JP2009266918A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1絶縁膜上に配線層を形成する工程と、第1絶縁膜の上方に第2絶縁膜を形成する工程と、下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、上部電極に対して下部電極及び誘電体膜が延在する容量素子の下部電極を第2絶縁膜上に形成する工程と、上部電極上及び誘電体膜上に第1膜を形成する工程と、第2絶縁膜上及び第1膜上に、第2絶縁膜及び第1膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜を形成する工程と、第3絶縁膜をエッチングして、配線層上の第2絶縁膜を露出する第1開口部、上部電極上の第1膜を露出する第2開口部、及び誘電体膜上の第1膜を露出する第3開口部を形成する工程と、第1開口部の下方にある配線層、第2開口部の下方にある上部電極、及び第3開口部の下方にある下部電極が露出するようにエッチングする工程と、を含む。
【選択図】図2
Description
第1実施例において、図1から図2までの図は、Metal−Insulator−Metal容量素子(MIM容量素子)20aを有する半導体装置50aの構造及び半導体装置50aの製造方法を詳細に説明するものである。
第2実施例において、図3から図5までの図は、MIM容量素子20bを有する半導体装置50bの構造及び半導体装置50bの製造方法を詳細に説明するものである。なお、第2実施例において、第1実施例で説明した構成と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
第3実施例において、図7から図8までの図は、MIM容量素子20cを有する半導体装置50cの構造及び半導体装置50cの製造方法を詳細に説明するものである。なお、第3実施例において、第1実施例及び第2実施例で説明した構成と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
(第4実施例)
第4実施例において、図9から図11までの図は、MIM容量素子20dを有する半導体装置50dの構造及び半導体装置50dの製造方法を詳細に説明するものである。なお、第4実施例において、第1実施例、第2実施例及び第3実施例で説明した構成と同様の構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
(付記1)
第1絶縁膜上に配線層を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の上方に第2絶縁膜を形成する工程と、
下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、該上部電極に対して該下部電極及び該誘電体膜が延在する容量素子の該下部電極を前記第2絶縁膜上に形成する工程と、
前記上部電極上及び前記誘電体膜上に第1膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上及び前記第1膜上に、前記第2絶縁膜及び前記第1膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第3絶縁膜をエッチングして、前記配線層上の前記第2絶縁膜を露出する第1開口部、前記上部電極上の前記第1膜を露出する第2開口部、及び前記誘電体膜上の前記第1膜を露出する第3開口部を形成する工程と、
前記第1開口部の下方にある前記配線層、前記第2開口部の下方にある前記上部電極、及び前記第3開口部の下方にある前記下部電極が露出するようにエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記第2絶縁膜、前記第1膜、及び前記誘電体膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対するエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜から形成されていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記容量素子を形成する工程の後に、第2膜を前記上部電極上に形成する工程を更に有することを特徴とする付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記第1膜を、前記上部電極の側面上及び前記第2膜の側面上に形成する工程を更に有することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記誘電体膜、前記第1膜及び前記第2膜は、同じ材料で形成する工程を更に有することを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された配線層と、
前記第1絶縁膜の上方に形成された第2絶縁膜と、
下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、該上部電極に対して該下部電極及び該誘電体膜が延在し、且つ該下部電極が前記第2絶縁膜上に形成された容量素子と、
前記上部電極上及び前記下部電極上に形成された第1膜と、
前記第2絶縁膜上及び前記第1膜上に形成され、前記第1膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜と、
前記配線層に接続する第1コンタクトビアと、
前記上部電極に接続する第2コンタクトビアと、
前記下部電極に接続する第3コンタクトビアと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
(付記7)
前記第2絶縁膜、前記第1膜、及び前記誘電体膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対するエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜から形成されていることを特徴とする付記6に記載の半導体装置。
(付記8)
前記第1膜は、前記上部電極の側面上に形成されていることを特徴とする付記6又は付記6に記載の半導体装置。
(付記9)
前記第1膜は、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、又はシリコン炭窒化膜の少なくともいずれか1つから形成されていることを特徴とする付記6乃至付記8のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記10)
前記誘電体膜及び前記第1膜は、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、又はシリコン炭窒化膜の少なくともいずれか1つから形成されていることを特徴とする付記6に記載の半導体装置。
(付記11)
前記第1膜は、前記上部電極の側面上に形成されていることを特徴とする付記6乃至付記10のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記12)
第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された配線層と、
前記第1絶縁膜の上方に形成された第2絶縁膜と、
下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、該上部電極に対して該下部電極及び該誘電体膜が延在し、且つ該下部電極が前記第2絶縁膜上に形成された容量素子と、
前記上部電極上に形成された第1膜と、
前記第1膜上及び前記下部電極上に形成された第2膜と、
前記第2絶縁膜上及び前記第2膜上に形成され、前記第1膜及び前記第2膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜と、
前記配線層に接続する第1コンタクトビアと、
前記上部電極に接続する第2コンタクトビアと、
前記下部電極に接続する第3コンタクトビアと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
(付記13)
前記誘電体膜、前記第1膜及び前記第2膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対してエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜からなることを特徴とする付記12に記載の半導体装置。
(付記14)
