CN112142769A - 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 - Google Patents
含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112142769A CN112142769A CN201910569152.6A CN201910569152A CN112142769A CN 112142769 A CN112142769 A CN 112142769A CN 201910569152 A CN201910569152 A CN 201910569152A CN 112142769 A CN112142769 A CN 112142769A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- formula
- compound
- group
- photoresist composition
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 29
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 title abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 18
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 109
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 34
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 C3-20Cycloalkyl radical Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 7
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical group COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000020335 dealkylation Effects 0.000 claims description 4
- 238000006900 dealkylation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- LWHOMMCIJIJIGV-UHFFFAOYSA-N (1,3-dioxobenzo[de]isoquinolin-2-yl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound C1=CC(C(N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 LWHOMMCIJIJIGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 3-hexanone Chemical compound CCCC(=O)CC PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UEJFJTOGXLEPIV-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 UEJFJTOGXLEPIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 claims description 3
- NSBGRQGYTRBWNG-UHFFFAOYSA-N 2,4-bis(hydroxymethyl)-6-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=CC(CO)=C1O NSBGRQGYTRBWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 abstract 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 abstract 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 165
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 30
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N Dimethyl sulfoxide Chemical compound [2H]C([2H])([2H])S(=O)C([2H])([2H])[2H] IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- DQXKOHDUMJLXKH-PHEQNACWSA-N (e)-n-[2-[2-[[(e)-oct-2-enoyl]amino]ethyldisulfanyl]ethyl]oct-2-enamide Chemical compound CCCCC\C=C\C(=O)NCCSSCCNC(=O)\C=C\CCCCC DQXKOHDUMJLXKH-PHEQNACWSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YJVYEIRMDIAUCN-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-dibromophenyl)-diphenylsilane Chemical compound BrC1=CC(Br)=CC([Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(Br)C=C(Br)C=2)=C1 YJVYEIRMDIAUCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 6
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RCVDPBFUMYUKPB-UHFFFAOYSA-N (3,4-dimethoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=C(B(O)O)C=C1OC RCVDPBFUMYUKPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YWDUZLFWHVQCHY-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tribromobenzene Chemical compound BrC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 YWDUZLFWHVQCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- YXTRCOAFNXQTKL-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tribromoanisole Chemical compound COC1=C(Br)C=C(Br)C=C1Br YXTRCOAFNXQTKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- NOCCDEKEUWSKKW-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl-bis(3,5-dibromo-4-methoxyphenyl)-phenylsilane Chemical compound COC1=C(C=C(C=C1Br)[Si](C2CCCCC2)(C3=CC=CC=C3)C4=CC(=C(C(=C4)Br)OC)Br)Br NOCCDEKEUWSKKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N oxidanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound O.CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 2
