NL1026043C2 - Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. - Google Patents
Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1026043C2 NL1026043C2 NL1026043A NL1026043A NL1026043C2 NL 1026043 C2 NL1026043 C2 NL 1026043C2 NL 1026043 A NL1026043 A NL 1026043A NL 1026043 A NL1026043 A NL 1026043A NL 1026043 C2 NL1026043 C2 NL 1026043C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- casting frame
- metal
- liquid metal
- substrate
- foil
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 44
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/007—Pulling on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Description
\ «*
Titel: Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het fabriceren van metalen folies volgens het folietrekprincipe, omvattende: 5 - het vullen van een gietraam met vloeibaar metaal; - het bewegen van een substraatband onder het gietraam door, waarbij de substraatband een lagere temperatuur heeft dan de smelttemperatuur van het vloeibare metaal, zodat een onderste laag van het vloeibare metaal op de substraatband kristalliseert en aan één zijde van het gietraam op de substraatband een metalen folie ontstaat; 10 - het regelen van een hoogte van het vloeibare metaal in het gietraam.
Een dergelijke werkwijze is onder andere bekend uit DE 100.47.929 Al waarin een werkwijze wordt beschreven waarbij de hoogte van het vloeibare metaal in het gietraam wordt gemeten met behulp van een vlotter. Indien de hoogte te groot is, kan 15 de druk onder in het gietraam zo hoog worden dat vloeibaar metaal ontsnapt onder de wanden van het gietraam door. Hierdoor kunnen aan het bovenoppervlak van de folies bobbels ontstaan, waardoor de kwaliteit van de folies aanzienlijk wordt verslechterd. Dit probleem wordt in DE 100.47.929 Al opgelost door tijdens het fabricageproces, de vulhoogte van het metaal in het gietraam onder een maximale waarde te regelen. Een 20 gewenste dikte van de folies wordt bereikt door de lengte van het gietraam, de snelheid van de substraatband en het temperatuursverschil aan de overgang tussen het metaal en de substraatband, optimaal in te stellen. Het bijregelen van de dikte van de metalen folies tijdens het fabricageproces is hierbij slechts beperkt mogelijk. De afmetingen van het gietraam zijn niet variabel, een verandering van temperatuursverschil heeft weinig 25 effect
Het is een doel van de onderhavige uitvinding om de dikte van de metalen folies beter te kunnen regelen tijdens het fabricageproces dan mogelijk is met bekende werkwijzes.
Dit doel wordt bereikt met een werkwijze zoals genoemd in de inleiding, 30 gekenmerkt doan - het meten van tenminste één van dikte en gewicht van de metalen folie; - het bijregelen van ten minste één procesparameter afhankelijk van een meetwaarde van de tenminste ene van dikte en gewicht 1026043 » 2
De uitvinding behelst een terugkoppeling van de gemeten dikte of het gemeten gewicht van de metalen folies. Tot nu toe werd een dergelijke terugkoppeling niet zinnig geacht omdat aangenomen werd dat het proces onvoldoende reageert op een verandering van de gebruikte procesparameters, zoals de temperatuur van de S substraatband.
Zoals bekend, wordt de groeisnelheid van de folies bepaald door de hoeveelheid warmteflux aan de overgang van de substraatband en het metaal. Tot nu toe werd echter gedacht dat de warmteflux bepaald wordt door het temperatuursverschil tussen het vloeibare metaal en de substraatband, en door de warmtegeleiding en de thermische 10 capaciteit van het vloeibare metaal en de substraatband. Uit onderzoek is echter gebleken dat de thermische weerstand aan het oppervlak tussen het substraat en het metaal van doorslaggevende betekenis is voor de groeisnelheid van de folies. Dezs thermische weerstand wordt grotendeels bepaald door contactpunten van het metaal en de substraatband. Buiten deze contactpunten wordt de warmteoverdracht verzorgd door 1S thermische straling welke ordes van grootte lager is dan de warmteflux door de contactpunten. Het aantal en de grootte van de contactpunten kan beïnvloed worden door de druk in het vloeibare metaal onderin het gietraam, en/of de bevochtiging van het substraat op het raakvlak met bet metaal te veranderen.
