JP2009140734A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＤＰの無効電力の増加や駆動マージンの減少の原因となる容量結合を抑制する。
【解決手段】前面基板構造体（第１基板構造体）に形成された２対のＸ電極１４およびＹ電極１５（表示電極対）の間に形成される非発光領域１６に、Ｘ電極１４およびＹ電極１５と間隔を空けて形成される複数の遮光膜１０を有するＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）１であって、遮光膜１０は、Ｘ電極１４およびＹ電極１５を構成する金属材料と共通する金属材料を含んでいる。また、遮光膜１０は背面基板構造体（第２基板構造体）に形成された、隣り合う隔壁２２の間に間隔を空けて島状に形成する。上記構成により、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５、あるいはアドレス電極２０と容量結合部を構成する可能性のある遮光膜１０の面積を小さくすることができるので、遮光膜１０に導電性材料を用いても容量結合を抑制することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルの技術に関し、特に、表示電極対の間の非発光領域に暗色の遮光膜を形成するプラズマディスプレイパネルに適用して有効な技術に関する。

近年、平面型のプラズマディスプレイ装置として面放電を行う交流型プラズマディスプレイ装置が実用化され、パーソナルコンピュータやワークステーション等のプラズマディスプレイ装置、平面型の壁掛けテレビジョン、或いは、広告や情報等を表示するための装置として広く使用されて来ている。そして、このようなプラズマディスプレイ装置に組み込むプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Plasma Display Panel）においては、画質の改善のために、高いコントラストを得ることができる技術が強く要求されている。

ＰＤＰは、前面基板と背面基板とを有し、これらの基板の間に希ガスなどの放電ガスを封入した放電空間が前面基板と背面基板との間に形成される。前面基板には複数の表示電極対が配置され、この表示電極対を被覆する誘電体層が形成される。また、隣り合う表示電極対の間にはＰＤＰの表示発光に寄与しない非発光領域を有している。また、背面基板には、放電空間を区画する隔壁と、上記表示電極対と交差するように配置されるアドレス電極とが形成される。また、隔壁で区画される各放電空間内の発光領域には、それぞれ３原色である赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）の可視光を発光する蛍光体が形成されている。

ＰＤＰではこの表示電極対の間に電圧を印加して、放電空間内で面放電を発生させ、この際に発生する真空紫外線で蛍光体を励起させることで所望のカラー画像が表示される。また、点灯／非点灯が選択されるセルはこの表示電極対とアドレス電極の交差毎に構成される。

セルの選択方式は、表示電極対の一方とアドレス電極の間に電圧を印加することにより、これらが交差するセルで対向放電（アドレス放電）を発生させて上記面放電を行うセルを選択する。

上記非発光領域に前面基板側から外光が照射され、これが反射されるとＰＤＰのコントラスト（明室コントラスト）が低下する。この明室コントラストを改善する方法として、例えば特開２０００−８２３９５号公報（特許文献１）には、前面基板側の非発光領域に黒帯層と呼ばれる帯状の遮光膜を形成する構造が記載されている。

また、例えば特開２００２−７５２２９号公報（特許文献２）には、この遮光膜を形成する工程を効率化する方法として、表示電極対を構成するバス電極と、同じ材料を用いて遮光膜を形成する方法が記載されている。
特開２０００−８２３９５号公報 特開２００２−７５２２９号公報

しかしながら、上記非発光領域にバス電極と同じ材料で構成される遮光膜を形成する場合、以下の課題があることを本発明者は見出した。

すなわち、遮光膜としてバス電極と同じ導電性材料を用いる場合、バス電極と遮光膜の間、あるいは遮光膜とアドレス電極の間で容量結合が発生する。

容量結合が発生するとバス電極あるいはアドレス電極に電流を流す際に、発光に寄与しない無効電力が増加する。

また、セルの点灯／非点灯を選択するための放電であるアドレス放電時にバス電極とアドレス電極の間に大きな電圧を印加すると、容量結合により、誤放電が発生する場合がある。つまり、誤放電を防止するためにアドレス放電時の印加電圧を小さくしなければならなくなるため、適正な放電を発生させる許容電圧値のマージン（駆動マージン）が小さくなる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、無効電力の増加や駆動マージンの減少の原因となる容量結合を抑制することのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、本発明の一つの実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向する第１基板構造体および第２基板構造体を有し、
前記第１基板構造体は、第１基板と、前記第１基板の前記第２基板構造体と対向する第１の面側に第１方向に沿って形成される複数の表示電極対と、前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、隣り合う２対の前記表示電極対の間に前記第１方向に沿って形成される非発光領域と、前記非発光領域に、前記表示電極対と間隔を空けて形成される複数の遮光膜とを有し、
前記第２基板構造体は、第２基板と、前記第２基板の前記第１基板構造体と対向する第２の面側に、前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成されるアドレス電極と、前記第２基板の前記第２の面側に形成され、前記放電空間を区画するように前記第２方向に沿って形成される隔壁とを有し、
前記複数の遮光膜は、前記表示電極対を構成する金属材料と共通する金属材料を含んでなり、隣り合う前記隔壁の間に間隔を空けて島状に形成するものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

すなわち、本発明の一つの実施の形態によれば、表示電極対あるいはアドレス電極と容量結合部を構成する可能性のある遮光膜の面積を小さくすることができるので、遮光膜に導電性材料を用いても表示電極対あるいはアドレス電極との容量結合を抑制することができる。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。また、本実施の形態を説明するための全図においては、各部材の構成をわかりやすくするために、平面図であってもハッチングや模様を付す場合がある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
＜プラズマディスプレイ装置の全体構成＞
まず、本実施の形態１のＰＤＰを組み込んだプラズマディスプレイ装置（以下ＰＤＰ装置と記載する）の全体構成と階調駆動方法について図１および図２を用いて説明する。

図１は本実施の形態１のＰＤＰを組み込んだＰＤＰ装置の一例の全体構成を概略的に示すブロック図である。また、図２は、図１に示すＰＤＰ装置における階調駆動シーケンスの一例を示す説明図である。

