JP2009145849A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配線間のピッチが小さい場合においても、端子の形成を可能とする。
【解決手段】
端子部を端子用コンタクトホール４１とＩＴＯ３０とを有する第１部分１１とＩＴＯ３０を有するがコンタクトホールを有しない第２部分１２とで構成し、第１部分１１においては端子配線１５を広くし、第２部分では、端子配線１５を狭くする。第１部分１１に隣接する領域においては、隣接する他の端子配線１５を外側に屈曲させることによって、配線間隔を確保し、端子部を、通常の露光によるパターニングによって形成することを可能にする。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に係り、特に表示装置の小型化あるいは、画面の高精細化あるいは、ＩＣドライバの小型化に伴う端子ピッチが小さくなった場合の、ＩＣドライバ等との接続技術に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板に、画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持されている。そして液晶分子によって光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

ＴＦＴ基板には、縦方向に延在し、横方向に配列した複数の映像信号線と、横方向に延在して縦方向に配列した複数の走査線とが存在し、映像信号線と走査線とで囲まれた領域に画素が形成される。画素は主として画素電極とスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成される。このようにマトリクス状に形成された多くの画素によって表示領域が形成される。ＴＦＴ基板の表示領域ではまず、ＴＦＴが形成され、その上に無機パッシベーション膜が形成され、その上に画素電極が形成される。無機パッシベーション膜としては例えばＳｉＮなどの絶縁膜が使用され、画素電極としては例えばＩＴＯなどの透明導電膜が使用される。

ＴＦＴ基板の表示領域の外側には映像信号線に対して映像信号を供給するための端子群、および、走査線に対して走査信号を供給するための端子群などが形成されている。そして、これらの端子群には、ＩＣドライバ（ドライバチップ）に形成されたバンプが接続される。ここで、画面が高精細化するにしたがって、ＩＣドライバと接続する端子数が多くなり、端子間ピッチも小さくなる。また、ＩＣドライバの小型化に伴うバンプピッチの縮小化も、端子間ピッチが小さくなる要因となっている。そうするとＩＣドライバに形成されたバンプと端子とを接続する面積が十分に確保出来なくなる。「特許文献１」には、配線ピッチがＩＣドライバのバンプピッチよりも小さい場合に、配線とバンプとの接続を数段に分けて行うことによって、バンプのピッチと配線のピッチとの整合をとる構成が記載されている。

表示装置が小型化し、表示領域周辺の額縁を小さくした場合は、特に走査線の引き出し線を表示装置の１辺に集める構成が取られる。この場合、走査線の引き出し線を全て１平面で引き回すと大きな面積が必要となる。これを避けるために、走査線の引き出し線を絶縁層を介して立体的に引き出すことによって、走査線の引き出し線のための面積を節約することが出来る。このような構成は例えば、「特許文献２」に記載がある。

また、液晶表示装置の製造工程の、液晶表示パネルの段階において、ＩＣドライバを液晶表示パネルに設置する前に、液晶表示パネルに形成された配線にショート等が無いか否かをチェックすることが行われる。この段階で配線ショート等の不良が発見されれば、不良の液晶表示パネルに対してその後の工程を行う必要が無くなるので、製造コストの削減につながる。このためのＴＦＴスイッチ等は、表示領域外において、ＩＣドライバと接続する端子と近接した領域に設置される。「特許文献３」には、このような、検査工程を可能とする液晶表示装置の構成が記載されている。

特願２００６−１９３９８７号 特開２００４−０５３７０２号公報 特願２００６−１８１２４９号

表示装置の高精細化、狭額縁化、ＩＣドライバの小型化がさらに進むと、配線のピッチがさらに小さくなる。液晶表示装置等では、表示領域外においては、配線を外気から保護するために、配線は、パッシベーション膜等の絶縁膜によって覆われて保護されている。しかし、ＩＣドライバのバンプ等と接続する場所においては、この絶縁膜にコンタクトホールを形成して、配線を露出させる必要がある。そして、このコンタクホール部において、配線が腐食されないように、コンタクトホール部を化学的に安定な、透明導電膜、例えば、ＩＴＯによって被覆する。

コンタクトホールを形成するためには、所定の面積が必要である。また、端子とバンプとの間の接続の信頼性を確保するためには、所定のコンタクトのための面積が必要である。コンタクトホール用の面積を確保するために、あるいは、端子とバンプとの間のコンタクトのための面積を確保するために、端子の配置を千鳥状あるいは、「特許文献１」に記載のように数段に分ける配置をとることが出来る。しかし、このような構成を採用した場合、平行して延在する他の配線の領域が狭められることになる。そうすると、配線幅と配線間隔が配線の加工精度よりも小さくなる場合がある。

本発明の課題は、表示装置あるいはＩＣドライバが小型化し、かつ、高精細化して配線間ピッチが小さくなった場合であっても、ＩＣドライバと接続する端子の面積、および、端子におけるコンタクトホールのための所定の面積を確保しつつ、配線のパターニングを可能とすることである。

本発明は上記課題を克服するものであり、主な手段は、１個の端子を第１部分と第２部分とで構成し、第１部分は、端子配線の上に形成されたコンタクトホールと、コンタクトホールを覆って端子配線に接続された透明導電膜とを有し、第２部分は、透明導電膜を有するが、コンタクトホールを有さない構成にするとともに、第１部分では端子配線の幅を太くし、第２部分では端子配線の幅を狭くし、端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅を狭くし、かつ、第１部分から遠ざかるように屈曲させる。これによって、配線間隔を微細加工可能な範囲に広げる。具体的な手段は次の通りである。

（１）複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された端子群とを有する表示装置であって、
前記端子群は、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子を有し、
前記複数の端子は、それぞれ、１個の端子が、第１部分と、前記第１部分に対して前記端子配線の延在方向に隣接する第２部分とで構成されており、
前記第１部分は、前記端子配線の上に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを覆って前記端子配線に接続された透明導電膜とを有し、
前記第２部分は、前記透明導電膜を有するが、前記コンタクトホールを有さず、
前記端子配線は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広く、
前記端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅が狭く、かつ、前記第１部分から遠ざかるように屈曲していることを特徴とする表示装置。

（２）ＩＣドライバに形成された１個のバンプが、前記１個の端子の前記第１部分と前記第２部分との両方に重畳して接続されていることを特徴とする（１）に記載の表示装置。

（３）前記端子群は、前記第１部分が前記第２部分よりも前記表示領域側に配置された端子と、前記第２部分が前記第１部分よりも前記表示領域側に配置された端子とを有することを特徴とする（１）または（２）に記載の表示装置。

