JP2011002582A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 高精細化によって配線間のピッチが小さくなった場合であっても、ＩＣドライバと接続する端子の面積、および端子におけるコンタクトホールのための所定の面積を確保でき、配線のパターニングを可能とした表示装置の提供。
【解決手段】 表示領域内に走行する複数の信号線が端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子群の各端子に引き出され、前記各端子は、隣接するもの同士で端子配線の走行方向にずれをもって配置された少なくとも第１端子と第２端子とを有する表示装置であって、
第１端子および第２端子は、それぞれ、透明導電膜をコンタクトホールの形成領域外における端子配線に重ねて延在させ、かつ、コンタクトホールの形成領域における端子配線の幅よりも狭い幅を有して構成させている。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に係り、特に、表示装置の小型化、画面の高精細化、あるいはＩＣドライバの小型化にともない、ピッチが小さくなった配線とＩＣドライバ等との接続技術に関する。

液晶表示装置は、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリックス状に形成されたＴＦＴ基板に、画素電極と対応する箇所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が挟持されて構成されている。そして液晶の分子によって光の透過率を画素ごとに制御することによって画像を形成している。

ＴＦＴ基板には、縦方向に延在し横方向に配列した複数の映像信号線と、横方向に延在し縦方向に配列した複数の走査信号線とが形成され、映像信号線と走査信号線とで囲まれた領域に画素が形成される。画素は主として画素電極とスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成される。このようにマトリックス状に形成された多数の画素によって表示領域が形成される。ＴＦＴ基板の表示領域には、ＴＦＴが形成され、この上に無機パッシべーション膜が形成され、その上に画素電極が形成される。無機パッシべーション膜としてはたとえばＳｉＮなどの絶縁膜が形成され、画素電極としてはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜が使用される。

ＴＦＴ基板の表示領域の外側の周囲には、映像信号線に信号（映像信号）を供給するための端子群、走査信号線に信号（走査信号）を供給するための端子群などが形成されている。そして、これらの端子群にはＩＣドライバ（ドライバチップ）のバンプが接続される。ここで、画面が高精細化するにしたがって、ＩＣドライバと接続する端子の数が多くなり、端子間ピッチも小さくなる。また、ＩＣドライバの小型化にともなうバンプピッチの縮小化も端子間のピッチが小さくなる要因となっている。そうするとＩＣドライバに形成されたバンプと端子とを接続する面積が充分に確保できなくなる。下記特許文献１には、配線ピッチがＩＣドライバのバンプピッチよりも小さい場合、配線とバンプとの接続を数段に分けて行うことによって、バンプのピッチと配線のピッチとの整合をとる構成が記載されている。

表示装置が小型化し、表示領域周辺の額縁を小さくした場合、特に走査信号線の引き出し線を表示装置の一辺に集める構成が採られる。この場合、前記引き出し線を全て一平面で引き回すと大きな面積を必要とする。これを回避するため、絶縁膜を介して前記引き出し線を立体的に（多層に）引き出すことによって、引き出すための面積を節約することができる。このような構成はたとえば下記特許文献２に記載がある。

また、表示装置の製造過程において、ＩＣドライバを搭載する前の段階で、表示装置に形成された配線にショート等が無いか否かを検査することが行われる。この段階で配線ショート等の不良が発見されれば、不良の表示装置に対してその後の工程を行う必要がなく、製造コストの削減ができる。この場合、検査の際に駆動されるＴＦＴスイッチ等は、ＩＣドライバの搭載領域に、すなわち、後に搭載されるＩＣドライバによって目視されない領域に形成される。下記特許文献３は、このような検査工程を可能とする表示装置の構成が記載されている。

特開２００８−０２０７９１号公報 特開２００４−５３７０２号公報 特開２００８−９２４６号公報

表示装置の高精細化、狭額縁化、ＩＣドライバの小型化がさらに進むと、配線のピッチがさらに小さくなる。液晶表示装置等では、表示領域外においては、配線を外気から保護するために、配線はパッシべーション膜等の絶縁膜によって覆われて保護されている。しかし、ＩＣドライバのバンプ等と接続する箇所においては、この絶縁膜にコンタクトホールを形成して、配線を露出させる必要がある。そして、このコンタクトホール部において、配線が腐食されないように、コンタクトホール部を化学的に安定な透明導電膜、たとえばＩＴＯによって被覆する。

コンタクトホールを形成するためには、所定の面積が必要である。また、端子とバンプとの間の接続の信頼性を確保するためには、所定のコンタクトのための面積が必要である。コンタクトホール用の面積を確保するために、あるいは、端子とバンプとの間のコンタクトのための面積を確保するために、端子の配置を千鳥状あるいは特許文献１に記載のように数段に分ける配置をとることができる。しかし、このような構成を採用した場合、平行して延在する他の配線の領域が狭められることになる。そうすると、配線幅と配線間隔が配線の加工精度よりも小さくなる場合がある。

本発明の目的は、高精細化によって配線間のピッチが小さくなった場合であっても、ＩＣドライバと接続する端子の面積、および端子におけるコンタクトホールのための所定の面積を確保でき、配線のパターニングを可能とした表示装置を提供することにある。

本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。

（１）本発明の表示装置は、表示領域内に延在する信号線が端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子に接続され、
前記端子は、端子配線の延在方向にずれをもって配置された第１端子と第２端子とを有する表示装置であって、
前記第１端子を備える第１端子配線は、前記表示領域側から延びる第１ＳＤメタルと、第１ゲートメタルと、第１透明導電膜とを備え、前記第１透明導電膜は前記第１ＳＤメタルの幅広の部分に形成された第１コンタクトホールと前記第１ゲートメタルの幅広の部分に形成された第２コンタクトホールを被い且つ前記第１ＳＤメタルと前記第１ゲートメタルとに接続して第１乗り換え部を構成し、
前記第１端子は、前記第１透明導電膜を延在させ、かつ、前記第１コンタクトホールおよび前記２コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
前記第２端子を備える第２端子配線は、前記表示領域側から延びる第２ゲートメタルと、第２ＳＤメタルと、第２透明導電膜とを備え、前記第２透明導電膜は前記第２ゲートメタルの幅広の部分に形成された第３コンタクトホールと前記第２ＳＤメタルの幅広の部分に形成された第４コンタクトホールを被い且つ前記第２ゲートメタルと前記第２ＳＤメタルとに接続して第２乗り換え部を構成し、
前記第２端子は、前記第２透明導電膜を延在させ、かつ、前記３コンタクトホールおよび第４コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
近接する前記第１端子配線の前記第１乗り換え部は、前記第１端子配線の延在方向にずれて配置され、前記第１乗り換え部に隣接する第２端子配線は前記第１乗り換え部との干渉を避けて屈曲して形成され、
近接する前記第２端子配線の前記第２乗り換え部は、前記第２端子配線の延在方向にずれて配置され、前記第２乗り換え部に隣接する第１端子配線は前記第２乗り換え部との干渉を避けて屈曲して形成されていることを特徴とする。

