TWI726065B - 塗佈用組成物及光阻積層體之製造方法 - Google Patents

塗佈用組成物及光阻積層體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI726065B
TWI726065B TW106107770A TW106107770A TWI726065B TW I726065 B TWI726065 B TW I726065B TW 106107770 A TW106107770 A TW 106107770A TW 106107770 A TW106107770 A TW 106107770A TW I726065 B TWI726065 B TW I726065B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
fluorine
coating composition
fluoropolymer
polymer
Prior art date
Application number
TW106107770A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201738333A (zh
Inventor
山崎龍二郎
伊藤昌宏
坂根好彥
Original Assignee
日商Ａｇｃ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ａｇｃ股份有限公司 filed Critical 日商Ａｇｃ股份有限公司
Publication of TW201738333A publication Critical patent/TW201738333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI726065B publication Critical patent/TWI726065B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
    • B05D3/0272—After-treatment with ovens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F116/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
    • C08F116/12—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an ether radical
    • C08F116/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F259/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers of halogen containing monomers as defined in group C08F14/00
    • C08F259/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers of halogen containing monomers as defined in group C08F14/00 on to polymers containing fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/12—Hydrolysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D127/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D127/02—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C09D127/12—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D129/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Coating compositions based on hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D129/10—Homopolymers or copolymers of unsaturated ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C09D4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09D159/00 - C09D187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/006—Anti-reflective coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提供一種不會提高抗反射膜之折射率且可使膜厚薄化的塗佈用組成物。 一種塗佈用組成物，含有含氟聚合物及含氟化合物；該含氟聚合物具有-[CX1 X2 -CY1 (Rf1 -COOM1 )]-所示單元(1)，而該含氟化合物具有CX3 X4 =CY2 (Rf2 -COOM2 )所示單元，且相對於含氟聚合物100質量份，含氟化合物為0.1~8.0質量份。X1 、X2 、X3 、X4 為H、F或Cl；Y1 、Y2 為H、F、Cl、甲基或三氟甲基；Rf1 ，Rf2 為碳-碳原子間可含有醚性氧原子之全氟伸烷基或碳-碳原子間可含有醚性氧原子之氧全氟伸烷基；-COOM1 為-COOH或COOZ1 ；-COOM2 為-COOH或COOZ2 (Z1 、Z2 為氫原子可被取代之銨離子)。