In een uitvoeringsvorm van de werkwijze volgens de uitvinding wordt de druk 20 onderin het gietraam bijgeregeld door de hoogte van het vloeibare metaal in het gietraam bij te regelen. Het bijregelen van de hoogte van het vloeibare metaal in het gietraam is reeds bekend uit DE 100.47.929 Al, maar in de uitvinding is dit afhankelijk van de gemeten dikte en/of gewicht van de gefabriceerde folies.
De uitvinding heeft ook betrekking op een inrichting voor het fabriceren van 25 metalen folies, zoals beschreven in conclusie 13.
Verdere voordelen en kenmerken van de onderhavige uitvinding zullen duidelijk worden aan de hand van een beschrijving van enkele uitvoeringsvormen, waarbij gerefereerd wordt aan de bijgevoegde tekeningen, waarin tonen: 30 Fig. 1 een schematisch zijaanzicht van een folietrekumchting volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Fig. 2 een microscopische dwarsdoorsnede van het contactvlak tussen het metaal en de substraatband.
1026043 t 3 %
Fig. 3 een deel van een folietrekinrichtmg volgens andere uitvoeringsvorm van de uitvinding;
Figuur 1 toont een schematisch zijaanzicht van een folietrekmrichting volgens S een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. De inrichting voor het fabriceren van metalen folies bestaat uit een gietraam 2 waarin een vloeibaar metaal kan worden gegoten. Het vloeibare metaal 4 wordt met behulp van een toevoerinrichting 6 in het gietraam 2 gegoten. Onder het gietraam 2 bevindt zich een substraatband 8 die is ingericht om met een bepaalde snelheid onder het gietraam 2 door te bewegen. De 10 hiervoor benodigde aandrijfinrichting is niet in figuur 1 getekend. Verder omvat de folietrekinrichting een besturingsmodule 10 en een hoogtemeter 12 ingericht voor het bepalen van de hoogte van het vloeibare metaal 4 in het gietraam 2.
De temperatuur van de substraatband 8 wordt zo ingesteld dat het vloeibare metaal 4 kristalliseert aan het oppervlak met de substraatband 8. Omdat de substraatband 8 13 beweegt, in figuur 1 naar rechts, zal aan een stroomafwaartse zijde van het gietraam 2 een folie 16 ontstaan. Deze folie 16 drukt het gietraam 2 aan de stroomafwaartse zijde omhoog, waardoor het gietraam licht kantelt De besturingsmodule 10 ontvangt informatie over de hoogte van het vloeibare metaal 4 in het gietraam 2 van de hoogtemeter 12. Tijdens het fabricageproces zal zonder regeling, het niveau van het 20 vloeibare metaal 4 dalen. Een daling van het niveau wordt echter door de hoogtemeter 12 gemeten en aan de besturingsmodule 10 doorgegeven. De besturingsmodule 10 is ingericht om met behulp van de hoogte-informatie de toevoerinrichting 6 aan te sturen. De toevoerinrichting 6 is ingericht om een bepaalde hoeveelheid vloeibaar metaal in het gietraam 2 te laten vloeien. Op deze, uit de stand van de techniek bekende manier, 23 kan het niveau van het vloeibare metaal 4 worden geregeld. In DE 100.47.929 Al wordt deze regeling gebruikt om te voorkomen dat de druk onderin het gietraam 2 te hoog wordt zodat vloeibaar metaal aan de stroomafwaartse zyde van hef gietraam 2 kan stromen.