（２）本発明の表示装置は、表示領域内に走行する複数の信号線が、それぞれ、端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子群の各端子に引き出されるとともに、検査用配線との接続を図る検査用薄膜トランジスタに接続され、
前記各端子は、隣接するもの同士で端子配線の走行方向にずれをもって配置された少なくとも第１端子と第２端子とを有する表示装置であって、
前記第１端子を備える第１端子配線は、前記表示領域側からのゲートメタルがＳＤメタルに乗り換えられることによって構成され、前記乗り換え部は、前記ゲートメタルの前記ＳＤメタルに隣接する幅広の部分に形成された第１コンタクトホールと前記ＳＤメタルの前記ゲートメタルに隣接する幅広の部分に形成された第２コンタクトホールを共通に被う透明導電膜によってなされ、
前記第１端子は、前記透明導電膜を前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールの形成領域外における前記第１端子配線に重ねて延在され、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
前記第２端子を備える第２端子配線は、前記表示領域側からのＳＤメタルによって構成され、
前記第２端子は、前記ＳＤメタルの幅広の部分に形成された第３コンタクトホールを通して接続された透明導電膜を前記第３コンタクトホールの形成領域外において前記ＳＤメタルに重ねて延在され、前記３コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
前記第１端子配線の前記乗り換え部は、近接するもの同士で前記第１端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記乗り換え部に隣接する第２端子配線は前記乗り換え部との干渉を避けて屈曲して形成され、
前記第２端子配線の前記第３コンタクトホールの形成領域は、近接するもの同士で前記第２端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記第３コンタクトホールの形成領域に隣接する第１端子部は前記第３コンタクトホールの形成領域との干渉を避けて屈曲して形成されていることを特徴とする。

（３）本発明の表示装置は、表示領域内に走行する複数の信号線が端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子群の各端子に引き出され、
前記各端子は、隣接するもの同士で端子配線の走行方向にずれをもって配置された少なくとも第１端子と第２端子とを有し、
前記各端子配線は同層のメタルから構成されている表示装置であって、
前記第１端子を備える第１端子配線は幅広の部分を有し、前記第１端子は、前記第１端子配線の前記幅広の部分に形成された第１コンタクトホールを通して接続された透明導電膜を前記第１コンタクトホールの形成領域外において前記端子配線に重ねて前記第２端子側に延在させ、前記第１コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭く形成して構成され、
前記第２端子を備える第２端子配線は幅広の部分を有し、前記第２端子は、前記第２端子配線の幅広の部分に形成された第２コンタクトホールを通して接続された透明導電膜を前記第２コンタクトホールの形成領域外において前記端子配線に重ねて前記第１端子側に延在させ、前記第２コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭く形成して構成され、
前記第１端子配線の前記第１コンタクトホールの形成領域は、近接するもの同士で前記第１端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記第１コンタクトホールの形成領域に隣接する第２端子配線は前記第１コンタクトホールの形成領域との干渉を避けて屈曲して形成され、
前記第２端子配線の前記第２コンタクトホールの形成領域は、近接するもの同士で前記第２端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記第２コンタクトホールの形成領域に隣接する第１端子配線は前記第２コンタクトホールの形成領域との干渉を避けて屈曲して形成されていることを特徴とする。

なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。

本発明の表示装置の実施例１の平面図である。 図１のｂ−ｂ線における断面図である。 図１のｃ−ｃ線における断面図である。 図１のｄ−ｄ線における断面図である。 本発明の表示装置の実施例２の平面図である。 図５のｂ−ｂ線における断面図である。 本発明の表示装置の実施例３の平面図である。 図７のｂ−ｂ線における断面図である。 図７のｃ−ｃ線における断面図である。 表示装置の外形を示す斜視図である。 表示装置とＩＣドライバとの接続を示す説明図である。 表示装置の端子構造の例を示す平面図である。 図１２のｂ−ｂ線における断面図である。 表示装置の端子構造の他の例を示す平面図である。 図１４のｂ−ｂ線における断面図である。 図１４のｃ−ｃ線における断面図である。 図１４のｄ−ｄ線における断面図である。 表示装置の端子構造の他の例を示す平面図である。 図１８のｂ−ｂ線における断面図である。 図１８、図１９に示す構造の不都合を示す説明図である。

本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。

ここで、本発明の具体的な端子構成を説明するに先立って、本発明が適用される液晶表示装置、および、その端子部の構成について説明する。本明細書においては、液晶表示装置を例に挙げて説明するが、たとえば有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置についても適用できる。

図１０は、本発明が適用される液晶表示装置の概略を示す図である。図１０は、携帯電話等に使用される小型の液晶表示装置を示している。図１０において、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリックス状に形成されたＴＦＴ基板１００に、対向基板２００が対向して配置されている。対向基板２００にはカラーフィルタがＴＦＴ基板１００の画素電極に対応して形成され、カラー用画素を形成している。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間には液晶が挟持されている。液晶が挟持された領域は多数の画素からなる表示領域を構成するようになっている。

表示領域には、図示していないが、複数の走査信号線と、これら走査信号線と交差する複数の映像信号線とが形成され、これら信号線に所定の信号を供給することによって、前記画素を駆動でき、これら信号線はその端子（図１１において符号１０で示す）を通して後述のＩＣドライバ３００に接続されている。

ＴＦＴ基板１００の対向基板２００から露出された領域には、前記画素のそれぞれを駆動するＩＣドライバ３００が搭載され、外部から前記ＩＣドライバ３００に電源、信号等を供給するためのフレキシブル配線基板５００が接続されている。ＩＣドライバ３００は、図１１に示すように、異方性導電フィルム４００を介してＴＦＴ基板１００上の端子１０に接続されている。

ＴＦＴ基板１００上に形成された端子１０は、後述で明らかとなるように、配線メタル、コンタクトホール、透明導電膜（ＩＴＯ）等で形成されているが、図１１においては簡略化して示している。ＩＣドライバ３００はＴＦＴ基板１００と対向する面においてバンプ３１０が形成され、これらバンプ３１０が異方性導電フィルム４００を介して前記端子１０に電気的に接続されている。異方性導電フィルム４００は樹脂フィルムに導電性粒子４１０が分散されて構成されている。ＴＦＴ基板１００に対してＩＣドライバ３００を圧着することによって端子１０とバンプ３１０は導電性粒子４１０によって電気的に接続されるようになる。

