公知の機
械的細分プロセスのすべてで、半導体材料の４分の１な
いし２分の１が切りくずにより失われる。
０〜１５０μｍの切り幅につながる。これらの公知の機
械的細分プロセスのすべてで、半導体材料の４分の１な
いし２分の１が切りくずにより失われる。
【０００７】この損失を避けるために、高速シート圧伸
プロセス（ｓｈｅｅｔｄｒａｗｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ
）が現在開発され、鋳塊の鋳造とそれらの分割による費
用と時間のかかるう回をすることなしに適切な厚さのシ
リコンシートを直接に獲得することを可能にしている。 上記の問題を回避するために潜在的に好適な高平面生産
率の高速シート圧伸プロセスは、ＥＰ−Ａ ０ １
７０ １１９、ＥＰ−Ａ ０ ０７２ ５６５
とＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４９から公知である
。
プロセス（ｓｈｅｅｔｄｒａｗｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ
）が現在開発され、鋳塊の鋳造とそれらの分割による費
用と時間のかかるう回をすることなしに適切な厚さのシ
リコンシートを直接に獲得することを可能にしている。 上記の問題を回避するために潜在的に好適な高平面生産
率の高速シート圧伸プロセスは、ＥＰ−Ａ ０ １
７０ １１９、ＥＰ−Ａ ０ ０７２ ５６５
とＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４９から公知である
。
【０００８】ＥＰ−Ａ ０ １７０ １１９によ
る帯形シリコン結晶の生産プロセスにおいて、シリコン
融成物に耐性のある支持体が、槽に存在するシリコン融
成物に接する水平方向において圧伸され、そしてシリコ
ンを被覆される。ＥＰ−Ａ ０ ０７２ ５６５
によるプロセスにおいて、融解半導体材料は、急しゅん
に上方に輸送される基体へのスロット状開口により塗布
される。ＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４９によるプ
ロセスにおいて、融解半導体は、基板が鋳型に関して移
動する間、形状ダイの補助により基板に塗布され、そし
て鋳型と基板の間の温度こう配が、結晶化がこの領域に
おいて開始する如く調整される。
る帯形シリコン結晶の生産プロセスにおいて、シリコン
融成物に耐性のある支持体が、槽に存在するシリコン融
成物に接する水平方向において圧伸され、そしてシリコ
ンを被覆される。ＥＰ−Ａ ０ ０７２ ５６５
によるプロセスにおいて、融解半導体材料は、急しゅん
に上方に輸送される基体へのスロット状開口により塗布
される。ＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４９によるプ
ロセスにおいて、融解半導体は、基板が鋳型に関して移
動する間、形状ダイの補助により基板に塗布され、そし
て鋳型と基板の間の温度こう配が、結晶化がこの領域に
おいて開始する如く調整される。
【０００９】獲得された半導体又は金属シートの幾何形
状は、圧伸プロセスにおける実験条件による。ＥＰ−Ａ
０ １７０ １１９によるプロセスにおいて、
半導体シートの幾何形状は、組み込まれた支持体によっ
て決定され、すなわち、半導体帯が一般に獲得される。 ＥＰ−Ａ ０ ０７２ ５６５によるプロセスに
おいて、半導体シートの形状は基体の幾何形状によって
決定される。 例えば、５０ｍｍ×５０ｍｍ大の１０個の基板を被覆す
ることにより、５００ｍｍ長、５０ｍｍ幅のシリコンシ
ートが獲得される。ＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４
９によるプロセスにおいて、ダイの寸法は、液体及びす
でに固化した相と半導体シートの横寸法の間の境界面の
大きさを決定する。
状は、圧伸プロセスにおける実験条件による。ＥＰ−Ａ
０ １７０ １１９によるプロセスにおいて、
半導体シートの幾何形状は、組み込まれた支持体によっ
て決定され、すなわち、半導体帯が一般に獲得される。 ＥＰ−Ａ ０ ０７２ ５６５によるプロセスに
おいて、半導体シートの形状は基体の幾何形状によって
決定される。 例えば、５０ｍｍ×５０ｍｍ大の１０個の基板を被覆す
ることにより、５００ｍｍ長、５０ｍｍ幅のシリコンシ
ートが獲得される。ＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４
９によるプロセスにおいて、ダイの寸法は、液体及びす
でに固化した相と半導体シートの横寸法の間の境界面の
大きさを決定する。
【００１０】太陽電池の大量生産の費用削減の潜在性を
十分に使用することができるためには、高速シート圧伸
プロセスからのシリコンウェハーを太陽電池の生産のた