Description

塗佈用組成物及光阻積層體之製造方法
發明領域 本發明是有關於一種塗佈用組成物。特別是有關於可用作在光刻法中用以形成抗反射膜之組成物的塗佈用組成物、及使用其之光阻積層體之製造方法。
發明背景 在半導體等之製造步驟中會使用到光刻技術，例如半導體電路製造步驟就包含了形成光阻圖案(resist pattern)的步驟。 對已形成於基板上之光阻層照射曝光光時，除了入射至光阻層的光以外，還會產生來自基板表面的反射光、該反射光進一步在光阻層表面反射而來之光等，該等反射光會形成干涉而造成駐波產生。這種駐波是造成光阻圖案尺寸變動或形狀崩壞等的原因。 此外，有時亦會在存在高低差之面上形成微細光阻圖案。在這種情況下，尤其會加劇因為駐波而造成的尺寸變動或形狀崩壞(駐波效應)。
迄今，在抑制駐波效應的方法上，已揭示了在光阻材料加入吸光劑之方法、於光阻層上表面設置抗反射膜之方法(TARC法)、於光阻層下表面設置抗反射膜之方法(BARC法)等。 TARC法係一於光阻層上設置折射率低於該光阻層之抗反射膜層的方法，抗反射膜之折射率愈低可獲得愈高的抗反射效果。
專利文獻1中記載了一種組成物，可作為使用在TARC法之抗反射塗佈用組成物，該組成物係使具有-(CF2 -CFOCF2 CF2 COOH)-單元之聚合物溶解於水與甲醇之混合溶劑中而成者。
習知一般在TARC法中為獲得優異抗反射效果，會設定抗反射膜的理想折射率為光阻層之折射率n的平方根(√n)，理想的膜厚為λ/4m(λ係放射線之波長，m係抗反射膜的折射率)的奇數倍(例如專利文獻2之段落[0004])。
先前技術文獻 專利文獻 [專利文獻1]專利第3965740號公報 [專利文獻2]專利第4910829號公報
發明欲解決之課題 近年，隨著LSI的高集成化與高速度化，一直在追求半導體電路的微細化。為對應此需求，在形成光阻圖案之際使用的曝光光源也在發展短波長化。 例如64M位元DRAM(動態隨機存取記憶體)之量產過程中，使用了KrF準分子雷射(248nm)作為曝光光源，然而在製造256M位元或1G位元以上的DRAM時，則使用較短波長的ArF準分子雷射(193nm)或F2 雷射(157nm)。
隨著所述曝光光源之短波長化，理想的膜厚就愈趨薄化，而尋求比習知技術更能讓抗反射膜之膜厚薄化的技術。就調整抗反射膜之膜厚的方法而言，例如已知有加入添加劑來調整塗佈組成物黏度之方法。 本發明群已判明專利文獻1所記載之於抗反射塗佈用組成物中添加含氟界面活性劑時，膜的折射率會上升。 本發明的目的即在於提供一種不會提高抗反射膜之折射率且可使膜厚薄化的塗佈用組成物及使用有該組成物的光阻積層體之製造方法。
用以解決課題之手段 本發明提供具有以下[1]~[13]之構成的塗佈用組成物及使用前述組成物之光阻積層體之製造方法。 [1]一種塗佈用組成物，其特徵在於含有具下式(1)所示單元之含氟聚合物與下式(2)所示含氟化合物，且相對於前述含氟聚合物100質量份，前述含氟化合物之含量為0.1~8.0質量份； -[CX1 X2 -CY1 (Rf1 -COOM1 )]-　・・・(1) (式中，X1 及X2 各自獨立，表示氫原子、氟原子或氯原子；Y1 表示氫原子、氟原子、氯原子、甲基或三氟甲基；Rf1 表示碳-碳原子間可含醚性氧原子之全氟伸烷基、或碳-碳原子間可含有醚性氧原子之氧全氟伸烷基；Rf1 的碳數為1~10，具有前述醚性氧原子時或為2~10，-COOM1 表示-COOH或COOZ1 (Z1 為氫原子可被取代之銨離子)； CX3 X4 =CY2 (Rf2 -COOM2 )　・・・(2) (式中，X3 及X4 各自獨立，表示氫原子、氟原子或氯原子；Y2 表示氫原子、氟原子、氯原子、甲基或三氟甲基；Rf2 表示碳-碳原子間可含醚性氧原子之全氟伸烷基、或碳-碳原子間可含有醚性氧原子之氧全氟伸烷基；Rf2 的碳數為1~10，具有上述醚性氧原子時或為2~10，-COOM2 表示-COOH或COOZ2 (Z2 為氫原子可被取代之銨離子)。 [2]如[1]之塗佈用組成物，其中前述X1 、X2 及Y1 皆為氟原子。 [3]如[1]或[2]之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物之數量平均分子量為1,000~30,000。 [4]如[1]至[3]中任一項之塗佈用組成物，該塗佈用組成物中前述含氟聚合物之含量為1~25質量%。 [5]如[1]至[4]中任一項之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CX1 X2 與前述含氟化合物中的CX3 X4 相同。 [6]如[1]至[5]中任一項之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CY1 與前述含氟化合物中的CY2 相同。 [7]如[1]至[6]中任一項之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的COOM1 與前述含氟化合物中的COOM2 相同。 [8]如[1]至[7]中任一項之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的Rf1 與前述含氟化合物中的Rf2 相同。 [9]如[1]至[8]中任一項之塗佈用組成物，其進而含有溶劑。 [10]如[1]至[8]中任一項之塗佈用組成物，其進而含有前述含氟聚合物以外之聚合物，且相對於前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計量，前述含氟聚合物以外之聚合物含量為1~50質量%。 [11]如[10]之塗佈用組成物，其進而含有溶劑。 [12]一種光阻積層體之製造方法，係用以製造光阻層表面上設有抗反射膜之光阻積層體，該製造方法之特徵在於： 於光阻層表面上塗佈塗佈液並予以乾燥而形成前述抗反射膜，其中前述塗佈液含有如請求項1至9中任一項之塗佈用組成物，且前述含氟聚合物含量為1~10質量%。 [13]一種光阻積層體之製造方法，係用以製造光阻層表面上設有抗反射膜之光阻積層體，該製造方法之特徵在於： 於光阻層表面上塗佈塗佈液並予以乾燥而形成前述抗反射膜，其中前述塗佈液含有如請求項10或11之塗佈用組成物，且前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計含量為1~10質量%。
