JP2009248444A - シリコン製ノズル基板、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン製ノズル基板1は、液滴を吐出するためのノズル孔11を有し、ノズル孔11近傍の液滴吐出側にノズル孔11の吐出口と連通し液滴吐出側に開口する吐出凹部12を備え、吐出凹部12の内壁11cからノズル孔11の内壁11cを経て液滴吐出側の面1aと反対側の面1eまで連続する耐吐出液保護膜Aが形成された。この耐吐出液保護膜Aは熱酸化保護膜である。そして、耐吐出液保護膜Aの液滴吐出側の面1aを撥水性にし、ノズル孔11の吐出口縁部11dより内壁11c側を親水性にした。
【選択図】図3
Description
耐吐出液保護膜が熱酸化によって連続形成されているので、均一性を確保することができる。
ノズル孔の内壁はノズル孔の吐出口縁部まで親水性であるため、液滴吐出側の面への液滴残留がなく、飛行曲がりのない良好な吐出特性を得ることができる。
耐久性に優れ、良好な吐出特性を有する液滴吐出ヘッドを得ることができる。
耐久性に優れ、良好な吐出特性を有する液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
また、シリコン基材の薄板化工程が研削加工のみで済み、ポリッシュが必要ない。
耐吐出液保護膜がシリコン基材の熱酸化によって一度に連続形成されるので、耐吐出液保護膜の均一性を確保することができる。
耐久性に優れ、吐出特性の良い液滴吐出ヘッドを得ることができる。
耐久性に優れ、吐出特性の良い液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置を得ることができる。
図1は本実施の形態1に係るインクジェットヘッド(液滴吐出ヘッドの一例)の一部を断面で示した分解斜視図、図2は図1を組立てた状態の要部を示す縦断面図、図3は図2のノズル孔の近傍を拡大して示した縦断面図である。
インクジェットヘッド10は、図1および図2に示すように、複数のノズル孔11が所定のピッチで設けられたノズル基板1と、各ノズル孔11に対して独立にインク供給路が設けられたキャビティ基板2と、キャビティ基板2の振動板22に対峙して個別電極31が配設された電極基板3とを貼り合わせることにより構成されている。
液滴吐出面1aの吐出凹面1cからノズル孔11の内壁11cを経て、液滴吐出面1aと反対側の面である接合面1eまでは、連続して熱酸化膜が形成されており、耐吐出液保護膜Aを構成している。
液滴吐出面1aの吐出平面1bと吐出凹面1cには、シロキサンを原料とするプラズマ重合膜13が形成され、その上にはフッ素原子を含むシリコン化合物を主成分とする撥水膜(撥インク膜)14が形成されている。そして、ノズル孔11の吐出口縁部11dを境にして、ノズル孔11の内壁11cから接合面1eには、親水膜(親インク膜)15が形成されている。
凹部240はノズル孔11に対応する位置に独立に複数形成される。したがって、ノズル基板1とキャビティ基板2を接合した際、各凹部240は吐出室24を構成し、それぞれがノズル孔11に連通し、またインク供給口であるオリフィス23ともそれぞれ連通している。そして、吐出室24(凹部240)の底壁が振動板22となっている。
また、キャビティ基板2の全面、もしくは少なくとも電極基板3との対向面には、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜26が形成されており、この絶縁膜26は、インクジェットヘッドを駆動させたときに、絶縁破壊や短絡を防止する。
まず、最初に、図5〜図9により、ノズル基板1の製造方法を説明する。なお、以下に記載の数値はその一例を示すもので、これに限定するものではない。
次に、シリコン基材100の液滴吐出面100aをグラインダーによって研削し、薄板化する。このとき、吐出凹部となる部分120であって研削されずに残った部分はこの部分の酸化膜100が除去されず、吐出凹部12となって、研削後の液滴吐出面100a(1a)に対して段差を形成する。こうして、液滴吐出面100aの吐出凹面100cからノズル孔11の内壁11cを経て、液滴吐出面100aと反対側の面である接合面100eまで連続して形成された熱酸化膜102が、耐吐出液保護膜Aを構成する。
こうして、シリコン基材100からノズル基板1が完成する。
また、ノズル孔11の内壁11cは親水性であり、液滴吐出面1aはノズル孔11の吐出口縁部11dまで撥水性であるため、液滴吐出面1aへの液滴残留がなく、飛行曲がりのない良好な吐出特性を得ることができる。
さらに、ノズル基板1の薄板化工程が研削加工のみで済み、ポリッシュが必要ない。
また、ウェットエッチングにより吐出凹部12を形成してノズル孔11を開口するので、研削による開口と比較して、チッピング、ディッシング等のノズル孔11の形状崩れが発生しない。
ここでは、電極基板3にシリコン基材200を接合した後、そのシリコン基材200からキャビティ基板2を製造する方法について、図10、図11を用いて説明する。
そして、凹部32の底部に、例えばスパッタによりITO(Indium Tin Oxide)からなる個別電極31を形成する。
その後、ドリル等によってインク供給孔34となる孔部34aを形成することにより、電極基板3が作製される。
その後、シリコン基材200を水酸化カリウム水溶液等でエッチングして、図11(e)に示すように、吐出室24となる凹部240、オリフィス23となる凹部230、及びリザーバ25となる凹部250を形成する。このとき、配線のための電極取り出し部となる部分29aもエッチングして薄板化しておく。なお、図11(e)のウェットエッチングの工程では、例えば初めに35重量%の水酸化カリウム水溶液を使用し、その後、3重量%の水酸化カリウム水溶液を使用することができる。これにより、振動板22の面荒れを抑制することができる。
そして最後に、このキャビティ基板2に、前述のようにして作製されたノズル基板1を接着剤等により接合することにより、図2に示したインクジェットヘッド10の本体部が作製される。
図12は、実施の形態1に係るインクジェットヘッド10を搭載したインクジェット記録装置を示す斜視図である。図12に示すインクジェット記録装置700はインクジェットプリンタであり、実施の形態1のインクジェットヘッド10を搭載しているため、吐出液に対する耐久性に優れ、良好な吐出特性を有し、高品質の印字が可能である。
なお、実施の形態1に係るインクジェットヘッド10は、図12に示すインクジェットプリンタの他に、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示装置の発光部分の形成、遺伝子検査等に用いられる生体分子溶液のマイクロアレイの製造など様々な用途の液滴吐出装置として利用することができる。
Claims (9)
- 液滴を吐出するためのノズル孔を有し、前記ノズル孔近傍の液滴吐出側に前記ノズル孔の吐出口と連通し液滴吐出側に開口する吐出凹部を備え、
前記吐出凹部の内壁から前記ノズル孔の内壁を経て前記液滴吐出側の面と反対側の面まで連続する耐吐出液保護膜が形成されたことを特徴とするシリコン製ノズル基板。 - 前記耐吐出液保護膜が熱酸化保護膜であることを特徴とする請求項1記載のシリコン製ノズル基板。
- 前記耐吐出液保護膜の液滴吐出側の面を撥水性にし、前記ノズル孔の吐出口縁部より内壁側を親水性にしたことを特徴とする請求項1または2記載のシリコン製ノズル基板。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のシリコン製ノズル基板を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
- 請求項4記載の液滴吐出ヘッドを搭載したことを特徴とする液滴吐出装置。
- シリコン基材をドライエッチングして第1の凹部を形成する工程と、
前記第1の凹部を形成した側の面と反対側の面から前記シリコン基材をウェットエッチングして第2の凹部を形成し、前記第1の凹部を開口してノズル孔とする工程と、
