JP2022070973A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 79
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 40
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 158
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 22
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
前記端子部には、第1の方向に延在する第1の配線と、第2の方向に延在する第2の配線が存在し、前記第1の配線と前記第2の配線の交差部においては、前記第2の配線は第1の部分と第2の部分に分断され、
前記交差部において、前記第1の配線および前記第2の配線を覆って有機パッシベーション膜が形成され、前記有機パッシベーション膜の上には透明導電膜が形成され、前記第2の配線は、前記有機パッシベーション膜に形成されたスルーホールを介して前記透明導電膜と接続しており、前記第2の配線と前記第1の部分と前記第2の部分は、前記透明導電膜によって接続していることを特徴とする液晶表示装置。
Claims (6)
- TFT基板と対向基板とを有する表示装置であって、
前記対向基板には第1の透明導電膜が形成され、
前記TFT基板には、第2の透明導電膜と、前記第2の透明導電膜に接続されない配線と、前記配線と前記第2の透明導電膜との間に設けられた絶縁膜と、が前記TFT基板が前記対向基板と重ならない第1領域に形成され、
前記第1の透明導電膜と前記第2の透明導電膜とは導電体によって接続され、
前記配線は、前記第2の透明導電膜に重なり、前記第2の透明導電膜とは前記絶縁膜によって絶縁されていることを特徴とする表示装置。 - 前記TFT基板には、前記対向基板と重なる第2領域において、第1方向に間隔を置いて設けられた複数の映像信号線を有し、
前記絶縁膜は、前記第1領域において前記配線を覆い、
前記絶縁膜は、前記第2領域において前記複数の映像信号線を覆う、
ことを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1領域の前記絶縁膜と前記第2の透明導電膜は、前記導電体を介して前記第1の透明導電膜に接続されるアースパッドであり、
前記配線は、前記アースパッドの前記第2の透明導電膜を前記第1の方向に沿って通過する、ことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記絶縁膜は有機絶縁膜であり、前記有機絶縁膜の膜厚は、3乃至4μmであることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記第2の透明導電膜は、前記第2の領域において、前記TFT基板に設けられるコモン電極もしくは画素電極と同時に前記絶縁膜上に形成されるものである、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記TFT基板は、前記第2領域において前記コモン電極と前記画素電極との間に設けられる容量絶縁膜を有し、
前記第2の透明導電膜は、前記コモン電極と同層の第1接続透明電極、及び、前記画素電極と同層の第2接続透明電極からなり、
前記第2接続透明電極は前記第1接続透明電極に積層されており、
前記導電体は、前記第2接続透明電極に接していることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2022021788A JP7274627B2 (ja) | 2020-02-03 | 2022-02-16 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020016024A JP7027470B2 (ja) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | 表示装置 |
JP2022021788A JP7274627B2 (ja) | 2020-02-03 | 2022-02-16 | 表示装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2020016024A Division JP7027470B2 (ja) | 2020-02-03 | 2020-02-03 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022070973A true JP2022070973A (ja) | 2022-05-13 |
JP7274627B2 JP7274627B2 (ja) | 2023-05-16 |
Family
ID=87890797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7274627B2 (ja) |
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TWI822506B (zh) * | 2022-12-07 | 2023-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 可拉伸面板結構 |
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