図１に示すＰＤＰ１の詳細な構造は後述するが、ＰＤＰ１は、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５、アドレス電極２０、そして、図示しない隔壁（リブ）等より構成されている。また、それぞれの電極（１４、１５、２０）に電圧を印加するために、アドレスドライバＡＤＲＶ、ＹスキャンドライバＹＳＣＤＲＶ、ＹサステインドライバＹＳＵＳＤＲＶ、ＸサステインドライバＸＳＵＳＤＲＶが電気的に接続されている。また、各ドライバを制御するための制御回路ＣＮＴとを備えている。

例えば、ＴＶチューナやコンピュータ等の外部装置から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の輝度レベルを示す多値画像データであるフィールドデータ、および、各種の同期信号（クロック信号ＣＬＫ、水平同期信号Ｈsync、垂直同期信号Ｖsync）が入力される。そして、制御回路ＣＮＴは、上記フィールドデータおよび各種の同期信号からそれぞれのドライバに適した制御信号を出力して所定の画像表示を行うようになっている。

ＰＤＰ１は、サステイン放電（維持放電、表示放電）を行うＸ電極（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，・・・Ｘｎ）１４とＹ電極（Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・Ｙｎ）１５とが交互に配置されて表示ラインを構成し、Ｘ電極１４およびＹ電極１５の対で構成される表示電極対と該表示電極対（表示ライン）と略直角に交差するアドレス電極（Ａ１，Ａ２，Ａ３，・・・Ａｎ）２０との交差毎にマトリクス状のセルが構成されている。

ＹスキャンドライバＹＳＣＤＲＶは、アドレス過程ＴＡ（図２参照）において、Ｙ電極１５を制御して順次Ｙ電極（表示ライン）１５を選択し、アドレスドライバＡＤＲＶに電気的に接続されたアドレス電極２０と各Ｙ電極１５との間で、各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎ（図２参照）に対するセルの点灯／非点灯を選択するアドレス放電を生じさせる。

また、ＹサステインドライバＹＳＵＳＤＲＶおよびＸサステインドライバＸＳＵＳＤＲＶは、表示過程ＴＳ（図２参照）において、アドレス放電により選択されたセルに対して各サブフィールドの重みに応じた数のサステイン放電を生じさせる。

また、図２に示されるように、ＰＤＰ装置における階調駆動シーケンスは、１フィールド（フレーム）Ｆ１をそれぞれ所定の輝度の重みを有する複数のサブフィールド（サブフレーム）ＳＦ１〜ＳＦｎで構成し、各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎの組み合わせにより所望の階調表示を行うようになっている。

複数のサブフィールドの構成例を説明すると、例えば、２の巾乗の輝度重みを有する８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８（維持放電の回数の比が１：２：４：８：１６：３２：６４：１２８）により２５６階調の表示を行うようになっている。なお、サブフィールドの数および各サブフィールドの重みは様々な組み合わせが可能なのはいうまでもない。

また、各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎは、それぞれ表示領域における全てのセルの壁電荷を均一にする初期化過程（リセット期間）ＴＲ、点灯セルを選択するアドレス過程（アドレス期間）ＴＡ、および、選択されたセルを輝度（各サブフィールドの重み）に応じた回数だけ放電（点灯）させる表示過程（維持放電期間）ＴＳで構成され、各サブフィールドの表示毎に輝度に応じてセルを点灯させ、例えば、８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）を表示することで１フィールドの表示を行うようになっている。

＜ＰＤＰの基本構造＞
次に、図３および図４を用いて本実施の形態１のＰＤＰの構造の一例について交流面放電型のＰＤＰを例に説明する。図３は本実施の形態１のＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大組み立て斜視図、図４は図３に示す電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。

なお、図４ではＰＤＰの有する電極群、隔壁、および遮光膜の位置関係を判りやすく示すため、その他の部材は図示を省略している。

図３において、ＰＤＰ１は前面基板構造体（第１基板構造体）１１と背面基板構造体（第２基板構造体）１２とを有している。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは互いに対向した状態で重ね合わされ、その間に放電空間２４を有している。

前面基板構造体１１はＰＤＰ１の表示面を有し、表示面側には主にガラスで構成される前面基板（基板、第１基板）１３を有している。前面基板１３の表示面と反対側の面（第１の面）１３ａにはＰＤＰ１の表示電極であるＸ電極（第２電極、維持電極、サステイン電極）１４と、Ｙ電極（第１電極、走査電極、スキャン電極）１５とがそれぞれ複数（図４参照）形成されている。

Ｘ電極１４はおよびＹ電極１５は維持放電（表示放電、あるいはサステイン放電とも呼ばれる）を行うための一対の表示電極対を構成し、例えば、行方向（第１方向、横方向）ＤＸに沿って延在するようにそれぞれ交互に配置されている。この一対のＸ電極１４とＹ電極１５とがＰＤＰ１における表示の行を構成する。

このＸ電極１４およびＹ電極１５は一般に例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な電極材料で構成されるＸ透明電極（透明電極部）１４ａ、Ｙ透明電極（透明電極部）１５ａと、各透明電極に電気的に接続されるＸバス電極（遮光電極部）１４ｂ、Ｙバス電極（遮光電極部）１５ｂとで構成される。

このＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａとＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂとは後述する蛍光体部２３から発光される可視光に対する透過性が異なる。

このＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａは、維持放電の安定化や放電効率の向上のため、例えば図４に示すように、一対の電極対間の最短距離（放電ギャップと呼ばれる）がセル２５の位置に対応して局所的に近づくようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂからそれぞれ対向する方向に突出して形成される。このＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａが突出して形成される位置は、ＰＤＰ１のセル２５に該当するため、後述する蛍光体部２３から発光される可視光を透過させるために、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａは透明の電極材料で形成される。

なお、図４ではＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａがそれぞれ有する突出部の形状の一例としてＴ型の形状を示しているが、この形状に限定される訳ではなく、種々の変形例に適用することができる。

例えば、突出部の先端がＴ型ではなく単にＩ型の構造としても良い。また、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａに突出部を形成せず、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと同様に帯状の電極構造とする場合もある。

