KR102374734B1 - 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법 및 이에 의한 무균 시스템 - Google Patents
버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법 및 이에 의한 무균 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법이 개시된다. 일실시예에 따른 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은, 버섯 재배에 필요한 재료와 장비를 저장하는 구역인, 저장 구역을 형성하는 단계; 상기 저장 구역과 연결되고, 상기 재료와 장비를 1차로 세척하고 무균 처리하는 구역인, 예비 처리 구역을 형성하는 단계; 상기 예비 처리 구역과 연결되고, 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능하도록, 상기 예비 처리 구역의 내부 기압에 비해 2.5Pa 이상 3.5Pa 이하의 범위에서 더 높은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제1 무균실 구역을 형성하는 단계; 및 상기 제1 무균실 구역과 연결되고, 상기 제1 무균실 구역의 내부 기압에 비해 1.0Pa 이상 1.5Pa 이하의 범위에서 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제2 무균실 구역을 형성하는 단계; 를 포함하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법일 수 있다.
Description
본 발명은 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법 및 이에 의한 무균 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종을 포함한 버섯 재배에서의 적어도 일 처리를 수행할 수 있는 무균실을 시공하는 방법 또는 이에 의한 무균 시스템에 관한 것이다.
최근 채식주의 식습관이 널리 확산되는 와중에, 채식주의 식습관에서의 중요한 단백질(아미노산) 공급원인 버섯의 수요도 확대되고 있다.
그러나 버섯 원균의 이식 및 증식(배양) 과정, 종균의 접종 과정 또는 그 이후 버섯을 재배하고 포장하는 일련의 과정 중에 환경 관리가 충분히 이루어지지 않아, 시중에 유통되는 버섯 중 인간에게 유해한 균을 갖는 경우가 발생하고 있다.
예를 들어 최근 팽이버섯을 섭취한 사람들이 식중독을 겪는 현상이 발생하였는데, 그 원인이 하수구를 통해 옮겨 붙은 리스테리아균임이 밝혀진 바 있다.
버섯 재배에 관한 종래의 기술을 살펴보면, 배지가 위치한 실내의 온도 및 습도를 측정하는 제1온습도센서와, 이산화탄소 농도를 측정하는 이산화탄소센서와, 실내의 광량을 측정하는 조도센서와, 배지의 온도 및 수분을 측정하는 배지감시모듈과, 배지를 촬영하는 카메라부를 구비하는 재배환경감시부; 직접조명 방식으로 배지를 비추는 제1발광부와, 간접 조명방식으로 배지를 비추는 제2발광부를 구비하는 광원부; 양액을 포함하는 혼합액을 상기 배지로 공급하는 펌프와, 공급되는 혼합액의 양을 측정하는 유량계 및 공급을 차단하는 솔레노이드밸브를 구비하는 양액공급부; 상기 배지감시모듈의 측정결과에 대응하여 상기 양액공급부를 제어하는 연동제어부; 상기 재배환경감시부의 측정값과 상기 유량계의 측정값을 관리자가 소지한 단말기로 전송하는 모니터링부; 로 이루어지는 버섯재배 시스템으로써, 버섯재배에 있어 온도, 습도, CO2농도를 비롯한 다양한 재배 조건을 자동으로 조절하여 최적의 버섯 생장조건을 형성하도록 하는 환경 제거 기술은 개시되어 있다.
하지만 버섯 재배를 위하여 공간 내부를 충분히 무균 처리하는 기술에 관해서는 언급되어 있지 않고, 특히 하수 처리 시설을 어떻게 형성할지에 대해서도 언급된 바 없다.
