JPH05270813A - 多結晶シリコン基板の製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05270813A JPH05270813A JP4094845A JP9484592A JPH05270813A JP H05270813 A JPH05270813 A JP H05270813A JP 4094845 A JP4094845 A JP 4094845A JP 9484592 A JP9484592 A JP 9484592A JP H05270813 A JPH05270813 A JP H05270813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- size
- metallic plate
- ceramic particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大面積の多結晶シリコン基板を生産性良く製
造する。 【構成】 金属板上にセラミックス粒子を付着させ、そ
のセラミックス粒子層上に粉状シリコンを溶着させる多
結晶シリコン基板の製造方法。
造する。 【構成】 金属板上にセラミックス粒子を付着させ、そ
のセラミックス粒子層上に粉状シリコンを溶着させる多
結晶シリコン基板の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池に用いる多結
晶シリコン基板の製造方法に関する。
晶シリコン基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池用の素材は生産性、製造コス
ト、信頼性の点から結晶系シリコンが一般に使用されて
いる。結晶系シリコン太陽電池用の基板製造方法として
は、例えば特開昭５７−１４３８１９号公報に開示され
ているように、鋳型内でシリコンを冷却・凝固させた後
に基板に切り出す方法がある。一方、特開昭６０−２３
４３１６号公報にはシリコン融体表面に炭素ネットを通
し、ネット上にシリコン薄膜を形成させ、これを凝固さ
せることにより基板を製造する技術が開示されており、
特開昭６１−１７４１８８号公報にはシリコン融体から
直接、シリコン基板を製造する方法が開示されている。
ト、信頼性の点から結晶系シリコンが一般に使用されて
いる。結晶系シリコン太陽電池用の基板製造方法として
は、例えば特開昭５７−１４３８１９号公報に開示され
ているように、鋳型内でシリコンを冷却・凝固させた後
に基板に切り出す方法がある。一方、特開昭６０−２３
４３１６号公報にはシリコン融体表面に炭素ネットを通
し、ネット上にシリコン薄膜を形成させ、これを凝固さ
せることにより基板を製造する技術が開示されており、
特開昭６１−１７４１８８号公報にはシリコン融体から
直接、シリコン基板を製造する方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板製造方法として特
開昭５７−１４３８１９号公報に開示されているように
シリコン鋳塊を製造した後に基板を切り出す方法は、切
断用の刃の厚み分のシリコンは削られ、結果として歩留
り低下の要因となる。従来、切断用の刃の厚みは０．２
〜０．５ｍｍであるため０．３〜０．５ｍｍの厚さの基
板を製造する場合にはこれだけで歩留りが半分程度であ
り、非常に低い。これにたいし、特開昭６０−２３４３
１６号公報に開示される方法ではシリコン融液に炭素ネ
ットを接して直接、基板を製造するため歩留りが著しく
向上する。また特開昭６１−１７４１８８号公報に開示
されている方法も直接基板を得ることができ、歩留りが
大きい。しかし、これら融液から凝固させながら基板を
製造する方法では、融液から基板を引き抜く速度が、シ
リコンの凝固速度によって決まるため、製造速度すなわ
ち生産性に限界があった。とくに基板の幅はシリコンを
溶解する容器に大きな制約を受けることになる。また特
開昭６１−１７４１８８号公報に開示される方法は幅広
い基板を引き上げるには、融液表面の振動を抑制する必
要がある、融液と基板が接しているいわゆるメニスカス
の形状を厳しく管理する必要がある、など非常に高度の
技術を要する欠点があった。本発明は、前記の問題点を
解決した高い歩留りで、大面積のシリコン基板を生産性
良く容易に製造する技術を提供するものである。
開昭５７−１４３８１９号公報に開示されているように
シリコン鋳塊を製造した後に基板を切り出す方法は、切
断用の刃の厚み分のシリコンは削られ、結果として歩留
り低下の要因となる。従来、切断用の刃の厚みは０．２
〜０．５ｍｍであるため０．３〜０．５ｍｍの厚さの基
板を製造する場合にはこれだけで歩留りが半分程度であ
り、非常に低い。これにたいし、特開昭６０−２３４３
１６号公報に開示される方法ではシリコン融液に炭素ネ
ットを接して直接、基板を製造するため歩留りが著しく
向上する。また特開昭６１−１７４１８８号公報に開示
されている方法も直接基板を得ることができ、歩留りが
大きい。しかし、これら融液から凝固させながら基板を
製造する方法では、融液から基板を引き抜く速度が、シ