一方、Ｘバス電極１４ｂおよびＹバス電極１５ｂは、Ｘ電極１４およびＹ電極１５の電気抵抗を低減するために形成され、透明電極よりも電気抵抗の低いＣｕやＡｇなどの金属材料で形成されている。また、この金属材料は単一成分に限定される訳ではなく、例えばＣｕを用いる場合には、Ｃｕの酸化防止やＩＴＯなどへの接着性向上のためにＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを順に積層した構造とすることもできる。

このようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂは金属材料で形成されるため、可視光に対する遮光性が前面基板１３や、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａと比較して高い。つまり可視光の透過率が低い。また、Ｘバス電極１４ｂおよびＹバス電極１５ｂの表面は外光の反射を防止ないしは抑制するため、黒色あるいは暗色の色調となるように形成されている。

このため、この前面基板構造体１１の厚さ方向に外光が照射されると、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂが配置される箇所では光が吸収され、外光の反射率を低減する構造となっている。

また、図４に示すように、隣り合う２対の表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の対）の間には、ＰＤＰ１の表示発光に寄与しない非発光領域１６が形成されている。非発光領域１６は行方向ＤＸに沿って形成されている。この、非発光領域１６には複数の遮光膜１０が形成されている。この遮光膜１０の詳細な構造および機能については後述する。

また、図３に示すように、前面基板構造体１１に形成された電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）および遮光膜１０は、誘電体層１７で被覆されている。また、誘電体層１７の表面には、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの金属酸化物で構成される保護層１８が形成されている。保護層１８は誘電体層１７の一方の表面を覆うように形成されている。

保護層１８には高いスパッタ耐性と２次電子放出係数が要求されるため、一般にＭｇＯを用いるが、材料はこれに限定されない。例えば、ＭｇＯにＣａＯ（酸化カルシウム）を混合した複合材料としてもよい。ＣａＯを混合することにより、保護層１８のスパッタ耐性が向上させることができる。あるいは２次電子放出係数がＭｇＯよりも高いＳｒＯなどの材料を用いても良い。

一方、図３に示す背面基板構造体１２は、主にガラスで構成される背面基板（基板、第２基板）１９を有している。背面基板１９の前面基板構造体１１と対向する面（第２の面）１９ａ上には、複数のアドレス電極（第３電極）２０が形成されている。各アドレス電極２０は、Ｘ電極１４およびＹ電極１５が延在する方向と交差する（略直交する）列方向（第２方向、縦方向）ＤＹに、延在するように形成されている。また、各アドレス電極２０は、略平行となるように所定の配置間隔で配置されている。

このアドレス電極２０と、前面基板構造体１１に形成されたＹ電極１５とは、セル２５の点灯／非点灯を選択するための放電であるアドレス放電を行うための電極対を構成する。つまり、Ｙ電極１４は維持放電用の電極としての機能とアドレス放電用の電極としての機能とを併せ持っている。

アドレス電極２０は、誘電体層２１で被覆されている。誘電体層２１上には背面基板構造体１２の厚さ方向に伸びる複数の隔壁（第１の隔壁、縦リブ）２２が形成されている。隔壁２２はアドレス電極２０が延在する列方向ＤＹに沿ってライン状に延在するように形成されている。また、隔壁２２の平面上の位置は、図４に示すように隣り合うアドレス電極２０の間に配置されている。隔壁２２を隣り合うアドレス電極２０の間に配置することにより、各アドレス電極の位置に対応して誘電体層２１の表面を列方向ＤＹに区画する放電空間２４が形成される。

また、アドレス電極２０上の誘電体層２１上面、および隔壁２２の側面には、真空紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発生する蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂがそれぞれ所定の位置に形成されている。

また、図３に示す前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは、保護層１８が形成された面と隔壁２２が形成された面とが対向した状態で固定されている。また、図示しないＰＤＰ１の周囲部は、例えばフリットとよばれる低融点ガラス材料などの封着材により封着され、放電空間２４内に、図示しない放電ガスと呼ばれるガス（例えばＮｅとＸｅの混合ガス）が所定の圧力で封入されている。

図４に示すように一対のＸ電極１４とＹ電極１５とアドレス電極２０との交差に対応して１個のセル２５が構成される。セル２５の平面積は一対のＸ電極１４とＹ電極１５の配置間隔と、隔壁２２の配置間隔により規定される。

また、各セル２５には、図３に示す赤用の蛍光体部２３ｒ、緑用の蛍光体部２３ｇ、または青用蛍光体部２３ｂのいずれかがそれぞれ形成されている。

このＲ、Ｇ、Ｂの各セル２５のセットにより画素（ピクセル）が構成される。つまり、各蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂはＰＤＰ１の発光素子であり維持放電によって発生する所定波長の真空紫外線に励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発光する。

ＰＤＰ１は、このセル２５毎に維持放電を発生させて、維持放電により発生する真空紫外線によりＲ、Ｇ、Ｂの各蛍光体部２３を励起して発光させる構造となっている。

＜遮光膜の詳細構造＞
次に、図３および図４に示す遮光膜１０の詳細な構造について、図３〜図５を用いて説明する。なお、本実施の形態１のＰＤＰ１の比較例として、図１２および図１３に本実施の形態１の比較例であるＰＤＰ５０を示す。

図５は図４に示すＡ−Ａ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。また、図１２は本実施の形態１の比較例であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図、図１３は図１２に示すＢ−Ｂ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。

なお、図１２および図１３に示すＰＤＰ５０において、本実施の形態１と同様の構造、機能を有する部材には、同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。

図４において、遮光膜１０はＰＤＰ１（図３参照）の表示電極対を構成するＸ電極１４およびＹ電極１５と同じ材料で形成されている。つまり、遮光膜１０は、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａと同じ材料（例えばＩＴＯなど）で構成される透明部１０ａと、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと同じ材料で構成される金属材料（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）で構成される遮光部１０ｂとを有している。