前記誘電体膜は、シリコン酸化膜と同等かそれ以上の比誘電率をもつ絶縁膜から形成されていることを特徴とする付記12又は付記13に記載の半導体装置。
(付記15)
前記誘電体膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン酸窒化膜、ハフニウムを含む絶縁膜、ジルコンを含む絶縁膜、ランタンを含む絶縁膜、セリウムを含む絶縁膜、チタンを含む絶縁膜、タンタルを含む絶縁膜、アルミニウムを含む絶縁膜、イットリウムを含む絶縁膜、ストロンチウムを含む絶縁膜、ニオブを含む絶縁膜のうち少なくともいずれか一つからなることを特徴とする付記12乃至付記14のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記16)
前記第2絶縁膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対するエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜から形成されていることを特徴とする付記12乃至付記15のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記17)
前記誘電体膜、前記第1膜及び前記第2膜は、同じ材料から形成されていることを特徴とする付記12乃至付記16のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記18)
前記第1膜及び第2膜は、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜の少なくともいずれか一つから形成されていることを特徴とする付記12乃至付記17のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記19)
前記誘電体膜、前記第1膜及び前記第2膜は、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜の少なくともいずれか一つから形成されていることを特徴とする付記12乃至付記18のいずれか1項に記載の半導体装置。
(付記20)
前記第1膜は、前記上部電極の側面上及び前記第2膜の側面上に形成されていることを特徴とする付記12乃至付記19のいずれかに記載の半導体装置。
2 配線層
3 拡散防止膜
4 SiO2膜
5a 第1導電体膜
5b 下部電極
6a 誘電体膜
6b 誘電体膜
6c 誘電体膜(エッチングによる誘電体膜の損傷あり)(第2実施例)
6d 誘電体膜(エッチングによる誘電体膜の損傷あり)(第2実施例)
7a 第2導電体膜
7b 上部電極
8a 第1エッチングストッパ膜
8b 第1エッチングストッパ膜
8c 第1エッチングストッパ膜(第2実施例)
8d 第1エッチングストッパ膜(第2実施例)
8e 第1エッチングストッパ膜(第3実施例)
8f 第1エッチングストッパ膜(第3実施例)
8g 第1エッチングストッパ膜(第4実施例)
8h 第1エッチングストッパ膜(第4実施例)
9 層間絶縁膜
10a、10b、10c ビア孔
11a、11b、11c ビア孔
12a、12b、12c ビア配線
13a 第2エッチングストッパ膜(第3実施例)(第4実施例)
13b 第2エッチングストッパ膜(第3実施例)(第4実施例)
20a MIM容量素子(第1実施例)
20b MIM容量素子(第2実施例)
20c MIM容量素子(第3実施例)
20d MIM容量素子(第4実施例)
30 基板部
50a 半導体装置(第1実施例)
50b 半導体装置(第2実施例)
50c 半導体装置(第3実施例)
50d 半導体装置(第4実施例)
Claims (10)
- 第1絶縁膜上に配線層を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の上方に第2絶縁膜を形成する工程と、
下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、該上部電極に対して該下部電極及び該誘電体膜が延在する容量素子の該下部電極を前記第2絶縁膜上に形成する工程と、
前記上部電極上及び前記誘電体膜上に第1膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜上及び前記第1膜上に、前記第2絶縁膜及び前記第1膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜を形成する工程と、
前記第3絶縁膜をエッチングして、前記配線層上の前記第2絶縁膜を露出する第1開口部、前記上部電極上の前記第1膜を露出する第2開口部、及び前記誘電体膜上の前記第1膜を露出する第3開口部を形成する工程と、
前記第1開口部の下方にある前記配線層、前記第2開口部の下方にある前記上部電極、及び前記第3開口部の下方にある前記下部電極が露出するようにエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜、前記第1膜、及び前記誘電体膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対するエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記容量素子を形成する工程の後に、第2膜を前記上部電極上に形成する工程を更に有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1膜を、前記上部電極の側面上及び前記第2膜の側面上に形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記誘電体膜、前記第1膜及び前記第2膜は、同じ材料で形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された配線層と、
前記第1絶縁膜の上方に形成された第2絶縁膜と、
下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、該上部電極に対して該下部電極及び該誘電体膜が延在し、且つ該下部電極が前記第2絶縁膜上に形成された容量素子と、
前記上部電極上及び前記下部電極上に形成された第1膜と、
前記第2絶縁膜上及び前記第1膜上に形成され、前記第1膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜と、
前記配線層に接続する第1コンタクトビアと、
前記上部電極に接続する第2コンタクトビアと、
前記下部電極に接続する第3コンタクトビアと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2絶縁膜、前記第1膜、及び前記誘電体膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対するエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜から形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記第1膜は、前記上部電極の側面上に形成されていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体装置。
- 第1絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に形成された配線層と、
前記第1絶縁膜の上方に形成された第2絶縁膜と、
下部電極と上部電極間に誘電体膜を有し、該上部電極に対して該下部電極及び該誘電体膜が延在し、且つ該下部電極が前記第2絶縁膜上に形成された容量素子と、
前記上部電極上に形成された第1膜と、
前記第1膜上及び前記下部電極上に形成された第2膜と、
前記第2絶縁膜上及び前記第2膜上に形成され、前記第1膜及び前記第2膜よりもエッチング耐性が低い第3絶縁膜と、
前記配線層に接続する第1コンタクトビアと、
前記上部電極に接続する第2コンタクトビアと、
前記下部電極に接続する第3コンタクトビアと、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記誘電体膜、前記第1膜及び前記第2膜は、前記第3絶縁膜をエッチングする条件において前記第3絶縁膜に対してエッチングレートが0.1倍以下となる絶縁膜からなることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
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