發明效果 本發明之塗佈用組成物既不會提高抗反射膜之折射率又可使膜厚薄化。 本發明的光阻積層體之製造方法不會提高形成在光阻層表面上的抗反射膜之折射率且可使膜厚薄化。
用以實施發明之形態 本發明之塗佈用組成物含有含氟聚合物及含氟化合物，該含氟聚合物(以下表記為「含氟聚合物(A)」)具有上式(1)所示單元(以下表記為「單元(1)」)，該含氟化合物(以下表記為「含氟化合物(B)」)係以上式(2)表示。
[含氟聚合物(A)] 含氟聚合物(A)可含不具-COOM1 (M1 與式(1)中的M1 同義)之其他單元(以下亦表記為「單元(2)」)。 式(1)中，X1 及X2 各自獨立，表示氫原子、氟原子或氯原子。從原料的易取得性這點來看，以氫原子或氟原子為佳。就含氟聚合物(A)中之氟原子含有率充分地提高、且使用含氟聚合物(A)製造的抗反射膜於短波長帶之折射率容易變低這點來看，則以氟原子為佳。 Y1 表示氫原子、氟原子、氯原子、甲基或三氟甲基。從原料的易取得性這點來看，以氟原子為佳。
Rf1 是全氟伸烷基或氧全氟伸烷基。該全氟伸烷基或氧全氟伸烷基可在碳-碳原子間含有醚性氧原子。 全氟伸烷基意指鍵結於伸烷基之碳原子上的氫原子全部被氟原子所取代之基。全氟伸烷基可為直鏈狀，亦可為分枝狀。 氧全氟伸烷基意指於式(1)中之Y1 所鍵結的碳原子上透過醚鍵(-O-)鍵結有全氟伸烷基。氧全氟伸烷基可為直鏈狀，亦可為分枝狀。 所謂「碳-碳原子間含有醚性氧原子」意指在構成全氟伸烷基或氧全氟伸烷基之碳鏈中途(碳-碳原子間)插入了醚鍵結性氧原子。 Rf1 之碳數為1~10，且以1~6為佳，3~6尤佳。當Rf1 之碳-碳原子間含有醚性氧原子時，Rf1 之碳數為2~10，且以2~6為佳，3~6尤佳。該碳數若在前述範圍之下限值以上，含氟聚合物(A)中之氟原子含有率就會充分地提高，且使用含氟聚合物(A)製造的抗反射膜於短波長帶之折射率變低。若在前述範圍之上限值以下，則含氟聚合物(A)對水之溶解性優異。
式(1)中-COOM1 係-COOH或COOZ1 (Z1 為氫原子可被取代之銨離子)。 Z1 可列舉NH4 + 、或NH4 + 之1個以上氫原子業經烷基取代者。烷基以碳數1~6之烷基為佳。Z1 以-NR1 R2 R3 R4+ (R1 ~R4 各自獨立，為氫原子或碳數1~3之烷基)為佳，尤其就可使用於多種用途之觀點、低成本之觀點而言，以NH4 + 尤佳。
單元(1)之較佳例可列舉下述單元(a1)~(a6)。
[化1]
Figure 02_image001
單元(2)可列舉以CF2 =CF2 、CH2 =CF2 、CF2 =CFCl等氟乙烯類、全氟乙烯醚類、碳數3以上全氟烯烴類等聚合性全氟化合物類為主體之單元等。 構成含氟聚合物(A)之全部單元中，單元(1)之比率在50莫耳%以上為佳，70莫耳%以上較佳，100莫耳%尤佳。單元(1)之比率若在前述範圍之下限值以上，則含氟聚合物(A)對鹼水溶液之溶解性優異。
含氟聚合物(A)之數量平均分子量以1,000~30,000為佳，1,500~5,000較佳，2,500~3,500尤佳。 數量平均分子量若在前述下限值以上，則造膜性優異，且在平坦部的膜厚均一性優異。若在前述上限值以下，則塗佈時對高低差之追隨性優異，以光阻層表面具有凹凸的情況而言，不僅用以覆蓋整個凸部及凹部表面所需要的塗佈量只要少量，且對鹼水溶液之溶解性亦優異。
既為含氟聚合物(A)且-COOM1 為-COOH之聚合物的製造方法並無特別限制，但以以下方法(i)或方法(ii)為佳。方法(i)係使具有可轉換成「-COOH」之前驅官能基的單體聚合而聚合出前驅聚合物之後，將前驅官能基轉換為「-COOH」。方法(ii)係使不具前驅官能基之含氟單體聚合之後，於該聚合物之一部分導入「-COOH」。
以方法(i)而言，可舉如下述方法：將CX1 X2 =CY1 (Rf1 -COOCH3 )[X1 、X2 、Y1 、Rf1 與式(1)相同]所示含氟單體(以下亦表記為「含氟單體(1)」)聚合而製得前驅聚合物之後，將-COOCH3 部分進行水解。 聚合方法並無特別限定，可使用公知的方法。以添加聚合引發劑至含氟單體(1)並進行加熱之聚合方法為佳。聚合反應時亦可使用鏈轉移劑。 於聚合反應可使用液狀介質，亦可不予以使用。在有使用的情況下，用於聚合反應的單體宜在已溶解於液狀介質之狀態下或已分散於液狀介質之狀態下進行聚合反應。液狀介質宜使用水、含氟溶劑等。
將前驅聚合物的-COOCH3 部分予以水解而製得含氟聚合物(A)之方法並無特別限定。可舉例如對已將前驅聚合物混合於水或含水溶劑中而成的溶液進行攪拌之方法。且以一邊加熱該溶液並一邊攪拌為佳。此時該溶液之溫度以50~150℃為佳。 該水解步驟中可與水混合使用的有機溶劑方面，從與水之溶解性優異此點來看，以醇類為佳，其中從與前驅聚合物之溶解性亦優異之觀點來看，則以含氟醇為佳。含氟醇係以氟原子含有率在50重量%以上之化合物為佳，可舉例如2-(全氟丁基)乙醇、2-(全氟己基)乙醇、六氟異丙醇、2,2,3,3-四氟丙醇等。混合溶劑中之水與有機溶劑的質量比率以3：7~9：1為佳，4：6~6：4尤佳。若在前述範圍，則水與前驅聚合物兩者易於溶解。
方法(ii)之例子方面，可舉如下述方法：在已將CX1 X2 =CY1 (Rf1 -CCl3 )所示之含氟單體聚合之後，添加硫酸與水，將-CCl3 轉換成COOH。
