CN106548964B - 一种半导体蚀刻间污染物处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体蚀刻间污染物处理系统，包括设置于蚀刻间外的新风机，将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间，设置于半导体清洗机上方的排风罩，通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统，通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统，以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元。本发明提供的半导体蚀刻间污染物处理系统有效去除了半导体生产过程中产生的分子级污染物，提高了半导体生产的洁净度。

Description

一种半导体蚀刻间污染物处理系统
技术领域
本发明涉及废气处理领域，特别涉及一种半导体蚀刻间污染物处理系统。
背景技术
半导体生产工艺中，半导体的清洗和蚀刻等过程产生大量的分子级污染物，为了防止污染，实际生产中设置用于加工半导体的蚀刻间，并对室外引入的新风进行简单过滤处理，因此污染有效去除蚀刻间因半导体加工产生的污染物，因此不能保证半导体生产所需的洁净度，最终影响半导体成品的质量。
可见，现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种半导体蚀刻间污染物处理系统，旨在有效处理半导体生产过程中产生的污染物并提高半导体生产的洁净度。
为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
一种半导体蚀刻间污染物处理系统，包括设置于蚀刻间外的新风机，所述新风机通过管道与蚀刻间侧面的回风夹道连接，还包括将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间，设置于半导体清洗机上方的排风罩，通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统，通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统，以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述有机废气处理系统包括沸石转轮浓缩设备和焚化炉。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述无机废气处理系统包括一水洗式洗涤塔。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述连接水洗式洗涤塔与排风罩的管道中还设置有第一化学过滤器。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述蚀刻间的下方连通有回风层，所述回风层与回风夹道之间设置有水喷淋设备。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述蚀刻间与回风层之间设置有第二化学过滤器。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述第二化学过滤器包括上下两层叠置的圆筒化学过滤器，上层化学过滤器填装有经氢氧化钾浸渍过的活性炭，下层化学过滤器填装有经硫酸铜和硫酸浸渍过的活性炭。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，各个所述风机过滤单元的入口分别设置有第三化学过滤器。
有益效果：
本发明提供了一种半导体蚀刻间污染物处理系统，包括设置于蚀刻间外的新风机，将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间，设置于半导体清洗机上方的排风罩，通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统，通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统，以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元。本发明提供的半导体蚀刻间污染物处理系统有效去除了半导体生产过程中产生的分子级污染物，提高了半导体生产的洁净度。
附图说明
图1为本发明提供的半导体蚀刻间污染物处理系统的结构示意图。
图2为本发明提供的半导体蚀刻间污染物处理系统中，第二化学过滤器的结构示意图。
图3为为本发明提供的半导体蚀刻间污染物处理系统中，第三化学过滤器及风机过滤单元的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种半导体蚀刻间污染物处理系统，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明提供一种半导体蚀刻间污染物处理系统。
所述的半导体蚀刻间污染物处理系统包括设置于蚀刻间901外的新风机10，所述新风机10通过管道与蚀刻间901侧面的回风夹道903连接，还包括将半导体清洗机801、蚀刻机802在蚀刻间901中进行隔离的隔离间91，设置于半导体清洗机801上方的排风罩401，通过管道与所述排风罩401连通的无机废气处理系统，通过管道与所述隔离间91下部连通的有机废气处理系统，以及设置于蚀刻间901及隔离间91上方的若干个风机过滤单元20。
具体地，设置于蚀刻间上方的风机过滤单元吸入循环风经过滤后垂直向下送入蚀刻间，进一步进入蚀刻间侧面的回风夹道；所述新风机吸入室外新风进行净化处理后输送至回风夹道与循环风混合，混合后的循环风送至蚀刻间上方，如此形成循环，保证了蚀刻间空气的洁净。此外，半导体清洗机、蚀刻机（通常还包括其他工艺设备）被隔离间隔离开来，操作人员位于隔离间外，蚀刻间上方的风机过滤单元将循环风的分子级污染物过滤将循环风垂直送入隔离间。半导体蚀刻前通常需要进行清洗，该工艺过程中产生的分子级污染物主要是酸性、碱性废气，设置于半导体清洗机上方的排风罩手机所述酸性、碱性废气并输送至后续的无机废气处理系统进行处理，然后排放至大气。半导体蚀刻去胶工艺中产生的分子级污染物主要是有机废气，通过垂直向下的气流送入连通蚀刻间下方的无机废气处理系统，经处理后排放至大气。由此可见，本发明通过设置隔离间以及与隔离间连通的无机废气处理系统和有机废气处理系统，有效地去除了半导体加工过程中产生的废气，保证了半导体生产的洁净度，因此提高了半导体成品的质量。
由于半导体加工过程中产生的分子级污染物主要在隔离间中，优选地，在隔离间的上方布满风机过滤单元，以提高隔离间空气的洁净度;而在隔离区以外的蚀刻间的上方设置的风机过滤单元数量可相对减少。
进一步的，所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述有机废气处理系统包括沸石转轮浓缩设备501和焚化炉502。所述沸石转轮浓缩设备501用于将收集的有机废气处理为低风量、高浓度的废气，然后送至焚化炉502焚烧处理。
进一步的，所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述无机废气处理系统包括一水洗式洗涤塔403。所述水洗式洗涤塔403对酸性、碱性废气进行水洗，处理后的废气排放至大气。水洗式洗涤塔对酸性、碱性废气的吸收效率高且成本低，因此在满足无机废气处理效果的同时降低了制作成本。
进一步的，所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述连接水洗式洗涤塔403与排风罩401的管道中还设置有第一化学过滤器402。具体地，所述第一化学过滤器402为筒式化学过滤器，排风罩收集的无机废气经第一化学过滤器进行预处理，再经水洗式洗涤塔进行吸收，因此提高了无机废气的处理效果。
进一步的，所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述蚀刻间901的下方连通有回风层902，所述回风层902与回风夹道903之间设置有水喷淋设备30。所述水喷淋设备30对回风层的循环风进行净化处理，进一步提高了循环风的洁净度。
进一步的，所述的半导体蚀刻间污染物处理系统中，所述蚀刻间901与回风层之间902设置有第二化学过滤器60。所述第二化学过滤器60对循环风中的分子级污染物进一步过滤吸收，提高了循环风的洁净度。实际应用中，蚀刻间901与回风层之902间通过透风的高架地板连接，第二化学过滤器60设置于高架地板之下。为了提高净化效果，通常将高架地板下方布满第二化学过滤器60。
图2示出了所述第二化学过滤器的结构，包括上下两层叠置的圆筒化学过滤器，上层圆筒化学过滤器601填装有经氢氧化钾浸渍过的活性炭，下层圆筒化学过滤器602填装有经硫酸铜和硫酸浸渍过的活性炭，使得所述第二化学过滤器60对分子级污染物的吸附能力大大提高，进一步提高了蚀刻间及隔离间空气的洁净度。
请参阅图3，进一步的，所述的半导体蚀刻间污染物处理系统种，各个所述风机过滤单元20的入口分别设置有第三化学过滤器21。具体地，所述风机过滤单元20包括轴流风机201、设置于轴流风机201出口侧的高效过滤器202、以及控制风机运行的控制器203。所述第三化学过滤器为板式化学过滤器，设置于轴流风机的进口侧，循环风经过第三化学过滤器净化处理后再进入风机过滤单元，因此进一步提到了蚀刻间及隔离间的洁净度。
综上所述，本发明提供了一种半导体蚀刻间污染物处理系统，包括设置于蚀刻间外的新风机，将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间，设置于半导体清洗机上方的排风罩，通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统，通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统，以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元，有效去除了半导体生产过程中产生的分子级污染物，并保证了循环风的洁净度，因此提高了半导体生产的洁净度。通过在蚀刻间与回风层之间设置第二化学过滤器，在回风层与回风夹道之间设置水喷淋装置，以及在风机过滤单元进口设置第三化学过滤装置，进一步提高了循环风的洁净度，即提高了半导体生产的洁净度。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (5)

