JP2001281874A - リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体 - Google Patents
リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般的なホトレジスト組成物との相溶性のバ
ランスに優れ、一つの塗布装置でホトレジスト組成物の
塗布と反射防止膜の形成を順次行った場合でも、その廃
液が廃液配管内で詰まることがなく、効率的に半導体素
子を製造することができ、かつクリーンルーム内の省ス
ペース化にも有利であるリソグラフィー用反射防止膜形
成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体の提供。 【解決手段】 ビニルイミダゾールとそれ以外の水溶性
膜形成性モノマーとの共重合体、およびフッ素系界面活
性剤を含有してなる組成物と、該組成物を水に溶解して
なる塗布液からなる反射防止膜をホトレジスト膜表面に
形成して得たレジスト積層体。
ランスに優れ、一つの塗布装置でホトレジスト組成物の
塗布と反射防止膜の形成を順次行った場合でも、その廃
液が廃液配管内で詰まることがなく、効率的に半導体素
子を製造することができ、かつクリーンルーム内の省ス
ペース化にも有利であるリソグラフィー用反射防止膜形
成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体の提供。 【解決手段】 ビニルイミダゾールとそれ以外の水溶性
膜形成性モノマーとの共重合体、およびフッ素系界面活
性剤を含有してなる組成物と、該組成物を水に溶解して
なる塗布液からなる反射防止膜をホトレジスト膜表面に
形成して得たレジスト積層体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィー用
反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積
層体に関するものである。
反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積
層体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造においては、シリコン
ウェーハ等の基板上にホトレジスト膜を設け、これを紫
外線、遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線、電子線等の
活性光線にて選択的に照射して露光し、現像処理を行っ
て基板上にレジストパターンを形成するホトリソグラフ
ィー技術が用いられている。ホトレジストとしては、活
性光線未照射部が現像時に溶解除去されるネガ型のもの
と、逆に活性光線照射部が現像時に溶解除去されるポジ
型のものが、使用目的に合わせて適宜選択され使用され
ている。
ウェーハ等の基板上にホトレジスト膜を設け、これを紫
外線、遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線、電子線等の
活性光線にて選択的に照射して露光し、現像処理を行っ
て基板上にレジストパターンを形成するホトリソグラフ
ィー技術が用いられている。ホトレジストとしては、活
性光線未照射部が現像時に溶解除去されるネガ型のもの
と、逆に活性光線照射部が現像時に溶解除去されるポジ
型のものが、使用目的に合わせて適宜選択され使用され
ている。
【０００３】ところで、上記ホトリソグラフィーによる
レジストパターン形成においては、ホトレジスト膜内で
光の多重干渉が起こり、ホトレジスト膜厚の変動に伴っ
てレジストパターン寸法幅が変動することが知られてい
る。この光の多重干渉は、基板上に形成されたホトレジ
スト膜に入射した単波長の照射光が基板からの反射光と
干渉し、ホトレジスト膜の厚さ方向で吸収される光エネ
ルギー量が異なることに起因して発生するもので、ホト
レジスト膜厚のバラツキが現像後に得られるレジストパ
ターン寸法幅に影響を与え、結果としてレジストパター
ン寸法精度を低下させることになる。レジストパターン
寸法精度の低下は、特に段差を有する基板上に微細なパ
ターンを形成する場合、ホトレジスト膜厚が段差の凹凸
部において必然的に異なることから大きな問題となる。
そのため上記の干渉作用をなくし、段差を有する基板上
に形成する微細パターンにおいてもパターン寸法精度を
低下させない技術の開発が望まれている。
レジストパターン形成においては、ホトレジスト膜内で
光の多重干渉が起こり、ホトレジスト膜厚の変動に伴っ
てレジストパターン寸法幅が変動することが知られてい
る。この光の多重干渉は、基板上に形成されたホトレジ
スト膜に入射した単波長の照射光が基板からの反射光と
干渉し、ホトレジスト膜の厚さ方向で吸収される光エネ
ルギー量が異なることに起因して発生するもので、ホト
レジスト膜厚のバラツキが現像後に得られるレジストパ
ターン寸法幅に影響を与え、結果としてレジストパター
ン寸法精度を低下させることになる。レジストパターン
寸法精度の低下は、特に段差を有する基板上に微細なパ
ターンを形成する場合、ホトレジスト膜厚が段差の凹凸
部において必然的に異なることから大きな問題となる。
そのため上記の干渉作用をなくし、段差を有する基板上
に形成する微細パターンにおいてもパターン寸法精度を
低下させない技術の開発が望まれている。
【０００４】従来、このような干渉作用を低減させる一
つの手段としては、ホトレジスト膜上に反射防止膜を形
成する方法が挙げられ、例えば特開平５−１８８５９８
号公報、特開平８−１５８５９号公報等に記載されてい
る。これらの従来技術は、水溶性膜形成成分およびフッ
素系の界面活性剤を主成分とした塗布液を用いて反射防
止膜を形成するものである。しかしながら、前記従来の
塗布液は、エッジリンス液にホトレジストと共に溶解さ
せると析出物が生じ、一つの塗布装置を用いてホトレジ
スト組成物の塗布と前記塗布液の塗布による反射防止膜
の形成を順次行った場合、エッジリンス液によって洗浄
されたそれらの廃液が廃液配管内で詰まるという問題が
ある。したがって従来では、ホトレジスト組成物の塗布
装置と反射防止膜形成用塗布液の塗布装置を別に設置
し、廃液配管も個別に設けることで上記問題に対処して
いた。このような装置構成では作業に手間がかかり非効
率的である他、クリーンルーム内の省スペース化に対し
て障害となっていた。なお、上記従来技術以外にも、特
開平８−９５２５３号公報、特開平１０−６９０９１号
公報等にも反射防止膜形成用材料が提案されているが、
これらの技術でも上記問題点を解決するには至っていな
い。
つの手段としては、ホトレジスト膜上に反射防止膜を形