このように遮光膜１０は導電性材料で形成されるので、Ｘ電極１４およびＹ電極１５とは間隔を空けて形成される。

遮光膜１０をＰＤＰ１（図３参照）の表示電極対を構成するＸ電極１４およびＹ電極１５と同じ材料で形成することにより、ＰＤＰ１の製造工程において、遮光膜１０をＸ電極１４およびＹ電極１５と一括して形成することができるので、製造工程を短縮することができる。

ところが、図１２に示すＰＤＰ５０が有する遮光膜５１のように、導電性材料で構成される遮光膜５１を行方向ＤＸに沿って帯状に形成すると、Ｘバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと、遮光膜５１とが互いに沿って延在する面積が大きくなる。

このため、Ｘバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと、遮光膜５１とが容量結合してキャパシタのように機能してしまう。このような状態で、例えば、図２を用いて説明した初期化過程（リセット期間）ＴＲ、点灯セルを選択するアドレス過程（アドレス期間）ＴＡ、あるいは、表示過程（維持放電期間）ＴＳのいずれかの過程で、Ｘバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂに所定の電位を供給すると、Ｘバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと遮光膜５１との間に充電電流が流れる。この充電電流は、発光に寄与する電流ではない。つまり、充電のために消費される電力は、ＰＤＰ５０の画像表示に寄与しない無効電力である。

また、この容量結合により遮光膜５１に電荷が形成されると、図２を用いて説明したアドレス放電や維持放電を行う際に誤放電の原因となる場合もある。

容量結合が発生した場合、この容量結合部の容量は、平面平板コンデンサなどキャパシタの静電容量と同様に考えることができる。平面平板コンデンサの静電容量は対向して配置される２枚の平板間に存在する物質の誘電率（比誘電率）に比例して大きくなる。また、２枚の平板の対向面の平面積にも比例する（すなわち対向面の平面積が小さい程、静電容量は小さくなる）。また、２枚の平板間の距離に反比例し、距離を離すほど静電容量は小さくなる。

そこで、本実施の形態１では、図５に示すように、遮光膜１０を島状に形成して、セル２５（図４参照）毎に孤立させる構造とした。遮光膜１０を島状に形成することにより、Ｘバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと略平行に配置される遮光膜１０の対向面の面積を小さくすることができる。

したがって、無効電力や誤放電の原因となるＸバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと遮光膜５１との容量結合を抑制することができる。

また、透明部１０ａおよび遮光部１０ｂは、図３に示すように前面基板１３の面１３ａ側から順に積層されている。表示面側の基板である前面基板１３の表面に黒色あるいは暗色の色調を有する遮光部１０ｂを直接形成すると、遮光部１０ｂが形成された領域が鏡面状態となる。

鏡面状態となった遮光部１０ｂが形成された領域に直角に入射する外光の反射（正反射）が増加する。このため、ＰＤＰ１を組み込んだＰＤＰ装置において、観者等の姿がその表示面に写り込むという現象が生じる。

そこで、本実施の形態１では、透明部１０ａおよび遮光部１０ｂを、前面基板１３の面１３ａ側から順に積層することにより、遮光部１０ｂと前面基板１３との間に透明部１０ａを介在させる構造とした。

これにより、遮光部１０ｂが形成された領域が鏡面状態となることを防止することができる。すなわち、上記写り込みの現象を抑制することができる。

また、遮光膜１０は、図４および図５に示すように、隣り合う隔壁２２の間に間隔を空けて形成されている。つまり、遮光膜１０は隔壁２２と重なる位置には形成されていない。

ここで、本実施の形態１の比較例である図１３に示すＰＤＰ５０の場合、Ｘ電極１４およびＹ電極１５と同じ材料で形成される遮光膜５１が隔壁２２と重なる位置にも形成されている。遮光膜５１が隔壁２２と重なる位置に形成されている場合、図１３にキャパシタ（容量結合部）ＣＡとして模式的に示すように、遮光膜５１とアドレス電極２０とが容量結合する場合がある。

これは、隔壁２２が形成された領域は、放電空間２４内に封入された放電ガスよりも誘電率が高い誘電体層１７、保護層１８、隔壁２２、蛍光体部２３、誘電体層２１などを介して遮光膜５１とアドレス電極２０とが（略直線的に）接続されるためである。

このように遮光膜５１とアドレス電極２０とが誘電率の高い部材で（略直線的に）接続されるとこのキャパシタＣＡの見かけ上の容量は無視できない程大きくなる。つまり、図２を用いて説明したアドレス過程（アドレス期間）ＴＡにおいて、図１３に示すアドレス電極２０に所定の電位を供給するためにパルスを印加すると、遮光膜５１とアドレス電極２０との間に発光に寄与しない充電電流が流れ、ＰＤＰ５０の無効電力が増大する。

また、図１３に示すように、キャパシタＣＡは隔壁２２を跨いで形成されている。このため、例えば、キャパシタＣＡが形成されたアドレス電極２０ａに所定の電位を供給するためのパルスを印加すると、キャパシタＣＡで示した容量結合により隣の放電空間２４ａと重なる領域５２に電荷が形成される場合がある。

このようにアドレス電極２０ａが配置されるラインの隣の放電空間２４ａと重なる領域５２に電荷が形成されると、この放電空間２４ａに配置されたセル２５（図１２参照）でアドレス放電動作、維持放電動作などを行う際に誤放電の原因となる。

この誤放電を防止するためには、アドレス電極２０ａとＹ電極１４（図１２参照）の間に印加するパルス電圧を低く抑える必要が生じるが、印加するパルス電圧を低くしすぎると所定のアドレス放電が生じないこととなる。したがって、遮光膜５１とアドレス電極２０とが容量結合することにより誤放電を防止しつつ、所定のアドレス放電動作を実行するための印加するパルス電圧のマージン（許容範囲、駆動マージン）が狭くなる。すなわち、図２で説明したアドレス過程（アドレス期間）ＴＡの制御が困難となる。

そこで、本実施の形態１では、図５に示すように遮光膜１０を隣り合う隔壁２２の間に間隔を空けて島状に形成し、遮光膜１０が隔壁２２と重なる位置には形成されない構造とした。