（４）前記端子配線と前記端子配線に隣接する前記他の端子配線とが同一の層に形成されていることを特徴とする（１）から（３）の何れかに記載の表示装置。

（５）前記表示領域の前記複数の画素の各画素は薄膜トランジスタを有し、
前記端子配線は、前記表示領域における前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の層で同一の材料であるゲートメタルによって形成されていることを特徴とする（１）から（４）の何れかに記載の表示装置。

（６）前記端子の前記透明導電膜は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広いことを特徴とする（１）から（５）の何れかに記載の表示装置。

（７）複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された端子群と、前記端子群に接続された検査用薄膜トランジスタと、検査用配線とを有する表示装置であって、
前記端子群は、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子を有し、
前記複数の端子は、それぞれ、１個の端子が、第１部分と、前記第１部分に対して前記端子配線の延在方向に隣接する第２部分とで構成されており、
前記端子配線は、第１の端子配線と、前記第１の端子配線とは異なる層に形成された第２の端子配線とを有し、
前記第１部分は、前記第１の端子配線の上に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の端子配線の上に形成された第２のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを覆って前記第１の端子配線と前記第２の端子配線とに接続された透明導電膜とを有し、
前記第２部分は、前記透明導電膜を有するが、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとの何れも有さず、
前記端子配線は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広く、
前記端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅が狭く、かつ、前記第１部分から遠ざかるように屈曲しており、
前記第１の端子配線は、前記第１部分において、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールと前記透明導電膜とによって、前記第２の端子配線に乗り換え、
前記第２の端子配線は、前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方と接続されていることを特徴とする表示装置。

（８）ＩＣドライバに形成された１個のバンプが、前記１個の端子の前記第１部分の前記第１のコンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールと、前記第２部分との両方に重畳して接続されていることを特徴とする（７）に記載の表示装置。

（９）前記端子群は、前記第１部分が前記第２部分よりも前記表示領域側に配置された端子と、前記第２部分が前記第１部分よりも前記表示領域側に配置された端子とを有することを特徴とする（７）または（８）に記載の表示装置。

（１０）前記表示領域の前記複数の画素の各画素は薄膜トランジスタを有し、
前記第１の端子配線は前記表示領域における前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の層で同一の材料であるゲートメタルによって形成されていることを特徴とする（７）から（９）の何れかに記載の表示装置。

（１１）前記第２の端子配線は、前記表示領域における前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一の層で同一の材料であるＳＤメタルによって形成されていることを特徴とする（１０）に記載の表示装置。

（１２）前記ＳＤメタルによる配線は、前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方を形成することを特徴とする（１１）に記載の表示装置。

（１３）前記端子の前記透明導電膜は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広いことを特徴とする（７）から（１２）の何れかに記載の表示装置。

（１４）複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された端子群と、前記端子群に接続された検査用薄膜トランジスタと、検査用配線とを有する表示装置であって、
前記端子群は、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子を有し、
前記複数の端子は、それぞれ、１個の端子が、第１部分と、前記第１部分に対して前記端子配線の延在方向に隣接する第２部分とで構成されており、
前記端子配線は、第１の端子配線と、前記第１の端子配線とは異なる層に形成された第２の端子配線とを有し、
前記第１部分は、前記第１の端子配線の上に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の端子配線の上に形成された第２のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを覆って前記第１の端子配線と前記第２の端子配線とに接続された透明導電膜とを有し、
前記第２部分は、前記透明導電膜を有するが、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとの何れも有さず、
前記端子配線は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広く、
前記端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅が狭く、かつ、前記第１部分から遠ざかるように屈曲しており、
前記第１の端子配線は、前記第１部分において、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールと前記透明導電膜とによって、前記第２の端子配線に乗り換え、
前記端子配線は、前記端子群から前記表示領域までの間の領域で、隣同士が絶縁膜を介してそれぞれ別な層に形成されており、
前記第１部分よりも前記表示領域側が前記第１の端子配線である端子に対応する端子配線は、前記第１部分において前記第２の端子配線に乗り換えられて前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方と接続され、
前記第１部分よりも前記表示領域側が前記第２の端子配線である端子に対応する端子配線は、前記第１部分において前記第１の端子配線に乗り換えられとるとともに、前記第１部分と前記検査用薄膜トランジスタとの間の領域でスルーホールを有する乗り換え用端子を介して再び前記第２の端子配線に乗り換えられて前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方と接続されていることを特徴とする表示装置。

（１５）ＩＣドライバに形成された１個のバンプが、前記１個の端子の前記第１部分の前記第１のコンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールと、前記第２部分との両方に重畳して接続されていることを特徴とする（１４）に記載の表示装置。

（１６）前記端子群は、前記第１部分が前記第２部分よりも前記表示領域側に配置された端子と、前記第２部分が前記第１部分よりも前記表示領域側に配置された端子とを有することを特徴とする（１４）または（１５）に記載の表示装置。

（１７）前記表示領域の前記複数の画素の各画素は薄膜トランジスタを有し、
前記第１の端子配線は前記表示領域における前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の層で同一の材料であるゲートメタルによって形成されており、
前記第２の端子配線は、前記表示領域における前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一の層で同一の材料であるＳＤメタルによって形成されていることを特徴とする（１４）から（１６）の何れかに記載の表示装置。

（１８）前記乗り換え用端子の数は前記端子配線の数の半数であることを特徴とする（１４）から（１７）の何れかに記載の表示装置。

本発明によれば、１個の端子をコンタクトホールが形成された第１部分と、コンタクトホールが形成されていない第２部分とに分け、コンタクトホールが形成された第１部分でのみ、端子配線の幅を大きくし、その部分においては、幅の広い端子配線から遠ざかるように、隣接する他の端子配線を屈曲させているので、同じ配線ピッチに対しても、配線間の間隔を大きく出来る。したがって、より小さい配線ピッチに対しても露光による微細加工が可能になる。

したがって、画素ピッチを小さくして、より高精細な画面を実現できるとともに、表示装置の外形を小さくすることが出来る。また、ＩＣドライバのバンプピッチが縮小化されたＩＣドライバを表示装置に搭載することができる。

本発明の具体的な端子構成を説明する前に、本発明が適用される液晶表示装置および、その端子部の構成について説明する。なお、本明細書においては、液晶表示装置を例にとって説明するが、本発明は有機ＥＬ表示装置などの他の形式の表示装置についても適用することが出来る。

図５は本発明が適用される液晶表示装置の例である。図５は携帯電話等に使用される小型の液晶表示装置である。図５において、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板１００の上に、対向基板２００が積層されている。対向基板２００には、カラーフィルタがＴＦＴ基板１００の画素電極に対応して形成されてカラー画像を形成する。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間には液晶層が挟持されている。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とによって表示領域が形成されている。