成する方法が挙げられ、例えば特開平５−１８８５９８
号公報、特開平８−１５８５９号公報等に記載されてい
る。これらの従来技術は、水溶性膜形成成分およびフッ
素系の界面活性剤を主成分とした塗布液を用いて反射防
止膜を形成するものである。しかしながら、前記従来の
塗布液は、エッジリンス液にホトレジストと共に溶解さ
せると析出物が生じ、一つの塗布装置を用いてホトレジ
スト組成物の塗布と前記塗布液の塗布による反射防止膜
の形成を順次行った場合、エッジリンス液によって洗浄
されたそれらの廃液が廃液配管内で詰まるという問題が
ある。したがって従来では、ホトレジスト組成物の塗布
装置と反射防止膜形成用塗布液の塗布装置を別に設置
し、廃液配管も個別に設けることで上記問題に対処して
いた。このような装置構成では作業に手間がかかり非効
率的である他、クリーンルーム内の省スペース化に対し
て障害となっていた。なお、上記従来技術以外にも、特
開平８−９５２５３号公報、特開平１０−６９０９１号
公報等にも反射防止膜形成用材料が提案されているが、
これらの技術でも上記問題点を解決するには至っていな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、一般的なホトレジスト組成物との相溶性のバラン
スに優れ、一つの塗布装置でホトレジスト組成物の塗布
と反射防止膜の形成を順次行った場合でも、エッジリン
ス液によって洗浄されたそれらの廃液が廃液配管内で詰
まることがなく、効率的に半導体素子を製造することが
でき、かつクリーンルーム内の省スペース化にも有利で
あるリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこ
れを用いたレジスト積層体を提供することにある。
的は、一般的なホトレジスト組成物との相溶性のバラン
スに優れ、一つの塗布装置でホトレジスト組成物の塗布
と反射防止膜の形成を順次行った場合でも、エッジリン
ス液によって洗浄されたそれらの廃液が廃液配管内で詰
まることがなく、効率的に半導体素子を製造することが
でき、かつクリーンルーム内の省スペース化にも有利で
あるリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこ
れを用いたレジスト積層体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ビニルイミダ
ゾールとそれ以外の水溶性膜形成性モノマーとの共重合
体、およびフッ素系界面活性剤を含有してなるリソグラ
フィー用反射防止膜形成用組成物を提供するものであ
る。また本発明は、水溶性膜形成性モノマーが、ビニル
系モノマー、セルロース系モノマー、およびアクリル酸
系モノマーの中から選ばれる少なくとも１種である前記
のリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物を提供する
ものである。また本発明は、水溶性膜形成性モノマーが
ビニル系モノマーである前記のソグラフィー用反射防止
膜形成用組成物を提供するものである。また本発明は、
ビニル系モノマーがビニルピロリドンである前記のリソ
グラフィー用反射防止膜形成用組成物を提供するもので
ある。また本発明は、ビニルイミダゾール：それ以外の
水溶性膜形成成分の配合比が重量比で１：９９〜４０：
６０の範囲内である前記のリソグラフィー用反射防止膜
形成用組成物を提供するものである。また本発明は、配
合比が重量比で５：９５〜２０：８０である前記のリソ
グラフィー用反射防止膜形成用組成物を提供するもので
ある。また本発明は、前記の組成物を用いて調製した反
射防止膜をホトレジスト膜表面に形成して得たレジスト
積層体を提供するものである。
ゾールとそれ以外の水溶性膜形成性モノマーとの共重合
体、およびフッ素系界面活性剤を含有してなるリソグラ
フィー用反射防止膜形成用組成物を提供するものであ
る。また本発明は、水溶性膜形成性モノマーが、ビニル
系モノマー、セルロース系モノマー、およびアクリル酸
系モノマーの中から選ばれる少なくとも１種である前記
のリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物を提供する
ものである。また本発明は、水溶性膜形成性モノマーが
ビニル系モノマーである前記のソグラフィー用反射防止
膜形成用組成物を提供するものである。また本発明は、
ビニル系モノマーがビニルピロリドンである前記のリソ
グラフィー用反射防止膜形成用組成物を提供するもので
ある。また本発明は、ビニルイミダゾール：それ以外の
水溶性膜形成成分の配合比が重量比で１：９９〜４０：
６０の範囲内である前記のリソグラフィー用反射防止膜
形成用組成物を提供するものである。また本発明は、配
合比が重量比で５：９５〜２０：８０である前記のリソ
グラフィー用反射防止膜形成用組成物を提供するもので
ある。また本発明は、前記の組成物を用いて調製した反
射防止膜をホトレジスト膜表面に形成して得たレジスト
積層体を提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに説明する。
本発明の組成物は、ビニルイミダゾールと、それ以外の
水溶性膜形成性モノマーとの共重合体を含有する。該水
溶性膜形成性モノマーについては、水溶性を有し、かつ
照射光に対して透過性を有するものであればいずれを用
いてもよく、特に限定されないが、例えば、スピン塗布
法など慣用的な塗布手段により均一な塗膜を形成するこ
とができる、ホトレジスト膜上に塗膜してもホトレジス
ト膜との間に変質層を形成しない、活性光線を十分に透
過することができ、吸収係数の小さい透明性の高い被膜
を形成できる、等の特性を有するものを用いるのがよ
い。このような水溶性膜形成性モノマーとしては、例え
ばビニルアルコール、ビニルピロリドン、酢酸ビニル等
のビニル系モノマー；ヒドロキシプロピルメチルセルロ
ースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース
アセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメ
チルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプ
ロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、ヒドロキシエチルセルロース、セルロースアセテー
トヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロー
ス、エチルセルロース、メチルセルロース等のセルロー