このような構造とすることにより、ＰＤＰ１（図４参照）では、放電空間２４内に封入された放電ガスよりも誘電率が高い誘電体層１７、保護層１８、隔壁２２、蛍光体部２３、誘電体層２１などを介して遮光膜１０とアドレス電極２０とが（略直線的に）接続されることを回避することができる。

なお、遮光膜１０とアドレス電極２０とが放電空間２４内に封入された放電ガスを介して接続される箇所は発生する。しかし、放電ガスの誘電率は、誘電体層１７、保護層１８、隔壁２２、蛍光体部２３、誘電体層２１と比較して極めて低く、ここで容量結合が発生した場合でもその容量は無視できるほど小さい。

ところで、ＰＤＰ１は図４に示すように隔壁２２が形成された領域には遮光膜１０の遮光部１０ｂが形成されていない。このため隔壁２２が形成された領域における外光の反射率は図１２に示すＰＤＰ５０と比較して高い。

しかし、隔壁２２が形成された領域には図３に示す蛍光体部２３（一般に白色の色調を有するため反射率が高い）は形成されていない。したがって、隔壁２２が形成された領域の反射率は蛍光体部２３が形成された領域の半分以下であり、明室コントラストの低下を抑制することができる。

以上説明したように本実施の形態１によれば、遮光膜１０を島状に形成することにより、Ｘバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと略平行に配置される遮光膜１０の対向面面積を小さくすることができるので、無効電力や誤放電の原因となるＸバス電極１４ｂあるいはＹバス電極１５ｂと遮光膜１０との容量結合を抑制することができる。

また、遮光膜１０を隣り合う隔壁２２の間に間隔を空けて島状に形成することにより、無効電力や誤放電の原因となる隔壁２２を跨いだ容量結合の形成を防止することができる。

＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本実施の形態１のＰＤＰ１の製造方法の概要について図３および図４を用いて説明する。本実施の形態１のＰＤＰ１の製造方法は以下の工程を有している。

（ａ）まず、図３に示す前面基板構造体１１を形成する。前面基板構造体１１は例えば以下のように形成される。

まず、前面基板（第１基板）１３を用意して表示面の反対側となる面（第１の面）１３ａ上にＸ電極１４、Ｙ電極１５および遮光膜１０を形成する。Ｘ電極１４、Ｙ電極１５および遮光膜１０の形成方法は例えばフォトリソグラフィ法とエッチング法により行うことができる。

まず、前面基板１３の面１３ａ上に、Ｘ透明電極（透明電極部）１４ａ、Ｙ透明電極（透明電極部）１５ａおよび遮光膜１０の透明部１０ａの材料となる例えばＩＴＯなどの透明な透明材料膜を例えば印刷法により形成する。

次に、この表面にレジスト膜を塗布した後、例えば図４に示すようなパターンのマスクで覆った状態で露光、現像を行い所望のパターンのレジスト膜を形成する。次にエッチングによって、レジスト膜で被覆されていない領域を取り除いた後、レジスト膜を剥離することにより例えば図４に示すような所望のパターンのＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａ、透明部１０ａを得る。

次に、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａ上にそれぞれＸバス電極（遮光電極部）１４ｂ、Ｙバス電極（遮光電極部）１５ｂを積層して形成する。この、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂ、および遮光膜１０の遮光部１０ｂも、同様にフォトリソグラフィ法とエッチング法により行うことができる。

まず、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａおよび遮光膜１０の透明部１０ａが形成された前面基板１３の面１３ａ上に、Ｘバス電極（遮光電極部）１４ｂ、Ｙバス電極（遮光電極部）１５ｂ、および遮光膜１０の遮光部１０ｂの材料となる金属材料膜を形成する。

この金属材料膜を形成する工程では、例えば、導電性ペーストと呼ばれるＡｇなどの金属粒子が分散された樹脂ペーストを塗布した後これを焼成することにより得られる。また例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造の金属材料膜を形成する場合には、蒸着法により形成することができる。

次に、この表面にレジスト膜を塗布した後、例えば図４に示すようなパターンのマスクで覆った状態で露光、現像を行い所望のパターンのレジスト膜を形成する。次にエッチングによって、レジスト膜で被覆されていない領域を取り除いた後、レジスト膜を剥離することにより、例えば図４に示すような所望のパターンのＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａおよび透明部１０ａを得る。

ここで、フォトリソグラフィ法とエッチング法を用いる場合、加工精度の関係上、各透明電極１４ａ、１５ａおよび透明部１０ａの面積は、それぞれ各バス電極１４ｂ、１５ｂおよび遮光部１０ｂの面積よりも大きくする。前面基板１３と各バス電極１４ｂ、１５ｂおよび遮光部１０ｂとの間に、各透明電極１４ａ、１５ａおよび透明部１０ａを介在させるためである。

本実施の形態１では、遮光膜１０をＸ電極１４、Ｙ電極１５と同じ材料で形成する。したがって、上記のようにＸ電極１４、Ｙ電極１５と遮光膜１０とを一括して形成することができるので、製造工程を短縮することができる。

前面基板１３の面１３ａ上にＸ電極１４、Ｙ電極１５および遮光膜１０を形成した後、前面基板１３上に、Ｘ電極１４およびＹ電極１５および遮光膜１０を被覆する誘電体層１７、保護層１８を順次積層して形成する。

（ｂ）また、図１に示す背面基板構造体１２を形成する。背面基板構造体１２は例えば以下のように形成される。

まず、背面基板１９を用意して一方の面（第２の面）にアドレス電極２０を所定のパターンで形成する。次に背面基板１９の表面にアドレス電極２０を覆うように誘電体層２１を形成する。次に誘電体層２１の表面に放電空間２４を区画する隔壁２２を形成する。隔壁２２は、アドレス電極２０に沿って延在するように形成する。次に、隔壁２２で区画された各放電空間２４内に蛍光体部２３を塗布、加熱して形成する。

なお、背面基板構造体１２は、必ずしもこの段階で用意する必要はなく、後述する（ｃ）工程の前に用意すれば良い。
（ｃ）次に前面基板構造体１１の第１の面側と第２基板構造体の第２の面側とを対向させた状態で重ね合わせて組み立てる。