前記シリコン基材の表面に耐吐出液保護膜を形成する工程と、
前記ノズル孔を形成した側の面に支持基板を貼り合わせ、前記第2の凹部を形成した側の面を薄板化し、前記第2の凹部を吐出凹部とする工程と、
前記吐出凹部を形成した側の面に撥水膜を形成する工程と、
前記吐出凹部を形成した側の面をサポート部材によって保護して前記支持基板を剥離し、剥離した側の面から親水化処理し、前記サポート部材を剥離する工程と、
を有することを特徴とするシリコン製ノズル基板の製造方法。 - 前記耐吐出液保護膜をシリコン基材の熱酸化によって形成することを特徴とする請求項6記載のシリコン製ノズル基板の製造方法。
- 請求項6または7記載のシリコン製ノズル基板の製造方法を適用して、液滴吐出ヘッドのノズル基板部分を形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
- 請求項8記載の液滴吐出ヘッドの製造方法を適用して液滴吐出装置を製造することを特徴とする液滴吐出装置の製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011207059A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Brother Industries Ltd | 液体吐出ヘッド及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP2012081613A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Brother Industries Ltd | 液体吐出ヘッド、及び、その製造方法 |
JP2012086442A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP2013056545A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Electronics Co Ltd | プリンティング装置 |
CN108944051A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-12-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 喷嘴的表面处理方法 |
WO2019116532A1 (ja) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法 |
US10596841B2 (en) | 2015-01-20 | 2020-03-24 | Seiko Epson Corporation | Droplet discharging apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11999A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録装置およびその製造方法 |
JP2006044226A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-02-16 | Ricoh Printing Systems Ltd | インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェット記録装置及びインクジェット塗布装置 |
JP2007182009A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Seiko Epson Corp | ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置の製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11999A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Seiko Epson Corp | インクジェット記録装置およびその製造方法 |
JP2006044226A (ja) * | 2004-07-06 | 2006-02-16 | Ricoh Printing Systems Ltd | インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェット記録装置及びインクジェット塗布装置 |
JP2007182009A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Seiko Epson Corp | ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011207059A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Brother Industries Ltd | 液体吐出ヘッド及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
US8596758B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-12-03 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Liquid ejection head and method of manufacturing the same |
JP2012081613A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Brother Industries Ltd | 液体吐出ヘッド、及び、その製造方法 |
US8752936B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-06-17 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Liquid ejection head and method of manufacturing the same |
JP2012086442A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Toshiba Tec Corp | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP2013056545A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Electronics Co Ltd | プリンティング装置 |
US10596841B2 (en) | 2015-01-20 | 2020-03-24 | Seiko Epson Corporation | Droplet discharging apparatus |
CN108944051A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-12-07 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 喷嘴的表面处理方法 |
CN108944051B (zh) * | 2017-11-20 | 2019-08-09 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 喷嘴的表面处理方法 |
WO2019116532A1 (ja) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法 |
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