リコンの凝固速度によって決まるため、製造速度すなわ
ち生産性に限界があった。とくに基板の幅はシリコンを
溶解する容器に大きな制約を受けることになる。また特
開昭６１−１７４１８８号公報に開示される方法は幅広
い基板を引き上げるには、融液表面の振動を抑制する必
要がある、融液と基板が接しているいわゆるメニスカス
の形状を厳しく管理する必要がある、など非常に高度の
技術を要する欠点があった。本発明は、前記の問題点を
解決した高い歩留りで、大面積のシリコン基板を生産性
良く容易に製造する技術を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するためにセラミック粒子で覆われた金属板上に粉
状シリコンを溶着させることで多結晶シリコン基板を製
造するものである。すなわち本発明は、金属板上にセ
ラミックス粒子を付着させ、そのセラミックス粒子層上
に粉状シリコンを溶着させることを特徴とする多結晶シ
リコン基板の製造方法であり、セラミックス粒子とし
て二酸化珪素、窒化珪素および炭化珪素のうちから選ば
れた少なくとも１種類が含まれることを特徴とするの
多結晶シリコン基板の製造方法であり、溶着後のシリ
コンを加熱処理することにより粒界を大きくすることを
特徴とするまたはの多結晶シリコン基板の製造方法
である。
解決するためにセラミック粒子で覆われた金属板上に粉
状シリコンを溶着させることで多結晶シリコン基板を製
造するものである。すなわち本発明は、金属板上にセ
ラミックス粒子を付着させ、そのセラミックス粒子層上
に粉状シリコンを溶着させることを特徴とする多結晶シ
リコン基板の製造方法であり、セラミックス粒子とし
て二酸化珪素、窒化珪素および炭化珪素のうちから選ば
れた少なくとも１種類が含まれることを特徴とするの
多結晶シリコン基板の製造方法であり、溶着後のシリ
コンを加熱処理することにより粒界を大きくすることを
特徴とするまたはの多結晶シリコン基板の製造方法
である。
【０００５】
【作用】シリコンの歩留り低下を防ぎながら基板を製造
するためには、切断工程を経ずに直接的に、基板もしく
は基板を形成する基本の型を作製する必要があることは
従来の技術が教えるところである。また、溶融シリコン
の浴から、基板を作製する方法では基板を引き抜く速度
が凝固速度に依存して、自ずと限界がある。そこで、本
発明はこれらの諸問題を解決するために、大面積の基板
を生産性よく、かつ歩留り良く製造する方法を提供する
ものである。すなわち、大面積の金属板に粉状シリコン
を融着させて基板を製造するものである。しかし、金属
板上に直接シリコンを溶着させるとシリコン中に金属が
拡散してシリコンが汚染され、太陽電池の性能が劣化す
るため、これを防止する必要がある。そこでシリコンを
汚染させないセラミックス粒子を予め金属板に付着させ
る処置を施す。これにより、金属板としては、鉄、銅、
アルミニウム、およびこれらの合金など、とくに種類を
特定することなく使用することができる。セラミックス
粒子としてはシリコンを汚染させてはならないため、シ
リコンの酸化物、窒化物、および炭化物などが好適であ
り、これらを混合して使用することもできる。金属板上
への付着方法としては、セラミックス粒子を塗布する方
法、溶着させる方法などを採りうる。以上のようにして
作製した金属板に粉状シリコンを溶着させることで、直
接的にシリコン基板を製造することが可能となる。溶着
方法としては熱プラズマ中にシリコン粒子を添加して行
なう方法が好適である。
するためには、切断工程を経ずに直接的に、基板もしく
は基板を形成する基本の型を作製する必要があることは
従来の技術が教えるところである。また、溶融シリコン
の浴から、基板を作製する方法では基板を引き抜く速度
が凝固速度に依存して、自ずと限界がある。そこで、本
発明はこれらの諸問題を解決するために、大面積の基板
を生産性よく、かつ歩留り良く製造する方法を提供する
ものである。すなわち、大面積の金属板に粉状シリコン
を融着させて基板を製造するものである。しかし、金属
板上に直接シリコンを溶着させるとシリコン中に金属が
拡散してシリコンが汚染され、太陽電池の性能が劣化す
るため、これを防止する必要がある。そこでシリコンを
汚染させないセラミックス粒子を予め金属板に付着させ
る処置を施す。これにより、金属板としては、鉄、銅、
アルミニウム、およびこれらの合金など、とくに種類を
特定することなく使用することができる。セラミックス
粒子としてはシリコンを汚染させてはならないため、シ
リコンの酸化物、窒化物、および炭化物などが好適であ
り、これらを混合して使用することもできる。金属板上
への付着方法としては、セラミックス粒子を塗布する方
法、溶着させる方法などを採りうる。以上のようにして
作製した金属板に粉状シリコンを溶着させることで、直
接的にシリコン基板を製造することが可能となる。溶着
方法としては熱プラズマ中にシリコン粒子を添加して行
なう方法が好適である。
【０００６】作製する基板は、金属板の大きさに従って
任意に大きさを調節することができ、容易に大面積の基
板を製造することができる。このようにして製造した基