図１２、図１３は、ＴＦＴ基板１００に形成された端子部の詳細図である。図１２は端子部の平面図である。図１２の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図１３は図１２のｂ−ｂ線における断面図である。図１２において、配線ピッチが小さいために、端子１０は千鳥配置に形成されている。図中横方向に隣接する端子１０のピッチｘはたとえば３６μｍとなっている。図１２において、下層の端子配線１５にはゲートメタル５０が使用される。ここで、ゲートメタル５０は、表示領域における薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する場合がある）のゲート電極、あるいはゲート電極と同層の金属が使用されるので、この名称を用いる。なお、走査信号線もゲートメタル５０で形成されている。ゲートメタル５０としてはたとえばＭｏが使用される。図１２に示すように、ゲートメタル５０は、端子１０の部分において、その前後の配線部分よりも幅が大きく形成されている。コンタクトホール４０を形成するためである。図１３に示すように、ゲートメタル５０を被って、ゲート絶縁膜５５、パッシべーション膜６５が積層されて形成され、前記コンタクトホール４０はパッシべーション膜６５、ゲート絶縁膜５５に形成されている。なお、ゲート絶縁膜５５、パッシべーション膜６５はゲートメタル５０を保護するために形成されている。

前記コンタクトホール４０はゲートメタル５０の一部を露出させ、露出されたゲートメタル５０を被うようにして透明導電膜であるＩＴＯ３０が形成されている。ＩＴＯ３０はゲートメタル５０を保護するとともに、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０との接続を図るために設けられる。ＩＴＯ３０はコンタクトホール４０よりも幅広に形成されている。この実施例では、透明導電膜としてＩＴＯを用いているが他の透明導電膜であってもよい。図１２において、ハッチが示された領域はＩＴＯ３０の形成領域を示し、点線枠はバンプ３１０の対向領域を示している。バンプ３１０はＩＴＯ３０とほぼ同じ形状で若干小さくなっている。なお、図１３においては、バンプ３１０の図示を省略している。

このような構成は、上述したように、隣り合う端子１０のピッチｘが３６μｍとなっており、加工が可能となる。すなわち、端子部のゲートメタル５０の幅を２０μｍとすると、千鳥配置された上の段において隣り合う端子１０の間隙は１６μｍとなる。この間隙には一本の端子配線１５が走行しており、この端子配線１５の幅および隣接する端子１０との間隔を、それぞれ、５．３μｍ程度に確保でき、通常の微細加工によって形成可能の範囲となる。このことは、隣り合う端子１０のピッチｘが３６μｍよりも小さくなると微細加工が困難となることを意味する。

配線間ピッチがさらに小さくなった場合に対応する端子部の構成の例が図１４、図１５、図１６、図１７である。図１４は端子部の平面図である。図１４の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図１５は図１４のｂ−ｂ線における断面図、図１６は図１４のｃ−ｃ線における断面図、図１７は図１４のｄ−ｄ線における断面図である。図１４、図１５、図１６、図１７の特徴は端子部において端子配線１５をゲートメタル５０とＳＤメタル６０の２層構造としていることである。ここで、ＳＤメタル６０は表示領域のＴＦＴのソース・ドレイン電極と同じ層の金属が使用されるので、この名称を用いる。なお、映像信号線もＳＤメタルで形成されている。ＳＤメタル６０にはたとえばＡｌで用いられる。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との間はゲート絶縁膜５５によって層間絶縁されている。なお、図１４においてハッチが施されている領域がＩＴＯ３０である。

図１４において、端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、表示領域からゲートメタル５０によって引き出されている。端子配線ｋおよび端子配線ｍは端子部に入る前に配線用コンタクトホール４２を介してＳＤメタル６０に乗り換える。この構成を、図１４の端子配線ｍにおけるｄ−ｄにおける断面である図１７に示している。

図１７において、表示領域側からゲートメタル５０が配線用コンタクトホール４２の部分まで延在している。配線用コンタクトホール４２はゲート絶縁膜５５とパッシべーション膜６５に形成され、ゲートメタル５０の一部を露出させる。一方、端子１０側にはＳＤメタル６０による端子配線１５（端子配線ｍ）が形成されている。端子１０側では、パッシべーション膜６５に端子用コンタクトホール４１が形成され、端子配線１５（端子配線ｍ）であるＳＤメタル６０の一部を露出させている。ＩＴＯ３０が配線用コンタクトホール４２と端子用コンタクトホール４１とを共通に被うことによって、ゲートメタル５０と端子１０とが接続されている。端子配線ｋも同様の構成となっている。

したがって、端子配線ｋおよび端子配線ｍは、ＳＤメタル６０が端子１０の端子配線として使用されている。一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎは表示領域から延在してきたゲートメタル５０が端子１０の端子配線として使用されている。このため、端子１０の部分における幅が太い端子配線１５（千鳥配置の図中上の段の場合はＳＤメタル６０、図中下の段の場合はゲートメタル５０）と、端子１０の脇を走行する幅が狭い端子配線１５（千鳥配置の図中上の段の場合はゲートメタル５０、図中下の段の場合はＳＤメタル６０）とは別な層で形成されている。フォトリソグラフィ技術における加工は、各層別に行われるので、露光時の解像度の問題は生じない。

この状態を図１５に示す。図１５において、端子用コンタクトホール４１はＩＴＯ３０とＳＤメタル６０とを接続している。幅が太い端子配線１５（ＳＤメタル６０）の脇を走行する幅が狭い端子配線１５はゲートメタル５０で形成されている。こうすることによって、端子１０用の端子配線を同一層に形成する場合に比較して、微細加工の裕度を上げることができる。すなわち、図１５において、第１層であるゲートメタル５０の配線間隔はｄ１であり、第２層のＳＤメタル６０の配線間隔はｄ２であり、端子配線１５を全て同じ層上に配置する場合の配線間の間隔ｄ３と比較して大きくなる。

また、端子部の他の断面である図１６に示すように、端子用コンタクトホール４１はゲートメタル５０とＩＴＯ３０とを接続している。幅が太い端子配線１５（ゲートメタル５０）の脇を走行する幅が狭い端子配線１５はＳＤメタル６０で形成されている。ゲートメタル５０とＳＤメタル６０とは別層で形成されているので、同一層に形成する場合に比較してフォト行程、特に露光の裕度を上げることができる。この場合、ゲートメタル５０の間の間隔はｄ１であり、ＳＤメタル６０の間の間隔はｄ２となり、全ての配線を同一層として形成した場合の間隔ｄ３に比較して大きくなる。