따라서 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종을 포함한 버섯 재배에서의 적어도 일 처리가 충분한 무균 상태에서 이루어질 수 있도록 무균실을 시공하는 방법 또는 무균 시스템에 관한 기술이 필요하다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종을 포함한 버섯 재배에서의 적어도 일 처리가 충분한 무균 상태에서 이루어질 수 있도록 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법 및 이에 의한 무균 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은, 버섯 재배에 필요한 재료와 장비를 저장하는 구역인, 저장 구역을 형성하는 단계; 상기 저장 구역과 연결되고, 상기 재료와 장비를 1차로 세척하고 무균 처리하는 구역인, 예비 처리 구역을 형성하는 단계; 상기 예비 처리 구역과 연결되고, 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능하도록, 상기 예비 처리 구역의 내부 기압에 비해 2.5Pa 이상 3.5Pa 이하의 범위에서 더 높은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제1 무균실 구역을 형성하는 단계; 및 상기 제1 무균실 구역과 연결되고, 상기 제1 무균실 구역의 내부 기압에 비해 1.0Pa 이상 1.5Pa 이하의 범위에서 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제2 무균실 구역을 형성하는 단계; 를 포함하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는, 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역의 바닥, 내벽 및 천장에 대하여, 기초를 이루는 철근-콘크리트 구조물 표면에 프라이머를 도포하여 프라이머층을 형성하는 단계; 상기 프라이머층의 상부에, 평균 50 ㎛ 내지 500 ㎛의 셀 크기를 갖고 프라이머층과 마주하는 면에는 흡습제가 도포되고 항진균제를 포함하며 25mm 내지 40mm 두께를 갖는 폴리에스테르 발포시트를 사용하여 단열시트를 형성하는 단계; 및 상기 단열시트의 상부에 폴리우레탄계 방수재를 도포하여 방수층을 형성하는 단계를 실행한 이후에, 상기 바닥 및 천장에 대응하는 구역에 대해서는, 상기 방수층을 형성하는 단계 이후에 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 펜타클로로페놀(pentachlorophenol) 또는 살리실아닐리드(salicylanilide)를 1% 첨가한 에폭시수지계 페인트 또는 폴리우레탄계 페인트를 도포하여 항균표면을 형성하는 단계를 실행하고, 상기 내벽에 대응하는 구역에 대해서는, 상기 방수층을 형성하는 단계 이후에 내화성을 갖는 스테인레스 강 또는 표면이 에나멜 코팅된 강을 부착한 다음, 그 표면에 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 펜타클로로페놀(pentachlorophenol) 또는 살리실아닐리드(salicylanilide)를 1% 첨가한 에폭시수지계 페인트 또는 폴리우레탄계 페인트를 도포하여 항균표면을 형성하는 단계를 실행하는 것을 포함하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는, 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역 내부에 전기 장치와 연결된 스위치를 노출시키지 않고 또한 하수구를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는, 가스 배관이 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역 내부로 노출되지 않도록 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역의 내벽에 상기 가스 배관을 매립하는 단계를 더 포함하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법일 수 있다.
일 실시예이 의하면, 상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는, 내부 밝기를 위하여 조명 장치를 설치하되, 상기 조명 장치 일체를 천장에만 설치하고, 상기 조명 장치는 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역 내의 대기에 대류를 형성하지 않는 범위의 열을 발산하도록 선정된 것인, 조명 장치 설치 단계를 더 포함하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법일 수 있다.
본 발명에 의하면, 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종을 포함한 버섯 재배에서의 적어도 일 처리가 충분한 무균 상태에서 이루어질 수 있도록 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법 및 이에 의한 무균 시스템을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은, 버섯 재배에 필요한 재료와 장비를 저장하는 구역인, 저장 구역을 형성하는 단계와 상기 저장 구역과 연결되고, 상기 재료와 장비를 1차로 세척하고 무균 처리하는 구역인, 예비 처리 구역을 형성하는 단계를 포함함으로써, 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종 전에 필요한 사전 작업에 필요한 저장 구역과 예비 처리 구역을, 작업자의 동선 또는 작업의 순서에 맞추어 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은, 상기 예비 처리 구역과 연결되고, 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능하도록, 상기 예비 처리 구역의 내부 기압에 비해 2.5Pa 이상 3.5Pa 이하의 범위에서 더 높은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제1 무균실 구역을 형성하는 단계; 및 상기 제1 무균실 구역과 연결되고, 상기 제1 무균실 구역의 내부 기압에 비해 1.0Pa 이상 1.5Pa 이하의 범위에서 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제2 무균실 구역을 형성하는 단계를 포함함으로써, 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종이 항상 무균 상태가 유지된 제1 무균실에서 이루어지도록 할 수 있다. 특히 예비 처리 구역과 제1 무균실 구역 사이의 차폐가 상실된 경우에도, 제1 무균실 구역이 항상 예비 처리 구역 보다 일정 수준 이상의 양압을 갖도록 하여 제1 무균실 구역의 무균 상태를 상시 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 시공된 버섯 재배 시설을 나타내는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 시공된 버섯 재배 시설을 나타내는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시예들에 대한 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 예시를 위한 목적으로 개시된 것으로서, 다양한 형태로 변경되어 실시될 수 있다. 따라서, 실시예들은 특정한 개시형태로 한정되는 것이 아니며, 본 명세서의 범위는 기술적 사상에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이런 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 해석되어야 한다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예들에서, 별도로 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 실시예에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하에서 우선 버섯 재배와 관련된 용어를 설명한다. 본 명세서에서 다르게 정의되어 있지 않는 한 균주, 원원균, 원균, 종균, 접종원은 아래에서 설명하는 의미를 갖는다.