板は加熱処理を施すことも可能である。したがって、セ
ラミックス粒子で覆われた金属板と一緒にシリコン基板
を昇温し、シリコンを溶解、凝固させることで結晶粒を
大きく改善できる。この場合、金属板とシリコンの熱膨
張率の違いによる歪みはセラミック粒子が吸収するた
め、問題にはならない。シリコン基板を加熱処理によっ
て改善する場合は、金属板として、シリコンの融点（１
４１０℃）以上の高融点材料を用いることが好ましい。
任意に大きさを調節することができ、容易に大面積の基
板を製造することができる。このようにして製造した基
板は加熱処理を施すことも可能である。したがって、セ
ラミックス粒子で覆われた金属板と一緒にシリコン基板
を昇温し、シリコンを溶解、凝固させることで結晶粒を
大きく改善できる。この場合、金属板とシリコンの熱膨
張率の違いによる歪みはセラミック粒子が吸収するた
め、問題にはならない。シリコン基板を加熱処理によっ
て改善する場合は、金属板として、シリコンの融点（１
４１０℃）以上の高融点材料を用いることが好ましい。
【０００７】
実施例１ １５０ × １５０ｍｍの大きさで厚さ０．５ｍｍの銅
板上にＡｒを１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマを用いて
シリカ（ＳｉＯ2 ) 粒子を５ｇ／ｍｉｎの速度で厚さ
０．１〜０．３ｍｍに溶着させた。この後、Ａｒを１０
ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に２ｍｍ以下の大きさの
シリコンを８０ｇ／ｍｉｎの速度で添加して、図１、図
２に示すようにセラミックス粒子層上に溶着させること
で、１４０× １４０ｍｍの大きさで厚さ０．２０〜
０．３０ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。この時の基
板製造速度は２５ｃｍ2 / sec であった。
板上にＡｒを１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマを用いて
シリカ（ＳｉＯ2 ) 粒子を５ｇ／ｍｉｎの速度で厚さ
０．１〜０．３ｍｍに溶着させた。この後、Ａｒを１０
ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に２ｍｍ以下の大きさの
シリコンを８０ｇ／ｍｉｎの速度で添加して、図１、図
２に示すようにセラミックス粒子層上に溶着させること
で、１４０× １４０ｍｍの大きさで厚さ０．２０〜
０．３０ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。この時の基
板製造速度は２５ｃｍ2 / sec であった。
【０００８】実施例２ ２００ × ２００ｍｍの大きさで厚さ０．３ｍｍのス
テンレス鋼板上に窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ 4）粒子のペース
トを塗布した。これを電気炉内に設置し、１２００℃に
昇温して窒化珪素ペーストを焼結させた。冷却した後Ａ
ｒを１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に２ｍｍ以下の
大きさのシリコンを７０ｇ／ｍｉｎの割合で添加して窒
化珪素層上に溶着させた。その結果、１９０ × １９
０ｍｍの大きさで厚さ０．１５〜０．２５ｍｍの多結晶
シリコン基板を得た。このとき基板は２５ｃｍ2 / sec
で製造された。
テンレス鋼板上に窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ 4）粒子のペース
トを塗布した。これを電気炉内に設置し、１２００℃に
昇温して窒化珪素ペーストを焼結させた。冷却した後Ａ
ｒを１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に２ｍｍ以下の
大きさのシリコンを７０ｇ／ｍｉｎの割合で添加して窒
化珪素層上に溶着させた。その結果、１９０ × １９
０ｍｍの大きさで厚さ０．１５〜０．２５ｍｍの多結晶
シリコン基板を得た。このとき基板は２５ｃｍ2 / sec
で製造された。
【０００９】実施例３ １５０ × １５０ｍｍの大きさで厚さ０．７ｍｍの銅
板に本実施例１と同様な方法で炭化珪素粒子を溶着させ
た。これにＡｒを１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に
２ｍｍ以下の大きさのシリコンを８０ｇ／ｍｉｎの割合
で添加して炭化珪素粒子層上に溶着させた。その結果、
１３５ × １３５ｍｍの大きさで厚さ０．２〜０．２
５ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。このとき基板は２
２ｃｍ／ｓｅｃで製造された。
板に本実施例１と同様な方法で炭化珪素粒子を溶着させ
た。これにＡｒを１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に
２ｍｍ以下の大きさのシリコンを８０ｇ／ｍｉｎの割合
