JP2009145658A - 表面反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
で表される第4級アンモニウム化合物を含有することを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物に関する。
上記したように、本発明の表面反射防止膜形成用組成物は、フッ素含有化合物と上記一般式(1)で表される第4級アンモニウム化合物を含有し、さらに必要に応じ水溶性ポリマー、酸、界面活性剤、水性溶媒を含むものである。以下では、まず本発明の特徴をなす、上記一般式(1)で表される第4級アンモニウム化合物から説明する。
(2)C4〜C10のパーフルオロアルキルスルホン酸、
(3)パーフルオロアジピン酸
(4)C4〜C15のパーフルオロアルケニルエーテルスルホン酸、
(5)下記式で示されるようなフッ素化アルキルポリエーテルスルホン酸、並びに、フッ素化アルキルポリエーテルカルボン酸
HO3S−(R13−O)n2−R14−(O−R15)n3−SO3H
R16−(O−R17)n4−COOH
HOOC−(R18−O)n5−R19−(O−R20)n6−COOH
HOOC−(R21−O)n7−R22(O−R23)n8−SO3H
(6)下記式(2)で表される重合単位を含むフッ素系重合体または下記式(2)で表される重合単位と下記式(3)で表される重合単位とを含むフッ素系重合体
が挙げられる。
−[CF2CF(ORfCOOH)]−
(式中、Rfはエーテル性酸素原子を含んでもよい直鎖状または分岐状のパーフルオロアルキレン基を表す。)
−[CF2CFX1]−
(式中、X1はフッ素原子、塩素原子または水素原子を表す。)
最適膜厚=λ/4n
(式中、λは露光波長を表し、nは反射防止膜の露光波長での屈折率を表す。)
アルカノール基を含有する4級アンモニウム化合物として、水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムを、また重合体として下記式(4)の繰返し単位からなるフッ素系重合体(スチレン換算重量平均分子量;6200)を用い、各々水溶液としてフッ素系重合体の酸と塩基のモル比が1:0.1となるように混ぜ合わせた。
式(4):
−[CF2CF(OCF2CF2CF2COOH)]n−
アルカノール基を含有する第4級アンモニウム化合物として、水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムを、フッ素系化合物としてパーフルオロオクタンスルホン酸を用い、各々水溶液として酸と塩基のモル比が1:0.4となるように混ぜ合わせた。また、水溶性ポリマーとして、ポリビニルピロリドンを用いた。前記により得られたパーフルオロオクタンスルホン酸のN,N,N−トリメチルエタノールアンモニウム部分塩水溶液を固形換算で2.8重量部、ポリビニルピロリドン0.7重量部、純水をトータルで96.5重量部となるよう加え、室温で均一に溶解させた後、0.03μmの高密度ポリエチレンフィルターを通して濾過して反射防止膜形成用組成物を得た。続いて実施例1と同様にして、フォトレジスト膜上に膜厚450Åの反射防止膜を形成し、その際の最少滴下量を実施例1と同様にして測定した。結果を表1に示す。
実施例2の水溶性ポリマーをポリアクリル酸に変えること以外は、実施例2と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表1に示す。
実施例2のフッ素系化合物を3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロ−1−デカンスルホン酸に変えること以外は、実施例2と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表1に示す。
実施例4の水溶性ポリマーをポリアクリル酸に変えること以外は、実施例4と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表1に示す。
実施例1で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムをモノエタノールアミンとすること以外は実施例1と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
実施例1で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムに代えて水酸化テトラメチルアンモニウムとして混ぜ合わせたところ、薬液は沈殿した。
実施例2で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムをモノエタノールアミンとすること以外は実施例2と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
実施例2で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムを水酸化テトラメチルアンモニウムとすること以外は実施例2と同様にて、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
実施例3で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムをモノエタノールアミンとすること以外は実施例3と同様にて、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
実施例3で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムを水酸化テトラメチルアンモニウムとすること以外は実施例3と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
実施例4で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムをモノエタノールアミンに代えて混ぜ合わせたところ、薬液は沈殿した。
実施例4で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムを水酸化テトラメチルアンモニウムとすること以外は実施例4と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
実施例5で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムをモノエタノールアミンに代えて混ぜ合わせたところ、薬液は沈殿した。
