JP2009127981A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
WO2012117972A1 (ja) * 2011-03-03 2012-09-07 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
JP6032372B2 (ja) * 2013-09-26 2016-11-30 村田機械株式会社 パージ装置及びパージ方法
JP5960758B2 (ja) * 2014-07-24 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理装置
CN107111972B (zh) * 2014-10-28 2020-04-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
JP2018006533A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理方法及び記憶媒体
CN106548964B (zh) * 2016-12-07 2023-08-22 广东申菱环境系统股份有限公司 一种半导体蚀刻间污染物处理系统
JP2021535583A (ja) * 2018-09-04 2021-12-16 サーフエックス テクノロジーズ エルエルシー 電子材料のプラズマ処理のための装置および方法
KR102374734B1 (ko) * 2021-09-01 2022-03-14 임성연 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법 및 이에 의한 무균 시스템
CN115584475B (zh) * 2022-10-28 2024-06-07 富联科技(兰考)有限公司 镀膜设备的清洁方法与镀膜设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0614472Y2 (ja) * 1987-11-04 1994-04-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JPH04359731A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Mitsubishi Electric Corp 雰囲気作成装置
JPH05299314A (ja) * 1992-04-24 1993-11-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びその装置
JPH08261535A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Sony Corp 排塵装置、半導体処理装置及び蒸着装置
JPH10238833A (ja) * 1997-02-25 1998-09-08 Mitsubishi Electric Corp クリーンルーム
JP3425592B2 (ja) * 1997-08-12 2003-07-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3073978B1 (ja) * 1999-03-09 2000-08-07 ダイキンプラント株式会社 空調設備
JP3936153B2 (ja) * 2001-06-11 2007-06-27 株式会社荏原製作所 環境チャンバ及び基板処理装置並びに基板処理方法
JP5255756B2 (ja) * 2005-08-23 2013-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4533304B2 (ja) * 2005-11-29 2010-09-01 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007187668A (ja) * 2007-01-15 2007-07-26 Shimadzu Corp 放射線アレイセンサーの製造方法

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