で添加して炭化珪素粒子層上に溶着させた。その結果、
１３５ × １３５ｍｍの大きさで厚さ０．２〜０．２
５ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。このとき基板は２
２ｃｍ／ｓｅｃで製造された。
【００１０】実施例４ １００ × １００ｍｍの大きさで厚さ０．３ｍｍのス
テンレス鋼板上に、窒化珪素粒子とシリカ粒子を４：１
の割合で混合したセラミックスペーストを塗布した。こ
れを電気炉内に配置して１０００℃に昇温し、セラミッ
クス粒子を焼結させた。冷却した後、Ａｒを１５ｌ／ｍ
ｉｎ流した熱プラズマ中に３ｍｍ以下の大きさのシリコ
ンを６０ｇ／ｍｉｎの割合で添加して、この鋼板上に溶
着させた。その結果８０ × ９０ｍｍの大きさで厚さ
０．２０〜０．４０ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。
このとき基板は２７ｃｍ2/sec で製造された。
テンレス鋼板上に、窒化珪素粒子とシリカ粒子を４：１
の割合で混合したセラミックスペーストを塗布した。こ
れを電気炉内に配置して１０００℃に昇温し、セラミッ
クス粒子を焼結させた。冷却した後、Ａｒを１５ｌ／ｍ
ｉｎ流した熱プラズマ中に３ｍｍ以下の大きさのシリコ
ンを６０ｇ／ｍｉｎの割合で添加して、この鋼板上に溶
着させた。その結果８０ × ９０ｍｍの大きさで厚さ
０．２０〜０．４０ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。
このとき基板は２７ｃｍ2/sec で製造された。
【００１１】実施例５ １５０ × １５０ｍｍの大きさで厚さ０．５ｍｍのス
テンレス鋼板に実施例１と同様の方法で窒化珪素とシリ
カを３：２に混合した粒子を溶着させた。これにＡｒを
１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に２ｍｍ以下の大き
さのシリコンを７０ｇ／ｍｉｎの割合で添加し、前記粒
子層上に溶着させた。その結果１４０× １４０ｍｍの
大きさで厚さ０．１５〜０．３０ｍｍの多結晶シリコン
基板を得た。このとき基板は２３ｃｍ2/sec で製造さ
れ、結晶粒の大きさは平均０．８ｍｍであった。これに
Ａｒを１５ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマを端辺から照射
させながら基板を溶解し、再凝固させたところ、シリコ
ン基板は結晶粒径が平均１．５ｍｍに改質された。
テンレス鋼板に実施例１と同様の方法で窒化珪素とシリ
カを３：２に混合した粒子を溶着させた。これにＡｒを
１０ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマ中に２ｍｍ以下の大き
さのシリコンを７０ｇ／ｍｉｎの割合で添加し、前記粒
子層上に溶着させた。その結果１４０× １４０ｍｍの
大きさで厚さ０．１５〜０．３０ｍｍの多結晶シリコン
基板を得た。このとき基板は２３ｃｍ2/sec で製造さ
れ、結晶粒の大きさは平均０．８ｍｍであった。これに
Ａｒを１５ｌ／ｍｉｎ流した熱プラズマを端辺から照射
させながら基板を溶解し、再凝固させたところ、シリコ
ン基板は結晶粒径が平均１．５ｍｍに改質された。
【００１２】実施例６ １５０ × １５０ｍｍの大きさで厚さ０．５ｍｍのス
テンレス鋼板に実施例１と同様な方法で二酸化珪素と炭
化珪素を５：１に混合した粒子を溶着させた。これにＡ
ｒを１５ｌ／ｍｉｎ流して発生させた熱プラズマ中に
１．５ｍｍ以下の大きさのシリコンを８０ｇ／ｍｉｎの
割合で添加し、前記粒子層上に溶着させた。その結果、
２９０ × ２９０ｍｍの大きさで、厚さ０．１５〜
０．２５ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。このとき基
板は２７ｃｍ2/sec で製造された。
テンレス鋼板に実施例１と同様な方法で二酸化珪素と炭
化珪素を５：１に混合した粒子を溶着させた。これにＡ
ｒを１５ｌ／ｍｉｎ流して発生させた熱プラズマ中に
１．５ｍｍ以下の大きさのシリコンを８０ｇ／ｍｉｎの
割合で添加し、前記粒子層上に溶着させた。その結果、
２９０ × ２９０ｍｍの大きさで、厚さ０．１５〜
０．２５ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。このとき基
板は２７ｃｍ2/sec で製造された。
【００１３】実施例７ ２５０ × ２５０ｍｍの大きさで厚さ０．５ｍｍのス
テンレス鋼板に実施例１と同様な方法で二酸化珪素と炭
化珪素と窒化珪素を１：１：５に混合した粒子を溶着さ
せた。これにＡｒを１０ｌ／ｍｉｎ流して発生させた熱
プラズマ中に１．５ｍｍ以下の大きさのシリコンを９０
ｇ／ｍｉｎの割合で添加し、鋼板上に溶着させた。その
結果、２３０ × ２３０ｍｍの大きさで、厚さ０．１
５〜０．２０ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。このと
き基板は２５ｃｍ2/sec で製造された。
テンレス鋼板に実施例１と同様な方法で二酸化珪素と炭