めの自動プロセスシーケンスに導入することができるこ
とが必要である。このために、シリコンウェハーは、一
般に仕様の範囲内で規定された幾つかの必要事項を満た
さなければならない。特に重要なことは、幾何寸法の精
度である。これが仕様外にあるならば、自動プロセスシ
ーケンスへの妨害が予想される。また、種々の幾何形状
のシリコンウェハーの生産は、空間条件、例えば大領域
の完全な被覆又は光学応答成分の実現のために、太陽電
池の最適な適合を許容するために、望ましい。このため
、異なる面形状の本体が厳格に規定された再現可能な寸
法で獲得されるというように高速シート圧伸プロセスを
最適化することが重要である。
十分に使用することができるためには、高速シート圧伸
プロセスからのシリコンウェハーを太陽電池の生産のた
めの自動プロセスシーケンスに導入することができるこ
とが必要である。このために、シリコンウェハーは、一
般に仕様の範囲内で規定された幾つかの必要事項を満た
さなければならない。特に重要なことは、幾何寸法の精
度である。これが仕様外にあるならば、自動プロセスシ
ーケンスへの妨害が予想される。また、種々の幾何形状
のシリコンウェハーの生産は、空間条件、例えば大領域
の完全な被覆又は光学応答成分の実現のために、太陽電
池の最適な適合を許容するために、望ましい。このため
、異なる面形状の本体が厳格に規定された再現可能な寸
法で獲得されるというように高速シート圧伸プロセスを
最適化することが重要である。
【００１１】規定された面形状の本体の形成は、ＥＰ−
Ａ ０ １７０ １１９のほかに非被覆メッシュ
線を含む支持体が使用されるという事実により、ＤＥ−
Ａ ３ ２１０ ４０９により達成される。これ
らの線は、それらによって縁取りされた支持体の領域が
、例えば１０ｃｍ×１０ｃｍの太陽電池の大きさに相当
する如く配置される。非被覆メッシュ横部材が、鋭利な
切断工具により切断される。
Ａ ０ １７０ １１９のほかに非被覆メッシュ
線を含む支持体が使用されるという事実により、ＤＥ−
Ａ ３ ２１０ ４０９により達成される。これ
らの線は、それらによって縁取りされた支持体の領域が
、例えば１０ｃｍ×１０ｃｍの太陽電池の大きさに相当
する如く配置される。非被覆メッシュ横部材が、鋭利な
切断工具により切断される。
【００１２】ＤＥ−Ａ ３ ２１０ ４０３にお
いて、細分を企図された領域においてメッシュ線が拡幅
の孔を提示する支持体の使用が代替案として提案されて
いる。 このプロセスの不都合は、疑いなく、修正された支持体
の準備のための高費用と支持体の別個の機械的切断の必
要性である。
いて、細分を企図された領域においてメッシュ線が拡幅
の孔を提示する支持体の使用が代替案として提案されて
いる。 このプロセスの不都合は、疑いなく、修正された支持体
の準備のための高費用と支持体の別個の機械的切断の必
要性である。
【００１３】このため、発明の課題は、上記のプロセス
の不都合のない規定形状とサイズの半導体又は金属ウェ
ハーの生産のためのプロセスを利用可能にすることであ
る。
の不都合のない規定形状とサイズの半導体又は金属ウェ
ハーの生産のためのプロセスを利用可能にすることであ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】驚異的にも、上記の先行
技術の問題は、金属又は半導体融成物が基板において結
晶化される圧伸プロセスにより所定次元の金属又は半導
体ウェハーを生産することにより回避され、この場合基
板表面は、融成物への基板の湿潤作用（ｗｅｔｔｉｎｇ
ｂｅｈａｖｉｏｒ）を変化させることにより修正される
ことが見いだされた。
技術の問題は、金属又は半導体融成物が基板において結
晶化される圧伸プロセスにより所定次元の金属又は半導
体ウェハーを生産することにより回避され、この場合基
板表面は、融成物への基板の湿潤作用（ｗｅｔｔｉｎｇ
ｂｅｈａｖｉｏｒ）を変化させることにより修正される
ことが見いだされた。
【００１５】
【実施例】このため、発明の主題は、金属又は半導体融
成物が基板において結晶化されるシート圧伸プロセスに
よる規定寸法の半導体又は金属ウェハーの生産のための
プロセスにおいて、基板の半導体又は金属ウェハーの寸
法に相当する部位において、材料の変化が為され、半導
体又は金属融成物の湿潤作用の変化を生ずることを特徴
とするプロセスである。
成物が基板において結晶化されるシート圧伸プロセスに
よる規定寸法の半導体又は金属ウェハーの生産のための
プロセスにおいて、基板の半導体又は金属ウェハーの寸
法に相当する部位において、材料の変化が為され、半導
体又は金属融成物の湿潤作用の変化を生ずることを特徴
とするプロセスである。
【００１６】材料の変化は、好ましくは、くぼみを組み
込むことにより獲得される。これらのくぼみは、本質的
に、少なくとも１ｍｍの幅と深さの溝である。
込むことにより獲得される。これらのくぼみは、本質的
