JP2009019022A - 感放射線性化合物及びフォトレジスト組成物 - Google Patents
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1.光又は放射線の照射により酸を発生する基が中心骨格部に結合して成る下記式(I)で表される感放射線性化合物。
2.下記式(II)で表される構造を有する環状化合物である1に記載の感放射線性化合物。
R2はそれぞれ水素、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3〜12の分岐を有する脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3〜20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10の芳香族基、アルコキシアルキル基、シリル基、又はこれらの基と二価の基(置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基、置換もしくは無置換のシリレン基、これらの基が2以上結合してなる基、又はこれらの基とエステル基、炭酸エステル基、エーテル基が結合してなる基)とが結合した構造を有する基である。
Arは炭素数の6〜10のアリーレン基、炭素数6〜10のアリーレン基を2つ以上組み合わせた基;炭素数6〜10のアリーレン基と、アルキレン基及びエーテル基の少なくとも一方を1つ以上組み合わせた基であり、A1は単結合、アルキレン基、エーテル基、又はアルキレン基とエーテル基を2つ以上組み合わせた基であり、yは0〜3の整数、zは1〜5の整数を表す。)
但し、R1の少なくとも1つ、又はR2の少なくとも1つは、光又は放射線の照射により酸を発生する基である。]
3.前記光又は放射線の照射により酸を発生する基が、有機酸の塩を有する基である1又は2に記載の感放射線性化合物。
4.前記光又は放射線の照射により酸を発生する基がスルホン酸のオニウム塩である1〜3のいずれかに記載の感放射線性化合物。
5.前記スルホン酸のオニウム塩が、下記式(3)〜(6)で表される基のいずれかである4に記載の感放射線性化合物。
R12、R13及びR14はそれぞれ、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基(カルボニル基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基又はラクトン環を含んでいても良い)、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基、又はチオフェニル基であり、R12とR13、R13とR14、R12とR14がそれぞれ結合して環を形成しても良い。
R15及びR16はそれぞれアリール基であり、R15とR16がそれぞれ結合して環を形成していても良い。
R17は、一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基(カルボニル基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基又はラクトン環を含んでいても良い)、一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い炭素数6〜20のアリール基、一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い炭素数7〜20のアラルキル基、又はチオフェニル基である。)
6.上記1〜5のいずれかに記載の感放射線性化合物からなる光酸発生剤。
7.上記1〜5のいずれかに記載の感放射線性化合物を含有するフォトレジスト基材。
8.上記7に記載のフォトレジスト基材と溶剤を含有するフォトレジスト組成物。
9.さらに、塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する8に記載のフォトレジスト組成物。
10.さらに、光酸発生剤を含有する8又は9に記載のフォトレジスト組成物。
11.上記8〜10のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。
12.上記11に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。
炭素数1〜12の直鎖状脂肪族炭化水素基としては、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が好ましい。
炭素数3〜12の分岐を有する脂肪族炭化水素基としては、t−ブチル基、iso−プロピル基、iso−ブチル基、2−エチルヘキシル基等が好ましい。
炭素数3〜20の環状脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビアダマンチル基、ジアマンチル基等が好ましい。
炭素数3〜12の分岐を有する脂肪族炭化水素基としては、t−ブチル基、iso−プロピル基、iso−ブチル基、2−エチルヘキシル基等が好ましい。
炭素数3〜20の環状脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビアダマンチル基、ジアマンチル基等が好ましい。
炭素数6〜10の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基等が好ましい。
アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、アダマンチルオキシメチル基等が好ましい。
シリル基としては、トリメチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基等が好ましい。
二価の基としては、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基、置換もしくは無置換のシリレン基、これらの基が2以上結合してなる基、又はこれらの基とエステル基、炭酸エステル基、エーテル基が結合してなる基が2以上結合してなる基が挙げられる。
アルキレン基としてはメチレン基、メチルメチレン基等が好ましく、アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
なかでもフェニレン基、ビフェニレン基、オキシジフェニレン基が好ましい。
アルキレン基とエーテル基を2つ以上組み合わせた基としては、オキシメチレン基、オキシジメチルメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基が好ましい。
R2の具体例は、上述したR3と同様である。
酸発生基としては、例えば、有機酸の塩を有する基が挙げられる。
アルキレン基としては、炭素数1〜5の直鎖状の基、又はメチル基等の置換基を有する基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基等の環状の基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
尚、アルキレン基又はアリーレン基の水素原子の一部又は全てがハロゲン原子で置換されていても良い。
炭素数6〜20のアリール基としては、フェニル基、キシリル基、トリル基、ナフチル基等が好ましく、特に6〜10のアリール基が好ましい。
炭素数7〜20のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等が好ましく、特に7〜12のアラルキル基が好ましい。
チオフェニル基としては、チオフェン−2−イル、チオフェン−3−イルであり、2−置換−2−オキソエチル基であってもよい。
