JP6092427B2 - nウェル切替回路 - Google Patents
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Description
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
制御信号に応答して制御されるゲートと、低電圧を提供するように構成された低電圧電源に連結されたドレインと、デュアルモードPMOSトランジスタの切替型nウェルに連結されたソースとを有するNMOSトランジスタと、
前記制御信号に応答して制御されるゲートと、前記低電圧よりも大きい高電圧を提供するように構成された高電圧電源に連結されたソースと、前記切替型nウェルに連結されたドレインとを有する第1のPMOSトランジスタとを備える電圧切替回路。
[C2]
前記制御信号を反転制御信号に反転するように構成されたインバータをさらに備え、前記NMOSトランジスタの前記ゲート、および前記第1のPMOSトランジスタの前記ゲートは、前記反転制御信号によって駆動されるように構成された、C1に記載の電圧切替回路。
[C3]
前記NMOSトランジスタはネイティブNMOSトランジスタである、C2に記載の電圧切替回路。
[C4]
前記第1のPMOSトランジスタは、前記高電圧電源に永続的に連結された非切替型nウェルを備える、C2に記載の電圧切替回路。
[C5]
前記第1のPMOSトランジスタは第1のサイズを有し、前記デュアルモードPMOSトランジスタは、前記第1のサイズよりも小さい第2のサイズを有する、C4に記載の電圧切替回路。
[C6]
前記第1のPMOSトランジスタは第1のゲート酸化物厚さを有し、前記デュアルモードPMOSトランジスタは、前記第1のゲート酸化物厚さ未満の第2のゲート酸化物厚さを有する、C5に記載の電圧切替回路。
[C7]
前記第1のサイズおよび前記第1のゲート酸化物厚さはそれぞれ、前記第1のPMOSトランジスタの非切替型nウェルが前記高電圧電源に永続的に連結されることから前記第1のPMOSトランジスタを保護するのに十分な大きさを有する、C6に記載の電圧切替回路。
[C8]
前記第2のサイズおよび前記第2のゲート酸化物厚さはそれぞれ、前記高電圧電源が前記切替型nウェルに永続的に結合されることから前記デュアルモードPMOSトランジスタを保護するのに十分でない大きさを有する、C6に記載の電圧切替回路。
[C9]
出力ノードを低電圧と前記低電圧よりも大きい高電圧とに選択的に駆動するように構成されたnウェル電圧切替回路と、前記nウェル電圧切替回路は厚ゲート酸化物PMOSトランジスタを備える、
前記出力ノードに結合されたソースと切替型nウェルとを有するワード線ドライバPMOSトランジスタと、ここにおいて、前記ワード線ドライバPMOSトランジスタは、前記厚ゲート酸化物PMOSトランジスタのゲート酸化物厚さ未満の薄いゲート酸化物厚さを有する、を備えるメモリ。
[C10]
前記メモリは、薄ゲート酸化物プログラミングNMOSトランジスタのドレインに連結された端子を有するeヒューズをさらに備える電気的プログラム可能メモリであり、前記薄ゲート酸化物プログラミングNMOSトランジスタは、そのゲートがワード線に連結され、前記ワード線は、前記ワード線ドライバPMOSトランジスタのドレインに連結された、C9に記載のメモリ。
[C11]
前記eヒューズの反対側の端子に連結されたビット線をさらに備える、C10に記載のメモリ。
[C12]
前記eヒューズのプログラミングモードの間に前記ビット線を前記高電圧にバイアスするためのハイパワースイッチをさらに備える、C11に記載のメモリ。
[C13]
前記ハイパワースイッチは、前記ビット線と、前記高電圧を供給するように構成された高電圧電源との間に、大域パワースイッチと局所パワースイッチとを直列に備える、C12に記載のメモリ。
[C14]
前記局所パワースイッチは、前記nウェル電圧切替回路の前記出力ノードに連結された切替型nウェルを有するPMOSトランジスタを備える、C13に記載のメモリ。
[C15]
セルフォン、ラップトップ、タブレット、音楽プレーヤ、通信デバイス、コンピュータ、およびビデオプレーヤ、のうちの少なくとも1つに組み込まれた、C11に記載のメモリ。
[C16]
第1の状態の制御信号をnウェル電圧切替回路において受け取るのに応答して、デュアルモードPMOSトランジスタの切替型nウェルを第1の電圧でバイアスすることと、ここにおいて、前記nウェル電圧切替回路は、第1のサイズおよび第1のゲート酸化物厚さのトランジスタを備え、前記デュアルモードPMOSトランジスタは、前記第1のサイズ未満の第2のサイズと前記第1のゲート酸化物厚さ未満の第2のゲート酸化物厚さとを有する、