In een uitvoeringsvorm omvat de folietrekinrichting een düktemeter 14 die is 30 ingericht om de dikte van de gefabriceerde folies 16 te meten. Een voorbeeld van een diktemeter is een afstandsmeter 14 die met behulp van een laserbundel de afstand tussen een bovenoppervlak van de folies 16 meet ten opzichte van de afstandsmeter 14. Omdat de afstand van de substraatband 8 en de afstandsmeter 14 bekend is, kan uit de 1026043 4 gemeten afstand de dikte van de folies 16 worden bepaald. De diktemeteir 14 is ingericht om dikte-informatie te versturen naar de besturingsmodule 10. Indien de dikte van de metalen folies 16 te groot is, zal de besturingsmodule 10 de druk in het gietmaan verkleinen door met behulp van de toevoerinrichting 6 minder vloeibaar metaal tos te S voeren. Hierdoor zal naar verloop van tijd de druk onderin het gietmaan 2 dalen waardoor een contactoppervlak van het metaal en de substraatband 9 wordt verkleind. Hierdoor zal er minder warmteoverdracht plaatsvinden tussen het metaal en de substraatband, waardoor de groeisnelheid van de folie 16 afheemt Daardoor zal de dikte van de folie 16 afnemen. De idee achter deze regeling is ontstaan door het inzicht 10 dat het contactoppervlak van het metaal met de substraatband t@ variëren is door de druk onderin het gietraam 2 te variëren. Dit inzicht zal nu met behulp van figuur 2 nader worden toegelicht
In figuur 2 is een microscopische dwarsdoorsnede van hef confactvlak van het metaal en de substraatband 8 getoond. Ter verduidelijking is de schaal van de richting 15 loodrecht op de substraatband 8 opgerekt Hef vloeibare metaal 4 zal als gevolg van afkoeling kristalliseren waardoor een gekristalliseerde laag 5 ontstaat Doordat de substraatband beweegt, heeft een contactvlak 7 tussen het vloeibare metaal 4 en het gekristalliseerde metaal 5 een helling, zie figuur 2. De substraatband 8 heeft aan bet oppervlak een bepaalde ruwheid. Dit is in figuur 2 uitvergroot weergegeven door een 20 aantal heuvels. Uit onderzoek is gebleken dat tijdens het kristalHsatieproces» holtes 9 ontstaan. In deze holtes 9 bevindt zich geen metaal De holtes 9 kramen bijvoorbeeld gevuld zijn met een gas dat aanwezig is boven de substraatband 8 vlakbij het gietraam 2. hi figuur 2 zijn contactpunten tussen het gekristalliseerde metaal 5 en de substraatband 8 weergegeven met referentiecijfers 11. De gezamenlijke grootte van 25 deze contactpunten 11 bepaalt voornamelijk de warmteoverdracht tussen het vloeibare metaal 4 en de substraatband 8. Slechts een beperkte hoeveelheid warmte wordt afgevoerd via de holtes 9. De grootte van de contactpunten 11 kan worden beftivloed door het variëren van de druk die heerst onderin het gietraam 2. Een grotere druk zal meer en/of grotere contactpunten opleveren. Dit inzicht wordt in de uitvinding gébruikt 30 om tijdens het fabricageproces de hoogte van het vloeibare metaal 4 in het gietraam 2 als regelparameter te gebruiken voor het regelen van de dikte van de metalen folies 16.
De druk onderin het gietraam 2 kan ook worden bijgeregeld door het besturen van een drukverschil tussen een atmosfeer in het gietraam 2 en een atmosfeer buiten het 1026043 » 5 gietraam 2. In deze uitvoeringsvariant is het gietraam 2 zo ingericht dat deze is afgesloten van de omgeving, bijvoorbeeld door een deksel. Het toevoeren van vloeibaar metaal in het gietraam 2 kan geschieden door de toevoerinrichting 6 zo in te richten dat deze vloeibaar metaal toevoert onder een druk die hoger is dan de gecreëerde druk in 5 het gietraam 2. Natuurlijk mag de gecreëerde druk niet zo hoog zijn dat vloeibaar metaal onder het gietraam 2 uitstroomt Een eventuele drukmeter in het gietraam 2 kan worden gebruikt om een bepaalde druk te controleren, zodat deze goed geregeld kan worden via bijvoorbeeld de besturingsmodule 10.
Figuur 3 toont een deel van een folietrekinrichting volgens een andere 10 uitvoeringsvorm. De inrichting omvat een substraatband 8 die naar beneden afbuigt, zodat de metalen folie 16 van de substraatband los komt Bijvoorkeur is de substraatband 8 zo ingericht dat zich in de metalen folie 16 inkepingen 17 vormen, die als breuklijnen dienen. Een mogelijkheid om de substraatband 8 hiervoor in te richten is het aanbrengen van sleuven in de bovenzijde van de substraatband 8, zoals wordt 15 beschreven in octrooipublicatie EP 0 497148. In figuur 3 is een metalen folie 16* te zien dat, door de zwaartekracht, wordt losgemaakt Naast de substraatband 8 bevindt zich een lopende band 22 waaronder zich een weeginrichtmg 20 bevindt en die is ingericht om een metalen folie 16** te wegen. Indien de weeginrichtmg 20 de metalen folie 16” detecteert, zal de meetinrichting 20 de metalen folie 16” wegen en informatie 20 over het gewicht van de metalen folie 16” doorgeven aan de besturingsmodule 10. De afmetingen van de metalen folies 16,16’ en 16” worden bepaald door de afmetingen van de substraatband 8 en de afstand tussen sleuven (niet getoond) die zich op de substraatband 8 bevinden. Deze sleuven veroorzaken de reeds genoemde breuklijnen in de metalen folie 16.