また、R12とR13、R13とR14、R12とR14がそれぞれ結合して環を形成しても良い。
アリール基としては、フェニル基、キシリル基、トリル基、ナフチル基等の炭素数6〜20のものが好ましく、特に炭素数6〜10のアリール基が好ましい。
尚、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はチオフェニル基の具体例は、上述したR12等と同様である。また、これらの基の一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い。
以下にR17を含む対イオン部の例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
さらに、フォトレジスト基材となる化合物が、酸発生基と酸解離性溶解抑止基を共に有することにより、製膜後の膜中における組成物の分散均一性が従来の光酸発生剤を添加剤としてレジストに加えているものに比べて向上する。その結果として、光照射により酸が発生する時の分布が均一になり、解像度及びパターンラフネスが向上する。
尚、上記式(1)及び(2)のR3が酸解離性溶解抑止基であってもよい。
用いる酸性水溶液の種類、イオン交換樹脂の種類は、除去すべき塩基性不純物の量や種類、又は処理する基材の種類等に応じて、最適なものを適宜選択すればよい。
使用する溶媒は、フォトレジスト基材の溶解度や製膜特性等に合わせて適宜選択すればよい。
光酸発生剤としては、上述した本発明の光酸発生剤や、以下の構造で例示される公知のものの他、同様の作用を持つ他の化合物であっても一般に使用できる。好ましいPAGの種類及び量は、本発明の基材、所望する微細パターンの形状やサイズ等に合わせて規定できる。
クエンチャーには、フォトレジスト組成物への溶解度やフォトレジスト層における分散性や安定性の観点から、塩基性有機化合物を用いることが好ましい。具体的には、キノリン、インドール、ピリジン、ビピリジン等のピリジン類の他、ピリミジン類、ピラジン類、ピペリジン、ピペラジン、ピロリジン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、トリエチルアミン、トリオクチルアミン等の脂肪族アミン類の他、水酸化テトラブチルアンモニウム等が上げられる。
尚、好ましいクエンチャーの種類及び量は、本発明の基材、PAG、所望する微細パターンの形状やサイズ等に合わせて規定できる。
本発明のフォトレジスト組成物は、スピンコーティング、ディップコーティング、ペインティング等の方法により液体コーティング組成物として基板に塗布し、溶媒を除くため、フォトレジストコーティング層が不粘着性になるまで、例えば80℃〜160℃に加熱して乾燥するのが一般的である。また、基板との密着性向上等の目的で、例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS)等を中間層として用いることができる。これらの条件は、用いる基材や溶媒の種類、あるいは、所望のフォトレジスト層の膜厚等に合わせて規定できる。
撹拌洗浄の後、再びろ過して取り出し、同じ洗浄操作をさらに2回繰り返した。その後、得られた化合物を真空下で1日乾燥させた。得られた22.7gの黄白色固体を300mlのナスフラスコに移し、DMF・水から再結晶して、上記の反応式中(a)で示されるカリックスレゾルシナレン誘導体17.5gを得た(収率:72%)。
また、目的のカリックスレゾルシナレン誘導体は1H−NMRにより帰属した。
Claims (12)
- 下記式(II)で表される構造を有する環状化合物である請求項1に記載の感放射線性化合物。
R2はそれぞれ水素、水酸基、置換もしくは無置換の炭素数1〜20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3〜12の分岐を有する脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数3〜20の環状脂肪族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10の芳香族基、アルコキシアルキル基、シリル基、又はこれらの基と二価の基(置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアリーレン基、置換もしくは無置換のシリレン基、これらの基が2以上結合してなる基、又はこれらの基とエステル基、炭酸エステル基、エーテル基が結合してなる基)とが結合した構造を有する基である。
Arは炭素数の6〜10のアリーレン基、炭素数6〜10のアリーレン基を2つ以上組み合わせた基;炭素数6〜10のアリーレン基と、アルキレン基及びエーテル基の少なくとも一方を1つ以上組み合わせた基であり、A1は単結合、アルキレン基、エーテル基、又はアルキレン基とエーテル基を2つ以上組み合わせた基であり、yは0〜3の整数、zは1〜5の整数を表す。)
但し、R1の少なくとも1つ、又はR2の少なくとも1つは、光又は放射線の照射により酸を発生する基である。] - 前記光又は放射線の照射により酸を発生する基が、有機酸の塩を有する基である請求項1又は2に記載の感放射線性化合物。
- 前記光又は放射線の照射により酸を発生する基がスルホン酸のオニウム塩である請求項1〜3のいずれかに記載の感放射線性化合物。
- 前記スルホン酸のオニウム塩が、下記式(3)〜(6)で表される基のいずれかである請求項4に記載の感放射線性化合物。
R12、R13及びR14はそれぞれ、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基(カルボニル基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基又はラクトン環を含んでいても良い)、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基、又はチオフェニル基であり、R12とR13、R13とR14、R12とR14がそれぞれ結合して環を形成しても良い。
R15及びR16はそれぞれアリール基であり、R15とR16がそれぞれ結合して環を形成していても良い。
R17は、一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基(カルボニル基、エステル基、エーテル基、チオエーテル基又はラクトン環を含んでいても良い)、一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い炭素数6〜20のアリール基、一部又は全ての水素原子がハロゲン原子で置換されていても良い炭素数7〜20のアラルキル基、又はチオフェニル基である。) - 請求項1〜5のいずれかに記載の感放射線性化合物からなる光酸発生剤。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の感放射線性化合物を含有するフォトレジスト基材。
- 請求項7に記載のフォトレジスト基材と溶剤を含有するフォトレジスト組成物。
- さらに、塩基性有機化合物をクエンチャーとして含有する請求項8に記載のフォトレジスト組成物。
- さらに、光酸発生剤を含有する請求項8又は9に記載のフォトレジスト組成物。
- 請求項8〜10のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を用いた微細加工方法。
- 請求項11に記載の微細加工方法により作製した半導体装置。
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