第2の状態の前記制御信号を前記nウェル電圧切替回路において受け取るのに応答して、前記切替型nウェルを、前記第1の電圧未満の第2の電圧でバイアスすることとを備える方法。
[C17]
前記デュアルモードPMOSトランジスタが前記第1の電圧によるその切替型nウェルのバイアスによって損傷を受けないように、前記第1の状態の前記制御信号を受け取る継続時間を制御することをさらに備える、C16に記載の方法。
[C18]
前記デュアルモードPMOSトランジスタは、電気的にプログラム可能なメモリのためのワード線ドライバトランジスタであり、前記切替型nウェルを前記第1の電圧でバイアスすることは、前記ワード線ドライバトランジスタを介してeヒューズをプログラムすることを備える、C16に記載の方法。
[C19]
前記切替型nウェルを前記第2の電圧でバイアスすることは、前記eヒューズの状態を読み出すことを備える、C18に記載の方法。
[C20]
前記eヒューズの前記プログラミング中に、前記eヒューズに連結されたビット線を高電圧にバイアスすることをさらに備え、前記ビット線をバイアスすることは、前記nウェル電圧切替回路によって前記第2の電圧にバイアスされる切替型nウェルを有する局所パワースイッチPMOSトランジスタを介して前記ビット線をバイアスすることを備える、C18に記載の方法。
Claims (8)
- 制御信号に応答して制御されるゲートと、低電圧を提供するように構成された低電圧電源に連結されたドレインと、デュアルモードPMOSトランジスタの切替型nウェルに連結されたソースとを有するNMOSトランジスタと、
前記制御信号に応答して制御されるゲートと、前記低電圧よりも大きい高電圧を提供するように構成された高電圧電源に連結されたソースと、前記切替型nウェルに連結されたドレインとを有する第1のPMOSトランジスタと、ここにおいて、
前記第1のPMOSトランジスタは第1のゲート酸化物厚さを有し、前記デュアルモードPMOSトランジスタは、前記第1のゲート酸化物厚さ未満の第2のゲート酸化物厚さを有する、
前記デュアルモードPMOSトランジスタが、前記第1のPMOSトランジスタによってその切替型nウェルに提供される前記高電圧によって損傷を受けないように、前記高電圧を提供する前記制御信号の継続時間を制御するように構成されたコントローラと
を備える電圧切替回路。 - 前記制御信号を反転制御信号に反転するように構成されたインバータをさらに備え、前記NMOSトランジスタの前記ゲート、および前記第1のPMOSトランジスタの前記ゲートは、前記反転制御信号によって駆動されるように構成された、請求項1に記載の電圧切替回路。
- 前記NMOSトランジスタはネイティブNMOSトランジスタである、請求項2に記載の電圧切替回路。
- 前記第1のPMOSトランジスタは、前記高電圧電源に永続的に連結された非切替型nウェルを備える、請求項2に記載の電圧切替回路。
- 前記第1のPMOSトランジスタは第1のサイズを有し、前記デュアルモードPMOSトランジスタは、前記第1のサイズよりも小さい第2のサイズを有する、請求項4に記載の電圧切替回路。
- 前記第1のサイズおよび前記第1のゲート酸化物厚さはそれぞれ、前記第1のPMOSトランジスタの非切替型nウェルが前記高電圧電源に永続的に連結されることから前記第1のPMOSトランジスタを保護するのに十分な大きさを有する、請求項5に記載の電圧切替回路。
- 前記第2のサイズおよび前記第2のゲート酸化物厚さはそれぞれ、前記高電圧電源が前記切替型nウェルに永続的に結合されることから前記デュアルモードPMOSトランジスタを保護するのに十分でない大きさを有する、請求項5に記載の電圧切替回路。
- 第1の状態の制御信号をnウェル電圧切替回路において受け取るのに応答して、デュアルモードPMOSトランジスタの切替型nウェルを第1の電圧でバイアスすることと、ここにおいて、前記nウェル電圧切替回路は、第1のサイズおよび第1のゲート酸化物厚さのトランジスタを備え、前記デュアルモードPMOSトランジスタは、前記第1のサイズ未満の第2のサイズと前記第1のゲート酸化物厚さ未満の第2のゲート酸化物厚さとを有する、
第2の状態の前記制御信号を前記nウェル電圧切替回路において受け取るのに応答して、前記切替型nウェルを、前記第1の電圧未満の第2の電圧でバイアスすることと、
前記デュアルモードPMOSトランジスタが前記第1の電圧によるその切替型nウェルの前記バイアスによって損傷を受けないように、前記第1の状態の前記制御信号を受け取る継続時間を制御することと
を備える方法。
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