に、少なくとも１ｍｍの幅と深さの溝である。
【００１７】基板は、半導体又は金属融成物に対して耐
性がある材料から成る。本質的に好ましいベースは、グ
ラファイト、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＳｉＣ及び／又は
セラミック金属酸化物である。
性がある材料から成る。本質的に好ましいベースは、グ
ラファイト、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＳｉＣ及び／又は
セラミック金属酸化物である。
【００１８】十分に高い表面張力により、ベースを被覆
する際に融成物膜がくぼみにおいて破れることが観察さ
れる。このため、再現可能な鋭い境界縁を有する半導体
又は金属本体が獲得される。
する際に融成物膜がくぼみにおいて破れることが観察さ
れる。このため、再現可能な鋭い境界縁を有する半導体
又は金属本体が獲得される。
【００１９】良好な結果が、ウッド合金、すず及び鉛等
の金属を使用して獲得され、くぼみは、融成物の低表面
張力のために、好ましくは少なくとも５ｍｍの幅と深さ
を有する。
の金属を使用して獲得され、くぼみは、融成物の低表面
張力のために、好ましくは少なくとも５ｍｍの幅と深さ
を有する。
【００２０】高表面張力を有する融成物では、幅と深さ
が相応して小さくなる。好ましくは、シリコン融成物が
、融成物として使用される。少なくとも１ｍｍの幅と深
さが必要である。
が相応して小さくなる。好ましくは、シリコン融成物が
、融成物として使用される。少なくとも１ｍｍの幅と深
さが必要である。
【００２１】発明のプロセスの適用により、金属又は半
導体ウェハーのいっそうの処理は、自動プロセスにおい
て可能であり、この場合規定寸法の正確な順守が、例え
ば、太陽電池へのシリコンウェハーの処理において必要
とされる。発明によるプロセスは、さらに、輪郭に対応
するくぼみパターンが基板において組み込まれるならば
、任意の所望の面形状のウェハー領域を生産可能にする
。これは、金属又は半導体平面の規則的並置により大領
域の完全被覆の可能性を開く。さらに、所望に応じた頻
繁のベースの再使用が可能であり、その結果領域の生産
は極めて経済的である。
導体ウェハーのいっそうの処理は、自動プロセスにおい
て可能であり、この場合規定寸法の正確な順守が、例え
ば、太陽電池へのシリコンウェハーの処理において必要
とされる。発明によるプロセスは、さらに、輪郭に対応
するくぼみパターンが基板において組み込まれるならば
、任意の所望の面形状のウェハー領域を生産可能にする
。これは、金属又は半導体平面の規則的並置により大領
域の完全被覆の可能性を開く。さらに、所望に応じた頻
繁のベースの再使用が可能であり、その結果領域の生産
は極めて経済的である。
【００２２】上記の発明は、ＥＰ−Ａ ０ １６５
４４９において請求されたプロセスに特に都合良く
統合される。シリコンのほかに、十分に高い表面張力の
金属と他の物質が使用される。
４４９において請求されたプロセスに特に都合良く
統合される。シリコンのほかに、十分に高い表面張力の
金属と他の物質が使用される。
【００２３】発明による材料への変化がまた、基板への
適切な物質の封入又は塗布により達成され、その結果と
して融成物膜とこのため型付けの破壊が達成される。
適切な物質の封入又は塗布により達成され、その結果と
して融成物膜とこのため型付けの破壊が達成される。
【００２４】発明の別の主題は、太陽電池の開始点とし
て、発明により生産されたシリコンウェハーの使用であ
る。
て、発明により生産されたシリコンウェハーの使用であ
る。
【００２５】次の実施例は、発明の概念を限定すること
なしに、発明によるプロセスを説明することを意図され
る。
なしに、発明によるプロセスを説明することを意図され
る。
【００２６】実施例１
ＥＰ−Ａ ０ １６５ ４４９による装置（図１
）において、１５００℃の温度における融解シリコン（
１）が、１００ｍｍ×１００ｍｍの基部領域のグラファ
イトの鋳型（２）に注入された。鋳型は、１２５０℃の
温度においてグラファイトの冷基板（３）上に置かれ、
６．５ｍ／分の速度において鋳型の下で圧伸された。基
板において、１００ｍｍ間隔の各々２ｍｍ幅と２ｍｍ深
の側部溝（４）が組み込まれた。約０．５ｍｍ厚で正確
に１００ｍｍ幅のシリコン帯が獲得された。 実施例
２手順は、連続基板の代わりに、各々１０２ｍｍ長の分
離板が使用されたことを除いて実施例１の手順によった
。 側部溝が１００ｍｍ間隔で、図１に示された如く、各基
板に組み込まれた。さらに、各基板の一方の側に２ｍｍ
幅、２ｍｍ深の溝（５）があった。このようにして、す
べての基板が互いに隣接して整列された時、２つの連続
する溝の間の距離はまた、１００ｍｍ（図１参照）であ
った。このようにして、各々正確に１００ｍｍ幅及び長