実施例5で用いた水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウムを水酸化テトラメチルアンモニウムとすること以外は実施例5と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。結果を表2に示す。
下記表3中に示すポリマー(フッ素系重合体、水溶性ポリマー)、フッ素系化合物、界面活性剤及びアミンを、各々水溶液の状態で表3中に記載の固形換算量(いずれも重量%)用い、また水を固形分とのトータルが最終的に100重量%となるように用いて表面反射防止膜形成用組成物を作成し、実施例1と同様にして、反射防止膜形成組成物の最少滴下量を測定した。
なお、表中のフッ素系重合体は、実施例1で用いられたフッ素系重合体であり、アルキルスルホン酸はアルキル基がC10〜C18のアルキルスルホン酸混合物であり、フッ素含有スルホン酸は3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10−ヘプタデカフルオロ−1−デカンスルホン酸である。
水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウム水溶液を固形換算で100重量部に対して、実施例1で用いたフッ素系重合体水溶液を固形換算で300重量部用いて、総固形分3重量%水溶液からなる表面反射防止膜用組成物を作成した。この組成物を用いてシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、この塗布膜のi線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)に対する屈折率を測定した。結果を下記表4に示す。
水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウム水溶液を固形換算で100重量部に対して、実施例1で用いたフッ素系重合体水溶液を固形換算で950重量部、実施例2で用いたアルキルスルホン酸水溶液を固形換算で50重量部を用いて、総固形分2.2重量%水溶液からなる表面反射防止膜用組成物を作成した。実施例6と同様にして、この膜のi線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)に対する屈折率を測定した。結果を下記表4に示す。
水酸化N,N,N−トリメチルエタノールアンモニウム水溶液を固形換算で100重量部に対して、実施例1で用いたフッ素系重合体水溶液を固形換算で3重量部を用いて、総固形分3重量%水溶液からなる表面反射防止膜用組成物を作成した。実施例6と同様にして、この膜のi線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)に対する屈折率測定した。結果を下記表4に示す。
以上詳述したように、アルカノール基を有する第4級アンモニウム化合物をフッ素含有化合物を含む表面反射防止膜形成用組成物に含有させることにより、材料の低塗布量化を実現することができ、近年の半導体産業において、環境への影響を問題視する点で薬液材料の低塗布量化により、廃液量を減らすことができる。
Claims (10)
- 請求項1に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、前記一般式(1)で表される4級アンモニウム化合物のR1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つが、ヒドロキシエチレン基であることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- 請求項1または2に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、フッ素含有化合物がフッ素系重合体であることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- 請求項3に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、フッ素系重合体が、下記式(2)で表される重合単位を含むフッ素系重合体または下記式(2)で表される重合単位と下記式(3)で表される重合単位とを含むフッ素系重合体であることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
式(2):
−[CF2CF(ORfCOOH)]−
(式中、Rfはエーテル性酸素原子を含んでもよい直鎖状または分岐状のパーフルオロアルキレン基を表を表す。)
式(3):
−[CF2CFX1]−
(式中、X1はフッ素原子、塩素原子または水素原子を表す。) - 請求項1または2に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、フッ素含有化合物がパーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、およびパーフルオロアジピン酸の少なくとも一種であることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- 請求項1〜5に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、さらに水溶性ポリマーが含有されていることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の表面反射防止膜形成用組成物において、さらに酸および/または界面活性剤、および水性溶媒を含有することを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- 請求項7に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、前記酸が、硫酸、塩酸、硝酸、りん酸、フッ化水素または臭化水素であり、前記界面活性剤が、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルカルボン酸、アルキルベンゼンカルボン酸、またはこれら化合物中のアルキル基の水素のすべて或いは一部がフッ素原子で置き換えられたものであることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- 請求項7または8に記載の表面反射防止膜形成用組成物において、前記水性溶媒が水であることを特徴とする表面反射防止膜形成用組成物。
- フォトレジスト膜上に請求項1〜9のいずれかに記載の表面反射防止膜形成用組成物を塗布し、必要に応じて加熱する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
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