ＴＦＴ基板１００が対向基板２００から露出している部分には、液晶表示装置を駆動するためのＩＣドライバ３００が設置され、また、外部から電源、信号等を供給するために、フレキシブル配線基板５００が設置される。図６に示すように、ＩＣドライバ３００は異方性導電フィルム４００を介してＴＦＴ基板１００に形成された端子１０に接続される。

図６において、ＴＦＴ基板１００の上に端子１０が形成されている。端子は、配線メタル、コンタクトホール、透明導電膜（ＩＴＯ）等で形成されるが、図６では省略して描かれている。ＩＣドライバ３００には、端子１０と接続するためのバンプ３１０が形成されており、このバンプ３１０がＴＦＴ基板１００に形成された端子１０と接続される。バンプ３１０と端子１０との間の接続は異方性導電フィルム４００を介して行われる。

異方性導電フィルム４００は樹脂フィルムに導電性粒子４１０が分散されているものであって、ＩＣドライバ３００とＴＦＴ基板１００とを圧着すると、導電性粒子４１０を介してバンプ３１０と端子１０が電気的に接続される。一方、図６における横方向には、導電性粒子４１０が互いに離間しているので、電気的な導通は生じない。

このように、本発明の表示装置では、複数の走査線と、複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、表示領域の外側に形成された端子群とを有する。そして、端子群は、複数の走査線と複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子１０を有する。

図７はＴＦＴ基板１００に形成された端子部の詳細図である。図７（ａ）は端子部の平面図である。図７（ａ）の上側が表示領域であり、下側がＴＦＴ基板１００の端部である。図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）において、配線ピッチが小さいために、端子１０は千鳥配置に形成されている。図７における横方向に対する隣同士の端子１０のピッチｘは３６μｍである。図７（ａ）において、下層の端子配線１５にはゲートメタル５０が使用される。ゲートメタル５０は表示領域におけるＴＦＴのゲート電極あるいは、ゲート配線と同じ層の金属が使用されるので、この名称を用いる。尚、走査線もゲートメタル５０で形成されている。ゲートメタル５０には例えば、Ｍｏが使用される。ゲートメタル５０は端子１０の部分においては、その前後の配線部分よりも幅が大きくなっている。コンタクトホール４０を形成するためである。図７（ｂ）に示すように、ゲートメタル５０を覆ってゲート絶縁膜５５が形成されている。さらにその上には、パッシベーション膜６５が積層されている。これらの絶縁膜は、ゲートメタル５０を保護するために用いられる。

図７（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５５およびパッシベーション膜６５にコンタクトホール４０を形成してゲートメタル５０を露出させる。そして、露出したゲートメタル５０を覆って透明導電膜であるＩＴＯ３０が形成されている。ＩＴＯ３０はゲートメタル５０を保護するためと、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０と接続するために設けられており、コンタクトホール４０よりも幅広に形成されている。本実施例では、透明導電膜としてＩＴＯを使用しているが、ＩＴＯ以外の透明導電膜を使用することが出来る。図７（ａ）において、斜線が施されている領域がＩＴＯ３０である。コンタクトホール４０の平面形状は図７（ａ）に示すように、細長である。

図７（ａ）において、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０が設置される領域は点線で描かれている。バンプ３１０はＩＴＯ３０とほぼ同じ形状で、若干小さくなっている。図７（ｂ）ではバンプ３１０は図示省略されている。

このような構成は、図７に示す隣り合う端子のピッチｘが３６μｍ程度であれば、加工が可能である。すなわち、端子部のゲートメタル５０の幅を２０μｍとすると、千鳥配置の上の段において隣り合う２つの端子１０の間の間隔は１６μｍであり、その間隔の中に２つの端子１０の間を通る端子配線１５が１本通っているので、千鳥配置の上の段において隣り合う２つの端子１０の間にあるゲートメタル５０の配線幅と配線間隔はそれぞれ５．３μｍ程度とることが出来、通常の微細加工で形成可能な範囲である。しかし、これよりも、隣同士の端子間ピッチｘが小さくなると微細加工が困難になる。

配線間ピッチがさらに小さくなった場合に対応する端子部の構成の例が図８である。図８（ａ）は端子部の平面図である。図８（ａ）の上側が表示領域であり、下側がＴＦＴ基板１００の端部である。図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ断面図、図８（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図８（ｄ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図８の特徴は端子部において端子配線１５をゲートメタル５０と、ＳＤメタル６０の２層構造としていることである。ここで、ＳＤメタル６０は表示領域のＴＦＴのソース／ドレイン電極と同じ層の金属が使用されるので、この名称を用いる。尚、映像信号線もＳＤメタルで形成されている。ＳＤメタル６０には例えばＡｌが用いられる。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との間はゲート絶縁膜５５によって絶縁されている。尚、図８（ａ）において、斜線が施されている領域がＩＴＯ３０である。

図８（ａ）において、端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、表示領域からゲートメタル５０によって引き出されている。端子配線ｋおよび端子配線ｍは端子部に入る前に配線用コンタクトホール４２を介してＳＤメタル６０に乗り換える。この構成を、図８（ａ）の配線ｍにおけるＣ−Ｃ断面図である図８（ｄ）に示す。

図８（ｄ）において、表示領域側からゲートメタル５０が配線用コンタクトホール４２の部分まで延在している。配線用コンタクトホール４２はゲート絶縁膜５５とパッシベーション膜６５に対して形成され、ゲートメタル５０を露出させる。一方端子１０側には、ＳＤメタル６０による端子配線１５（端子配線ｍ）が形成されている。端子１０側では、パッシベーション膜６５に端子用コンタクトホール４１が形成され、端子配線１５（端子配線ｍ）であるＳＤメタル６０を露出させている。ＩＴＯ３０が配線用コンタクトホール４２と端子用コンタクトホール４１とを共通して覆うことによって、ゲートメタル５０と端子１０とを接続する。端子配線ｋも同様の構成である。

したがって、端子配線ｋおよび端子配線ｍは、ＳＤメタル６０が端子１０の端子配線として使用されている。一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎは表示領域から延在してきたゲートメタル５０が端子１０の端子配線として使用されている。したがって、端子１０の部分における幅が太い端子配線１５（千鳥配置の上の段の場合はＳＤメタル６０、下の段の場合はゲートメタル５０）と、端子１０の脇を通る幅が狭い端子配線１５（千鳥配置の上の段の場合はゲートメタル５０、下の段の場合はＳＤメタル６０）とは別な層で形成されている。フォトリソグラフィ工程における加工は、各層別に行われるので、露光時の解像度の問題は生じない。