この工程では、各基板構造体１１、１２のいずれかに形成された電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５、アドレス電極２０）が、例えば図２に示すような所定の位置関係となるように位置合わせされた後、重なった状態で固定され、各基板構造体１１、１２の外周を図示しない封着材（例えばシールフリット）などで封着する。

各基板構造体１１、１２の外周が封着された後、少なくともいずれか一方の基板構造体１１、１２に形成された図示しない通気孔を介して放電空間２４の内部空間のガスが排出する。また、その後該通気孔を介して所定の放電ガスが所定の圧力で封入される。放電ガスが封入された後、通気孔を封止して図３に示すＰＤＰ１が得られる。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、Ｘ電極１４およびＹ電極１５を構成する材料と、遮光膜１０を構成する材料とが全く同じ材料を使用する例について説明した。しかし、遮光膜１０を形成することによって、外光に対する反射率を低減し明室コントラストを向上させるという効果を得るためには遮光部１０ｂが形成されていれば良い。

以下図６および図７を用いて本実施の形態２のＰＤＰについて説明する。なお、本実施の形態２で説明するＰＤＰ３０において、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と同様の構造、機能を有する部材には、同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。

図６は本実施の形態１の第１の変形例であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図、図７は図６に示すＣ−Ｃ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。

図６に示す本実施の形態２のＰＤＰ３０と、図４に示すＰＤＰ１との相違点は、図６に示すＰＤＰ３０は遮光膜１０が遮光部１０ｂのみで形成されている点である。

遮光部１０の構成材料は、かならずしもＸ電極１４、Ｙ電極１５と全く同じでなくても良い。つまり、図６および図７に示すように、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の構成材料のうち、遮光性を有する金属材料（例えばＡｇやＣｕ、Ｃｒなど）と共通する金属材料を有していれば良い。

Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の構成材料のうち、遮光性を有する金属材料（例えばＡｇやＣｕ、Ｃｒなど）と共通する金属材料を用いて遮光膜１０を形成することにより、遮光膜１０を前記実施の形態１と同様にＸ電極１４、Ｙ電極１５と一括して形成することはできる。

Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の構成材料のうち遮光性を有する金属材料のみで遮光膜１０を形成する（すなわち、遮光膜１０を遮光部１０ｂのみで形成する）ことにより、図６および図７に示すように、非発光領域１６内の遮光部１０ｂの面積を大きくすることができる。これは、前述した遮光部１０ｂを形成する工程で、透明部１０ａ（図４参照）の上に遮光部１０ｂを形成する必要がないので、フォトリソグラフィ法とエッチング法の加工精度を考慮しても、図４に示す透明部１０ａと同程度の大きさ（つまり、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５や隔壁２２と重ならない範囲の最大限の大きさ）まで遮光部１０ｂを広げることができるためである。

このように、本実施の形態２によれば、ＰＤＰ３０は、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と比較して遮光膜１０の遮光部１０ｂの面積を広げることができるので、非発光領域１６に照射される外光をより効率的に吸収することができる。したがって、明室コントラストをさらに改善することができる。

（実施の形態３）
次に、図８および図９を用いて本実施の形態３であるＰＤＰについて説明する。なお、本実施の形態３で説明するＰＤＰ３５において、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と同様の構造、機能を有する部材には、同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。

図８は本実施の形態３であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図、図９は図８に示すＤ−Ｄ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。

図８に示す本実施の形態３のＰＤＰ３５と、図４に示すＰＤＰ１との相違点は、図８に示すＰＤＰ３５は遮光膜１０の透明部１０ａの面積が遮光部１０ｂの面積よりも小さくなるように形成されている点である。

遮光膜１０の透明部１０ａは、前述したように、外光の正反射の増加を防止して、写り込みの現象を抑制する機能を有している。前記実施の形態２で説明したＰＤＰ３０はこの透明部１０ａ（図８参照）を有していないので、前記実施の形態１のＰＤＰ１と比較してこの写り込みの現象が発生する可能性が高い。

そこで、図８に示すＰＤＰ３５では遮光膜１０が透明部１０ａを有する構造としている。透明部１０ａを形成することにより、写り込みを抑制することができる。

なお、ＰＤＰ３５は、図９に示すように遮光部１０ｂの外縁部が前面基板１３に直接形成された状態となっているので、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と比較すると、写り込みが発生する可能性は若干高い。

しかし、前面基板１３に直接形成される部分は外縁部のみであり、遮光部１０ｂが前面基板１３と接触している面積は透明部１０ａが前面基板１３と接触している面積よりも小さい。したがって、前記実施の形態２で説明したＰＤＰ３０と比較すると写り込みの程度は極めて低い。

また、ＰＤＰ３５は、図８および図９に示すように、遮光膜１０の透明部１０ａの面積が遮光部１０ｂの面積よりも小さくなるように形成されている。透明部１０ａの面積を遮光部１０ｂの面積よりも小さくすることにより、フォトリソグラフィ法とエッチング法の加工精度を考慮しても非発光領域１６内の遮光部１０ｂの面積を大きくすることができる。

このように本実施の形態３によれば、透明部１０ａの面積を遮光部１０ｂの面積よりも小さくすることにより、写り込みの現象を抑制しつつ、かつ、遮光部１０ｂの面積を広げることができるので、非発光領域１６に照射される外光をより効率的に吸収することができる。

（実施の形態４）
次に、図１０および図１１を用いて本実施の形態４のＰＤＰについて説明する。なお、本実施の形態４で説明するＰＤＰ４０において、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と同様の構造、機能を有する部材には、同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。

図１０は本実施の形態４であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図、図１１は図１０に示す領域Ｅをさらに拡大した要部拡大平面図である。

図１０に示す本実施の形態４のＰＤＰ４０と、図４に示すＰＤＰ１との相違点は、図１０に示すＰＤＰ４０が有する遮光膜４１が帯状に形成されている点である。なお、遮光膜４１と図３および図４に示す遮光膜１０との相違点はその形状のみであり、その他の点（材質や製造方法や透明部４１ａと遮光部４１ｂとで構成されている点など）は前記実施の形態１で説明した遮光膜１０と同様であるので繰り返しの説明は省略する。