"균주(菌株)"라 함은 시험관이나 유리접시에 버섯균사가 배양되어 증식능력이 있는 것을 말하며 원원균, 원균으로 구분한다.
"원원균(原原菌)"이라 함은 우량품종으로 육성된 당시에 최초로 증식하여 모균(母菌)으로 보존하고 있는 균주를 말한다.
"원균(原菌)"이라 함은 원원균을 증식하여 종균 제조과정시 접종원의 모체가 되는 균주를 말한다. 또한 국내외에서 유전자원으로 수집한 최초단계의 균주를 포함한다.
"종균(種菌)"이라 함은 버섯재배를 목적으로 곡립, 톱밥 및 영양액 등을 일정용기에 넣어 살균 후 필요로 하는 버섯 균을 순수하게 배양한 것을 말한다.
"접종원(接種源)"이라 함은 원균과 종균의 중간단계로 톱밥, 곡립 및 영양액에 증식용으로 배양한 종균을 말한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은 저장 구역을 형성하는 단계 (S100), 예비 처리 구역을 형성하는 단계 (S200), 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300) 및 제2 무균실 구역을 형성하는 단계 (S400)를 포함한다.
저장 구역을 형성하는 단계 (S100)는 버섯 재배에 필요한 재료와 장비를 저장하는 저장 구역을 형성하는 단계이다.
예비 처리 구역을 형성하는 단계 (S200)는 저장 구역과 연결되고, 재료와 장비를 1차로 세척하고 무균 처리하는 구역인, 예비 처리 구역을 형성하는 단계이다.
제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300)는 예비 처리 구역과 연결된 제1 무균실 구역을 형성하는 단계이다.
제1 무균실 구역은, 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능하도록, 예비 처리 구역의 내부 기압에 비해 2.5Pa 이상 3.5Pa 이하의 범위에서 더 높은 내부 기압을 갖도록 양압 처리될 수 있다.
예비 처리 구역에 비하여 2.5Pa 미만의 기압 차이를 갖도록 양압 처리 되었을 때에는, 예비 처리 구역 내부의 분위기와 제1 무균실 구역 내부의 분위기가 충분히 격리되지 않아 예비 처리 구역 내부로부터 제1 무균실 구역 내부로 공기의 흐름이 발생할 가능성이 있다.
예비 처리 구역에 비하여 3.5Pa 초과의 기압 차이를 갖도록 양압 처리 되었을 때에는, 제1 무균실 구역 내부의 작업자가 장시간 작업을 했을 때 불편함을 느낄 수 있으며, 양압을 유지하기 위한 전력 소모가 과도하여 경제성이 떨어진다.
제2 무균실 구역을 형성하는 단계 (S400)는 제1 무균실 구역과 연결된 제2 무균실 구역을 형성하는 단계이다.
제2 무균실 구역 또한 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능한 환경을 제공할 수 있다.
제2 무균실 구역은 제1 무균실 구역의 내부 기압에 비해 1.0Pa 이상 1.5Pa 이하의 범위에서 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리될 수 있다.
제1 무균실 구역에 비하여 1.0Pa 미만의 차이 만큼 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리 되었을 때에는, 제1 무균실 구역 내부의 분위기와 제2 무균실 구역 내부의 분위기가 충분히 격리되지 않아 제2 무균실 구역 내부로부터 제1 무균실 구역 내부로 공기의 흐름이 발생할 가능성이 있고, 양압을 유지하기 위한 전력 소모가 과도하여 경제성이 떨어진다.