ス系モノマー；Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチル
アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン、アク
リル酸等のアクリル酸系モノマー；等を挙げることがで
きる。これらの中でも、ビニル系モノマー、とくにビニ
ルピロリドンが好適である。これら水溶性膜形成性モノ
マーは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合
わせて用いてもよい。ビニルイミダゾールと、それ以外
の水溶性膜形成性モノマーとの配合比は、ビニルイミダ
ゾール：水溶性膜形成性モノマー（重量比）として１：
９９〜４０：６０の範囲が好適である。さらに好ましく
は５：９５〜２０：８０である。
本発明の組成物は、ビニルイミダゾールと、それ以外の
水溶性膜形成性モノマーとの共重合体を含有する。該水
溶性膜形成性モノマーについては、水溶性を有し、かつ
照射光に対して透過性を有するものであればいずれを用
いてもよく、特に限定されないが、例えば、スピン塗布
法など慣用的な塗布手段により均一な塗膜を形成するこ
とができる、ホトレジスト膜上に塗膜してもホトレジス
ト膜との間に変質層を形成しない、活性光線を十分に透
過することができ、吸収係数の小さい透明性の高い被膜
を形成できる、等の特性を有するものを用いるのがよ
い。このような水溶性膜形成性モノマーとしては、例え
ばビニルアルコール、ビニルピロリドン、酢酸ビニル等
のビニル系モノマー；ヒドロキシプロピルメチルセルロ
ースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース
アセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメ
チルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプ
ロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、ヒドロキシエチルセルロース、セルロースアセテー
トヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロー
ス、エチルセルロース、メチルセルロース等のセルロー
ス系モノマー；Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチル
アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン、アク
リル酸等のアクリル酸系モノマー；等を挙げることがで
きる。これらの中でも、ビニル系モノマー、とくにビニ
ルピロリドンが好適である。これら水溶性膜形成性モノ
マーは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合
わせて用いてもよい。ビニルイミダゾールと、それ以外
の水溶性膜形成性モノマーとの配合比は、ビニルイミダ
ゾール：水溶性膜形成性モノマー（重量比）として１：
９９〜４０：６０の範囲が好適である。さらに好ましく
は５：９５〜２０：８０である。
【０００８】また本発明の組成物は、フッ素系界面活性
剤を含有する。該フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を
含みかつ界面活性効果を有するものであればとくに制限
されないが、フッ素系界面活性剤が一般式（Ｉ）
剤を含有する。該フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を
含みかつ界面活性効果を有するものであればとくに制限
されないが、フッ素系界面活性剤が一般式（Ｉ）
【０００９】
【化１】ＲｆＣＯＯＨ （Ｉ）
【００１０】（式中、Ｒｆは、炭素原子数２〜２０の飽
和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または全
部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基であ
る）で表される化合物とアルカノールアミンまたは第４
級アンモニウム化合物との塩、および一般式（II）
和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または全
部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基であ
る）で表される化合物とアルカノールアミンまたは第４
級アンモニウム化合物との塩、および一般式（II）
【００１１】
【化２】Ｒ'ｆＳＯ3Ｈ
【００１２】（式中、Ｒ’ｆは、炭素原子数２〜２０の
飽和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または
全部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基であ
る）で表される化合物とアルカノールアミンまたは第４
級アンモニウム化合物との塩の中から選ばれる少なくと
も１種であるのが好ましい。
飽和または不飽和の炭化水素基の水素原子の一部または
全部をフッ素原子で置き換えたフッ素化炭化水素基であ
る）で表される化合物とアルカノールアミンまたは第４
級アンモニウム化合物との塩の中から選ばれる少なくと
も１種であるのが好ましい。
【００１３】一般式（Ｉ）で表される化合物としては、
パーフルオロヘプタン酸、パーフルオロオクタン酸等が
挙げられ、また一般式（II）で表される化合物として
は、パーフルオロプロピルスルホン酸、パーフルオロオ
クチルスルホン酸、パーフルオロデシルスルホン酸等が
挙げられる。具体的には、例えばパーフルオロオクタン
酸はＥＦ−２０１等として、パーフルオロオクチルスル
ホン酸はＥＦ−１０１等として（いずれもトーケムプロ
ダクツ（株）製）市販されており、これらを好適に用い
ることができる。これら化合物の中でも、干渉防止効
果、水に対する溶解性、ｐＨの調整のしやすさ等の点か
ら、パーフルオロオクチルスルホン酸が特に好ましい。
パーフルオロヘプタン酸、パーフルオロオクタン酸等が
挙げられ、また一般式（II）で表される化合物として
は、パーフルオロプロピルスルホン酸、パーフルオロオ
クチルスルホン酸、パーフルオロデシルスルホン酸等が
挙げられる。具体的には、例えばパーフルオロオクタン
酸はＥＦ−２０１等として、パーフルオロオクチルスル
ホン酸はＥＦ−１０１等として（いずれもトーケムプロ
ダクツ（株）製）市販されており、これらを好適に用い
ることができる。これら化合物の中でも、干渉防止効