- QRMCHAUZOIOLMU-UHFFFAOYSA-N tris(3,5-dibromo-4-methoxyphenyl)-propylsilane Chemical compound CCC[Si](C1=CC(=C(C(=C1)Br)OC)Br)(C2=CC(=C(C(=C2)Br)OC)Br)C3=CC(=C(C(=C3)Br)OC)Br QRMCHAUZOIOLMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJLBEHXSYBXGCC-UHFFFAOYSA-N tris(3,5-dibromophenyl)-phenylsilane Chemical compound C1=CC=C(C=C1)[Si](C2=CC(=CC(=C2)Br)Br)(C3=CC(=CC(=C3)Br)Br)C4=CC(=CC(=C4)Br)Br NJLBEHXSYBXGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RULQUTYJXDLRFL-UHFFFAOYSA-N (3,4,5-trimethoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC(B(O)O)=CC(OC)=C1OC RULQUTYJXDLRFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLLGFYPSWCMUIV-UHFFFAOYSA-N (3-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=CC(B(O)O)=C1 NLLGFYPSWCMUIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=C(B(O)O)C=C1 VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- LTXRFYQQCXLCNW-UHFFFAOYSA-N BrC1=CC([SiH](CC2=CC=CC=C2)C2=CC(Br)=CC(Br)=C2)=CC(Br)=C1 Chemical compound BrC1=CC([SiH](CC2=CC=CC=C2)C2=CC(Br)=CC(Br)=C2)=CC(Br)=C1 LTXRFYQQCXLCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N Dihydropyran Chemical compound C1COC=CC1 BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- SRXJCAKJQJUXGQ-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-dibromophenyl)-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C1=CC=CC=C1)(C2=CC(=CC(=C2)Br)Br)C3=CC(=CC(=C3)Br)Br SRXJCAKJQJUXGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- MYLMAKOOHNYUAS-UHFFFAOYSA-N dichloro-cyclohexyl-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1CCCCC1 MYLMAKOOHNYUAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- 238000007416 differential thermogravimetric analysis Methods 0.000 description 1
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N dihydroxy-phenylborane Natural products OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M sodium bisulfate Chemical compound [Na+].OS([O-])(=O)=O WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000342 sodium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N trichloro(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Cl)(Cl)Cl DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/0825—Preparations of compounds not comprising Si-Si or Si-cyano linkages
- C07F7/083—Syntheses without formation of a Si-C bond
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Abstract
本发明公开了一类含硅的多苯基单分子树脂，具有如下分子结构：
其中，式(I)中R0、Ra1～Ra12相同或不同，式(II)中R0、Rb1～Rb18相同或不同，均各自独立地表示氢原子、羟基、烷氧基或酸敏感性取代基，条件是每个苯环上至少有一个取代基不为氢原子，R0表示氢原子、羟基、烷氧基或酸敏感性取代基，式(I)中的Rx和Ry相同或不同，各自独立表示烷基、环烷基、苯基或取代苯基，式(II)中Rz表示烷基、环烷基、苯基或取代苯基。本发明中含硅多苯基单分子树脂在各种极性溶剂中都具有很好的溶解性，适于制成薄膜，同时，具有很高的玻璃化转变温度，能够很好的满足光刻工艺的要求。本发明还公开了包括上述含硅多苯基单分子树脂的光刻胶组合物，并制得不同厚度的用于光刻的光刻胶涂层。
Description
技术领域
本发明属于材料技术领域，具体涉及一类含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物、光刻胶涂层及其应用。
背景技术
光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一类通过光束、电子束、离子束或X射线等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，广泛用于集成电路和半导体分立器件的微细加工。通过将光刻胶涂覆在基底表面，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是器件微细加工技术中的关键性材料。半导体产业的迅速发展对光刻技术提出了越来越高的要求，从最早的g线(436nm)光刻，i线(365nm)光刻，深紫外248nm光刻，到目前的193nm光刻，以及下一代即将量产的极紫外(EUV，13.5nm)光刻，光刻技术的分辨率从微米级发展到纳米级，光刻技术要求达到的分辨率越来越高，边缘粗糙度要求也越来越小，对光刻胶材料所能达到的综合性能提出了更高的要求。开发新型具有高分辨率、高灵明度、低边缘粗糙度的光刻胶，使其综合性能满足光刻工艺的要求，尤其是满足下一代光刻技术的要求，成为目前光刻技术的发展重要内容。