제1 무균실 구역에 비하여 1.5Pa 초과의 차이 만큼 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리 되었을 때에는, 오히려 제1 무균실 구역으로부터 제2 무균실 구역으로 공기 흐름이 발생하고, 이러한 공기 흐름으로 인하여 제1 무균실 구역의 내부 기압 강하가 발생할 수 있다. 이와 같이 제1 무균실 구역의 내부 기압 강하가 발생하면 제1 무균실 전단의 예비 처리 구역으로부터 무균 처리 전의 대기가 유입될 수 있고, 결국 제1 무균실 내부의 분위기가 오염될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은, 버섯 재배에 필요한 재료와 장비를 저장하는 구역인, 저장 구역을 형성하는 단계 (S100)와 저장 구역과 연결되고, 재료와 장비를 1차로 세척하고 무균 처리하는 구역인, 예비 처리 구역을 형성하는 단계 (S200)를 포함함으로써, 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종 전에 필요한 사전 작업에 필요한 저장 구역과 예비 처리 구역을, 작업자의 동선 또는 작업의 순서에 맞추어 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은, 예비 처리 구역과 연결되고, 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능하도록, 예비 처리 구역의 내부 기압에 비해 2.5Pa 이상 3.5Pa 이하의 범위에서 더 높은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300) 및 제1 무균실 구역과 연결되고, 제1 무균실 구역의 내부 기압에 비해 1.0Pa 이상 1.5Pa 이하의 범위에서 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제2 무균실 구역을 형성하는 단계 (S400)를 포함함으로써, 버섯 원균의 이식 및 증식(배양)과 종균의 접종이 항상 무균 상태가 유지된 제1 무균실에서 이루어지도록 할 수 있다. 특히 예비 처리 구역과 제1 무균실 구역 사이의 차폐가 상실된 경우에도, 제1 무균실 구역이 항상 예비 처리 구역 보다 일정 수준 이상의 양압을 갖도록 하여 제1 무균실 구역의 무균 상태를 상시 유지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의하여 시공된 버섯 재배 시설을 나타내는 개념도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법에 따라 시공된 버섯 재배 시설은 저장 구역 (100), 예비 처리 구역 (200), 제1 무균실 구역 (300), 제2 무균실 구역 (400) 및 후처리 구역 (500)을 포함한다.
다른 실시예에 의하면 제2 무균실 구역 (400)과 후처리 구역 (500) 사이에 개재된 별도의 무균실 구역을 더 가질 수 있다. 즉 본 발명의 일 실시예에 의한 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법은 시설의 규모에 따라 무균실의 개수를 더 늘릴 수 있다. 이 경우 제2 무균실 구역 (400) 이후의 추가된 무균실 내부 압력은 제2 무균실 구역 (400)과 실질적으로 동일하게 설정될 수 있다.
일 실시예에 의하면 저장 구역 (100)은 일측이 바깥으로 자유롭게 통하도록 개폐될 수 있고, 일측에서 저장 구역 (100)을 개폐하는 도어는 2 이상 형성될 수 있다.
저장 구역 (100)에는 차량, 버섯 원원균, 무균처리용 장비 및 용기 등이 보유, 저장될 수 있다.
예비 처리 구역 (200)은 저장 구역 (100)과 선택적으로 개폐되도록 형성될 수 있는데, 개폐 장치는 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
예비 처리 구역 (200)에서는 저장 구역 (100)으로부터 전달된 버섯 원원균의 살균, 무균처리용 장비 및 용기의 세척과 살균, 기타 목재 재료(예를 들면 표고목)의 세척 및 살균 작업이 이루어질 수 있다.
일 실시예에 의하면 예비 처리 구역 (200)은 총 3개의 섹션으로 구분될 수 있다. 작업의 용이성을 확보하기 위하여 각 섹션은 에어 커튼 또는 투명 재질의 커튼으로 구분될 수 있다.
3 개의 섹션 중에서 버섯 원원균이 전달되는 섹션 측에는 별도의 세척 작업이 필요하지 않을 수 있으므로, 살균 작업에 필요한 장비들만 배치될 수 있다.
나머지 2개의 섹션은 다시 세척 및 살균 섹션으로 구분될 수 있는데, 저장 구역 (100)과 가까운 쪽이 세척 섹션으로 이루어질 수 있다.