果、水に対する溶解性、ｐＨの調整のしやすさ等の点か
ら、パーフルオロオクチルスルホン酸が特に好ましい。
【００１４】アルカノールアミンとしては、例えばモノ
エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−
エチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエ
タノールアミン等が挙げられ、中でもモノエタノールア
ミン等が好適に用いられる。
エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−
エチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエ
タノールアミン等が挙げられ、中でもモノエタノールア
ミン等が好適に用いられる。
【００１５】第４級アンモニウム化合物としては、例え
ばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド）、コリン等が挙げられる。
ばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド）、コリン等が挙げられる。
【００１６】上記のフッ素系界面活性剤は、一般的なホ
トレジスト組成物との相溶性のバランスに優れる以外に
も、系のｐＨコントロールを容易にし、特にアルカノー
ルアミン塩を用いることにより、幅広いｐＨ領域で塗膜
性マージンが広く、溶液のゲル化が起こりにくい等の点
で有利である。
トレジスト組成物との相溶性のバランスに優れる以外に
も、系のｐＨコントロールを容易にし、特にアルカノー
ルアミン塩を用いることにより、幅広いｐＨ領域で塗膜
性マージンが広く、溶液のゲル化が起こりにくい等の点
で有利である。
【００１７】また、一般式（Ｉ）で表される化合物とア
ルカノールアミンまたは第４級アンモニウム化合物との
塩、および一般式（II）で表される化合物とアルカノー
ルアミンまたは第４級アンモニウム化合物との塩の配合
比を、前者：後者（重量比）として４：１〜１：４に設
定すれば、配線不良等を生じさせる原因となりうるポッ
プコーン形状がなくインターミキシングの発生も一層抑
制することができるため好ましい。
ルカノールアミンまたは第４級アンモニウム化合物との
塩、および一般式（II）で表される化合物とアルカノー
ルアミンまたは第４級アンモニウム化合物との塩の配合
比を、前者：後者（重量比）として４：１〜１：４に設
定すれば、配線不良等を生じさせる原因となりうるポッ
プコーン形状がなくインターミキシングの発生も一層抑
制することができるため好ましい。
【００１８】本発明の組成物を用いて塗布液とするに
は、通常水溶液の形であり、前記共重合体の含有量は
０．１〜１０．０重量％であるのが好ましく、また、一
般式（Ｉ）で表される化合物とアルカノールアミンまた
は第４級アンモニウム化合物との塩、および一般式（I
I）で表される化合物とアルカノールアミンまたは第４
級アンモニウム化合物との塩の中から選ばれる少なくと
も１種の含有量は、１．０〜１５．０重量％であるのが
好ましい。
は、通常水溶液の形であり、前記共重合体の含有量は
０．１〜１０．０重量％であるのが好ましく、また、一
般式（Ｉ）で表される化合物とアルカノールアミンまた
は第４級アンモニウム化合物との塩、および一般式（I
I）で表される化合物とアルカノールアミンまたは第４
級アンモニウム化合物との塩の中から選ばれる少なくと
も１種の含有量は、１．０〜１５．０重量％であるのが
好ましい。
【００１９】また、本発明の組成物を用いた塗布液は、
上述のように通常、水溶液の形で使用されるが、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール系有機溶剤を含有させ
るとフッ素系界面活性剤の溶解性が向上し、塗膜の均一
性が改善されるので、必要に応じアルコール系有機溶剤
を添加してもよい。このアルコール系有機溶剤の添加量
は、塗布液全量に対し２０重量％までの範囲で選ぶのが
よい。さらに前記塗布液には、本発明の目的が損われな
い範囲で、塗布膜特性を向上させるための各種添加剤を
所望に応じ添加することができる。
上述のように通常、水溶液の形で使用されるが、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール系有機溶剤を含有させ
るとフッ素系界面活性剤の溶解性が向上し、塗膜の均一
性が改善されるので、必要に応じアルコール系有機溶剤
を添加してもよい。このアルコール系有機溶剤の添加量
は、塗布液全量に対し２０重量％までの範囲で選ぶのが
よい。さらに前記塗布液には、本発明の目的が損われな
い範囲で、塗布膜特性を向上させるための各種添加剤を
所望に応じ添加することができる。
【００２０】本発明のレジスト積層体は、前記の反射防
止膜形成用組成物を塗布し、形成してなる反射防止膜を
ホトレジスト膜表面に形成した二層構造からなるもので
ある。該レジスト積層体に使用されるホトレジストにつ
いては特に限定されるものではなく、通常使用されてい
るものの中から任意に選ぶことができ、ポジ型、ネガ型
のいずれのものも任意に使用することができるが、特
に、感光性物質と被膜形成物質とからなり、かつアルカ
リ水溶液により現像できるものが好適に用いられる。
止膜形成用組成物を塗布し、形成してなる反射防止膜を
ホトレジスト膜表面に形成した二層構造からなるもので
ある。該レジスト積層体に使用されるホトレジストにつ
いては特に限定されるものではなく、通常使用されてい
るものの中から任意に選ぶことができ、ポジ型、ネガ型
のいずれのものも任意に使用することができるが、特
に、感光性物質と被膜形成物質とからなり、かつアルカ
リ水溶液により現像できるものが好適に用いられる。
【００２１】特に有利なレジストは、最近の超微細加工
に十分適応し得る諸要求特性を備えたポジ型およびネガ
型ホトレジストである。ポジ型ホトレジストとしてはキ
ノンジアジド系感光性物質と被膜形成物質とを含む組成
物からなるものが挙げられる。
に十分適応し得る諸要求特性を備えたポジ型およびネガ
型ホトレジストである。ポジ型ホトレジストとしてはキ
ノンジアジド系感光性物質と被膜形成物質とを含む組成
物からなるものが挙げられる。
【００２２】前記キノンアジド系感光性物質としてはキ
ノンアジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジ
アジド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラ
キノンジアジド等のキノンジアジド類のスルホン酸と、