図１４、図１５、図１６、図１７の構成は、端子部の露光行程における解像度の問題を克服することができるが、端子部の配線を２層構造とすることを免れない。２層構造の場合は、フォト行程において、フォトマスク同士の合わせの問題が生ずる。また、２層配線において、マスクがずれて第１層のゲートメタル５０と第２層のＳＤメタル６０とがオーバーラップする場合も生じる。この場合、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０を圧着する際に、絶縁膜が破壊されると、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との接触の憂いが生じ、この接触が異なる信号が印加される端子配線同士でなされる場合に問題が生じる。

このような問題を考慮すると、端子部の配線を１層で行えればそれにこしたことはない。図１８、図１９は、端子部の配線を１層で行い、露光の解像度の問題を克服した構成を示している。図１８は端子部の平面図である。図１８の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図１９は図１８のｂ-ｂ線における断面図である。図１８において、表示領域側からゲートメタル５０による端子配線が延在している。ゲートメタル５０は端子部において、幅の広い部分と幅の狭い部分とを有している。

ゲートメタル５０の幅の広い部分には端子用コンタクトホール４１が形成されている。端子用コンタクトホール４１を形成するには、ある程度の幅が必要である。一方、端子部において、ゲートメタル５０の幅の狭い部分にはコンタクトホール４０は形成されていない。コンタクトホール４０が形成されていなければ、ゲートメタル５０は太くする必要はない。

この構成の特徴は、１個の端子１０を第１部分１１と第２部分１２に分け、第１部分１１においては、端子用コンタクトホール４１を形成してゲートメタル５０とＩＴＯ３０との接続を図る。一方、第２部分１２においては、コンタクトホール４０は形成せず、パッシべーション膜６５上に、ＩＴＯ３０のみを形成する。この部分のＩＴＯ３０はＩＣドライバ３００のバンプ３１０との接続にのみ用いる。

図１８において、端子部のＩＴＯ３０には、ハッチを施して示している。ＩＴＯ３０は第１部分１１ではゲートメタル５０とほぼ同じ外形であり、第２部分１２（図中一点鎖線で示している）では、ゲートメタル５０よりも幅が広くなっている。しかし、第２部分１２におけるＩＴＯ３０の幅は第１部分１１のＩＴＯ３０の幅よりも小さくなっている。

ＩＣドライバ３００のバンプ３１０に相当する部分は図１８において、点線で示している。ＩＣドライバ３００のバンプ３１０の幅は第１部分１１においては、ＩＴＯ３０の幅よりも小さく、第２部分１２においては、ＩＴＯ３０の幅よりも僅かに大きくなっている。このように、端子用コンタクトホール４１の面積は小さくなっているが、バンプ３１０とＩＴＯ３０との接触面積は従来とほとんど変わらないので、ＩＣドライバ３００と端子１０との接着強度は充分に確保できる。

図１９において、端子部の端子配線は全て同一の層で同一の材料（ゲートメタル５０）によって形成されている。したがって、互いに隣接する端子配線は同一の層で形成されている。ゲートメタル５０の幅は、端子用コンタクトホール４１が形成されている第１部分１１では広く、その他の部分（第２部分１２を含む）では第１部分１１よりも狭い。図１９において、ゲートメタル５０の上にはゲート絶縁膜５５が形成され、ゲート絶縁膜５５の上にはパッシべーション膜６５が形成されている。端子配線ｌの第１部分１１に相当する部分には端子用コンタクトホール４１が形成され、ＩＴＯ３０とゲートメタル５０とがコンタクトする。端子配線ｌの右隣には、端子配線ｍが所定の間隔をもって走行し、端子配線ｍのさらに右隣には、端子配線ｎの第２部分１２が存在している。端子配線ｎの第２部分１２に相当する部分では、ゲートメタル５０の幅は小さく、端子配線ｍと同じ幅である。一方、端子配線ｎの上には、ゲート絶縁膜５５およびパッシべーション膜６５を介してＩＴＯ３０が存在している。このＩＴＯ３０は、端子配線ｎの第１部分１１に形成された端子用コンタクトホール４１によってゲートメタル５０と接続されている。端子配線ｎの第２部分１２におけるゲートメタル５０の幅が小さいために、ゲートメタル５０を同一平面上に形成しても、ゲートメタル５０同士の間の間隔ｄ４を露光によるパターニングが可能な大きさまで大きくすることができる。

以上の内容を図１８に即して説明すると次の通りである。図１８において、端子配線ｌは第１部分１１において、ゲートメタル５０の幅は第２部分１２よりも大きくなっている。端子配線ｌに隣接するゲートメタル５０による他の端子配線ｋおよび端子配線ｍは、第１部分１１に隣接する領域では、端子配線ｌの第１部分１１よりも配線幅が狭く、かつ、端子配線ｌの第１部分から遠ざかるように外側へ屈曲するように形成されている。端子配線ｋおよび端子配線ｍを外側に屈曲して形成したことによって、端子配線ｌの幅が太くなった第１部分１１と、端子配線ｋあるいは端子配線ｍとの間隔を、露光によるパターニングが可能な範囲にまで大きくすることができる。

この場合、端子配線ｋおよび端子配線ｍを外側に屈曲させることにより、さらに隣の端子配線との距離が狭くなってしまうことが憂えられる。しかし、図１８に示すように、たとえば、端子配線ｍの隣の端子配線ｎは端子１０ではあるが、端子配線ｍが屈曲している部分においては、端子用コンタクトホール４１は形成されていない。すなわち、端子１０の第２部分１２の構成となっている。そして、コンタクトホール４０が形成されていない第２部分１２の端子配線ｎの幅は他の部分と同じように細いままとなっている。したがって、端子配線ｎと端子配線ｍとの間隔は、露光によるパターニングが可能な程度にまで大きくすることができる。このような構成とすることによって、図１８、図１９における端子１０同士の間のピッチｘを３４μｍ以下にまで小さくしても、露光による配線パターニングが可能になる。