25 De druk onderin het gietraam 2 kan ook worden bijgeregeld door een stroming in het vloeibare metaal 4 te realiseren. Een dergelijke stroming kan bijvoorbeeld gerealiseerd worden door de substraatband 8 met een voldoende hoge snelheid te laten bewegen. Het vloeibare metaal wordt in bewegingsrichting meegenomen en stijgt aan de uittreezijde van het gietraam 4, d.w.z. de zijde waar de substraatband 8 het gietraam 30 4 verlaat. Het vloeibare metaal stroomt vervolgens via het oppervlak in liet gietraam 4 terug en daalt dan aan de intreezijde van het gietraam 4, dw.z de zijde waar ds substraatband 8 het gietraam 4 benadert Door deze daling wordt de druk onderin het 1026043 % 6 gietraam 4 aan de intreezijde verhoogd. De verhoging van de druk kan worden gereild door een bepaalde snelheid van de substraatband 8 in te stellen.
In de werkwijze volgens de uitvinding wordt een procesparameter, de druk onder in het gietraam, bijgeregeld om een gewenste dikte en/of gewicht van de folie t@ 5 verkrijgen. De dikte en het gewicht zijn ook afhankelijk van bijvoorbeeld de bevochtiging tussen het vloeibare metaal 4 en de substraatband 8. De bevochtiging is weer afhankelijk van de gasomgeving, hef soort vloeistof en het materiaal van de substraatband 8 en de temperatuur daarvan. Al deze parameters kunnen vooraf worden ingesteld om een gewenste dikte en/of gewicht van de gefabriceerde folie 16 te krijgen. 10 De druk en samenstelling van de gasomgeving op het contactvlak tussen het vloeibare metaal 4 en de substraatband 8 is van invloed op de bevochtiging. De bevochtiging kan ook aangepast worden door het variëren van zuurstoftoevoer aan het vloeibare metaal. Door toevoer van zuurstof vindt een oppervlakteoxidatie van zowel metaal als ook substraatmateriaal plaats, waardoor de oppervlaktespanning door de geoxideerde vorm 15 van de materialen wordt bepaald.
Bijvoorkeur ligt de oppervlakteruwheid van de substraatband 8 in het gebied ligt van 1-10 pm. De oppervlakteruwheid heeft grote invloed op het aantal en de grootte van de contactpunten. De oppervlakte ruwheid is echter alleen vooraf in te stellen, en is niet te variëren tijdens het fabricageproces.
20 Een uitvoeringsvorm van de uitvinding is een werkwijze voor hef fabriceren van silicium folies. Dergelijke folies kunnen worden gebruikt om ©.s. zonnecellen te maken. Een dergelijke werkwijze levert relatief goedkope zonnecellen op. Bovendien zijn deze folies rechthoekig van vorm waardoor de zonnecellen maximaal gebruik kunnen maken van het oppervlak waar ze pp geplaatst worden.
25 Begrepen zal worden dat bij het lezen van het bovenstaande dadelijk varianten opkomen bij degene bekwaam in de stand der techniek. In plaats van een zwevend gietraam kan ook een gietraam in de hoogte worden gefixeerd of kan het gesmolten metaalvolume worden gefixeerd door middel van rollers of een luchtmes. Dergelijk© varianten worden geacht binnen het bereik van de uitvinding zoals beschreven in 30 bijgaande conclusies te liggen.