既為含氟聚合物(A)且-COOM1 為-COOZ1 之聚合物的製造方法，可舉下述方法：藉方法(i)或方法(ii)製得具有-COOH之聚合物，接著添加有機胺以將-COOH轉換成-COOZ1 。有機胺可列舉乙胺、丙胺等單烷基胺類；二乙胺等二烷基胺類；三乙胺等三烷基胺類；乙醇胺、二乙醇胺等烷醇胺類等。該等可單獨使用1種，也可併用2種以上。
[含氟化合物(B)] 式(2)中，X3 及X4 其等連同較佳態樣在內皆與式(1)中之X1 及X2 相同。 Y2 其連同較佳態樣在內皆與式(1)中之Y1 相同。 Rf2 係與式(1)中Rf1 相同的全氟伸烷基或氧全氟伸烷基。Rf2 之碳數為1~10，且以1~6為佳，3~6尤佳。當Rf2 之碳-碳原子間具有醚性氧原子時，Rf2 之碳數為2~10，且以2~6為佳，3~6尤佳。該碳數若在前述範圍之下限值以上，含氟化合物(B)中之氟原子含有率充分地提高，故可抑制因含有含氟化合物(B)而使抗反射膜之折射率上升。若在前述範圍之上限值以下，則含氟化合物(B)對水之溶解性優異。 -COOM2 其連同較佳態樣在內皆與式(1)中之-COOM1 相同。-COOM2 中的Z2 其連同較佳態樣在內亦皆與式(1)中之Z1 相同。
[塗佈用組成物] 本發明之塗佈用組成物(以下亦表記為「組成物」)含有含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)。含氟化合物(B)可為兩種以上。就組成物中之含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)而言，含氟聚合物(A)中的CX1 X2 與含氟化合物(B)中的CX3 X4 可相同(也包含立體異構性)，亦可不同。從容易取得原料這點來看，以相同為佳。 若組成物中存在兩種以上含氟化合物(B)時，至少一種含氟化合物(B)中的CX3 X4 與含氟聚合物(A)中的CX1 X2 相同為佳，而所有種類的含氟化合物(B)中的CX3 X4 與含氟聚合物(A)中的CX1 X2 相同則尤佳。 就組成物中之含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)而言，含氟聚合物(A)中的CY1 與含氟化合物(B)中的CY2 可相同，亦可不同。從容易取得原料這點來看，以相同為佳。 若組成物中存在兩種以上含氟化合物(B)時，至少一種含氟化合物(B)中的CY2 與含氟聚合物(A)中的CY1 相同為佳，而所有種類的含氟化合物(B)中的CY2 與含氟聚合物(A)中的CY1 相同則尤佳。 就組成物中之含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)而言，含氟聚合物(A)中的COOM1 與含氟化合物(B)中的COOM2 可相同，亦可不同。從容易取得原料這點來看，以相同為佳。 若組成物中存在兩種以上含氟化合物(B)時，至少一種含氟化合物(B)中的COOM2 與含氟聚合物(A)中的COOM1 相同為佳，而所有種類的含氟化合物(B)中的COOM2 與含氟聚合物(A)中的COOM1 相同則尤佳。 就組成物中之含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)而言，含氟聚合物(A)中的Rf1 與含氟化合物(B)中的Rf2 可相同，亦可不同。從容易取得原料這點來看，以相同為佳。 若組成物中存在兩種以上含氟化合物(B)時，至少一種含氟化合物(B)中的Rf2 與含氟聚合物(A)中的Rf1 相同為佳，而所有種類的含氟化合物(B)中的Rf2 與含氟聚合物(A)中的Rf1 相同則尤佳。 特別是就最容易取得原料這點來看，含氟聚合物(A)中的CX1 X2 、CY1 、COOM1 及Rf1 宜分別與含氟化合物(B)中的CX3 X4 、CY2 、COOM2 及Rf2 相同。
相對於塗佈用組成物中的含氟聚合物(A)100質量份，含氟化合物(B)為0.1~8.0質量份，宜為0.15~6.0質量份，尤宜為0.15~0.5質量份。 若在前述範圍之下限值以上，藉由含有含氟化合物(B)會使膜厚薄化效果優異。若在前述範圍之上限值以下，則可充分地抑制因含有含氟化合物(B)而使抗反射膜之折射率上升。 塗佈用組成物中之含氟聚合物(A)的含量並無特別限定。就儲存穩定性這點來說，塗佈用組成物中之含氟聚合物(A)的含量在25質量%以下為佳，22質量%以下較佳，18質量%以下尤佳。就塗佈用組成物的保管成本或運輸成本、容易獲得塗佈時的含氟聚合物(A)之必要濃度方面而言，該含量以1質量%以上為佳，5質量%較佳，10質量%以上更佳，15質量%以上尤佳。
塗佈用組成物可利用下述方法(1)或(2)製造。 方法(1)：利用上述方法製造含氟聚合物(A)，並使源自未進行聚合反應之單體(以下亦表記為「未反應單體」)的化合物作為含氟化合物(B)殘留，於製造含氟聚合物(A)後不添加含氟化合物(B)。 源自未反應單體之化合物意指未反應單體已藉由與製造含氟聚合物(A)相同之方法把末端基進行轉換的化合物。 具體來說，係將源自未反應單體之化合物之一部分去除，留下的要能形成所欲獲得之組成物中之含氟化合物(B)含量。未反應單體之含量可利用後述的未反應單體之定量方法測定。 方法(2)：係於利用上述方法製造含氟聚合物(A)後添加含氟化合物(B)。製造時，可在將源自未反應單體之化合物之一部分或全部去除後添加含氟化合物(B)。
方法(1)、(2)中，去除源自未反應單體之化合物的方法，宜為於含氟聚合物(A)之聚合反應結束後在減壓下加熱聚合反應生成物之方法。未反應單體之去除量可藉由加熱時間與減壓程度來控制。 藉由方法(1)，可獲得下述塗佈用組成物：就組成物中之含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)而言，含氟聚合物(A)中的CX1 X2 、CY1 、COOM1 及Rf1 分別與含氟化合物(B)中的CX3 X4 、CY2 、COOM2 及Rf2 相同。 藉由方法(2)，亦可使組成物中含有與源自未反應單體之化合物不同的含氟化合物(B)。