しかしながら、この場合、ＩＣドライバ３００の搭載の際に、配線端子との間にずれが発生した場合にショートマージンが低くなるという不都合が生じる。

図２０は、図１９に対応する図で、各端子に接続されるバンプ３１０を備えるＩＣドライバ３００をも併せて描画した図である。これにより、端子配線ｌの第１部分１１上のＩＴＯ３０（図中符号３０ａで示す）と、このＩＴＯ３０と接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０（図中符号３１０ａで示す）に隣接する他のバンプ３１０（図中符号３１０ｂで示す）との離間距離ＸＴ１と、端子配線ｎの第２部分上のＩＴＯ３０（図中符号３０ｂで示す）と、このＩＴＯ３０ｂと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ｂに隣接する他のバンプ３１０ａとの離間距離ＸＴ２との関係が明らかになる。離間距離ＸＴ１は離間距離ＸＴ２に対して小さくなってしまう。離間距離ＸＴ１と離間距離ＸＴ２にこのような差が生じるのは、端子配線において第１部分１１の幅と第２部分１２の幅とに相違を有し、これらの幅に対応させてＩＴＯ３０を形成しているからである。この場合、端子配線間のピッチが小さくなると、端子配線ｌの第１部分１１における端子について、ＩＣドライバ３００の搭載の際のずれ発生のショートマージンが低くなってしまうことになる。

以下に示す実施例では、ＩＣドライバ３００の搭載の際のずれによるショートマージンを向上させた構成を与える。

図１、図２、図３、図４は本発明の第１の実施例である。図１は実施例１の平面図である。図１の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図２は図１のｂ−ｂ線における断面図、図３は図１のｃ−ｃ線における断面図、図４は図１のｄ−ｄ線における断面図である。この実施例１では、端子配線１５はゲートメタル５０とＳＤメタル６０の２層構造となっている。本発明は、後述の実施例３で示すように、端子部の配線を１層で行う場合にも適用できるが、図１４、図１５、図１６、図１７における説明で示したフォト工程におけるマスク同士のずれによる不都合を許容できる場合には、端子配線１５が２層構造となっていてもさしつかえなくなる。

図１において、たとえば端子配線ｋ、ｍは、表示領域からＳＤメタル６０によって引き出され、端子部に入る前に配線用コンタクトホール４２および端子用コンタクトホール４１を介してゲートメタル５０に乗り換える。この場合の各端子配線１５における乗り換えの箇所にあっては、上述した実施例と同様に、端子配線１５の延在方向に若干ずれを有する千鳥配置となっている。端子配線ｍにおいて、図２に示すように、表示領域側からＳＤメタル６０が配線用コンタクトホール４２の部分まで延在している。配線用コンタクトホール４２はパッシべーション膜６５に対して形成され、ＳＤメタル６０の一部を露出させている。一方、端子１０側には、ゲートメタル５０による端子配線１５（端子配線ｍ）が形成されている。端子１０側では、ゲート絶縁膜５５およびパッシべーション膜６５に対し端子用コンタクトホール４１が形成され、端子配線１５（端子配線ｍ）であるゲートメタル５０の一部を露出させている。この場合、配線コンタクトホール４２、端子用コンタクトホール４１は、ＳＤメタル６０とゲートメタル５０、さらに端子１０として機能する後述のＩＴＯ３０との電気的接続を図るために設けられている。すなわち、端子用コンタクトホール４１が形成される箇所と、後述の端子１０が形成される箇所は異なった部分に形成され、これら各部分は端子配線ｍの延在方向に隣接されて形成されている。このことから、端子用コンタクトホール４１が形成される箇所において、端子配線ｍの延在方向に沿った長さが比較的短くなっており、これに伴い、ゲートメタル５０の幅広の部分も比較的短く形成される。ＩＴＯ３０が配線用コンタクトホール４２と端子用コンタクトホール４１とを共通に被って形成されることによって、ＳＤメタル６０とゲートメタル５０との電気的接続を図る。この場合、ＩＴＯ３０は図１中下側方向へゲートメタル５０の延在方向に沿って重畳され、比較的大きな長さの端子１０を構成する。この端子１０の幅はゲートメタル５０の幅より若干大きく形成され、配線用コンタクトホール４２におけるＳＤメタル６０および端子用コンタクトホール４１におけるゲートメタル５０の幅より小さく形成されている。端子配線ｋも同様の構成となっている。これにより、端子配線ｋおよび端子配線ｍの各端子１０は、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０（図中点線枠で示している）と対向される部分において、ゲートメタル５０の上方にパッシべーション膜６５を介して形成される構成となる。ここで、端子配線ｋおよび端子配線ｍの各端子１０は千鳥配置における図中上段に配置される端子となっている。

一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎは表示領域から延在してきたゲートメタル５０が端子用コンタクトホール４１を通して端子配線１５と重畳されたＩＴＯ３０によって千鳥配置における図中下段に配置される端子１０を構成するようになっている。たとえば端子配線ｌにおいて、図３に示すように、表示領域側からゲートメタル５０が端子用コンタクトホール４１の部分まで延在している。配線用コンタクトホール４１はゲート絶縁膜５５とパッシべーション膜６５に対して形成され、ゲートメタル５０の一部を露出させている。また、前記ゲートメタル５０はＳＤメタル６０に乗り換えられるようになっており、前記ＳＤメタル６０は、パッシべーション膜６５に形成された配線用コンタクトホール４２によって、その一部が露出されている。この場合、配線用コンタクトホール４２、端子用コンタクトホール４１は、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０、さらに端子１０として機能する後述のＩＴＯ３０との電気的接続を図るために設けられている。すなわち、端子用コンタクトホール４１が形成される箇所と、後述の端子１０が形成される箇所は異なった部分に形成され、これら各部分は端子配線ｌの延在方向に隣接されて形成されている。このことから、端子用コンタクトホール４１が形成される箇所において、端子配線ｌの延在方向に沿った長さが比較的短くなっており、これに伴い、ゲートメタル５０の幅広の部分も比較的短く形成される。ＩＴＯ３０が配線用コンタクトホール４２と配線用コンタクトホール４１とを共通に被って形成されることによって、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０との電気的接続を図る。この場合、ＩＴＯ３０は図１中上側方向へゲートメタル５５の延在方向に沿って重畳され、比較的大きな長さの端子１０を構成する。この端子１０の幅はゲートメタル５０の幅より若干大きく形成され、端子用コンタクトホール４１におけるゲートメタル５０および配線用コンタクトホール４２におけるＳＤメタル６０の幅より小さく形成されている。端子配線ｎも同様の構成となっている。したがって、端子配線ｌおよび端子配線ｎの各端子１０は、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０（図中点線枠で示している）と接続される部分において、ゲートメタル５０の上方にパッシべーション膜６５を介して形成される構成となる。ここで、端子配線ｌおよび端子配線ｎの各端子１０は千鳥配置における図中下段に配置される端子となっている。