図１０に示すように、遮光膜４１を帯状に形成することにより、この遮光膜４１を形成する工程で製造効率を向上させることができる。この理由を以下で説明する。

本実施の形態４のＰＤＰ４０は前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と同様の製造工程で製造することができる。

前記実施の形態１で説明したように、遮光膜４１はフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて形成される。ここで、前記実施の形態１で説明したように、遮光膜４１の透明部４１ａおよび遮光部４１ｂを所望のパターンで形成するためには、露光前に所望のパターンで形成されたマスクを被覆させる工程や、エッチング後にレジスト膜を取り除く工程が必要となる。

ここで、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１の場合、遮光膜１０は島状に孤立しているため、このマスクを被覆させる工程、あるいはレジスト膜を剥離する工程は、孤立した遮光膜１０毎に個別に行う必要がある。

一方、本実施の形態４のＰＤＰ４０は遮光部４１が帯状に繋がっているため、このマスクを被覆させる工程、あるいはレジスト膜を剥離する工程において、一括して処理することができる。

このため本実施の形態４によれば、遮光膜４１を形成する工程で製造効率を向上させることができる。

ところで、遮光膜４１を帯状に形成する場合、前記実施の形態１で説明したようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂ、あるいはアドレス電極２０と、遮光膜４１との容量結合を効果的に抑制する必要がある。

そこで、本実施の形態４のＰＤＰ４０は、図１１に示すように隔壁２２と重なる領域（第１領域）４２の遮光膜４１の幅Ｌ４２を、隔壁２２と重ならない領域（第２領域）４３の遮光膜４１の幅Ｌ４３よりも狭くなるように形成した。なお、図１１では幅Ｌ４２、Ｌ４３を遮光部４１ｂの幅として示しているが、透明部４１ａの幅についても同様である。

隔壁２２と重なる領域４２の遮光膜４１の幅Ｌ４２は、上記したマスクを被覆させる工程、あるいはレジスト膜を剥離する工程において、マスクやレジスト膜が切断されない程度の幅を有していれば良く、出来る限り狭くすることが好ましい。

前記実施の形態１で説明したように、遮光膜４１ｂとアドレス電極２０との間に容量結合部が形成される場合、隔壁２２を跨ぐように容量結合部が形成されるとその容量は無視できない程大きくなる。

しかし、本実施の形態４では、隔壁２２と重なる領域４２の遮光膜４１の幅Ｌ４２を狭くすることにより、隔壁２２を跨ぐように形成される容量結合部の遮光膜４１の面積を最小限に留めることができる。

したがって、前記実施の形態１で比較例として説明した図１２および図１３に示すＰＤＰ５０と比較すると、無効電力の増加や駆動マージンの減少の原因となる容量結合を抑制することができる。

なお、本実施の形態４で説明した図１０に示すＰＤＰ４０に前記実施の形態２あるいは前記実施の形態３で説明した構造を適用しても良い。すなわち、図１０に示す遮光膜４１を遮光部４１ｂのみで形成しても良い。また、遮光膜４１の透明部４１ａの面積が遮光部４１ｂの面積よりも小さくなるように形成することもできる。

この場合、前記実施の形態２あるいは前記実施の形態３で説明した効果が得られることは言うまでもない。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、ＰＤＰは、要求性能や駆動方式などに応じて各種構造が存在し、実施の形態１〜４で説明したＰＤＰ１、３０、３５、４０とは異なる構造のＰＤＰにも適用することができる。

例えば、実施の形態１ではＰＤＰの構造例として放電空間２４をライン状（縦方向）に伸びる隔壁（第１の隔壁、縦リブ）２２で区画されるストライプリブと呼ばれる構造について説明した。

しかし、輝度を向上させるなどの目的で、この隔壁２２と略直交方向に交差する横隔壁（第２の隔壁、横リブ）を複数形成し、セル２５毎に隔壁２２と横隔壁で区画するボックスリブと呼ばれる構造もある。

このようにボックスリブ構造のＰＤＰに適用する場合、例えば、実施の形態１で説明した遮光膜１０を隣り合う前記第１の隔壁および隣り合う前記第２の隔壁の間に間隔を空けて島状に形成することで容量結合を抑制することができる。

また、実施の形態４で説明したように、帯状の遮光膜４１を形成する場合は、前記第２の隔壁と重なる領域には遮光膜４１を形成する必要がないので、前記第１の隔壁と重なる領域の遮光膜４１の幅を、前記第１の隔壁と重ならない領域の遮光膜４１の幅よりも狭くなるように形成すれば容量結合を抑制することができる。

本発明は、様々な形式のプラズマディスプレイ装置に適用することができる。例えば、パーソナルコンピュータやワークステーション等のディスプレイ装置、平面型の（壁掛け）テレビジョン、或いは、広告や情報等を表示するための装置として利用されるプラズマディスプレイ装置に対して幅広く適用することができる。

本発明の実施の形態１であるＰＤＰを組み込んだＰＤＰ装置の一例の全体構成を概略的に示すブロック図である。 図１に示すＰＤＰ装置における階調駆動シーケンスの一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態１であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大斜視図である。 図３に示す電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。 図４に示すＡ−Ａ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。 本発明の実施の形態２であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。 図６に示すＣ−Ｃ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。 本発明の実施の形態３であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。 図８に示すＤ−Ｄ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。 本発明の実施の形態４であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。 図１０に示すＥ領域をさらに拡大した要部拡大平面図である。 本発明の比較例であるＰＤＰの電極群、隔壁、および遮光膜の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。 図１２に示すＢ−Ｂ線に沿った断面の一部を拡大して示す要部拡大断面図である。