化珪素と窒化珪素を１：１：５に混合した粒子を溶着さ
せた。これにＡｒを１０ｌ／ｍｉｎ流して発生させた熱
プラズマ中に１．５ｍｍ以下の大きさのシリコンを９０
ｇ／ｍｉｎの割合で添加し、鋼板上に溶着させた。その
結果、２３０ × ２３０ｍｍの大きさで、厚さ０．１
５〜０．２０ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。このと
き基板は２５ｃｍ2/sec で製造された。
【００１４】比較例１ 幅１５ｃｍ、長さ３０ｃｍ、深さ５ｃｍの石英槽内にシ
リコンを装入し、石英槽上部に設置した加熱器によりシ
リコンを加熱溶解した。この状態で石英槽の長さ方向に
幅１０ｍｍのカーボンネットをシリコン浴表面に接しな
がら１ｍ／ｍｉｎの速さで移動させたところ、厚さ０．
２〜０．２５ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。すなわ
ち、シリコン基板は１７ｃｍ2/sec の速度で製造され
た。
リコンを装入し、石英槽上部に設置した加熱器によりシ
リコンを加熱溶解した。この状態で石英槽の長さ方向に
幅１０ｍｍのカーボンネットをシリコン浴表面に接しな
がら１ｍ／ｍｉｎの速さで移動させたところ、厚さ０．
２〜０．２５ｍｍの多結晶シリコン基板を得た。すなわ
ち、シリコン基板は１７ｃｍ2/sec の速度で製造され
た。
【００１５】比較例２ 幅６ｃｍ、長さ２０ｃｍ、深さ５ｃｍの石英槽内にシリ
コンを装入し、石英槽側面に設置した加熱器によりシリ
コンを加熱・溶解した。この状態で、幅１０ｃｍのシリ
コンウェブを２ｃｍ／ｍｉｎの速度で引き上げた後、徐
々に引き上げ速度を増したところ１５ｃｍ／ｍｉｎに達
した時点でウェブが千切れた。
コンを装入し、石英槽側面に設置した加熱器によりシリ
コンを加熱・溶解した。この状態で、幅１０ｃｍのシリ
コンウェブを２ｃｍ／ｍｉｎの速度で引き上げた後、徐
々に引き上げ速度を増したところ１５ｃｍ／ｍｉｎに達
した時点でウェブが千切れた。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明により、切断工程
を要せず、直接的にシリコン基板を製造することができ
るようになった。また、金属板の大きさによって大面積
の基板を生産性よく製造することができる。
を要せず、直接的にシリコン基板を製造することができ
るようになった。また、金属板の大きさによって大面積
の基板を生産性よく製造することができる。
【図１】本発明によるシリコン溶着方法を示す模式断面
図。
図。
【図２】本発明によるシリコン溶着方法を示す説明図。
１ 金属板 ２ セラミックス粒子層 ３ シリコン基板 ４ プラズマフレーム ５ プラズマ陽極 ６ プラズマ陰極 ７ プラズマトーチ ８ シリコン導入口 ９ シリコン粒子供給機 １０ 電源 １１ セラミックス粒子層付き金属板 １２ トーチ移動方向
Claims (3)
- 【請求項１】 金属板上にセラミックス粒子を付着さ
せ、そのセラミックス粒子層上に粉状シリコンを溶着さ
せることを特徴とする多結晶シリコン基板の製造方法。 - 【請求項２】 セラミックス粒子として二酸化珪素、窒
化珪素および炭化珪素のうちから選ばれた少なくとも１
種類が含まれることを特徴とする請求項１記載する多結
晶シリコン基板の製造方法。 - 【請求項３】 溶着後のシリコンを加熱処理することに
より粒界を大きくすることを特徴とする請求項１または
２に記載の多結晶シリコン基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4094845A JPH05270813A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 多結晶シリコン基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4094845A JPH05270813A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 多結晶シリコン基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05270813A true JPH05270813A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=14121379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4094845A Pending JPH05270813A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 多結晶シリコン基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05270813A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989008309A1 (en) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Hoso Kyokai | Tape drive mechanism |