なお、端子配線ｋ、ｍにあって、端子配線ｌあるいはｎの乗り換え部（配線用コンタクトホール４２および端子用コンタクトホール４１の形成領域）に隣接する部分は前記乗り換え部との干渉を避けるように屈曲されるように形成されている。また、端子配線ｌ、ｎにあって、端子配線ｋあるいはｍの乗り換え部（端子用コンタクトホール４１および配線用コンタクトホール４２の形成領域）に隣接する部分は前記乗り換え部との干渉を避けるように屈曲されるように形成されている。隣接する端子配線同士を近接させて配置させるためである。

図４は、千鳥配置における図中上段に配置される各端子１０において、それらの並設方向に沿った断面を示す。図４においては、各端子１０に接続されるバンプ３１０を備えるＩＣドライバ３００をも併せて描画している。図４において、基板１００の上面にゲートメタル５０からなる端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎが形成され、これら端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎの上面にはゲート絶縁膜５５、およびパッシべーション膜６５が積層されて形成される。そして、パッシべーション膜６５の上面は、端子配線ｋおよび端子配線ｍに重畳するようにしてＩＴＯ３０からなる端子１０が形成されている。ＩＴＯ３０のうちＩＣドライバ３００のバンプ３１０と接続される部分である端子１０には、端子配線ｋあるいは端子配線ｍとのコンタクトを図る端子用コンタクトホール４１は形成されていない。端子用コンタクトホール４１は前記端子１０の形成領域外において形成されている。このため、端子配線ｋおよび端子配線ｍに重畳して形成される端子１０の幅は端子配線ｋおよび端子配線ｍの幅よりも若干大きく形成され、端子用コンタクトホール４１に形成されるＩＴＯ３０の幅よりも小さな幅で形成されている。

これにより、端子配線ｋ上のＩＴＯ３０（図中３０ａで示す）と、このＩＴＯ３０ａと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０（図中３１０ａで示す）に隣接する他のバンプ３１０（図中３１０ｂで示す）との離間距離ＸＴと、端子配線ｍ上のＩＴＯ３０（図中３０ｂで示す）と、このＩＴＯ３０ｂと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ｂに隣接する他のバンプ３１０ａとの離間距離ＸＴは、いずれかが小さくなってしまうということはなく、最大限の距離を確保できる。したがって、端子配線間のピッチが小さくなっても、ＩＣドライバ３００の搭載の際のずれ発生によるショートマージンを向上させることができる。

表示装置の製造過程において、ＩＣドライバを搭載する前の段階で、表示装置に形成された配線にショート等が無いかを検査する工程が存在する。この検査を行うために必要なＴＦＴスイッチ、検査配線等は、ＩＣドライバの搭載領域に、すなわち、後に搭載されるＩＣドライバによって目視されない領域に形成される。表示装置では、表示領域の面積を確保しつつ、外形寸法を小さくしたいという要求が強い。外形寸法を小さくするためには検査用のＴＦＴスイッチ、検査配線等で占める領域をできるだけ小さくすることが望ましい。

図５、図６に示す実施例２は、端子部における配線ピッチを小さくするとともに、検査用ＴＦＴ１１０あるいは検査用配線１５０が占める面積を小さくすることができる構成を示す。図５は本実施例の平面図である。図５の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図５において、図中上半分の領域ＴＥはＩＣドライバ３００との接続のための端子部であり、領域ＴＥの図中下側は、検査用ＴＦＴ１１０が形成された領域ＴＦＴであり、さらにその図中下側は、検査用配線１５０が形成された領域ＴＬとなっている。

図５の構成において、領域ＴＥと領域ＴＦＴとの間に、端子配線１５において、ゲートメタル５０からＳＤメタル６０に乗り換えるための乗り換え端子が形成された領域を必要しなくなっている。これにより、検査用のＴＦＴスイッチ、検査配線等で占める領域を小さくすることができる。このような構成は、領域ＴＥにおいて、各端子１０の下層に走行する端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎをＳＤメタル６０で構成することによって実現することができる。すなわち、図５において、端子配線ｋ、ｍはたとえばゲートメタル５０によって表示領域から引き出されており、端子１０に至る前に、配線用コンタクトホール４２および端子用コンタクトホール４１を通してＳＤメタル６０に乗り換えている。端子配線ｌ、ｎはＳＤメタル６０によって表示領域から引き出され、このＳＤメタルはそのまま走行されて端子用コンタクトホール４１にまで延在されるようになっている。このことから、検査用ＴＦＴ１１０が形成された領域ＴＦＴに至る手前において、端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎは全てＳＤメタル６０によって形成されており、乗り換えを必要とすることなく、検査用ＴＦＴ１１０のソース・ドレイン電極に接続させることができる。検査用ＴＦＴ１１０は画素内のＴＦＴと並行して形成され、そのソース・ドレイン電極はＳＤメタル６０によって構成されるからである。

なお、前記領域ＴＥにおける構成は、図１に示した構成と比較して、各端子１０の下層に走行する端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎがＳＤメタル６０で構成され、配線ｌ、ｎにおいて乗り換え用の配線用コンタクトホールがないことに相違を有し、その他の構成は図１に示した構成と同様となっている。図６は、図１のｂ−ｂ線における断面図である。図６において、端子１０とＩＣドライバ３００のバンプ３１０との関係において、それらの大きさおよび位置等は図４に示した場合と同様となっている。このため、領域ＴＥにおいては実施例１に示した効果を奏することができる。

図５に戻り、上述したように、検査用ＴＦＴ１１０は画素内のＴＦＴと同じプロセスで形成される。したがつて、検査用ＴＦＴ１１０のソース・ドレイン電極ＳＤメタル６０となっている。なお、各端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎと接続される検査用ＴＦＴ１１０のゲート電極１１２は共通に形成され、検査用ＴＦＴ１１０は千鳥状に配置されていることから、ゲート電極１１２は蛇行状となっている。これにより、端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎと重畳される領域をできるだけ少なくし、容量を小さくしている。

検査用ＴＦＴのさらに図中下側には、配線のショート等を検査するための信号を供給するための検査用配線１５０が図中横方向に走行している。検査用配線１５０はゲートメタル５０によって形成されている。なお、ゲートメタル５０で形成された検査用配線１５０とＳＤメタル６０で形成された検査用ＴＦＴのソース・ドレイン電極との間の乗り換えは、コンタクトホールを用いた上述の構成によって行われている。検査用配線１５０はたとえば４本からなり、図中横方向に走行している。このため、４系統の配線のショート等を検査することができる。この実施例では、端子配線として、ゲートメタル５０とＳＤメタル６０の２層配線を使用しているので、同層間の配線と異層間の配線のチェックをする必要があるからである。端子配線ｋ−ｍ間および端子配線ｌ−ｎ間において、同層間のチェックを行い、端子配線ｋ−ｌ間および端子配線ｌ−ｍ間および端子配線ｍ−ｎ間で異層間のチェックを行う。全配線はこの繰り返しによってチェックを行うことができる。したがって、検査用配線１５０は４本存在すれば、全ての端子配線のショート等をチェックすることができる。