[其他聚合物] 本發明之塗佈用組成物只要在不損壞本發明效果之範圍內，可含有含氟聚合物(A)以外的聚合物(以下亦表記為「其他聚合物」)。 其他聚合物可舉如聚丙烯酸等。 其他聚合物之數量平均分子量以1,000~30,000為佳，1,500~5,000較佳，2,500~3,500尤佳。 以下，把含氟聚合物(A)與其他聚合物之合計質量稱為聚合物總量。若不含其他聚合物時，含氟聚合物(A)之質量即為聚合物總量。 當本發明之塗佈用組成物含有其他聚合物時，相對於聚合物總量，其他聚合物之含量以1~50質量%為佳，1~30質量%尤佳。
[其他成分] 本發明之塗佈用組成物在必要時可含有溶劑、界面活性劑、其他的添加劑。塗佈用組成物在含有溶劑時，含氟聚合物(A)及含氟化合物(B)宜溶解於溶劑中。 作為塗佈用組成物所含之溶劑，可使用水、有機溶劑或水與有機溶劑之混合溶劑。有機溶劑可列舉甲醇、乙醇、異丙醇、2-丁醇、含氟醇等醇類。含氟醇可例示以前述水解中所使用之有機溶劑作列舉的含氟醇。進行前述水解時，該水解所使用的含氟醇可作為塗佈用組成物中之溶劑之一部分或全部使用。
本發明之塗佈用組成物中，可含有界面活性劑以作為用以改善塗佈時之潤濕性、所形成的膜之均勻性的添加劑。界面活性劑可列舉氟系有機酸之胺鹽等。具體可列舉如下：具有多氟烷基與聚氧伸乙基之化合物(3M公司製，產品名:Fluorado「FC-430」、「FC-4430」等)、乙炔二醇及已於乙炔二醇加成聚氧乙烯之化合物(Air Products公司製，製品名：「Surfynol 104」、「Surfynol 420」)、烷基磺酸及烷基苯磺酸類(例如日光化工公司製，製品名：Nicole「SBL-2N-27」等)及含有羥基且不含聚氧伸乙基之化合物(聚甘油脂肪酸酯等)等。 界面活性劑之含量若太多恐招致膜的白化，甚至會擴散至抗反射膜下層之光阻膜中而引起曝光不良。再加上非全氟化合物之界面活性劑有添加越多則抗反射膜之折射率越是增加的傾向，因此含有界面活性劑時，其含量宜相對於聚合物總量為10質量%以下，且5質量%以下尤佳。
就可含於本發明之塗佈用組成物中且為溶劑及界面活性劑以外之添加劑而言，可舉於抗反射膜形成用之塗佈用組成物公知的添加劑。 具體例有：鎓鹽、含鹵化烷基化合物、鄰醌二疊氮化物、硝苄基化合物、磺酸酯化合物、碸化合物等之光酸產生劑。 非全氟化合物之添加劑有添加越多則抗反射膜之折射率越是增加的傾向，因此塗佈用組成物中含有溶劑與界面活性劑以外的添加劑時，其合計含量宜相對於聚合物總量為10質量%以下，5質量%以下尤佳。
[塗佈液] 本發明之塗佈用組成物係用於塗佈液。所謂塗佈液係塗佈於塗佈對象物之液體。 塗佈用組成物至少含有含氟聚合物(A)及含氟化合物(B)。可使該等以外之任擇成分全部含於塗佈用組成物中，並將塗佈用組成物直接作為塗佈液使用。 或者，可使任擇成分之一部分或全部不含於塗佈用組成物中，而是在調製塗佈液之際作添加；亦可使任擇成分之一部分含於塗佈用組成物中，並於調製塗佈液之際添加剩餘的任擇成分。 就塗佈性優異之觀點而言，塗佈液中之聚合物總量宜為10質量%以下，7質量%以下較佳，5質量%以下尤佳。就容易形成具有必要膜厚的抗反射膜此點來說，則宜為1質量%以上，2質量%以上較佳，4質量%以上尤佳。
[光阻積層體之製造方法] 本發明中所謂光阻積層體係光阻層表面上設有抗反射膜之積層體。 本發明之光阻積層體之製造方法係於光阻層表面上塗佈含有本發明之塗佈用組成物的塗佈液，並予以乾燥而形成抗反射膜。
於光阻層表面上塗佈塗佈液之方法可使用公知的方法。從抗反射膜之均勻性與簡便性方面而言，以旋塗法為佳。 塗佈後藉由乾燥(即，去除溶劑)而獲得抗反射膜。去除溶劑之方法，例如宜使用熱板或烘箱進行加熱乾燥。在乾燥條件上，例如若使用熱板時以80~150℃溫度且5~30分鐘的條件為佳。 抗反射膜之膜厚只要依公知的抗反射理論設定即可，將膜厚設為「(曝光波長)/(4×(抗反射膜之折射率))」的奇數倍則抗反射性能提高，故而為佳。
本發明適合用於下述方法：在基板上形成光阻層，並於其表面上形成抗反射膜作成光阻積層體，將該光阻積層體曝光後，使用鹼水溶液進行顯影而形成光阻圖案。 即，藉由使用本發明之塗佈用組成物形成前述抗反射膜，可抑制駐波效應，且能抑制光阻圖案之尺度變化或形狀崩壞。又，該抗反射膜對鹼水溶液之溶解性良好，可同時進行顯影與抗反射膜之去除。 又，光阻層係由利用藉曝光生成之質子之觸媒作用的所謂化學放大光阻所構成的層時，若曝光後光阻層放置於大氣中，就容易產生光阻表面變質。若於這種光阻層表面上使用本發明之塗佈用組成物形成膜，則可發揮作為保護膜的機能，防止光阻層表面的變質。
[作用‧機制] 依據本發明，如後述實施例所示，藉由使塗佈用組成物含有含氟化合物(B)，可不提高抗反射膜之折射率又可薄化膜厚。 雖然獲得該效果之理由尚且不明，然而吾人認為含氟化合物(B)之氟原子含量高有助於抑制折射率上升，加上含氟聚合物(A)中之單元(1)與含氟化合物(B)之分子結構類似所以含氟聚合物(A)與含氟化合物(B)之相溶性高，以及含氟化合物(B)之-COOM2 為親水性故而發揮作為界面活性劑之機能，皆有助於薄膜化。
實施例 以下利用實施例進一步詳細說明本發明，惟本發明並非受限於該等實施例。例3~5為實施例，例1、2、6為比較例，例7為參考例。 測定方法及評價方法採用了以下方法。 [數量平均分子量] 聚合物之數量平均分子量之值，是依據凝膠滲透層析(GPC)法獲致之聚苯乙烯(PS)換算分子量。
[膜之折射率與膜厚] 將塗佈液藉由旋塗法(每分鐘3,000轉，180秒) 塗佈於矽晶圓上，並使其在溫度調節成150℃之熱板上乾燥5分鐘，即形成膜(抗反射膜)。藉由橢圓偏振計測定該膜於波長193nm下的折射率與膜厚。塗佈液之使用量恆定為2mL。 再者，就算塗佈液之使用量及塗佈條件相同，膜厚仍因塗佈液之性狀而異。