フェノール性水酸基またはアミノ基を有する化合物と
を、部分もしくは完全エステル化、または部分もしくは
完全アミド化したものが挙げられる。ここで前記フェノ
ール性水酸基またはアミノ基を有する化合物としては、
例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
等のポリヒドロキシベンゾフェノンや、没食子酸アリー
ル、フェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール−１，３−ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化またはエ
ーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェ
ニルアミン等が挙げられる。そして、特に好ましいキノ
ンジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキシベ
ンゾフェノンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−
スルホニルクロリドまたはナフトキノン−１，２−ジア
ジド−４−スルホニルクロリドとの完全エステル化物や
部分エステル化物が好ましい。
ノンアジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジ
アジド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラ
キノンジアジド等のキノンジアジド類のスルホン酸と、
フェノール性水酸基またはアミノ基を有する化合物と
を、部分もしくは完全エステル化、または部分もしくは
完全アミド化したものが挙げられる。ここで前記フェノ
ール性水酸基またはアミノ基を有する化合物としては、
例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
等のポリヒドロキシベンゾフェノンや、没食子酸アリー
ル、フェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトー
ル、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノ
メチルエーテル、ピロガロール−１，３−ジメチルエー
テル、没食子酸、水酸基を一部残しエステル化またはエ
ーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェ
ニルアミン等が挙げられる。そして、特に好ましいキノ
ンジアジド基含有化合物は、上記したポリヒドロキシベ
ンゾフェノンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−
スルホニルクロリドまたはナフトキノン−１，２−ジア
ジド−４−スルホニルクロリドとの完全エステル化物や
部分エステル化物が好ましい。
【００２３】また、前記被膜形成物質としては、例えば
フェノール、クレゾール、キシレノール等とアルデヒド
類とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチ
レンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの
重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニ
ルヒドロキシベンザル等のアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。特に好ましいポジ型ホトレジスト組成物として
は、被膜形成物質としてクレゾールやキシレノールの単
独または混合物とアルデヒド類から合成されるノボラッ
ク系樹脂を含むものであり、低分子量域をカットした重
量平均分子量が２０００〜２００００、好ましくは５０
００〜１５０００の範囲のものが好適である。このポジ
型ホトレジスト組成物においては、前記感光性物質を被
膜形成物質１００重量部に対して１０〜４０重量部、好
ましくは１５〜３０重量部の範囲で配合したものが好適
に用いられる。
フェノール、クレゾール、キシレノール等とアルデヒド
類とから得られるノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチ
レンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの
重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、ポリビニ
ルヒドロキシベンザル等のアルカリ可溶性樹脂が有効で
ある。特に好ましいポジ型ホトレジスト組成物として
は、被膜形成物質としてクレゾールやキシレノールの単
独または混合物とアルデヒド類から合成されるノボラッ
ク系樹脂を含むものであり、低分子量域をカットした重
量平均分子量が２０００〜２００００、好ましくは５０
００〜１５０００の範囲のものが好適である。このポジ
型ホトレジスト組成物においては、前記感光性物質を被
膜形成物質１００重量部に対して１０〜４０重量部、好
ましくは１５〜３０重量部の範囲で配合したものが好適
に用いられる。
【００２４】また、ネガ型ホトレジストについては特に
限定されず、従来ネガ型ホトレジストとして公知のもの
は使用することができるが、微細パターン形成用のネガ
型レジストとして用いられる架橋剤、酸発生剤およびベ
ースポリマーの３成分を含有してなる化学増幅型のネガ
型レジストが特に好ましい。
限定されず、従来ネガ型ホトレジストとして公知のもの
は使用することができるが、微細パターン形成用のネガ
型レジストとして用いられる架橋剤、酸発生剤およびベ
ースポリマーの３成分を含有してなる化学増幅型のネガ
型レジストが特に好ましい。
【００２５】次に、本発明のレジスト積層体の作成およ
び使用方法の一例を示す。まず、シリコンウェーハ等の
基板上にホトレジスト膜を形成した後、本発明の反射防
止膜形成用塗布液をスピンナー法によりホトレジスト膜
上に塗布し、次いで加熱処理し、ホトレジスト膜上に反
射防止膜を形成させ、本発明の二層構造のレジスト積層
体を形成する。なお加熱処理は必ずしも必要でなく、塗
布のみで均一性に優れた良好な塗膜が得られる場合は加
熱しなくてよい。
び使用方法の一例を示す。まず、シリコンウェーハ等の
基板上にホトレジスト膜を形成した後、本発明の反射防
止膜形成用塗布液をスピンナー法によりホトレジスト膜
上に塗布し、次いで加熱処理し、ホトレジスト膜上に反
射防止膜を形成させ、本発明の二層構造のレジスト積層
体を形成する。なお加熱処理は必ずしも必要でなく、塗