この状態を図８（ｂ）に示す。図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図８（ｂ）において、端子用コンタクトホール４１はＩＴＯ３０とＳＤメタル６０とを接続している。幅が太い端子配線１５（ＳＤメタル６０）の脇を通過する幅が狭い端子配線１５はゲートメタル５０で形成されている。こうすることによって、端子１０用の端子配線を同一層に形成する場合に比較して、微細加工の裕度を上げることが出来る。すなわち、図８（ｂ）において、第１層であるゲートメタル５０の配線間隔はｄ１であり、第２層のＳＤメタル６０の配線間隔はｄ２であり、端子配線１５を全て同じ層上に配置する場合の配線間の間隔ｄ３に比較して大きい。

図８（ｃ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、端子部の断面の他の構成を示す。図８（ｃ）の端子用コンタクトホール４１はゲートメタル５０とＩＴＯ３０とを接続している。幅が太い端子配線１５（ゲートメタル５０）の脇を通過する幅が狭い端子配線１５はＳＤメタル６０で形成されている。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０とは別層で形成されるので、同一層に形成する場合に比較してフォト工程、特に露光の裕度を上げることが出来る。この場合は、ゲートメタル５０間の間隔はｄ１であり、ＳＤメタル６０間の間隔はｄ２となり、全ての配線を同一層に形成した場合の間隔ｄ３に比較して大きい。

図８の構成は、端子部の露光工程における解像度の問題を克服することが出来るが、端子部の配線を２層構造とすることが必須である。２層構造の場合は、フォト工程において、フォトマスク同士の合わせの問題が生ずる。また、２層配線において、マスクがずれて第１層のゲートメタル５０と第２層のＳＤメタル６０とがオーバーラップする場合も生ずる。この場合、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０を圧着する際に、絶縁膜が破壊されると、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との接触の危険が生ずる。このような接触による短絡は、同じ信号が印加される端子配線同士（端子配線ｋのゲートメタル５０の部分と端子配線ｋのＳＤメタル６０との間）であれば問題ないが、異なる信号が印加される端子配線同士（例えば端子配線ｋと端子配線ｌとの間）の場合には問題となる。このために、図８におけるパッシベーション膜６５を２層構造として膜強度を上げる場合もある。しかしながら、その場合は、製造工程数が増えてしまうという問題が生じる。

このような問題を考慮すると、端子部の配線を１層で行えればそれにこしたことは無い。以下に示す実施例では、端子部の配線を１層で行い、かつ、露光の解像度の問題を克服することが出来る構成を与える。

図１は本発明の第１の実施例である。図１（ａ）は実施例１の平面図である。図１（ａ）の上側が表示領域であり、下側がＴＦＴ基板１００の端部である。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）において、表示領域側からゲートメタル５０による端子配線が延在している。ゲートメタル５０は端子部において、幅の広い部分と幅の狭い部分とが存在している。

ゲートメタル５０の幅の広い部分には端子用コンタクトホール４１が形成されている。端子用コンタクトホール４１を形成するには、ある程度の幅が必要である。一方、端子部において、ゲートメタル５０の幅の狭い部分にはコンタクトホール４０は形成されていない。コンタクトホール４０が形成されていなければ、ゲートメタル５０は太くする必要は無い。

本実施例の特徴は、１個の端子１０を第１部分１１と第２部分１２に分け、第１部分１１においては、端子用コンタクトホール４１を形成してゲートメタル５０とＩＴＯ３０との接続を取る。一方、第２部分１２においては、コンタクトホール４０は形成せず、パッシベーション膜６５上に、ＩＴＯ３０のみ形成する。この部分のＩＴＯ３０はＩＣドライバ３００のバンプ３１０との接続にのみ用いる。

図１（ａ）において、端子部のＩＴＯ３０には、斜線が施されている。ＩＴＯ３０は第１部分１１ではゲートメタル５０とほぼ同じ外形であり、第２部分１２では一点鎖線で示されており、ゲートメタル５０よりも幅が広くなっている。しかし、第２部分１２におけるＩＴＯ３０の幅は第１部分１１のＩＴＯ３０の幅よりも小さくなっている。

ＩＣドライバ３００のバンプ３１０に相当する部分は図１（ａ）において、点線で示されている。ＩＣドライバ３００のバンプ３１０の幅は第１部分１１においては、ＩＴＯ３０の幅よりも小さく、第２部分１２においては、ＩＴＯ３０の幅よりもわずかに大きくなっている。このように、端子用コンタクトホール４１の面積は小さくなっているが、バンプ３１０とＩＴＯ３０との接触面積は従来とほとんど変わらないので、ＩＣドライバ３００と端子１０との接着強度は確保することが出来る。

図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ｂ）において、端子部の端子配線は全て同一の層の上に同一の材料（ゲートメタル５０）によって形成されている。したがって、互いに隣接する端子配線は同一の層に形成されている。ゲートメタル５０の幅は、端子用コンタクトホール４１が形成されている第１部分１１では広く、その他の部分（第２部分１２を含む）では第１部分１１よりも狭い。図１（ｂ）において、ゲートメタル５０の上にはゲート絶縁膜５５が形成され、ゲート絶縁膜５５の上にはパッシベーション膜６５が形成されている。端子配線ｌの第１部分１１に相当する部分には端子用コンタクトホール４１が形成され、ＩＴＯ３０とゲートメタル５０とがコンタクトする。端子配線ｌの右隣りには、端子配線ｍが所定の間隔をもって延在し、端子配線ｍのさらに右隣りには、端子配線ｎの第２部分１２が存在している。端子配線ｎの第２部分１２に相当する部分では、ゲートメタル５０の幅は小さく、端子配線ｍと同じ幅である。一方、端子配線ｎの上には、ゲート絶縁膜５５およびパッシベーション膜６５を介してＩＴＯ３０が存在している。このＩＴＯ３０は、端子配線ｎの第１部分１１に形成された端子用コンタクトホール４１によってゲートメタル５０と接続されている。端子配線ｎの第２部分１２におけるゲートメタル５０の幅が小さいために、ゲートメタル５０を同一平面上に形成しても、ゲートメタル５０同士の間の間隔ｄ４を露光によるパターニングが可能な大きさまで大きくすることが出来る。

以上の内容を図１（ａ）に即して説明すると次の通りである。図１（ａ）において、端子配線ｌは第１部分１１において、ゲートメタル５０の幅は第２部分１２よりも大きくなっている。端子配線ｌに隣接するゲートメタル５０による他の端子配線ｋおよび端子配線ｍは、第１部分１１に隣接する領域では、端子配線ｌの第１部分１１よりも配線幅が狭く、かつ、端子配線ｌの第１部分から遠ざかるように外側に屈曲するように形成されている。端子配線ｋおよび端子配線ｍを外側に屈曲して形成したことによって、端子配線ｌの幅が太くなった第１部分１１と、端子配線ｋあるいは端子配線ｍとの間隔を、露光によるパターニングが可能な範囲にまで大きくすることが出来る。