1026043
Claims (7)
1. Werkwijze voor het fabriceren van metalen folies volgens het folietrekprincipe, 5 omvattende: - het vullen van een gietraam met vloeibaar metaal; - het bewegen van een substraatband onder het gietraam door, waarbij de substraatband een lagere temperatuur heeft dan de smelttemperatuur van het vloeibare metaal onderin het gietraam, zodat een onderste laag van het vloeibare metaal op de substraatband 10 kristalliseert en aan één zijde van het gietraam op de substraatband een metalen folie ontstaat; - het regelen van een hoogte van het vloeibare metaal in het gietraam; gekenmerkt door - het meten van tenminste één van dikte en gewicht van de metalen folie; 15 -het bijregelen van een druk in het vloeibare metaal onderin het gietraam afhankelijk van een meetwaarde van de tenminste ene van dikte en gewicht
2. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de druk onderin het gietraam wordt bijgeregeld door het bijregelen van de hoogte van het vloeibare 20 metaal in het gietraam.
3. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de druk onderin het gietraam wordt bijgeregeld door het besturen van een drukverschil tussen een atmosfeer in het gietraam en een atmosfeer buiten het gietraam. 25
4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de druk onderin het gietraam wordt bijgeregeld door een stroming in hef vloeibare metaal te realiseren.
5. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij een 30 oppervlakteruwheid van de substraatband in het gebied ligt van 1=10 micrometer.
6. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij hef metaal silicium is. 1026043 ( δ
7. Folietrekinrichting voor het fabriceren van metalen folies volgens het folietrekprincipe, omvattende een gietraam (2) en een substraatband (8) die, ten minst© in gebruik, onder het gietraam doorbeweegt, en daarbij een lagere temperatuur heeft S dan de smelttemperatuur van het vloeibare metaal onderin het gietraam, zodat een onderste laag van het vloeibare metaal op de substraatband (8) kristalliseert en aan een zijde van hef gietraam op de substraatband een metalen folie ontstaat, waarbij de inrichting een hoogtemeter (12) en een besturingmoduie (10) omvat voor het regelen van een hoogte van het vloeibare metaal in het gietraam (4), met het kenmerk dat de 10 folietrekinrichting een meetinrichting (14; 20) omvat ingericht voor het meten van tenminste één van dikte en gewicht van de metalen folie, en waarbij de besturingsmodule (10) is ingerichi voor hef ontvangen van meetgegevens van d© meetinrichting (14; 20) voor het bijregelen van een druk in het vloeibare metaal onderin het gietraam afhankelijk van een meetwaarde van de tenminst© ene van dikt© @n 15 gewicht ΟΦΦΟΦΟΦΦΟΦΟΟΟΟΟΟΟΦΟΦΦΦΟΦ 1026043 _ _
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1026043A NL1026043C2 (nl) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. |
| PCT/NL2005/000310 WO2005104244A1 (en) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Method and device for producing metal foils |
| US11/587,548 US8246745B2 (en) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Method and device for producing metal foils |
| JP2007510637A JP4885845B2 (ja) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | 金属フォイルを製造するための方法と装置 |
| AU2005236766A AU2005236766B2 (en) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Method and device for producing metal foils |
| ES05739573T ES2317229T3 (es) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Metodo y dispositivo para producir laminas de metal. |
| DE602005010998T DE602005010998D1 (de) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Verfahren und einrichtung zur herstellung von metallfolien |
| BRPI0510265-0A BRPI0510265A (pt) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | método para produzir folhas metálicas pelo princìpio de fundição de folha, e, dispositivo de fundição de folha |
| EP05739573A EP1743385B1 (en) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Method and device for producing metal foils |
| KR1020067024578A KR101192870B1 (ko) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | 금속제 호일을 제조하는 방법 및 장치 |
| NO20064912A NO337426B1 (no) | 2004-04-26 | 2006-10-26 | Fremgangsmåte og anordning for produksjon av bladmetall |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1026043 | 2004-04-26 | ||