布のみで均一性に優れた良好な塗膜が得られる場合は加
熱しなくてよい。
【００２６】次いで、紫外線、遠紫外線（エキシマレー
ザーを含む）等の活性光線を、露光装置を用いて反射防
止膜を介してホトレジスト膜に選択的に照射した後、現
像処理し、シリコンウェーハ上にレジストパターンを形
成する。
ザーを含む）等の活性光線を、露光装置を用いて反射防
止膜を介してホトレジスト膜に選択的に照射した後、現
像処理し、シリコンウェーハ上にレジストパターンを形
成する。
【００２７】なお、反射防止膜は活性光線の干渉作用を
効果的に低減させるための最適膜厚を有し、この最適膜
厚はλ／４ｎ（ここで、λは使用する活性光線の波長、
ｎは反射防止膜の屈折率を示す）の奇数倍である。例え
ば屈折率１．４１の反射防止膜であれば、紫外線（ｇ
線）に対しては７７ｎｍの奇数倍、紫外線（ｉ線）に対
しては６５ｎｍの奇数倍、また遠紫外線（エキシマレー
ザー）に対しては４４ｎｍの奇数倍がそれぞれ活性光線
に対する最適膜厚であり、それぞれの最適膜厚の±５ｎ
ｍの範囲であるのが好ましい。
効果的に低減させるための最適膜厚を有し、この最適膜
厚はλ／４ｎ（ここで、λは使用する活性光線の波長、
ｎは反射防止膜の屈折率を示す）の奇数倍である。例え
ば屈折率１．４１の反射防止膜であれば、紫外線（ｇ
線）に対しては７７ｎｍの奇数倍、紫外線（ｉ線）に対
しては６５ｎｍの奇数倍、また遠紫外線（エキシマレー
ザー）に対しては４４ｎｍの奇数倍がそれぞれ活性光線
に対する最適膜厚であり、それぞれの最適膜厚の±５ｎ
ｍの範囲であるのが好ましい。
【００２８】また、この反射防止膜を化学増幅型のネガ
型またはポジ型レジスト上に形成した場合、反射防止効
果に加えて、レジスパターン形状の改善効果も有するた
め好ましい。通常、化学増幅型レジストは半導体製造ラ
インの大気中に存在するＮ−メチル−２−ピロリドン、
アンモニア、ピリジン、トリエチルアミン等の有機アル
カリ蒸気の作用を受け、レジスト膜表面で酸不足となる
ため、ネガ型レジストの場合、レジストパターンのトッ
プが丸みを帯びる傾向があり、またポジ型レジストの場
合、レジストパターンが庇状につながってしまうことが
ある。レジストパターンの形状改善効果とは、このよう
な現象をなくし矩形のパターン形状が得られるものであ
る。このように本発明の反射防止膜は、化学増幅型のレ
ジストの保護膜材料としても好適に使用することができ
るものである。
型またはポジ型レジスト上に形成した場合、反射防止効
果に加えて、レジスパターン形状の改善効果も有するた
め好ましい。通常、化学増幅型レジストは半導体製造ラ
インの大気中に存在するＮ−メチル−２−ピロリドン、
アンモニア、ピリジン、トリエチルアミン等の有機アル
カリ蒸気の作用を受け、レジスト膜表面で酸不足となる
ため、ネガ型レジストの場合、レジストパターンのトッ
プが丸みを帯びる傾向があり、またポジ型レジストの場
合、レジストパターンが庇状につながってしまうことが
ある。レジストパターンの形状改善効果とは、このよう
な現象をなくし矩形のパターン形状が得られるものであ
る。このように本発明の反射防止膜は、化学増幅型のレ
ジストの保護膜材料としても好適に使用することができ
るものである。
【００２９】この反射防止膜は、ホトレジスト膜の現像
処理と同時に除去してもよいが、完全に除去させるため
には、現像処理前に反射防止膜を剥離処理してもよい。
この剥離処理は、例えばスピンナーによりシリコンウェ
ーハを回転させながら、反射防止膜を溶解除去する溶剤
を塗布して反射防止膜のみを完全に除去すること等によ
って行うことができる。反射防止膜を除去する溶剤とし
ては界面活性剤を配合した水溶液を使用することができ
る。
処理と同時に除去してもよいが、完全に除去させるため
には、現像処理前に反射防止膜を剥離処理してもよい。
この剥離処理は、例えばスピンナーによりシリコンウェ
ーハを回転させながら、反射防止膜を溶解除去する溶剤
を塗布して反射防止膜のみを完全に除去すること等によ
って行うことができる。反射防止膜を除去する溶剤とし
ては界面活性剤を配合した水溶液を使用することができ
る。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例によりさ
らに説明する。 （実施例１）クレゾールノボラック樹脂とナフトキノン
ジアジド化合物を含有してなるポジ型ホトレジストであ
るＴＳＭＲ−ＡＲ８０（東京応化工業(株)製）をシリコ
ンウェーハ上にスピンナーで塗布し、ホットプレート上
で９０℃にて９０秒間加熱し膜厚１０５０ｎｍのホトレ
ジスト膜を形成した。また、パーフルオロオクチルスル
ホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケ
ムプロダクツ社製）２０％水溶液５００ｇおよびパーフ
ルオロオクタン酸（Ｃ7Ｆ15ＣＯ2Ｈ）であるＥＦ−２０
１（トーケムプロダクツ社製）２０％水溶液５００ｇを
モノエタノールアミンの２０％水溶液１１０ｇと混合し
た。その混合溶液１００ｇとビニルイミダゾールおよび
ビニルピロリドン（重量比１：９）の共重合体Ｌｕｖｉ
ｔｅｃ ＶＰＭＡ９１（ＢＡＳＦ社製）の２０％水溶液
５０ｇとを混合し、得られた水溶液に純水を添加し全量
を１０００ｇとして本発明の反射防止膜形成用塗布液を
調製した。次いで、上記ホトレジスト膜上に、前記反射
防止膜形成用塗布液を塗布し、９０℃にて９０秒間加熱
し、膜厚６４ｎｍの反射防止膜を形成し、本発明のレジ
スト積層体を得た。その後、マスクパターンを介して縮
小投影露光装置ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ（ニコン社製）
を用いてｉ線を照射し、ホットプレート上で１１０℃に
て９０ｓのベークを行い２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド）水溶液にて２３℃で６
０秒間パドル現像し、その後純水で洗浄を行った。こう
して得られたホトレジストパターンについて、ＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）を用いてパターンを観察した。結
果は良好なものであり、また、ホトレジスト溶液と反射
防止膜形成用塗布液の廃液が混合する配管における廃液
のつまりも見られなかった。
らに説明する。 （実施例１）クレゾールノボラック樹脂とナフトキノン
ジアジド化合物を含有してなるポジ型ホトレジストであ
るＴＳＭＲ−ＡＲ８０（東京応化工業(株)製）をシリコ
ンウェーハ上にスピンナーで塗布し、ホットプレート上
で９０℃にて９０秒間加熱し膜厚１０５０ｎｍのホトレ
ジスト膜を形成した。また、パーフルオロオクチルスル
ホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケ
ムプロダクツ社製）２０％水溶液５００ｇおよびパーフ
ルオロオクタン酸（Ｃ7Ｆ15ＣＯ2Ｈ）であるＥＦ−２０
１（トーケムプロダクツ社製）２０％水溶液５００ｇを
モノエタノールアミンの２０％水溶液１１０ｇと混合し
た。その混合溶液１００ｇとビニルイミダゾールおよび
ビニルピロリドン（重量比１：９）の共重合体Ｌｕｖｉ
ｔｅｃ ＶＰＭＡ９１（ＢＡＳＦ社製）の２０％水溶液
５０ｇとを混合し、得られた水溶液に純水を添加し全量
を１０００ｇとして本発明の反射防止膜形成用塗布液を
調製した。次いで、上記ホトレジスト膜上に、前記反射
防止膜形成用塗布液を塗布し、９０℃にて９０秒間加熱
し、膜厚６４ｎｍの反射防止膜を形成し、本発明のレジ
スト積層体を得た。その後、マスクパターンを介して縮
小投影露光装置ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ（ニコン社製）
を用いてｉ線を照射し、ホットプレート上で１１０℃に
て９０ｓのベークを行い２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド）水溶液にて２３℃で６
０秒間パドル現像し、その後純水で洗浄を行った。こう
して得られたホトレジストパターンについて、ＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）を用いてパターンを観察した。結
果は良好なものであり、また、ホトレジスト溶液と反射
防止膜形成用塗布液の廃液が混合する配管における廃液
のつまりも見られなかった。
【００３１】（実施例２）反射防止膜形成用塗布液とし
て、パーフルオロオクタンスルホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ
3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケムプロダクツ社製）
２０％水溶液５００ｇとモノエタノールアミンの２０％
水溶液４０ｇとを混合し、その混合溶液１００ｇとビニ
ルイミダゾールおよびビニルピロリドン（重量比１：
９）の共重合体Ｌｕｖｉｔｅｃ ＶＰＭＡ９１（ＢＡＳ
Ｆ社製）の２０％水溶液５０ｇとを混合し、得られた水
溶液に純水を添加し全量を１０００ｇとしたものを用い
たこと以外は、実施例１を繰り返した。これを同様に観
察したところ、パターンは良好なものであり、配管にお
ける廃液づまりも起こらなかった。
て、パーフルオロオクタンスルホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ
3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケムプロダクツ社製）
２０％水溶液５００ｇとモノエタノールアミンの２０％
水溶液４０ｇとを混合し、その混合溶液１００ｇとビニ
ルイミダゾールおよびビニルピロリドン（重量比１：
９）の共重合体Ｌｕｖｉｔｅｃ ＶＰＭＡ９１（ＢＡＳ
Ｆ社製）の２０％水溶液５０ｇとを混合し、得られた水
溶液に純水を添加し全量を１０００ｇとしたものを用い
たこと以外は、実施例１を繰り返した。これを同様に観
察したところ、パターンは良好なものであり、配管にお
ける廃液づまりも起こらなかった。
【００３２】（実施例３）反射防止膜形成用塗布液とし
て、パーフルオロオクタン酸（Ｃ7Ｆ15ＣＯ2Ｈ）である
ＥＦ−２０１（トーケムプロダクツ社製）２０％水溶液
５００ｇとモノエタノールアミンの２０％水溶液５５ｇ
と混合し、その混合溶液１００ｇとビニルイミダゾール
およびビニルピロリドン（重量比１：９）の共重合体Ｌ
ｕｖｉｔｅｃ ＶＰＭＡ９１（ＢＡＳＦ社製）の２０％
水溶液５０ｇとを混合し、得られた水溶液に純水を添加
し全量を１０００ｇとしたものを用いたこと以外は、実
施例１を繰り返した。これを同様に観察したところ、パ
ターンは良好なものであり、配管における廃液づまりも
起こらなかった。
て、パーフルオロオクタン酸（Ｃ7Ｆ15ＣＯ2Ｈ）である
ＥＦ−２０１（トーケムプロダクツ社製）２０％水溶液
５００ｇとモノエタノールアミンの２０％水溶液５５ｇ
と混合し、その混合溶液１００ｇとビニルイミダゾール
およびビニルピロリドン（重量比１：９）の共重合体Ｌ
ｕｖｉｔｅｃ ＶＰＭＡ９１（ＢＡＳＦ社製）の２０％
水溶液５０ｇとを混合し、得られた水溶液に純水を添加
し全量を１０００ｇとしたものを用いたこと以外は、実
施例１を繰り返した。これを同様に観察したところ、パ
ターンは良好なものであり、配管における廃液づまりも
起こらなかった。
【００３３】（比較例１）反射防止膜形成用塗布液とし
て、パーフルオロオクチルスルホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ
3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケムプロダクツ社製）
２０％水溶液５００ｇとパーフルオロオクタン酸（Ｃ7
Ｆ15ＣＯ2Ｈ）であるＦＥ−２０１（トーケムプロダク
ツ社製）２０％水溶液５００ｇをモノエタノールアミン
の２０％水溶液１１０ｇと混合し、その混合溶液１００
ｇとポリビニルピロリドンの２０％水溶液５０ｇとを混
合し、得られた水溶液に純水を添加し全量を１０００ｇ
としたものを用いたこと以外は、実施例１を繰り返し
た。これを同様に観察したところ、パターンは良好なも
のであったが、配管における廃液づまりが発生した。
て、パーフルオロオクチルスルホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ
3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケムプロダクツ社製）
２０％水溶液５００ｇとパーフルオロオクタン酸（Ｃ7
Ｆ15ＣＯ2Ｈ）であるＦＥ−２０１（トーケムプロダク
ツ社製）２０％水溶液５００ｇをモノエタノールアミン
の２０％水溶液１１０ｇと混合し、その混合溶液１００
ｇとポリビニルピロリドンの２０％水溶液５０ｇとを混
合し、得られた水溶液に純水を添加し全量を１０００ｇ
としたものを用いたこと以外は、実施例１を繰り返し
た。これを同様に観察したところ、パターンは良好なも
のであったが、配管における廃液づまりが発生した。
【００３４】（比較例２）反射防止膜形成用塗布液とし
て、パーフルオロオクチルスルホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ
3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケムプロダクツ社製）