しかし端子配線ｋおよび端子配線ｍを外側に屈曲させたことによって、さらに隣りの端子配線との距離が小さくなる。しかし、図１（ａ）に示すように、例えば、端子配線ｍの隣りの端子配線ｎは端子１０ではあるが、配線ｍが屈曲している部分においては、端子用コンタクトホール４１は形成されていない。すなわち、端子１０の第２部分１２の構成となっている。そして、コンタクトホール４０が形成されていない第２部分１２の端子配線ｎの配線幅は他の部分と同じ細いままである。したがって、端子配線ｎと端子配線ｍとの間隔は、露光によるパターニングが可能な程度にまで、大きくすることが出来る。このような構成とすることによって、図１における端子１０同士の間のピッチｘを３４μｍ以下にまで小さくしても、露光による配線パターニングが可能になる。

尚、本発明においては、それぞれの１個の端子１０は、第１部分１１と、第１部分１０に対して端子配線の延在方向に隣接する第２部分１２とで構成されている。

そして、ＩＣドライバ３００に形成された１個のバンプ３１０が、１個の端子１０の第１部分１１と第２部分１２との両方に重畳して接続されていることが望ましい。これによって、表示領域以外の領域を狭くすることが可能になる。

また、本発明における端子群は、図１（ａ）に示すように、第１部分１１が第２部分１２よりも表示領域側に配置された端子（例えば、端子配線ｎが対応する）と、第２部分１２が第１部分１１よりも表示領域側に配置された端子（例えば、端子配線ｌが対応する）とを有する構成とすることが望ましい。これによって、端子配線ｌの端子１０と端子配線ｎの端子１０とが同じ段のバンプ３１０に対応することとなったとしても、端子配線同士の間隔を充分に大きく確保することが可能となる。

表示装置が小型化し、表示領域周辺の額縁を小さくした場合は、特に走査線の引き出し線を表示装置の１辺に集める構成が取られる。この場合、走査線の引き出し線を全て１平面で引き回すと大きな面積が必要となる。これを避けるために、走査線の引き出し線を絶縁層を介して立体的に引き出すことによって、走査線の引き出し線のための面積を節約することが出来る。この場合は、走査線はゲートメタル５０を介して端子部に延在するものと、ＳＤメタル６０を介して端子部に延在するものとがある。本実施例は、このように、端子部に異なる層に形成された端子配線１５の配線間ピッチが小さい場合の構成に対して適用できるものである。

一方、液晶表示装置の製造工程の、液晶表示パネルの段階において、ＩＣドライバ３００を液晶表示パネルに設置する前に、液晶表示パネルに形成された配線にショート等が無いか否かを検査する工程が存在する。検査のための検査用ＴＦＴ１１０、検査用配線１５０等は、ＩＣドライバ３００を搭載するための端子部よりさらに外側のＴＦＴ基板１００の端部に近い領域に形成される。液晶表示装置では、一定の表示画面の面積を確保しつつ、外形寸法を小さくしたいという要求が強い。外形寸法を小さくするためには、検査をする工程のみに使用する領域はできるだけ小さいことが望ましい。

図２に示す実施例２は、端子部における配線ピッチを小さくするとともに、検査用ＴＦＴ１１０あるいは、検査用配線１５０の面積を小さくすることが出来る構成を与えるものである。図２（ａ）は本実施例の平面図である。図２（ａ）の上側は表示領域であり、下側は、ＴＦＴ基板１００の端部である。図２（ａ）において、上半分の領域ＴＥはＩＣドライバ３００との接続のための端子部であり、領域ＴＥの下は、配線をゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えるための乗り換え端子２０が形成された領域ＣＯであり、乗り換え端子２０の下には検査用ＴＦＴ１１０領域ＴＦＴが形成され、さらにその下には検査用配線１５０領域ＴＬが形成されている。

本実施例の端子部での特徴は、端子１０を端子用コンタクトホール４１が形成された第１部分１１とコンタクトホールを有さずＩＴＯ３０のみが形成された第２部分１２とを有する構成とするとともに、端子配線１５を配線毎に２層に分けて配線することによって、配線間隔を小さくすることである。したがって、本実施例は、実施例１よりも配線間隔をさらに小さくすることが出来る。

図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図２（ｄ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ断面図、図２（ｅ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。図２（ａ）において、端子配線ｋおよび端子配線ｍには、表示領域からゲートメタル５０が延在している。一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎには、表示領域からＳＤメタル６０が延在している。走査線の引き出し線の面積を節約するために、このような２層配線が採用されている。

図２（ａ）において、端子配線ｋおよび端子配線ｍは表示領域からゲートメタル５０によって端子部に延在している。一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎは表示領域からＳＤメタル６０によって端子部に延在している。表示装置の外形を小さくするために、走査線を立体的に端子領域に配線しているためである。図２（ａ）において、各端子配線１５（端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎ）の端子部には実施例１のように第１部分１１、第２部分１２が形成されている。そして第１部分１１には、端子配線と接続するための端子用コンタクトホール４１が形成されており、第２部分１２には、コンタクトホールを有さずＩＴＯ３０のみが形成されている。図２（ａ）において、端子配線ｋおよび端子配線ｍでは、端子用コンタクトホール４１によってＳＤメタル６０とＩＴＯ３０とが接続されており、端子配線ｌと端子配線ｎでは、端子用コンタクトホール４１によってゲートメタル５０とＩＴＯ３０とが接続されている。

本実施例の特徴は、第１部分１１において、ゲートメタル５０からＳＤメタル６０への乗り換え、あるいは、ＳＤメタル６０からゲートメタル５０への乗り換えのための、配線用コンタクトホール４２が形成されていることである。このように、第１部分１１において、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との乗り換えあるいはその逆を行うことによって、同層の配線間の間隔を大きくすることが出来る。

図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ｂ）において、端子配線ｋおよび端子配線ｍはゲートメタル５０によって形成されている。端子配線ｌおよび端子配線ｎはＳＤメタル６０によって形成されている。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０とはゲート絶縁膜５５によって絶縁されている。端子配線ｌの部分には第２部分１２が形成されている。すなわち、端子配線ｌの部分には端子１０のＩＴＯ３０が形成されているが、端子用コンタクトホール４１や配線用コンタクトホール４２などのコンタクトホールは形成されていない。一方、端子配線ｎには配線用コンタクトホール４２が形成されている。すなわち、端子配線１５は、第１部分１１において、この配線用コンタクトホール４２、ＩＴＯ３０、端子用コンタクトホール４１によって、ＳＤメタル６０とゲートメタル５０との間で乗り換えることになる。