なお、図５に示す検査用配線１５０は、一定幅で図中横方向に延在させているが、ＳＤメタル６０による端子配線１５との容量を小さくするために、屈曲させることによって、端子配線との交差面積を小さくできる。また、ＳＤメタル６０による端子配線１５とゲートメタル５０による検査用配線１５０との間にゲート絶縁膜５５とともに半導体層を層間絶縁膜とすることによって容量を小さくすることができる。

図７、図８、図９は、本発明の第３の実施例である。図７は実施例３の平面図である。図７の図中上側が表示領域となり図中下側がＴＦＴ基板１００の端部となっている。図８は図７のｂ−ｂ線における断面図、図９は図７のｃ−ｃ線における断面図である。この実施例では、端子配線１５はゲートメタル５０のみの１層構造となっている。このようにした場合、端子配線１５の形成においてマスクずれの憂いがないことから、たとえば図１、図２、図３、図４の場合の構成と比較した場合、隣接する端子同士の間隔を狭めることができる。

図７において、端子配線ｋ、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ、表示領域からゲートメタル５０によって引き出され、このうち端子配線ｋ、ｍは、端子部に入る前に端子用コンタクトホール４１を備える。端子用コンタクトホール４１が形成される部分の端子配線ｋ、ｍは幅が広く形成されている。端子配線ｋ、ｍの端子用コンタクトホール４１が形成される部分は、それぞれ、端子配線１５の延在方向に若干ずれを有する千鳥配置となっている。端子配線ｍにおいて、図８に示すように、表示領域側からゲートメタル５０が端子用コンタクトホール４１の部分に至った後もそのまま延在されて形成されている。端子用コンタクトホール４２はゲート絶縁膜５０、パッシベーション膜６５に対して形成され、ゲートメタル５０の一部を露出させている。端子１０は、端子用コンタクトホール４１を被い、図中下側（ＴＦＴ基板１００の端部側）に端子配線１５に重畳されて延在されるＩＴＯ３０によって形成されている。ＩＴＯ３０は、端子用コンタクトホール４１の形成領域において幅が広く、端子１０の形成領域において幅が狭く形成されている。しかし、端子１０の形成領域におけるＩＴＯ３０の幅は、端子配線１５の幅よりも大きく形成されている。端子配線ｋも同様の構成となっている。これにより、端子配線ｋおよび端子配線ｍの各端子１０は、ＩＣドライバ３００のバンプ３１０（図中点線枠で示している）と接続される部分において、ゲートメタル５０の上方にパッシべーション膜６５を介して形成される構成となる。ここで、端子配線ｋおよび端子配線ｍの各端子１０は千鳥配置における図中上段に配置される端子となっている。

一方、端子配線ｌおよび端子配線ｎは、表示領域から延在してきたゲートメタル５０が端子用コンタクトホール４１を通して端子配線１５と重畳されたＩＴＯ３０によって千鳥配置における図中下段に配置される端子１０を構成するようになっている。この場合のＩＴＯ３０は、図中上側（表示領域側）に端子配線１５に重畳されて延在されて形成され、前記端子配線１５に沿った断面は、図８とほぼ同様となっている。

なお、端子配線ｋ、ｍにあって、端子配線ｌあるいはｎの端子用コンタクトホール４１の形成領域に隣接する部分はこれら領域との干渉を避けるように屈曲されるように形成されている。また、端子配線ｌ、ｎにあって、端子配線ｋあるいはｍの端子用コンタクトホール４１の形成領域に隣接する部分はこれら形成領域との干渉を避けるように屈曲されるように形成されている。隣接する端子配線同士を近接させて配置させるためである。

このように構成した場合も、図７のｃ−ｃ線における断面図である図９は図４に示した断面図と同様となり、ＩＣドライバ３００の搭載の際のずれ発生によるショートマージンを向上させることができる。すなわち、端子配線ｋ上のＩＴＯ３０（図中３０ａで示す）と、このＩＴＯ３０ａと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０（図中３１０ａで示す）に隣接する他のバンプ３１０（図中３１０ｂで示す）との離間距離ＸＴと、端子配線ｍ上のＩＴＯ３０（図中３０ｂで示す）と、このＩＴＯ３０ｂと接続されるＩＣドライバ３００のバンプ３１０ｂに隣接する他のバンプ３１０ａとの離間距離ＸＴは、いずれかが小さくなってしまうということはなく、最大限の距離を確保できる。

なお、この実施例３では、各端子配線１５はゲートメタル５０で構成したものであるが、ＳＤメタル６０であってもよい。各端子配線１５をＳＤメタル６０によって形成した場合、これら各端子配線１５を検査用ＴＦＴ１１０（図５参照）に接続させるように構成される場合に、乗り換え部を形成する必要はなく、このため前記乗り換え部の形成のための面積を確保する必要がなくなる。

以上の説明は液晶表示装置について行った。しかし、有機ＥＬ表示装置などの他の表示装置についても、端子１０等に関する構造は基本的には液晶表示装置と同様となる。このため、本発明は有機ＥＬ表示装置などの他の表示装置にも適用することができる。

以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。

１０……端子、１５……端子配線、３０……ＩＴＯ、４０……コンタクトホール、４１……端子用コンタクトホール、４２……配線用コンタクトホール、５０……ゲートメタル、５５……ゲート絶縁膜、６０……ＳＤメタル、６５……パッシべーション膜、１００……ＴＦＴ基板、２００……対向基板、３００……ＩＣドライバ、３１０……バンプ、４００……異方性導電フィルム、５００……フレキシブル配線基板、４１０……導電性粒子。

Claims (12)