２０％水溶液５００ｇをモノエタノールアミンの２０％
水溶液４０ｇと混合し、その混合溶液１００ｇとビニル
ピロリドンおよび酢酸ビニル（重量比２：１）の共重合
体の２０％水溶液（ＶＡ−６４（ＢＡＳＦ社製））５０
ｇに添加し、得られた水溶液に純水を添加し全量を１０
００ｇとしたものを用いたこと以外は、同様の操作でホ
トレジストパターンを形成した。これを同様に観察した
ところ、パターンは良好なものであったが、配管におけ
る廃液づまりが発生した。
て、パーフルオロオクチルスルホン酸（Ｃ8Ｆ17ＳＯ
3Ｈ）であるＥＦ−１０１（トーケムプロダクツ社製）
２０％水溶液５００ｇをモノエタノールアミンの２０％
水溶液４０ｇと混合し、その混合溶液１００ｇとビニル
ピロリドンおよび酢酸ビニル（重量比２：１）の共重合
体の２０％水溶液（ＶＡ−６４（ＢＡＳＦ社製））５０
ｇに添加し、得られた水溶液に純水を添加し全量を１０
００ｇとしたものを用いたこと以外は、同様の操作でホ
トレジストパターンを形成した。これを同様に観察した
ところ、パターンは良好なものであったが、配管におけ
る廃液づまりが発生した。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、一般的なホトレジスト
組成物との相溶性のバランスに優れ、一つの塗布装置で
ホトレジスト組成物の塗布と反射防止膜の形成を順次行
った場合でも、その廃液が廃液配管内で詰まることがな
く、効率的に半導体素子を製造することができ、かつク
リーンルーム内の省スペース化にも有利であるリソグラ
フィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレ
ジスト積層体が提供される。
組成物との相溶性のバランスに優れ、一つの塗布装置で
ホトレジスト組成物の塗布と反射防止膜の形成を順次行
った場合でも、その廃液が廃液配管内で詰まることがな
く、効率的に半導体素子を製造することができ、かつク
リーンルーム内の省スペース化にも有利であるリソグラ
フィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレ
ジスト積層体が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横井 滋 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 小林 政一 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB15 AB16 AB17 AD01 AD03 DA03 DA34 EA10 4J038 BA091 CE021 CF021 CG031 CG141 CG171 CH201 CK021 CK031 GA03 GA07 GA09 JA44 JA45 JC14 KA09 NA19 NA27 PB09 5F046 PA07
Claims (7)
- 【請求項１】 ビニルイミダゾールとそれ以外の水溶性
膜形成性モノマーとの共重合体、およびフッ素系界面活
性剤を含有してなるリソグラフィー用反射防止膜形成用
組成物。 - 【請求項２】 水溶性膜形成性モノマーが、ビニル系モ
ノマー、セルロース系モノマー、およびアクリル酸系モ
ノマーの中から選ばれる少なくとも１種である請求項１
に記載のリソグラフィー用反射防止膜形成用組成物。 - 【請求項３】 水溶性膜形成性モノマーがビニル系モノ
マーである請求項２に記載のリソグラフィー用反射防止
膜形成用組成物。 - 【請求項４】 ビニル系モノマーがビニルピロリドンで
ある請求項３に記載のリソグラフィー用反射防止膜形成
用組成物。 - 【請求項５】 ビニルイミダゾール：それ以外の水溶性
膜形成成分の配合比が重量比で１：９９〜４０：６０の
範囲内である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の
リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物。 - 【請求項６】 配合比が重量比で５：９５〜２０：８０
である請求項５に記載のリソグラフィー用反射防止膜形
成用組成物。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項に記載
の組成物を用いて調製した反射防止膜をホトレジスト膜
表面に形成して得たレジスト積層体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000097479A JP2001281874A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体 |
| US09/799,554 US6416930B2 (en) | 2000-03-31 | 2001-03-07 | Composition for lithographic anti-reflection coating, and resist laminate using the same |
| TW90106243A TW573214B (en) | 2000-03-31 | 2001-03-16 | Composition for lithographic anti-reflection coating, and resist laminate using the same |
| KR1020010014010A KR100751739B1 (ko) | 2000-03-31 | 2001-03-19 | 리소그래피용 반사 방지막 형성용 조성물 및 이것을사용한 레지스트 적층체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000097479A JP2001281874A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001281874A true JP2001281874A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18612095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000097479A Withdrawn JP2001281874A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体 |
Country Status (4)
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