1.一种半导体蚀刻间污染物处理系统，包括设置于蚀刻间外的新风机，所述新风机通过管道与蚀刻间侧面的回风夹道连接，其特征在于，还包括将半导体清洗机、蚀刻机在蚀刻间中进行隔离的隔离间，设置于半导体清洗机上方的排风罩，通过管道与所述排风罩连通的无机废气处理系统，通过管道与所述隔离间下部连通的有机废气处理系统，以及设置于蚀刻间及隔离间上方的若干个风机过滤单元；所述有机废气处理系统包括沸石转轮浓缩设备和焚化炉，所述沸石转轮浓缩设备用于将收集的有机废气处理为低风量、高浓度的废气；所述无机废气处理系统包括一水洗式洗涤塔；所述连接水洗式洗涤塔与排风罩的管道中还设置有第一化学过滤器。
2.根据权利要求1所述的半导体蚀刻间污染物处理系统，其特征在于，所述蚀刻间的下方连通有回风层，所述回风层与回风夹道之间设置有水喷淋设备。
3.根据权利要求2所述的半导体蚀刻间污染物处理系统，其特征在于，所述蚀刻间与回风层之间设置有第二化学过滤器。
4.根据权利要求3所述的半导体蚀刻间污染物处理系统，其特征在于，所述第二化学过滤器包括上下两层叠置的圆筒化学过滤器，上层化学过滤器填装有经氢氧化钾浸渍过的活性炭，下层化学过滤器填装有经硫酸铜和硫酸浸渍过的活性炭。
5.根据权利要求4所述的半导体蚀刻间污染物处理系统，其特征在于，各个所述风机过滤单元的入口分别设置有第三化学过滤器。
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