| NL1026043A NL1026043C2 (nl) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1026043C2 true NL1026043C2 (nl) | 2005-10-27 |
Family
ID=34966604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1026043A NL1026043C2 (nl) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8246745B2 (nl) |
| EP (1) | EP1743385B1 (nl) |
| JP (1) | JP4885845B2 (nl) |
| KR (1) | KR101192870B1 (nl) |
| AU (1) | AU2005236766B2 (nl) |
| BR (1) | BRPI0510265A (nl) |
| DE (1) | DE602005010998D1 (nl) |
| ES (1) | ES2317229T3 (nl) |
| NL (1) | NL1026043C2 (nl) |
| NO (1) | NO337426B1 (nl) |
| WO (1) | WO2005104244A1 (nl) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102037546B (zh) | 2008-02-29 | 2014-01-29 | 康宁股份有限公司 | 制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法 |
| US7771643B1 (en) | 2009-02-27 | 2010-08-10 | Corning Incorporated | Methods of making an unsupported article of semiconducting material by controlled undercooling |
| US8540920B2 (en) | 2009-05-14 | 2013-09-24 | Corning Incorporated | Methods of making an article of semiconducting material on a mold comprising particles of a semiconducting material |
| US8480803B2 (en) | 2009-10-30 | 2013-07-09 | Corning Incorporated | Method of making an article of semiconducting material |
| US8591795B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-11-26 | Corning Incorporated | Method of exocasting an article of semiconducting material |
| US8242033B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-08-14 | Corning Incorporated | High throughput recrystallization of semiconducting materials |
| NL2004209C2 (en) | 2010-02-08 | 2011-08-09 | Rgs Dev B V | Apparatus and method for the production of semiconductor material foils. |
| WO2011156648A1 (en) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | President And Fellows Of Harvard College | Method for producing films |
| US20110303290A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Korea Institute Of Energy Research | Method and apparatus for manufacturing silicon substrate with excellent surface quality using inert gas blowing |
| US20110305891A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Korea Institute Of Energy Research | Method and apparatus for manufacturing silicon substrate with excellent productivity and surface quality using continuous casting |
| US9057146B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-06-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Eddy current thickness measurement apparatus |
| WO2014001886A1 (en) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Rgs Development B.V. | Film of polycrystalline semiconductor material, method of making same and orienting/undercooling molds therefor, and electronic device |
| WO2014001888A1 (en) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Rgs Development B.V. | Film of polycrystalline semiconductor material, method of making same and undercooling molds therefor, and electronic device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577588A (en) * | 1983-08-29 | 1986-03-25 | Compagnie Generale D'electricite | Device for process-type deposition of polycrystalline silicon on carbon film |
| US4670096A (en) * | 1984-05-23 | 1987-06-02 | Bayer Aktiengesellschaft | Process and apparatus for producing semi-conductor foils |
| EP0497148A1 (de) * | 1991-01-29 | 1992-08-05 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Metallscheiben sowie die Verwendung von Siliciumscheiben |
| DE10047929A1 (de) * | 2000-09-27 | 2002-04-11 | Bayer Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien und Verwendung so hergestellter Folien oder Scheiben |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4110133A (en) * | 1976-04-29 | 1978-08-29 | The Post Office | Growth of semiconductor compounds by liquid phase epitaxy |
| FR2551233B1 (fr) * | 1983-08-29 | 1985-10-25 | Comp Generale Electricite | Dispositif pour deposer en regime continu une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone |
-
2004
- 2004-04-26 NL NL1026043A patent/NL1026043C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-26 US US11/587,548 patent/US8246745B2/en active Active
- 2005-04-26 JP JP2007510637A patent/JP4885845B2/ja active Active