제1 무균실 구역 (300)은 예비 처리 구역 (200)과 선택적으로 개폐되도록 형성될 수 있는데, 개폐 장치는 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면 개폐 장치는 제1 무균실 구역 (300)과 예비 처리 구역 (200) 사이의 연결 통로 양측에 대해 총 2개 형성될 수 있고, 각각의 개폐 장치는 모두 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
제1 무균실 구역 (300)과 예비 처리 구역 (200) 사이의 연결 통로는 예비 처리 구역 (200)과 저장 구역 (100) 사이의 연결 통로보다 높이 방향 단면적이 더 넓고 길이는 더 길게 형성될 수 있다. 이로써 제1 무균실 구역 (300)과 예비 처리 구역 (200) 사이의 차폐가 상실되더라도 예비 처리 구역 (200)으로부터 제1 무균실 구역 (300)으로의 공기 흐름이 급속도로 빨라지지 않도록 할 수 있다. 따라서 제1 무균실 구역 (300)의 무균 상태의 상실을 방지할 수 있다.
제2 무균실 구역 (400)은 제1 무균실 구역 (300)과 선택적으로 개폐되도록 형성될 수 있는데, 개폐 장치는 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면 개폐 장치는 제2 무균실 구역 (400)과 제1 무균실 구역 (300) 사이의 연결 통로 양측에 대해 총 2개 형성될 수 있고, 각각의 개폐 장치는 모두 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
제2 무균실 구역 (400)과 제1 무균실 구역 (300) 사이의 연결 통로는 예비 처리 구역 (200)과 저장 구역 (100) 사이의 연결 통로보다 높이 방향 단면적이 더 넓고 길이는 더 길게 형성될 수 있다. 이로써 제2 무균실 구역 (400)과 제1 무균실 구역 (300) 사이의 차폐가 상실되더라도 제2 무균실 구역 (400)으로부터 제1 무균실 구역 (300)으로의 공기 흐름이 급속도로 빨라지지 않도록 할 수 있다. 따라서 제1 무균실 구역 (300)의 무균 상태의 상실을 방지할 수 있다.
후처리 구역 (500)은 제2 무균실 구역 (400)의 후단에 형성될 수 있으며, 제2 무균실 구역 (400)의 후단에 추가 무균실 구역이 형성되는 경우에는 가장 마지막 무균실 구역의 다음 단에 형성될 수 있다.
후처리 구역 (500)은 제2 무균실 구역 (400)과 선택적으로 개폐되도록 형성될 수 있는데, 개폐 장치는 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면 개폐 장치는 후처리 구역 (500)과 제2 무균실 구역 (400) 사이의 연결 통로 양측에 대해 총 2개 형성될 수 있고, 각각의 개폐 장치는 모두 도어와 에어 커튼의 2중 방식으로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300)는 프라이머층을 형성하는 단계 (S310), 단열시트를 형성하는 단계 (S320), 방수층을 형성하는 단계 (S330) 및 항균표면을 형성하는 단계 (S340)를 포함한다.
일 실시예에 의하면 제2 무균실 구역을 형성하는 단계 (S400) 또한 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300)과 동일한 단계를 포함하도록 구성되므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.
일 실시예에 의하면 프라이머층을 형성하는 단계 (S310)는 제1 무균실 구역의 바닥, 내벽 및 천장에 대하여, 기초를 이루는 철근-콘크리트 구조물 표면에 프라이머를 도포하여 프라이머층을 형성하는 단계일 수 있다.
프라이머층을 형성하는 단계 (S310)에 의하여 형성된 프라이머층은 콘크리트와, 단열시트를 형성하는 단계 (S320)에서 적층되는 단열시트와의 결합력을 향상시켜주는 역할을 한다.
프라이머층을 형성하는 단계 (S310)는 폴리에폭시 조성물을 도포하여 수행된다.
폴리에폭시 조성물은 전체 조성물 100 중량부에 대하여 이소시아네이트 25 내지 40중량부, 용매 10 내지 20 중량부, 아민 10 내지 25 중랴부, 에폭시 레진 1 내지 5 중량부 및 점도조절제 20 내지 30 중량부를 혼합하여 형성될 수 있다.