さの分離したシリコンウェハー（６）が獲得された。
）において、１５００℃の温度における融解シリコン（
１）が、１００ｍｍ×１００ｍｍの基部領域のグラファ
イトの鋳型（２）に注入された。鋳型は、１２５０℃の
温度においてグラファイトの冷基板（３）上に置かれ、
６．５ｍ／分の速度において鋳型の下で圧伸された。基
板において、１００ｍｍ間隔の各々２ｍｍ幅と２ｍｍ深
の側部溝（４）が組み込まれた。約０．５ｍｍ厚で正確
に１００ｍｍ幅のシリコン帯が獲得された。 実施例
２手順は、連続基板の代わりに、各々１０２ｍｍ長の分
離板が使用されたことを除いて実施例１の手順によった
。 側部溝が１００ｍｍ間隔で、図１に示された如く、各基
板に組み込まれた。さらに、各基板の一方の側に２ｍｍ
幅、２ｍｍ深の溝（５）があった。このようにして、す
べての基板が互いに隣接して整列された時、２つの連続
する溝の間の距離はまた、１００ｍｍ（図１参照）であ
った。このようにして、各々正確に１００ｍｍ幅及び長
さの分離したシリコンウェハー（６）が獲得された。
【００２７】実施例３
図１による基板において、すでに記載されたくぼみのほ
かに、２つの対角溝が組み込まれた（図２）。さらに、
融解ウッド合金と融解シリコンの被覆があった。ウッド
合金とシリコンの４つの三角形が獲得された。同様に、
他のくぼみパターンでは、異なる面形状のウェハーが、
シリコン、ウッド合金又は十分に高い表面張力の材料か
ら単に生産される。
かに、２つの対角溝が組み込まれた（図２）。さらに、
融解ウッド合金と融解シリコンの被覆があった。ウッド
合金とシリコンの４つの三角形が獲得された。同様に、
他のくぼみパターンでは、異なる面形状のウェハーが、
シリコン、ウッド合金又は十分に高い表面張力の材料か
ら単に生産される。
【００２８】本発明の主なる特徴及び態様は以下のとお
りである。
りである。
【００２９】１．ウェハー材料の融成物が基板上におい
て結晶化されるシート圧伸プロセスにより所定寸法の金
属又は半導体材料のウェハーの生産プロセスにおいて、
融解ウェハー形成材料への基板の湿潤作用を変化させる
ことにより、ウェハーの所定の寸法に対応して基板の表
面を修正することを含むことを特徴とするプロセス。
て結晶化されるシート圧伸プロセスにより所定寸法の金
属又は半導体材料のウェハーの生産プロセスにおいて、
融解ウェハー形成材料への基板の湿潤作用を変化させる
ことにより、ウェハーの所定の寸法に対応して基板の表
面を修正することを含むことを特徴とするプロセス。
【００３０】２．基板の湿潤作用が、基板において表面
くぼみを設けることにより変化される上記１に記載のプ
ロセス。
くぼみを設けることにより変化される上記１に記載のプ
ロセス。
【００３１】３．くぼみが、少なくとも１ｍｍの幅と深
さの溝である上記２に記載のプロセス。
さの溝である上記２に記載のプロセス。
【００３２】４．基板が、グラファイト、Ｓｉ３Ｎ４、
ＳｉＯ２、ＳｉＣ、セラミック金属酸化物又はそれらの
混合物を含む上記１に記載のプロセス。
ＳｉＯ２、ＳｉＣ、セラミック金属酸化物又はそれらの
混合物を含む上記１に記載のプロセス。
【００３３】５．融成物がシリコン融成物である上記１
に記載のプロセス。
に記載のプロセス。
【００３４】６．シリコンが上記５に記載のプロセスに
よって生産されたシリコンウェハーである太陽エネルギ
ーを電気エネルギーに変換するためのシリコンを含む太
陽電池。
よって生産されたシリコンウェハーである太陽エネルギ
ーを電気エネルギーに変換するためのシリコンを含む太
陽電池。
【図１】この発明のプロセスを実施するために好適な装
置を示す。
置を示す。
【図２】この発明を実施するための溝付き基板を示す。
１ 融解シリコン
２ 鋳型
３ 基板
５ 溝
６ シリコンウエハー
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハー材料の融成物が基板上におい
て結晶化されるシート圧伸プロセスにより所定寸法の金
属又は半導体材料のウェハーの生産プロセスにおいて、
融解ウェハー形成材料への基板の湿潤作用を変化させる
ことにより、ウェハーの所定の寸法に対応して基板の表
面を修正することを含むことを特徴とするプロセス。 - 【請求項２】 シリコンが請求項１のプロセスによっ
て生産されたシリコンウェハーである太陽エネルギーを
電気エネルギーに変換するためのシリコンを含む太陽電
池。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4102484A DE4102484A1 (de) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | Verfahren zur herstellung von metallscheiben sowie die verwendung von siliciumscheiben |
