JP2009163409A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のフラッシュメモリ2と、ホスト装置100に接続するためのコネクタと、複数のフラッシュメモリ2とホスト装置100との間のデータ転送のためのキャッシュメモリ4と、複数のフラッシュメモリ2とホスト装置100との間のデータ転送を制御するドライブ制御回路3と、外部電源電圧を内部電源電圧に変換する電源回路5とが基板上に搭載され、少なくともフラッシュメモリ2を過電流から保護するヒューズ10を基板上に設ける。
【選択図】 図1
Description
図1は第1の実施形態にかかる半導体記憶装置としてのSSDの内部回路の機能構成例を示すブロック図である。図1において、SSD1は、ATAインタフェースなどのメモリ接続インタフェースを介してCPUコアなどのホスト装置100と接続され、ホスト装置100の外部メモリとして機能する。また、SSD1は、RS232Cインタフェースなどの通信インタフェースを介して、デバッグ用機器200との間でデータを送受信することができる。SSD1は、複数のNANDフラッシュメモリチップ(以下、NANDメモリと略す)2と、コントローラとしてのドライブ制御回路3と、キャッシュメモリ4と、電源回路5と、LED7と、ヒューズ10などを備えている。
図3は、第2の実施の形態にかかるSSD内の電源回路5の周辺の回路構成を示すものである。第2の実施の形態においては、電源回路5から出力される電圧が異なる複数の内部電源ライン(電圧V1,V2,V3)のうちのNANDメモリ2に接続される内部電源ラインV1にのみ選択的にヒューズ10を設けている。したがって、過電流が発生したとしても、ヒューズ10による電流断によって、少なくともNANDメモリ2を過電流から保護することができる。ヒューズ10としては、電力ヒューズを用いてもよいし、リセッタブルヒューズを用いてもよい。
2 NANDメモリ
3 ドライブ制御回路(コントローラ)
4 キャッシュメモリ
5 電源回路
7 LED
15 コネクタ
100 ホスト装置
200 デバッグ用機器
Claims (4)
- 複数のフラッシュメモリと、ホスト装置に接続するためのコネクタと、前記複数のフラッシュメモリとホスト装置との間のデータ転送のためのキャッシュメモリと、前記複数のフラッシュメモリとホスト装置との間のデータ転送を制御するコントローラと、外部電源電圧を内部電源電圧に変換して前記フラッシュメモリ、キャッシュメモリおよびコントローラに供給する電源回路とが基板上に搭載される半導体記憶装置において、
少なくとも前記フラッシュメモリを過電流から保護するヒューズを前記基板上に設けることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ヒューズは、電源回路の入力側に設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記電源回路は、電圧の異なる複数の内部電源電圧を出力する複数の内部電源電圧ラインを有し、
前記ヒューズは、前記複数の内部電源電圧ラインのうちの前記フラッシュメモリに供給される内部電源電圧ラインに選択的に設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記電源回路、ヒューズ、およびコントローラは、前記コネクタの近傍に設けられ、その周囲に複数のフラッシュメモリが設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
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