아민은 3,5 디에틸톨루엔-2,4/2,6-디아민(Diethyltoluene-2,4/2,6-diamine) 30 내지 40중량부; 4,4비스(2-클로로아닐린)[4,4bis(2-chloroaniline)] 5 내지 10 중량부; 및 4,4'-메틸렌 비스[N-(1-메틸프로필)벤젠아민](4,4'-methylene Bis[N-(1-methylpropyl)benzenamine] 3 내지 5 중량부를 혼합한 것일 수 있다.
에폭시 레진은 4,4'-(1-methylethylidene)bisphenol polymer with (chloromethyl)oxirane일 수 있다.
이에 따라, 이소시아네이트와 아민과의 화학반응시 일반적으로 사용되고 있는 이소시아네이트와 폴리올의 화학반응 속도보다 수십 배 내지 수백 배 빠른 경화속도를 구현한다.
프라이머층을 형성하는 단계 (S310)는 폴리에폭시 조성물을 콘크리트 바닥으로부터 약 1mm 내지 3mm의 두께를 갖도록 도포하는 단계일 수 있다.
단열시트를 형성하는 단계 (S320)는 프라이머층의 상부에, 평균 50 ㎛ 내지 500 ㎛의 셀 크기를 갖고 프라이머층과 마주하는 면에는 흡습제가 도포되고 항진균제를 포함하며 25mm 내지 40mm 두께를 갖는 폴리에스테르 발포시트를 사용하여 단열시트를 형성하는 단계일 수 있다.
단열시트를 형성하는 단계 (S320)는 프라이머층의 상부에 일정 두께의 폴리에스테르 발포시트를 사용하여 고강도의 단열층을 형성하는 역할을 한다.
폴리에스테르 발포시트는 90% 이상의 셀이 폐쇄 셀(DIN ISO4590)일 수 있다. 이는, 상기 발포시트의 DINISO4590에 따른 측정값이 셀 중 90%(v/v) 이상이 폐쇄 셀임을 의미할 수 있다. 예를 들어, 발포시트 중 폐쇄 셀은 90 내지 100% 또는 95 내지 100%일 수 있다. 본 발명의 폴리에스테르 발포시트는 상기 범위 내의 폐쇄셀을 갖는 발포층을 포함함으로써, 우수한 단열특성을 구현할 수 있다.
폴리에스테르 발포시트는 폴리에스테르 수지를 발포시켜 형성된 것으로, 폴리에스테르 수지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(Polybutylene Terephthalate, PBT), 폴리락트산(Poly Lactic acid, PLA), 폴리글리코르 산(Polyglycolic acid, PGA), 폴리프로필렌(Polypropylene, PP), 폴리에틸렌(Polyethylene, PE), 폴리에틸렌 아디파트(Polyehtylene adipate, PEA), 폴리하이드로시알카노에이트(Polyhydroxyalkanoate, PHA), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(Polytrimethylene Terephthalate, PTT) 및 폴리에틸렌 나프탈렌(Polyethylene naphthalate, PEN)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
구체적으로, 폴리에스테르 수지는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET) 수지일 수 있다.
폴리에스테르 발포시트는 1mm 내지 20mm, 1mm 내지 10mm 또는 1mm 내지 20mm의 두께를 가질 수 있다.
또한, 폴리에스테르 발포시트는 평균 50 ㎛ 내지 500 ㎛, 50 ㎛ 내지 300 ㎛ 또는 50 ㎛ 내지 200 ㎛의 셀 크기를 가질 수 있다. 상기와 같은 두께 및 셀 크기를 가짐으로써, 본 발명의 단열시트는 우수한 강도 및 단열성을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면 폴리에스테르 발포시트는 50 MPa 내지 500 MPa, 50 MPa 내지 300 MPa 또는 50 MPa 내지 150 MPa의 굴곡강도를 가질 수 있다. 이때 굴곡강도는 ASTM D790에 의거하여 측정된 굴곡강도이다.
또한, 폴리에스테르 발포시트는 흡습제를 포함하여 콘크리트로부터 발생하는 수분을 흡수하여 결로가 생기는 것을 방지할 수 있다.
구체적으로, 폴리에스테르 발포시트는 폴리에스테르 수지를 흡습제와 혼합한 후 발포한 것이거나, 폴리에스테르 수지를 발포시킨 폴리에스테르 발포시트의 적어도 일면에 흡습제를 분산시킨 것일 수 있다.