- 2005-04-26 EP EP05739573A patent/EP1743385B1/en active Active
- 2005-04-26 KR KR1020067024578A patent/KR101192870B1/ko active IP Right Grant
- 2005-04-26 AU AU2005236766A patent/AU2005236766B2/en active Active
- 2005-04-26 ES ES05739573T patent/ES2317229T3/es active Active
- 2005-04-26 WO PCT/NL2005/000310 patent/WO2005104244A1/en active Application Filing
- 2005-04-26 DE DE602005010998T patent/DE602005010998D1/de active Active
- 2005-04-26 BR BRPI0510265-0A patent/BRPI0510265A/pt active IP Right Grant
-
2006
- 2006-10-26 NO NO20064912A patent/NO337426B1/no unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577588A (en) * | 1983-08-29 | 1986-03-25 | Compagnie Generale D'electricite | Device for process-type deposition of polycrystalline silicon on carbon film |
| US4670096A (en) * | 1984-05-23 | 1987-06-02 | Bayer Aktiengesellschaft | Process and apparatus for producing semi-conductor foils |
| EP0497148A1 (de) * | 1991-01-29 | 1992-08-05 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Metallscheiben sowie die Verwendung von Siliciumscheiben |
| DE10047929A1 (de) * | 2000-09-27 | 2002-04-11 | Bayer Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien und Verwendung so hergestellter Folien oder Scheiben |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| KOCH W ET AL: "PREPARATION, CHARACTERISATION AND CELL PROCESSING OF BAYER RGS SILICON FOILS (RIBBON GROWTH ON SUBSTRATE)", 2ND WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONVERSION. / 15TH EUROPEAN PV SOLAR ENERGY CONFERENCE. / 27TH US IEEE PHOTOVOLTAICSSPECIALISTS CONFERENCE. / 10TH ASIA/PACIFIC PV SCIENCE AND ENGINEERINGCONFERENCE. VIENNA, AUSTRIA, JULY 6 - 10, 1998, vol. VOL. 2, 6 July 1998 (1998-07-06), pages 1254 - 1259, XP001137936, ISBN: 92-828-5419-1 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070004994A (ko) | 2007-01-09 |
| KR101192870B1 (ko) | 2012-10-18 |
| JP2007534600A (ja) | 2007-11-29 |
| NO337426B1 (no) | 2016-04-11 |
| NO20064912L (no) | 2007-01-23 |
| AU2005236766B2 (en) | 2010-01-21 |
| DE602005010998D1 (de) | 2008-12-24 |
| ES2317229T3 (es) | 2009-04-16 |
| EP1743385A1 (en) | 2007-01-17 |
| US8246745B2 (en) | 2012-08-21 |
| BRPI0510265A (pt) | 2007-10-30 |
| EP1743385B1 (en) | 2008-11-12 |
| AU2005236766A1 (en) | 2005-11-03 |
| JP4885845B2 (ja) | 2012-02-29 |
| WO2005104244A1 (en) | 2005-11-03 |
| US20090044925A1 (en) | 2009-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1026043C2 (nl) | Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. | |
| US4670096A (en) | Process and apparatus for producing semi-conductor foils | |
| US7718003B2 (en) | Method and apparatus for crystal growth | |
| EP1185725B1 (en) | Continuous melt replenishment for crystal growth | |
| US20090231597A1 (en) | Floating sheet measurement apparatus and method | |
| US8685162B2 (en) | Removing a sheet from the surface of a melt using gas jets | |
| CA1172146A (en) | Method and apparatus for drawing monocrystalline ribbon from a melt | |
| CN102216485B (zh) | 用于控制多种金属在适于熔融所述金属的空腔中的引入的方法和装置 | |
| EP0491892A4 (en) | Wet-tip die for efg crystal growth apparatus | |
| US8764901B2 (en) | Removing a sheet from the surface of a melt using elasticity and buoyancy | |
| JP2003504295A (ja) | 結晶リボン成長のエッジメニスカス制御 | |
| NL1019030C2 (nl) | Werkwijze en inrichting voor de vervaardiging van halfgeleider- en metaal schijven of -folies en toepassing van op zodanige wijze vervaardigde folies of schijven. | |
| JP4098878B2 (ja) | コーティング装置 | |
| JPH01166867A (ja) | 薄板製造装置 | |
| BRPI0510265B1 (pt) | Method for producing metal sheets by the foundation principle of sheet, and, sheet foundation device | |
| EP0068826B1 (en) | Electromagnetic casting apparatus and process | |
| FI90049C (sv) | Anordning i en produktionslinje för mineralull | |
| JPH04238648A (ja) | 薄板連続鋳造装置 | |
| JPH03268847A (ja) | 溶融金属の注湯制御装置 | |
| CN117358909A (zh) | 冷却凝固控制方法和直线浇筑成型设备 | |
| JPH0470110B2 (nl) | ||
| JPH07138026A (ja) | ガラス溶融物の重量制御装置 | |
| JPH11244755A (ja) | コーティング装置 | |
| JPH02248385A (ja) | 酸化物単結晶細線の製造装置 | |
| JPH04238649A (ja) | 薄板連続鋳造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| SD | Assignments of patents |
Owner name: RGS DEVELOPMENT B.V. Effective date: 20060830 |
|
| MK | Patent expired because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20240425 |