[未反應單體之定量方法] 製成前驅聚合物之3質量%溶液(溶劑為CF3 CH2 OCF2 CF2 H)，並對該溶液進行氣相層析分析。 裝置：氣相層析分析裝置(Agilent公司製 6850系列) 色譜柱：DB-1301柱(Agilent公司製)
[所使用的化合物] (單體) 單體(1-1):CF2 =CFOCF2 CF2 CF2 COOCH3 (分子量306)。 (含氟化合物(B)) 含氟化合物(B-1):CF2 =CFOCF2 CF2 CF2 COOH (分子量292)。 (聚合引發劑) 引發劑溶液(A):二異丙基過氧化二碳酸酯溶液(濃度50質量%，溶劑為CF3 CH2 OCF2 CF2 H)。
[例1：含氟聚合物(A-2)及溶液(2)] 於反應容器中饋入50g之單體(1-1)與0.60g之引發劑溶液(A)後，在系統內藉由氮進行了置換。其次，一邊加熱至內溫為40℃一邊進行攪拌，進行了72小時的聚合反應。聚合反應結束後，於80℃下真空乾燥3小時而獲得21.5g的前驅聚合物(A-1)。該前驅聚合物(A-1)之數量平均分子量為3,300。 利用上述未反應單體之定量方法測出前驅聚合物(A-1)中殘存的單體(1-1)之量為偵測極限值(1ppm)以下。
接下來，將前驅聚合物(A-1)之側鏈末端的甲基水解而轉換成羥基。即，於可分離式燒瓶(Separable Flask)內在80℃下攪拌前驅聚合物(A-1)與水12小時以進行水解，而獲得了含氟聚合物(A-2)之18質量%水溶液(溶液(1))。 進而，為提高折射率測定之精度因此把溶劑取代為2-丁醇。即，藉由80℃真空乾燥將溶液(1)的水餾去，並只析出含氟聚合物(A-2)。將所得含氟聚合物(A-2)僅取必要量移至小瓶內，並於其中加入2-丁醇而獲得含氟聚合物(A)之濃度為2.0質量%的塗佈用組成物(溶液(2))。 將所得溶液(2)作為塗佈液使用，並藉由上述方法評價了膜厚及膜之折射率。評價結果顯示於表1。
[例2~6] 於例1所得溶液(2)中加入含氟化合物(B-1)使溶液中相對於含氟聚合物(A)100質量份之該含氟化合物(B)添加量可成為表1所示數值，從而調製成由含氟聚合物(A)、含氟化合物(B)及溶劑構成的塗佈用組成物。 就所得塗佈用組成物以與例1同樣的方式進行了評價。評價結果顯示於表1。
[例7] 將例5中之含氟化合物(B-1)改為在溶液(2)中加入了含氟界面活性劑(Surflon S211(製品名)，AGC Seimi Chemical公司製)。將所得溶液作為塗佈用組成物使用，並以與例1同樣的方式進行了評價。評價結果顯示於表1。
[表1]
Figure 106107770-A0304-0001
如表1結果顯示，相對於塗佈用組成物中之含氟聚合物(A)之100質量份，含有含氟化合物(B)0.1~8.0質量份的例3~5相較於不含有含有含氟化合物(B)的例1，在相同塗佈條件下膜厚變得較薄，且所形成的抗反射膜之反射率不變。 例7為期待膜厚變薄而添加含氟界面活性劑的參考例。與例1相比，在相同塗佈條件下雖然膜厚變得較薄，然而所形成的抗反射膜之反射率卻上升了。 另外，在此係援引2016年04月22日申請之日本專利申請案2016-086162號之說明書、申請專利範圍、摘要及圖式之全部內容，納入作為本發明說明書之揭示。

Claims (26)

  1. 一種塗佈用組成物，其特徵在於含有具下式(1)所示單元之含氟聚合物與下式(2)所示含氟化合物，前述含氟聚合物之數量平均分子量為1,000~30,000，且相對於前述含氟聚合物100質量份，前述含氟化合物之含量為0.1~8.0質量份；-[CX1X2-CY1(Rf1-COOM1)]-‧‧‧(1)(式中，X1及X2各自獨立，表示氫原子、氟原子或氯原子；Y1表示氫原子、氟原子、氯原子、甲基或三氟甲基；Rf1表示碳-碳原子間可含醚性氧原子之全氟伸烷基、或碳-碳原子間可含醚性氧原子之氧全氟伸烷基；Rf1的碳數為1~10，具有前述醚性氧原子時或為2~10，-COOM1表示-COOH或COOZ1(Z1為氫原子可被取代之銨離子)；CX3X4=CY2(Rf2-COOM2)‧‧‧(2)(式中，X3及X4各自獨立，表示氫原子、氟原子或氯原子；Y2表示氫原子、氟原子、氯原子、甲基或三氟甲基；Rf2表示碳-碳原子間可含醚性氧原子之全氟伸烷基、或碳-碳原子間可含醚性氧原子之氧全氟伸烷基；Rf2的碳數為1~10，具有上述醚性氧原子時或為2~10，-COOM2表示-COOH或COOZ2(Z2為氫原子可被取代之銨離子)。
  2. 如請求項1之塗佈用組成物，其中前述X1、X2及Y1皆為氟原子。
  3. 如請求項1之塗佈用組成物，該塗佈用組成物中前述含氟聚合物之含量為1~25質量%。
  4. 如請求項2之塗佈用組成物，該塗佈用組成物中前述含氟聚合物之含量為1~25質量%。
  5. 如請求項1或2之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CX1X2與前述含氟化合物中的CX3X4相同。
  6. 如請求項3之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CX1X2與前述含氟化合物中的CX3X4相同。
  7. 如請求項4之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CX1X2與前述含氟化合物中的CX3X4相同。
  8. 如請求項1或2之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CY1與前述含氟化合物中的CY2相同。
  9. 如請求項3之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CY1與前述含氟化合物中的CY2相同。