폴리에스테르 발포시트는 적어도 일면에 점착층을 형성할 수 있다. 또한, 폴리에스테르 발포시트의 일면에 점착층이 형성된 경우, 발포시트에 형성된 점착층은 이형 필름을 구비할 수 있다. 이형 필름은 항균시트를 적층시켜 형성할 경우 제거될 수 있다.
예를 들어, 폴리에스테르 발포시트의 적어도 일면에 흡습제가 분산된 경우, 흡습제가 분산된 일면은 프라이머층에 맞닿도록 적층될 수 있고, 다른 일면에는 항균시트와의 접착력을 향상시키기 위해 점착층이 형성될 수 있다.
방수층을 형성하는 단계 (S330)는 단열시트를 형성하는 단계 (S320) 이후에 실행될 수 있으며, 단열시트의 상부에 폴리우레탄계 방수재를 도포하여 방수층을 형성하는 단계일 수 있다.
항균표면을 형성하는 단계 (S340)는 바닥 및 천장에 대응하는 구역에 대해서는, 방수층을 형성하는 단계 이후에 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 펜타클로로페놀(pentachlorophenol) 또는 살리실아닐리드(salicylanilide)를 1% 첨가한 에폭시수지계 페인트 또는 폴리우레탄계 페인트를 도포하여 항균표면을 형성하는 단계일 수 있고, 내벽에 대응하는 구역에 대해서는, 방수층을 형성하는 단계 이후에 내화성을 갖는 스테인레스 강 또는 표면이 에나멜 코팅된 강을 부착한 다음, 그 표면에 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 펜타클로로페놀(pentachlorophenol) 또는 살리실아닐리드(salicylanilide)를 1% 첨가한 에폭시수지계 페인트 또는 폴리우레탄계 페인트를 도포하여 항균표면을 형성하는 단계일 수 있다.
제1 무균실 구역에 있어서 내부 분위기에 노출되는 내부 전체에 대해 항균표면을 형성함으로써, 무균상태를 지속적으로 유지시킬 수 있다.
특히 작업자의 터치가 잦은 내벽 부위에 대해서는 내화성을 갖는 스테인레스 강 또는 표면이 에나멜 코팅된 강을 방수층과 항균표면 사이에 개재시켜 내벽 부위가 항균 성능 뿐만 아니라 화재 방지 기능도 발휘하도록 할 수 있다.
일 실시예에 의하면 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300)는 프라이머층을 형성하는 단계 (S310) 내지 항균표면을 형성하는 단계 (S340)를 실행하면서 제1 무균실 구역 내부에 전기 장치와 연결된 스위치를 노출시키지 않고 또한 하수구를 형성하지 않도록 형성할 수 있다.
제1 무균실 구역 내부에 전기 장치와 연결된 스위치를 노출시키지 않음으로써 작업자가 불필요하게 내벽을 터치하지 않도록 하여 내부 작업간 무균 상태를 더 잘 유지시킬 수 있다.
제1 무균실 구역 내부에 하수구를 형성하지 않음으로써 하수구를 통해서 외부 균이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
한편 하수구를 형성하지 않는 대신에 작업자가 제1 무균실 구역 (300) 내부의 청소를 쉽게 수행할 수 있도록 제1 무균실 구역 (300)과 인접한 다른 구역들(예비 처리 구역 및 제2 무균실 구역) 사이에 바닥부 턱이 없도록 형성할 수 있다. 또한 제1 무균실 구역 (300) 바닥 경사를 제1 무균실 구역 (300) 중심에서부터 바깥을 향하도록 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예를 나타내는 순서도이다. 본 발명의 일 실시예에 의하면 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 (S300)는 프라이머층을 형성하는 단계 (S310) 이전에 가스 배관을 매립하는 단계 (S301) 및 조명 장치 설치 단계 (S302)를 더 포함한다.
일 실시예에 의하면 가스 배관을 매립하는 단계 (S301)는 가스 배관이 제1 무균실 구역 (300) 내부로 노출되지 않도록 제1 무균실 구역 (300) 내벽에 상기 가스 배관을 매립하는 단계일 수 있다.
이로써 제1 무균실 구역 (300) 의 무균 상태를 확보하는 한편 무균실 구역에서 사용하는 각종 화학약품으로 인한 발화 또는 폭발을 예방할 수 있다.