図２（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図２（ｃ）においては、端子配線は全てゲートメタル５０によって形成されている。すなわち、端子配線ｌも端子配線ｎも第１部分１１における配線用コンタクトホール４２、ＩＴＯ３０、端子用コンタクトホール４１によってＳＤメタル６０からゲートメタル５０に乗り換えが行われている。

図２（ｄ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図２（ｄ）において、端子配線ｋには端子用コンタクトホール４１が形成され、ゲートメタル５０とＩＴＯ３０とが接続されている。また端子配線ｍには第２部分１２が形成され、ＳＤメタル６０の上にはパッシベーション膜６５を挟んでＩＴＯ３０が形成されている。また、端子配線ｍは、第１部分１１において、すでにゲートメタル５０からＳＤメタル６０への乗り換えが行われている。その他の端子配線ｌおよび端子配線ｎはゲートメタル５０で形成されている。

図２（ｅ）は図１のＤ−Ｄ断面図である。図２（ｅ）において、端子配線ｋも、配線用コンタクトホール４２を介してゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えが行われている。図２（ｅ）において、端子配線ｍはＳＤメタル６０となっており、パッシベーション膜６５を挟んで、上方にＩＴＯ３０が形成されて第２部分１２を形成している。端子配線ｌおよび端子配線ｎはゲートメタル５０で形成されている。

尚、第１部分１１に２つのコンタクトホール４１、４２を有して異なる層に形成された２つの端子配線の間で乗り換えを行っている点を除いて、第１部分１１、第２部分１２の基本的な構成は実施例１と同様である。例えば、第１部分１１の端子配線１５の幅が第２部分１２の端子配線１５の幅よりも太くなっている点や、第１部分１１に隣接する領域で隣接する端子配線が外側に屈曲する点についても実施例１と同様である。尚、ＩＣドライバ３１０の１個のバンプ３１０は、第１部分１１の２つのコンタクトホール４１、４２と、第２部分の両方に重畳して接続されることとなる。これにより、接続に必要な面積を充分に確保できるとともに、配線の乗り換えに必要な面積も最小限に抑えることができる。

以上がＩＣドライバ３００のバンプ３１０と接続する端子部の構成である。図２（ａ）において、端子部の下側には検査用ＴＦＴ１１０が各端子配線１５に対応して形成されている。この検査用ＴＦＴ１１０は通常はＯＦＦしているが、検査時はゲート電極１１２をハイレベルとして、検査用ＴＦＴ１１０をＯＮし、端子１０間のショート等を検出する。

検査用ＴＦＴ１１０は、ゲート配線（ゲート電極）１１２、チャネルを構成する半導体層１１１、ソース／ドレイン電極１１３から構成されている。検査用ＴＦＴ１１０のソース／ドレイン電極１１３(ＳＤ電極１１３)は端子部に延在するＳＤメタル６０が兼用する。図２（ａ）において、４個の検査用ＴＦＴ１１０に対して共通に幅広いゲート電極１１２が横方向に延在している。ゲート電極１１２を幅広く描いたのは、図を複雑化しないためであり、実際は、ＳＤ電極１１３との容量を小さくするために、ＳＤメタル６０との交差部のゲート電極１１２の幅は、図３に示すように、小さく形成される。

図３は図２における検査用ＴＦＴ１１０において、ゲート配線１１２とＳＤ電極１１３とのオーバーラップ面積を小さくした平面模式図である。図３において、上方向が端子部、下方向が検査用配線部である。図３において、端子配線ｋ、端子配線ｌ、端子配線ｍ、端子配線ｎが端子部方向から延在している。各端子配線に対応して検査用ＴＦＴ１１０が形成されている。各ＴＦＴの構成は、屈曲した、ゲート配線１１２の上にゲート絶縁膜５５を介して半導体層（例えばａ−Ｓｉ層）１１１が形成され、その上にＳＤ電極１１３が形成されている。ＳＤ電極１１３は端子配線１５が兼用している。図３に示すように、ＳＤ電極１１３との交差面積を小さくするために、ゲート配線１１２は屈曲している。これによって、ゲート配線１１２とＳＤ電極１１３との容量を小さくしている。

検査用ＴＦＴ１１０は画素内のＴＦＴと同じプロセスで形成される。したがって、検査用ＴＦＴ１１０のソース／ドレイン電極はＳＤメタル６０でなければならない。図２（ａ）のＤ−Ｄ断面図である図２（ｅ）に示すように、端子配線ｋと端子配線ｍはＳＤメタル６０で形成されているので、そのまま、検査用ＴＦＴ１１０のソース／ドレイン電極１１３として使用することが出来る。しかし、端子配線ｌと端子配線ｎはゲートメタル５０となっているので、検査用ＴＦＴ１１０のソース／ドレイン電極１１３を構成するためには、ＳＤメタル６０に乗り換える必要がある。このための端子が乗り換え端子２０である。尚、乗り換え端子２０の構造は、端子１０の第１部分１１と同様の構造となっている。

図２（ａ）において、端子配線ｋおよび、端子配線ｍは第１部分１１において、乗り換え端子２０と同様の構造が同時に形成されているので、新たに、乗り換え端子２０を形成する必要が無い。したがって、本実施例の構成によれば、乗り換え端子２０を４個でなく、２個形成すればよいので、図２（ａ）の縦方向の寸法を乗り換え端子２個分小さくすることが出来る。

図２（ａ）において、検査用ＴＦＴ１１０のさらに下側には、配線のショート等を検査するための信号を供給するための検査用配線１５０が横方向に延在している。検査用配線１５０はゲートメタル５０によって形成されている。尚、ゲートメタル５０で形成された検査用配線１５０とＳＤメタル６０で形成された検査用ＴＦＴ１１０のソース／ドレイン電極１１３との間の乗り換えは、第１部分１１や乗り換え端子２０と同様の構造で行われる。 ４本の検査用配線１５０が横方向に延在している。したがって、４系統の配線のショート等を検査することが出来る。本実施例においては、端子１０用配線として、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０の２層配線を使用しているので、同層間の配線と異層間の配線のチェックをする必要があるからである。図２（ｂ）はこの様子を示す。図２（ｂ）において、端子配線ｋ−ｍ間および端子配線ｌ−ｎ間において、同層間のチェックを行い、端子配線ｋ−ｌ間および端子配線ｌ−ｍ間および端子配線ｍ−ｎ間で異層間のチェックを行う。全配線はこの繰り返しによって全配線のチェックを行うことが出来る。したがって、検査用配線１５０は４本存在すれば、全ての端子配線のショート等をチェックすることが出来る。