  10. 如請求項7之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的CY1與前述含氟化合物中的CY2相同。
  11. 如請求項1或2之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的COOM1與前述含氟化合物中的COOM2相同。
  12. 如請求項3之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的COOM1與前述含氟化合物中的COOM2相同。
  13. 如請求項10之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的COOM1與前述含氟化合物中的COOM2相同。
  14. 如請求項1或2之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的Rf1與前述含氟化合物中的Rf2相同。
  15. 如請求項3之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的Rf1與前述含氟化合物中的Rf2相同。
  16. 如請求項13之塗佈用組成物，其中前述含氟聚合物中的Rf1與前述含氟化合物中的Rf2相同。
  17. 如請求項1或2之塗佈用組成物，其進而含有溶劑。
  18. 如請求項3之塗佈用組成物，其進而含有溶劑。
  19. 如請求項16之塗佈用組成物，其進而含有溶劑。
  20. 如請求項1之塗佈用組成物，其進而含有前述含氟聚合物以外之聚合物，且相對於前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計量，前述含氟聚合物以外之聚合物含量為1~50質量%。
  21. 如請求項2之塗佈用組成物，其進而含有前述含氟聚合物以外之聚合物，且相對於前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計量，前述含氟聚合物以外之聚合物含量為1~50質量%。
  22. 如請求項3之塗佈用組成物，其進而含有前述含氟聚合物以外之聚合物，且相對於前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計量，前述含氟聚合物以外之聚合物含量為1~50質量%。
  23. 如請求項19之塗佈用組成物，其進而含有前述含氟聚合物以外之聚合物，且相對於前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計量，前述含氟聚合物以外之聚合物含量為1~50質量%。
  24. 如請求項20至23中任一項之塗佈用組成物，其進而含有溶劑。
  25. 一種光阻積層體之製造方法，係用以製造光阻層表面上設有抗反射膜之光阻積層體，該製造方法之特徵在於：於光阻層表面上塗佈塗佈液並予以乾燥而形成前述抗反射膜，其中前述塗佈液含有如請求項1至19中任一項之塗佈用組成物，且前述含氟聚合物含量為1~10質量%。
  26. 一種光阻積層體之製造方法，係用以製造光阻層表面上設有抗反射膜之光阻積層體，該製造方法之特徵在於：於光阻層表面上塗佈塗佈液並予以乾燥而形成前述抗反射膜，其中前述塗佈液含有如請求項20至24中任一項之塗佈用組成物，且前述含氟聚合物與前述含氟聚合物以外之聚合物的合計含量為1~10質量%。
TW106107770A 2016-04-22 2017-03-09 塗佈用組成物及光阻積層體之製造方法 TWI726065B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-086162 2016-04-22
JP2016086162 2016-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201738333A TW201738333A (zh) 2017-11-01
TWI726065B true TWI726065B (zh) 2021-05-01

Family

ID=60090128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106107770A TWI726065B (zh) 2016-04-22 2017-03-09 塗佈用組成物及光阻積層體之製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10416561B2 (zh)
JP (1) JP6848547B2 (zh)
TW (1) TWI726065B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010235667A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Daikin Ind Ltd 含フッ素ポリマーの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69214035T2 (de) * 1991-06-28 1997-04-10 Ibm Reflexionsverminderde Überzüge
JP3965740B2 (ja) 1997-10-24 2007-08-29 旭硝子株式会社 コーティング組成物
JP3851594B2 (ja) * 2002-07-04 2006-11-29 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止コーティング用組成物およびパターン形成方法
KR100852840B1 (ko) * 2003-11-19 2008-08-18 다이킨 고교 가부시키가이샤 레지스트 적층체의 형성 방법
CN101617273B (zh) 2007-02-22 2012-11-28 旭硝子株式会社 防反射涂覆用组合物