| WO2002037576A3 (de) * | 2000-10-25 | 2002-10-03 | Steffen Jaeger | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| CN100383052C (zh) * | 2004-11-25 | 2008-04-23 | 北京化工大学 | 一种化学氧化法制取纳米铋酸钠的方法 |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP4094845A patent/JPH05270813A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989008309A1 (en) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nippon Hoso Kyokai | Tape drive mechanism |
| WO2002037576A3 (de) * | 2000-10-25 | 2002-10-03 | Steffen Jaeger | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| CN100383052C (zh) * | 2004-11-25 | 2008-04-23 | 北京化工大学 | 一种化学氧化法制取纳米铋酸钠的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3000109B2 (ja) | 高純度シリコン鋳塊の製造方法 | |
| JP2619207B2 (ja) | 太陽電池用柱状粒子を有する多結晶シートとその製造方法 | |
| JP2001516324A (ja) | 柱状結晶粒状多結晶太陽電池基材及び改良された製造方法 | |
| JPH107493A (ja) | シリコン半導体基板および太陽電池用基板の製造方法 | |
| JP2007015905A (ja) | 多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコン基板、並びに太陽電池素子および多結晶シリコンインゴットの鋳造方法。 | |
| JPH05270813A (ja) | 多結晶シリコン基板の製造方法 | |
| JPH04342409A (ja) | 金属ウエハーの生産のためのプロセスとシリコンウエハーの使用 | |
| JP6401051B2 (ja) | 多結晶シリコンインゴットの製造方法 | |
| JP4011335B2 (ja) | 固相シートの製造方法 | |
| JP3981538B2 (ja) | シリコン保持容器およびその製造方法 | |
| JPH0741393A (ja) | 連続鋳造法によるシリコン板の製造方法 | |
| JP3242520B2 (ja) | 多結晶シリコン製造方法および多結晶シリコン製造用坩堝 | |
| JP2003267717A (ja) | シリコンインゴットの製造方法および製造装置 | |
| US4643797A (en) | Method for the manufacture of large area silicon crystal bodies for solar cells | |
| JP3056363B2 (ja) | 多結晶シリコン製造方法および製造装置 | |
| EP2397580B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing a silicon substrate with excellent surface quality using inert gas blowing | |
| JP4204823B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット、その製造方法及びターゲット部材 | |
| JP2916070B2 (ja) | シリコン半導体の製造方法 | |
| JPS5899115A (ja) | 多結晶シリコンインゴツトの鋳造方法 | |
| JP5701287B2 (ja) | ドーパント材、半導体基板、太陽電池素子、およびドーパント材の製造方法 | |
| JPH0556315B2 (ja) | ||
| JP3700151B2 (ja) | 金属−セラミックス複合部材の製造装置 | |
| US6497762B1 (en) | Method of fabricating crystal thin plate under micro-gravity environment | |
| JPH03116924A (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| US20100329958A1 (en) | Method for production of purified silicon |