일 실시예에 의하면 조명 장치 설치 단계 (S302)는 내부 밝기를 위하여 조명 장치를 설치하되, 조명 장치 일체를 천장에만 설치하고, 조명 장치는 제1 무균실 구역 (300) 내의 대기에 대류를 형성하지 않는 범위의 열을 발산하도록 선정된 것인, 조명 장치 설치 단계일 수 있다.
이로써 조명 장치로 인하여 제1 무균실 구역 (300) 내부에 대류가 발생하고, 무균 상태가 상실되는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
100: 저장 구역
200: 예비 처리 구역
300: 제1 무균실 구역
400: 제2 무균실 구역
500: 후처리 구역
200: 예비 처리 구역
300: 제1 무균실 구역
400: 제2 무균실 구역
500: 후처리 구역
Claims (3)
- 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법으로서,
버섯 재배에 필요한 재료와 장비를 저장하는 구역인, 저장 구역을 형성하는 단계;
상기 저장 구역과 연결되고, 상기 재료와 장비를 1차로 세척하고 무균 처리하는 구역인, 예비 처리 구역을 형성하는 단계;
상기 예비 처리 구역과 연결되고, 무균 처리가 완료된 재료와 장비에 대해 무균 상태가 유지됨으로써 버섯 원균의 이식 및 증식과 버섯 종균의 접종이 가능하도록, 상기 예비 처리 구역의 내부 기압에 비해 2.5Pa 이상 3.5Pa 이하의 범위에서 더 높은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제1 무균실 구역을 형성하는 단계; 및
상기 제1 무균실 구역과 연결되고, 상기 제1 무균실 구역의 내부 기압에 비해 1.0Pa 이상 1.5Pa 이하의 범위에서 더 낮은 내부 기압을 갖도록 양압 처리된, 제2 무균실 구역을 형성하는 단계;
를 포함하고,
상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는,
상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역의 바닥, 내벽 및 천장에 대하여,
기초를 이루는 철근-콘크리트 구조물 표면에 프라이머를 도포하여 프라이머층을 형성하는 단계;
상기 프라이머층의 상부에, 평균 50 ㎛ 내지 500 ㎛의 셀 크기를 갖고 프라이머층과 마주하는 면에는 흡습제가 도포되고 항진균제를 포함하며 25mm 내지 40mm 두께를 갖는 폴리에스테르 발포시트를 사용하여 단열시트를 형성하는 단계; 및
상기 단열시트의 상부에 폴리우레탄계 방수재를 도포하여 방수층을 형성하는 단계를 실행한 이후에,
상기 바닥 및 천장에 대응하는 구역에 대해서는, 상기 방수층을 형성하는 단계 이후에 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 펜타클로로페놀(pentachlorophenol) 또는 살리실아닐리드(salicylanilide)를 1% 첨가한 에폭시수지계 페인트 또는 폴리우레탄계 페인트를 도포하여 항균표면을 형성하는 단계를 실행하고,
상기 내벽에 대응하는 구역에 대해서는, 상기 방수층을 형성하는 단계 이후에 내화성을 갖는 스테인레스 강 또는 표면이 에나멜 코팅된 강을 부착한 다음, 그 표면에 8-하이드록시퀴놀린(8-hydroxyquinoline), 펜타클로로페놀(pentachlorophenol) 또는 살리실아닐리드(salicylanilide)를 1% 첨가한 에폭시수지계 페인트 또는 폴리우레탄계 페인트를 도포하여 항균표면을 형성하는 단계를 실행하는 것을 포함하고,
상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는, 가스 배관이 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역 내부로 노출되지 않도록 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역의 내벽에 상기 가스 배관을 매립하는 단계를 더 포함하고,
내부 밝기를 위하여 조명 장치를 설치하되, 상기 조명 장치 일체를 천장에만 설치하고, 상기 조명 장치는 상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역 내의 대기에 대류를 형성하지 않는 범위의 열을 발산하도록 선정된 것인, 조명 장치 설치 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1 무균실 구역을 형성하는 단계 및 상기 제2 무균실 구역을 형성하는 단계는,
상기 제1 무균실 구역 및 상기 제2 무균실 구역 내부에 전기 장치와 연결된 스위치를 노출시키지 않고 또한 하수구를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는, 버섯 재배를 위한 무균실 시공 방법. - 삭제
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