| DE4102484.2 | 1991-01-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342409A true JPH04342409A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=6423871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032953A Pending JPH04342409A (ja) | 1991-01-29 | 1992-01-24 | 金属ウエハーの生産のためのプロセスとシリコンウエハーの使用 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5298109A (ja) |
| EP (1) | EP0497148A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04342409A (ja) |
| DE (1) | DE4102484A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007145066A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | 固相シートの製造方法および固相シートを利用した太陽電池 |
| JP2009513363A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-02 | アールジーエス・ディベロップメント・ビー．ブイ． | 金属パネルに所定のパターンを製造するための方法並びに装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19927604A1 (de) | 1999-06-17 | 2000-12-21 | Bayer Ag | Silicium mit strukturierter Sauerstoffdotierung, dessen Herstellung und Verwendung |
| JP2002075923A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶インゴットの加工方法 |
| DE10047929B4 (de) * | 2000-09-27 | 2013-04-11 | Rgs Development B.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien |
| NL1026043C2 (nl) * | 2004-04-26 | 2005-10-27 | Stichting Energie | Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. |
| US7572334B2 (en) * | 2006-01-03 | 2009-08-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for fabricating large-surface area polycrystalline silicon sheets for solar cell application |
| US7569462B2 (en) * | 2006-12-13 | 2009-08-04 | Applied Materials, Inc. | Directional crystallization of silicon sheets using rapid thermal processing |
| US20080241356A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Jianming Fu | Photovoltaic devices manufactured using crystalline silicon thin films on glass |
| US20080236665A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Jianming Fu | Method for Rapid Liquid Phase Deposition of Crystalline Si Thin Films on Large Glass Substrates for Solar Cell Applications |
| US20110305891A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Korea Institute Of Energy Research | Method and apparatus for manufacturing silicon substrate with excellent productivity and surface quality using continuous casting |