JP4910829B2 (ja) 2007-03-28 2012-04-04 Ｊｓｒ株式会社 上層反射防止膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法
JP4723557B2 (ja) * 2007-12-14 2011-07-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 表面反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2011215546A (ja) * 2010-04-02 2011-10-27 Daikin Industries Ltd コーティング組成物
WO2015080061A1 (ja) * 2013-11-29 2015-06-04 旭硝子株式会社 コーティング用組成物およびフォトレジスト積層体の製造方法
JP2015131895A (ja) * 2014-01-10 2015-07-23 ユニマテック株式会社 含フッ素共重合体水性分散液

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010235667A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Daikin Ind Ltd 含フッ素ポリマーの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6848547B2 (ja) 2021-03-24
US10416561B2 (en) 2019-09-17
JP2017197718A (ja) 2017-11-02
US20170307975A1 (en) 2017-10-26
TW201738333A (zh) 2017-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060154170A1 (en) Resist composition for liquid immersion exposure process and method of forming resist pattern therewith
TWI477529B (zh) 近紅外光吸收層形成性組成物及多層膜
KR20140056178A (ko) 하층 조성물 및 이의 방법
KR100852840B1 (ko) 레지스트 적층체의 형성 방법
WO2022027945A1 (zh) 光刻胶用含氟聚合物、包含其的顶部抗反射膜组合物及其在光刻胶中的应用
EP1542078A1 (en) Composition for antireflection coating and method for forming pattern
CN110128904A (zh) 一种用于光刻的上表面抗反射涂层组合物
JP3965740B2 (ja) コーティング組成物
TWI474135B (zh) Photoresist surface modification liquid and the use of this photoresist surface modification of the photoresist pattern formation method
KR100480235B1 (ko) 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법
US20160238935A1 (en) Coating composition, and process for producing photoresist laminate
CN112034683B (zh) 光刻胶用含氟聚合物、包含其的顶部抗反射膜组合物及其在光刻胶中的应用
JPWO2009066768A1 (ja) 表面反射防止膜用組成物およびパターン形成方法
TWI726065B (zh) 塗佈用組成物及光阻積層體之製造方法
JP2007249161A (ja) 保護膜形成用材料およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法
JP4275062B2 (ja) レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
KR101486390B1 (ko) 표면 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법
JP2016089050A (ja) コーティング用組成物およびフォトレジスト積層体の製造方法
TWI781943B (zh) 塗覆用組成物之製造方法及光阻積層體之製造方法
CN109073977B (zh) 抗蚀剂下层膜形成用组合物
JP2007078744A (ja) 保護膜形成用材料およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法
KR102324679B1 (ko) 금속 산화물을 함유하는 재료, 이것의 제조 방법 및 이것의 사용 방법
KR20190078305A (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR100865684B1 (ko) 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 패턴화된 재료형상의　제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 반도체집적회로 디바이스
JP2001200019A (ja) 高分子化合物、反射防止膜材料及びパターン形成方法