符号の説明

１、３０、３５、４０、５０ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１０、４１、５１ 遮光膜
１０ａ、４１ａ、５１ａ 透明部
１０ｂ、４１ｂ、５１ｂ 遮光部
１１ 前面基板構造体（第１基板構造体）
１２ 背面基板構造体（第２基板構造体）
１３ 前面基板（第１基板）
１３ａ 面（第１の面）
１４ Ｘ電極（第１電極）
１４ａ Ｘ透明電極（透明電極部）
１４ｂ Ｘバス電極（遮光電極部）
１５ Ｙ電極（第１電極）
１５ａ Ｙ透明電極（透明電極部）
１５ｂ Ｙバス電極（遮光電極部）
１６ 非発光領域
１７ 誘電体層
１８ 保護層
１９ 背面基板（第２基板）
１９ａ 面（第２の面）
２０ アドレス電極（第２電極）
２１ 誘電体層
２２ 隔壁
２３ 蛍光体部
２４ 放電空間
２５ セル
４２ 領域（第１領域）
４３ 領域（第２領域）
ＡＤＲＶ アドレスドライバ
ＣＮＴ 制御回路
ＸＳＵＳＤＲＶ Ｘサステインドライバ
ＹＳＵＳＤＲＶ Ｙサステインドライバ
ＹＳＣＤＲＶ Ｙスキャンドライバ
Ｆ１ １フィールド（フレーム）
ＳＦ サブフィールド（サブフレーム）
ＴＲ 初期化過程（リセット期間）
ＴＡ アドレス過程（アドレス期間）
ＴＳ 表示過程（維持放電期間）
ＤＸ 行方向（第１方向）
ＤＹ 列方向（第２方向）
ＣＡ キャパシタ
Ｌ４２、Ｌ４３ 幅

Claims (9)

1. 放電空間を介して互いに対向する第１基板構造体および第２基板構造体を有し、
   前記第１基板構造体は、
   第１基板と、
   前記第１基板の前記第２基板構造体と対向する第１の面側に第１方向に沿って形成される複数の表示電極対と、
   前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、
   隣り合う２対の前記表示電極対の間に前記第１方向に沿って延在するように形成される非発光領域と、
   前記非発光領域に、前記表示電極対と間隔を空けて形成される複数の遮光膜とを有し、
   前記第２基板構造体は、
   第２基板と、
   前記第２基板の前記第１基板構造体と対向する第２の面側に、前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成されるアドレス電極と、
   前記第２基板の前記第２の面側に形成され、前記放電空間を区画するように前記第２方向に沿って形成される隔壁とを有し、
   前記複数の遮光膜は、
   前記表示電極対を構成する金属材料と共通する金属材料を含んでなり、隣り合う前記隔壁の間に間隔を空けて島状に形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記表示電極対は、可視光に対する遮光性の異なる透明電極部および遮光電極部を有し、
   前記遮光電極部は金属材料で構成され、
   前記遮光膜は、前記透明電極部と同じ材料で構成される透明部と、前記遮光電極部と同じ前記金属材料で構成される遮光部とが前記第１基板の前記第１の面側から順に積層されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
3. 請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記遮光膜の前記透明部の面積は、前記遮光膜の前記遮光部の面積よりも小さいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
4. 請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記表示電極対は、可視光に対する遮光性の異なる透明電極部および遮光電極部を有し、
   前記遮光電極部は金属材料で構成され、
   前記遮光膜は、前記遮光電極部と同じ前記金属材料で構成される遮光部のみで形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
5. 放電空間を介して互いに対向する第１基板構造体および第２基板構造体を有し、
   前記第１基板構造体は、
   第１基板と、
   前記第１基板の前記第２基板構造体と対向する第１の面側に第１方向に沿って形成される複数の表示電極対と、
   前記複数の表示電極対を被覆する誘電体層と、
   隣り合う２対の前記表示電極対の間に前記第１方向に沿って延在するように形成される非発光領域と、
   前記非発光領域に、前記表示電極対と間隔を空けて帯状に形成される遮光膜とを有し、
   前記第２基板構造体は、
   第２基板と、
   前記第２基板の前記第１基板構造体と対向する第２の面側に、前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成されるアドレス電極と、
   前記第２基板の前記第２の面側に形成され、前記放電空間を区画するように前記第２方向に沿って形成される隔壁とを有し、
   前記遮光膜は、
   前記表示電極対を構成する金属材料と共通する金属材料を含んでなり、前記隔壁と重なる第１領域の前記遮光膜の幅は、前記隔壁と重ならない第２領域の前記遮光膜の幅よりも狭いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
6. 請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記表示電極対は、可視光に対する遮光性の異なる透明電極部および遮光電極部を有し、
   前記遮光電極部は金属材料で構成され、
   前記遮光膜は、前記透明電極部と同じ材料で構成される透明部と、前記遮光電極部と同じ前記金属材料で構成される遮光部とが前記第１基板の前記第１の面側から順に積層されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
7. 請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記遮光膜の前記透明部の面積は、前記遮光膜の前記遮光部の面積よりも小さいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
8. 請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記表示電極対は、可視光に対する遮光性の異なる透明電極部および遮光電極部を有し、
   前記遮光電極部は金属材料で構成され、
   前記遮光膜は、前記遮光電極部と同じ前記金属材料で構成される遮光部のみで形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
9. （ａ）第１基板の第１の面に第１方向に沿って複数の表示電極対および複数の遮光膜を一括して形成した後、前記表示電極対を被覆する誘電体層を形成し、第１基板構造体を形成する工程と、
   （ｂ）第２基板の第２の面に前記第１方向と交差する第２方向に沿ってアドレス電極を形成した後、前記第２の面側を複数の放電空間に区画する隔壁を形成し、前記隔壁で区画された放電空間内に蛍光体部を形成した第２基板構造体を形成する工程と、
   （ｃ）前記第１基板構造体の前記第１の面側と、前記第２基板構造体の前記第２の面側とを対向させた状態で重ね合わせる工程とを含み、
   前記複数の遮光膜は、隣り合う２対の前記表示電極対の間にそれぞれ前記第１方向に沿って延在する非発光領域に、前記表示電極対と間隔を空けて帯状に形成され、
   前記隔壁と重なる第１領域の前記遮光膜の幅は、前記隔壁と重ならない第２領域の前記遮光膜の幅よりも狭いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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