1. 表示領域内に延在する信号線が端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子に接続され、
   前記端子は、端子配線の延在方向にずれをもって配置された第１端子と第２端子とを有する表示装置であって、
   前記第１端子を備える第１端子配線は、前記表示領域側から延びる第１ＳＤメタルと、第１ゲートメタルと、第１透明導電膜とを備え、前記第１透明導電膜は前記第１ＳＤメタルの幅広の部分に形成された第１コンタクトホールと前記第１ゲートメタルの幅広の部分に形成された第２コンタクトホールを被い且つ前記第１ＳＤメタルと前記第１ゲートメタルとに接続して第１乗り換え部を構成し、
   前記第１端子は、前記第１透明導電膜を延在させ、かつ、前記第１コンタクトホールおよび前記２コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
   前記第２端子を備える第２端子配線は、前記表示領域側から延びる第２ゲートメタルと、第２ＳＤメタルと、第２透明導電膜とを備え、前記第２透明導電膜は前記第２ゲートメタルの幅広の部分に形成された第３コンタクトホールと前記第２ＳＤメタルの幅広の部分に形成された第４コンタクトホールを被い且つ前記第２ゲートメタルと前記第２ＳＤメタルとに接続して第２乗り換え部を構成し、
   前記第２端子は、前記第２透明導電膜を延在させ、かつ、前記３コンタクトホールおよび第４コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
   近接する前記第１端子配線の前記第１乗り換え部は、前記第１端子配線の延在方向にずれて配置され、前記第１乗り換え部に隣接する第２端子配線は前記第１乗り換え部との干渉を避けて屈曲して形成され、
   近接する前記第２端子配線の前記第２乗り換え部は、前記第２端子配線の延在方向にずれて配置され、前記第２乗り換え部に隣接する第１端子配線は前記第２乗り換え部との干渉を避けて屈曲して形成されていることを特徴とする表示装置。
2. ＩＣドライバに形成されたバンプは、それぞれ、第１端子において第１コンタクトホールおよび第２コンタクトホールの形成領域以外の領域に形成された前記第１透明導電膜に対向して接続され、第２端子において第３コンタクトホールおよび第４コンタクトホールの形成領域以外の領域に形成された前記第２透明導電膜に対向して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１端子は前記第２端子側に延在され、前記第２端子は前記第１端子側に延在されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記表示領域には薄膜トランジスタを備える画素が形成され、前記薄膜トランジスタのゲート電極は前記ゲートメタルで形成され、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極は前記ＳＤメタルで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 表示領域内に走行する複数の信号線が、それぞれ、端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子群の各端子に引き出されるとともに、検査用配線との接続を図る検査用薄膜トランジスタに接続され、
   前記各端子は、隣接するもの同士で端子配線の走行方向にずれをもって配置された少なくとも第１端子と第２端子とを有する表示装置であって、
   前記第１端子を備える第１端子配線は、前記表示領域側からのゲートメタルがＳＤメタルに乗り換えられることによって構成され、前記乗り換え部は、前記ゲートメタルの前記ＳＤメタルに隣接する幅広の部分に形成された第１コンタクトホールと前記ＳＤメタルの前記ゲートメタルに隣接する幅広の部分に形成された第２コンタクトホールを共通に被う透明導電膜によってなされ、
   前記第１端子は、前記透明導電膜を前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールの形成領域外における前記第１端子配線に重ねて延在され、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
   前記第２端子を備える第２端子配線は、前記表示領域側からのＳＤメタルによって構成され、
   前記第２端子は、前記ＳＤメタルの幅広の部分に形成された第３コンタクトホールを通して接続された透明導電膜を前記第３コンタクトホールの形成領域外において前記ＳＤメタルに重ねて延在され、前記３コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭い幅を有して構成され、
   前記第１端子配線の前記乗り換え部は、近接するもの同士で前記第１端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記乗り換え部に隣接する第２端子配線は前記乗り換え部との干渉を避けて屈曲して形成され、
   前記第２端子配線の前記第３コンタクトホールの形成領域は、近接するもの同士で前記第２端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記第３コンタクトホールの形成領域に隣接する第１端子部は前記第３コンタクトホールの形成領域との干渉を避けて屈曲して形成されていることを特徴とする表示装置。
6. ＩＣドライバに形成されたバンプは、それぞれ、第１端子において第１コンタクトホールおよび第２コンタクトホールの形成領域以外の領域に形成された前記透明導電膜に対向して接続され、第２端子において第３コンタクトホールおよび第４コンタクトホールの形成領域以外の領域に形成された前記透明導電膜に対向して接続されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１端子は前記第２端子側に延在され、前記第２端子は前記第１端子側に延在されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
8. 前記表示領域には薄膜トランジスタを備える画素が形成され、前記薄膜トランジスタのゲート電極は前記ゲートメタルで形成され、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極は前記ＳＤメタルで形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
9. 表示領域内に走行する複数の信号線が端子配線を介して前記表示領域外に形成された端子群の各端子に引き出され、
   前記各端子は、隣接するもの同士で端子配線の走行方向にずれをもって配置された少なくとも第１端子と第２端子とを有し、
   前記各端子配線は同層のメタルから構成されている表示装置であって、
   前記第１端子を備える第１端子配線は幅広の部分を有し、前記第１端子は、前記第１端子配線の前記幅広の部分に形成された第１コンタクトホールを通して接続された透明導電膜を前記第１コンタクトホールの形成領域外において前記端子配線に重ねて前記第２端子側に延在させ、前記第１コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭く形成して構成され、
   前記第２端子を備える第２端子配線は幅広の部分を有し、前記第２端子は、前記第２端子配線の幅広の部分に形成された第２コンタクトホールを通して接続された透明導電膜を前記第２コンタクトホールの形成領域外において前記端子配線に重ねて前記第１端子側に延在させ、前記第２コンタクトホールの形成領域における幅よりも狭く形成して構成され、
   前記第１端子配線の前記第１コンタクトホールの形成領域は、近接するもの同士で前記第１端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記第１コンタクトホールの形成領域に隣接する第２端子配線は前記第１コンタクトホールの形成領域との干渉を避けて屈曲して形成され、
   前記第２端子配線の前記第２コンタクトホールの形成領域は、近接するもの同士で前記第２端子配線の走行方向にずれをもって配置され、前記第２コンタクトホールの形成領域に隣接する第１端子配線は前記第２コンタクトホールの形成領域との干渉を避けて屈曲して形成されていることを特徴とする表示装置。
10. ＩＣドライバに形成されたバンプは、それぞれ、第１端子において第１コンタクトホールおよび第２コンタクトホールの形成領域以外の領域に形成された前記透明導電膜に対向して接続され、第２端子において第３コンタクトホールおよび第４コンタクトホールの形成領域以外の領域に形成された前記透明導電膜に対向して接続されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１端子は前記第２端子側に延在され、前記第２端子は前記第１端子側に延在されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
12. 前記表示領域には薄膜トランジスタを備える画素が形成され、前記薄膜トランジスタのゲート電極は前記ゲートメタルで形成され、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極は前記ＳＤメタルで形成されていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。

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