| FR3025222A1 (fr) | 2014-09-01 | 2016-03-04 | Guy Baret | Procede de fabrication d'un subrat de silicium |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4149884A (en) * | 1978-06-30 | 1979-04-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High specific strength polycrystalline titanium-based alloys |
| US4343347A (en) * | 1978-12-22 | 1982-08-10 | General Electric Company | Method of making patterned helical metallic ribbon for continuous edge winding applications |
| US4285386A (en) * | 1979-03-16 | 1981-08-25 | Allied Chemical Corporation | Continuous casting method and apparatus for making defined shapes of thin sheet |
| US4212343A (en) * | 1979-03-16 | 1980-07-15 | Allied Chemical Corporation | Continuous casting method and apparatus for structurally defined metallic strips |
| US4408653A (en) * | 1981-11-09 | 1983-10-11 | Allied Corporation | Method for making serrated metal ribbon |
| DE3419137A1 (de) * | 1984-05-23 | 1985-11-28 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterfolien |
| DE3902452A1 (de) * | 1989-01-27 | 1990-08-02 | Heliotronic Gmbh | Mit einer strukturierten oberflaeche versehene substrate fuer das aufwachsen von erstarrenden schichten aus schmelzen, insbesondere von halbleitermaterial |
-
1991
- 1991-01-29 DE DE4102484A patent/DE4102484A1/de not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-01-16 EP EP92100627A patent/EP0497148A1/de not_active Withdrawn
- 1992-01-17 US US07/822,104 patent/US5298109A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-24 JP JP4032953A patent/JPH04342409A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513363A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-02 | アールジーエス・ディベロップメント・ビー．ブイ． | 金属パネルに所定のパターンを製造するための方法並びに装置 |
| WO2007145066A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | 固相シートの製造方法および固相シートを利用した太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5298109A (en) | 1994-03-29 |
| DE4102484A1 (de) | 1992-07-30 |
| EP0497148A1 (de) | 1992-08-05 |
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