図２（ａ）に示すゲートメタル５０で形成された検査用配線１５０も、一定幅で横方向に延在しているが、この検査用配線１５０も、ＳＤメタル６０による端子配線１５との容量を小さくするために、屈曲させることによって、端子配線１５との交差面積を小さくすることが出来る。また、ＳＤメタル６０による端子配線１５とゲートメタル５０による検査用配線１５０との間にゲート絶縁膜５５に加えてａ−Ｓｉ層１１１を形成することによって容量をさらに小さくすることが出来る。

尚、これまでの説明では走査線に信号を供給する端子に対して本発明を適用する場合を説明したが、映像信号線に信号を供給する端子に対して本発明を適用しても良い。映像信号線の検査をする場合は、検査用配線１５０は３系統（例えばＲ，Ｇ，Ｂに対応）あればよい。

以上のように、本実施例によれば、コンタクトホール４１、４２が形成された第１部分１１の両脇の配線を外側に屈曲させることによって、小さなピッチの配線が可能になる。本実施例によって、図２に示す端子間ピッチｘを３４μｍ以下としても、露光による微細加工が可能になる。また、端子部配線を２層に分けて配線することによって、配線ピッチの縮小化に対してより裕度を取ることが出来る。さらに、第１部分１１に乗り換え端子２０を形成することによって、検査用ＴＦＴ１１０のための乗り換え端子２０の領域を縮小することが出来、表示装置の小型化を行うことが出来る。

図４は本発明の第３の実施例を示す。図４（ａ）は平面図である。図４（ａ）の、上側は表示領域であり、下側はＴＦＴ基板１００の端部である。図４（ａ）における上半分の領域ＴＥはＩＣドライバ３００との接続のための端子部である。領域ＴＥの下には、検査用ＴＦＴ１００領域ＴＦＴ、および検査用配線１５０領域ＴＬが形成されている。

本実施例が実施例２と異なる点は、表示部から延在してくる端子配線１５は全てゲートメタル５０で形成されていることである。端子用配線１５を全てゲートメタル５０で形成しても、実施例１で説明したように、配線ピッチが小さくなっても、微細加工が可能である。ＩＣドライバ３００のバンプ３１０との接続端子１０は実施例１と同様に端子用コンタクトホール４１を有する第１部分１１と、コンタクトホールを有さずＩＴＯ３０のみの第２部分１２とを有する。また、第１部分１１は実施例２と同様、端子用コンタクトホール４１に加えて、ゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えるための配線用コンタクトホール４２を有する。本実施例においては、端子１０の第１部分１１において、端子配線１５はすべて、ゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えている。

図４（ａ）において、端子部が形成された領域ＴＥの下側には検査用ＴＦＴ１１０が形成されている。検査用配線１５０をＴＦＴのＳＤ電極１１３として使用するためには、端子配線１５はＳＤメタル６０で形成しておく必要があるが、本実施例では、端子部において、端子配線１５は全てゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えているので、実施例２のように、乗り換え端子２０を形成する必要は無い。その分、表示装置の外形を小さくすることが出来る。

図４（ａ）において、４個の検査用ＴＦＴ１１０に対して共通に幅広いゲート電極１１２が横方向に延在しているが、これは、図を複雑化しないためであり、実際は、ＳＤ電極１１３との容量を小さくするために、ＳＤメタル６０との交差部のゲート電極１１２の幅は、図３に示すように、小さく形成されることは、実施例２において説明した通りである。

図４（ａ）において、検査用ＴＦＴ１１０の下側には、検査用配線１５０がゲートメタル５０によって形成されている。本実施例においては、検査用配線１５０は２本延在している。本実施例は、端子配線は、端子部におけるゲートメタル５０からＳＤメタル６０への乗り換え部分を除いては、全て同層に形成されるので、２系統の検査で全ての端子配線のショートを検査することが出来る。

図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。この断面においては、端子配線は全てゲートメタル５０で形成されている。図４（ｂ）は、端子配線ｎにおいて、端子部に形成されたコンタクトホールを覆うＩＴＯ３０を介してＳＤメタル６０への乗り換えが行われる前の断面を示している。

図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ断面である。この断面においては、配線ｎは端子部に形成されたコンタクトホール４１、４２、ＩＴＯ３０によってゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えが完了しており、端子配線ｌは端子部に形成されたコンタクトホール４２を介して乗り換えが行われている状態を示す。端子配線ｋおよび端子配線ｍはまだ、ゲートメタル５０のままである。

図４（ｄ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。図４（ｄ）においては、端子配線ｌ、端子配線ｍ、端子配線ｎはすでにゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えが完了しており、端子配線ｋはゲートメタル５０からＳＤメタル６０に端子部に形成された端子用コンタクトホール４１、ＩＴＯ３０を介して乗り換えが行われている状態を示す。

図４（ｅ）は図４（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。図４（ｄ）においては、端子配線ｌ、端子配線ｍ、端子配線ｎはすでにゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えが完了しており、端子配線ｋはゲートメタル５０からＳＤメタル６０の端子部に形成された配線用コンタクトホール４２、ＩＴＯ３０を介して乗り換えが行われた後の状態を示す。

以上のように、本実施例によれば、端子配線１５を屈曲させることによって、配線間の間隔を大きくすることが出来るので、図４に示す横方向の端子間のピッチｘを３４μｍ以下に形成することが出来る。また、端子部において、全ての端子配線に対して、ゲートメタル５０からＳＤメタル６０への乗り換えが行われるので、検査用ＴＦＴ１１０と接続するための、乗り換え端子２０を別途設ける必要が無いので、表示装置の小型化に有効である。さらに、本実施例によれば、端子１０用配線を全て同一層に形成するので、検査用配線１５０を２系統用意すれば良いため、検査工程の単純化と表示装置の小型化に有益である。尚、映像信号線の検査をする場合は、検査用配線１５０は３系統（例えばＲ，Ｇ，Ｂに対応）設けるのが望ましい。

以上の説明は液晶表示装置について行った。しかし、有機ＥＬ表示装置などの他の形式の表示装置についても、端子１０構造は、基本的には液晶表示装置と同様である。したがって、本発明は有機ＥＬ表示装置などの他の形式の表示装置についても適用することが出来る。

実施例１の端子構造である。 実施例２の端子構造である。 検査用ＴＦＴの平面図である。 実施例３の端子構造である。 表示装置の外形図である。 ＩＣドライバとの接続を示す断面図である。 端子構造の例である。 端子構造の他の例である。

符号の説明

１０…端子、 １１…第１部分、 １２…第２部分、 １５…端子配線、 ２０…乗り換え端子、 ３０…ＩＴＯ、 ４０…コンタクトホール、 ４１…端子用コンタクトホール、 ４２…配線用コンタクトホール、 ５０…ゲートメタル、 ５５…ゲート絶縁膜、 ６０…ＳＤメタル、 ６５…パッシベーション膜、 １００…ＴＦＴ基板、 １１０…検査用ＴＦＴ、 １１１…ａ−Ｓｉ層、 １１２…ゲート配線、 １１３…ＳＤ電極、 １５０…検査用配線、 ２００…対向基板、 ３００…ＩＣドライバ、 ３１０…バンプ、 ４００…異方性導電フィルム、 ４１０…導電性粒子、 ５００…フレキシブル配線基板。

Claims (18)

1. 複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された端子群とを有する表示装置であって、
   前記端子群は、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子を有し、
   前記複数の端子は、それぞれ、１個の端子が、第１部分と、前記第１部分に対して前記端子配線の延在方向に隣接する第２部分とで構成されており、
   前記第１部分は、前記端子配線の上に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを覆って前記端子配線に接続された透明導電膜とを有し、
   前記第２部分は、前記透明導電膜を有するが、前記コンタクトホールを有さず、
   前記端子配線は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広く、
   前記端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅が狭く、かつ、前記第１部分から遠ざかるように屈曲していることを特徴とする表示装置。
2. ＩＣドライバに形成された１個のバンプが、前記１個の端子の前記第１部分と前記第２部分との両方に重畳して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記端子群は、前記第１部分が前記第２部分よりも前記表示領域側に配置された端子と、前記第２部分が前記第１部分よりも前記表示領域側に配置された端子とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記端子配線と前記端子配線に隣接する前記他の端子配線とが同一の層に形成されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の表示装置。
5. 前記表示領域の前記複数の画素の各画素は薄膜トランジスタを有し、
   前記端子配線は、前記表示領域における前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の層で同一の材料であるゲートメタルによって形成されていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の表示装置。
6. 前記端子の前記透明導電膜は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広いことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の表示装置。
7. 複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された端子群と、前記端子群に接続された検査用薄膜トランジスタと、検査用配線とを有する表示装置であって、
   前記端子群は、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子を有し、
   前記複数の端子は、それぞれ、１個の端子が、第１部分と、前記第１部分に対して前記端子配線の延在方向に隣接する第２部分とで構成されており、
   前記端子配線は、第１の端子配線と、前記第１の端子配線とは異なる層に形成された第２の端子配線とを有し、
   前記第１部分は、前記第１の端子配線の上に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の端子配線の上に形成された第２のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを覆って前記第１の端子配線と前記第２の端子配線とに接続された透明導電膜とを有し、
   前記第２部分は、前記透明導電膜を有するが、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとの何れも有さず、
   前記端子配線は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広く、
   前記端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅が狭く、かつ、前記第１部分から遠ざかるように屈曲しており、
   前記第１の端子配線は、前記第１部分において、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールと前記透明導電膜とによって、前記第２の端子配線に乗り換え、
   前記第２の端子配線は、前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方と接続されていることを特徴とする表示装置。
8. ＩＣドライバに形成された１個のバンプが、前記１個の端子の前記第１部分の前記第１のコンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールと、前記第２部分との両方に重畳して接続されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記端子群は、前記第１部分が前記第２部分よりも前記表示領域側に配置された端子と、前記第２部分が前記第１部分よりも前記表示領域側に配置された端子とを有することを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置。
10. 前記表示領域の前記複数の画素の各画素は薄膜トランジスタを有し、
    前記第１の端子配線は前記表示領域における前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の層で同一の材料であるゲートメタルによって形成されていることを特徴とする請求項７から９の何れかに記載の表示装置。
11. 前記第２の端子配線は、前記表示領域における前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一の層で同一の材料であるＳＤメタルによって形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記ＳＤメタルによる配線は、前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方を形成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記端子の前記透明導電膜は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広いことを特徴とする請求項７から１２の何れかに記載の表示装置。
14. 複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数の映像信号線と、複数の画素とが形成された表示領域と、前記表示領域の外側に形成された端子群と、前記端子群に接続された検査用薄膜トランジスタと、検査用配線とを有する表示装置であって、
    前記端子群は、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線とのうちの何れかに端子配線を介して信号を供給する複数の端子を有し、
    前記複数の端子は、それぞれ、１個の端子が、第１部分と、前記第１部分に対して前記端子配線の延在方向に隣接する第２部分とで構成されており、
    前記端子配線は、第１の端子配線と、前記第１の端子配線とは異なる層に形成された第２の端子配線とを有し、
    前記第１部分は、前記第１の端子配線の上に形成された第１のコンタクトホールと、前記第２の端子配線の上に形成された第２のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとを覆って前記第１の端子配線と前記第２の端子配線とに接続された透明導電膜とを有し、
    前記第２部分は、前記透明導電膜を有するが、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールとの何れも有さず、
    前記端子配線は、前記第１部分においては、前記第２部分におけるよりも幅が広く、
    前記端子配線に隣接する他の端子配線は、前記第１部分に隣接する領域では、前記端子配線の第１部分の幅よりも配線幅が狭く、かつ、前記第１部分から遠ざかるように屈曲しており、
    前記第１の端子配線は、前記第１部分において、前記第１のコンタクトホールと前記第２のコンタクトホールと前記透明導電膜とによって、前記第２の端子配線に乗り換え、
    前記端子配線は、前記端子群から前記表示領域までの間の領域で、隣同士が絶縁膜を介してそれぞれ別な層に形成されており、
    前記第１部分よりも前記表示領域側が前記第１の端子配線である端子に対応する端子配線は、前記第１部分において前記第２の端子配線に乗り換えられて前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方と接続され、
    前記第１部分よりも前記表示領域側が前記第２の端子配線である端子に対応する端子配線は、前記第１部分において前記第１の端子配線に乗り換えられとるとともに、前記第１部分と前記検査用薄膜トランジスタとの間の領域でスルーホールを有する乗り換え用端子を介して再び前記第２の端子配線に乗り換えられて前記検査用薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の一方と接続されていることを特徴とする表示装置。
15. ＩＣドライバに形成された１個のバンプが、前記１個の端子の前記第１部分の前記第１のコンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールと、前記第２部分との両方に重畳して接続されていることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記端子群は、前記第１部分が前記第２部分よりも前記表示領域側に配置された端子と、前記第２部分が前記第１部分よりも前記表示領域側に配置された端子とを有することを特徴とする請求項１４または１５に記載の表示装置。
17. 前記表示領域の前記複数の画素の各画素は薄膜トランジスタを有し、
    前記第１の端子配線は前記表示領域における前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の層で同一の材料であるゲートメタルによって形成されており、
    前記第２の端子配線は、前記表示領域における前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極と同一の層で同一の材料であるＳＤメタルによって形成されていることを特徴とする請求項１４から１６の何れかに記載の表示装置。
18. 前記乗り換え用端子の数は前記端子配線の数の半数であることを特徴とする請求項１４から１７の何れかに記載の表示装置。

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