传统的光刻胶主体材料采用分子量5000～15000道尔顿的聚合物树脂，这类聚合物树脂通常采用传统的聚合方法来制备，即使采用可控聚合的方法来降低分子量分散程度，也无法获得单分散的聚合物树脂。这类聚合物树脂通常由于分子体积大、分子量多分散以及分子链的缠绕等原因影响光刻图案的分辨率和边缘粗糙度，无法满足更为精细的刻线要求。因此，通过化学合成控制的方法，来降低光刻胶主体材料树脂的分子量到一定大小，使其达到单一分子状态，形成单分子树脂，是实现高分辨光刻的一种重要方法。单分子树脂既保留有树脂本身具有的成膜特性和易于加工的性能，同时易于合成和修饰，具有确定的分子结构，能够形成单分散的材料，基于单分子树脂的光刻胶材料有望满足高分辨光刻的要求。
发明内容
本发明的目的在于，提供了式(I)和式(II)所示的一系列含硅多苯基单分子树脂。
本发明通过如下技术方案实现：
一类式(I)或式(II)所示的含硅多苯基单分子树脂：
其中：
式(I)中R0、Ra1～Ra12相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基、C1-15烷氧基或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；式(II)中，R0、Rb1～Rb18相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基、C1-15烷氧基或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；
Rx、Ry和Rz相同或不同，各自独立地选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs1取代的如下基团：C1-15烷基、C3-20环烷基、C6-20芳基、5-20元杂芳基、3-20元杂环基、-C1-15烷基-C6-20芳基、-C1-15烷基-5-20元杂芳基；
Rs1选自C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基；
所述具有酸敏感性的基团是指可在酸性条件下发生反应，从而从主体上脱去的基团。
在本发明的一个实施方案中，所述具有酸敏感性的基团为-CR1-O-R1、-CO-O-R1、-CH2-CO-O-R1、
其中R1相同或不同，独立地选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs2取代的如下基团：C1-15烷基，C3-20环烷基、C7-20桥环基；
的环上任选被一个、两个或更多个Rs2取代；m为1至4的任一整数、
表示基团与主体结构的连接键；
Rs2相同或不同，彼此独立地选自如下基团：C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基。
优选地，所述具有酸敏感性的基团选自如下：
其中，
表示连接键。
优选地，Rx、Ry和Rz基团选自如下结构中的一种：
其中，
表示连接键。
作为实例，所述式(I)所示的化合物选自如下化合物：
作为实例，所述式(II)所示的化合物选自如下化合物：
本发明还提供如上式(I)所示化合物的制备方法，包括如下步骤：
其中，R0、Rx、Ry、Ra1～Ra12如前述所定义，Ra1’～Ra3’相同或不同，各自独立地表示H或C1-15烷氧基；
1)将式(III)化合物与式(IV)化合物反应，得到式(I)化合物，其中R0、Ra1～Ra12独立的选自H或C1-15烷氧基；
任选的，2)将上述式(I)化合物进行去烷基化反应，得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或羟基的式(I)化合物；
任选的，3)将上述R0、Ra1～Ra12独立的选自H或羟基的式(I)化合物与化合物Rb-L反应，制备得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或-ORb的式(I)化合物；其中L为离去基团或者L与Rb构成含Rb的酸酐。
本发明还提供如上式(II)所示化合物的制备方法，包括如下步骤：
其中，R0、Rz、Rb1～Rb18如前述所定义，Rb1’～Rb3’相同或不同，各自独立地表示H或C1-15烷氧基；
i)将式(V)化合物与式(VI)化合物反应，得到式(II)化合物，其中R0、Rb1～Rb18独立的选自H或C1-15烷氧基；
任选的，ii)将上述式(II)化合物进行去烷基化反应，得到R0、Rb1～Rb18独立的选自H或羟基的式(II)化合物；
任选的，iii)将上述得到的R0、Rb1～Rb18独立的选自H或羟基的式(II)化合物与化合物Rb-L反应，得到R0、Rb1～Rb18独立的选自H或-ORb的式(II)化合物；其中L为离去基团或者L与Rb构成含Rb的酸酐。
进一步的，本发明还提供制备式(III)化合物的方法，包括：将式(VII)化合物与式(VIII)化合物进行反应，得到式(III)化合物；
其中，R0、Rx、Ry如前述所定义，X为卤素。
进一步的，本发明还提供制备式(V)化合物的方法，包括：将式(IX)化合物与式(VIII)化合物进行反应，得到式(V)化合物；
其中，R0、Rz如前述所定义，X为卤素。
本发明还提供上述式(I)或式(II)含硅多苯基单分子树脂的用途，其用于光刻胶的主体材料。
本发明还提供一种光刻胶组合物，其包括所述式(I)或式(II)含硅多苯基单分子树脂。
根据本发明，所述光刻胶组合物为正性光刻胶组合物，其包括所述式(I)或式(II)含硅多苯基单分子树脂，光酸产生剂，以及光刻胶溶剂。
根据本发明，在式(I)化合物基团Ra1～Ra12中，或式(II)化合物基团Rb1～Rb18中，至少一个基团为具有酸敏感性的基团，优选的，在每一个苯环上至少一个基团为具有酸敏感性的基团。
根据本发明，所述正性光刻胶组合物中，所述式(I)或式(II)含硅多苯基单分子树脂的质量占所述正性光刻胶组合物总质量的1～10wt％，所述光酸产生剂占0.01～1wt％，其余为光刻胶溶剂。
根据本发明，所述光刻胶组合物为一种负性光刻胶组合物，其包括所述式(I)或式(II)含硅多苯基单分子树脂，光酸产生剂，交联剂以及光刻胶溶剂。
根据本发明，在式(I)化合物基团Ra1～Ra12中，或式(II)化合物基团Rb1～Rb18中，至少一个基团为羟基，优选的，在每一个苯环上至少一个基团为羟基。
根据本发明，所述负性光刻胶组合物中，所述式(I)或式(II)含硅多苯基单分子树脂的质量占所述负性光刻胶组合物总质量的1～10wt％，所述光酸产生剂占0.01～1wt％，所述交联剂占0.1wt％～1wt％，其余为光刻胶溶剂。
根据本发明，所述正性或负性光刻胶组合物中的光酸产生剂为离子型光酸产生剂或非离子型光酸产生剂。
根据本发明，所述正性或负性光刻胶组合物中所述光酸产生剂选自三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐、全氟丁基磺酸三苯基硫鎓盐、对甲苯磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓盐和N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸盐中的至少一种。
根据本发明，负性光刻胶组合物中所述交联剂为四甲氧基甲基甘脲和/或2,4-二羟甲基-6-甲基苯酚。
根据本发明，所述正性或负性光刻胶组合物中光刻胶溶剂选自乳酸乙酯、醋酸丁酯、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚、环己酮、甲基正戊酮、甲基异戊酮中的至少一种。
进一步地，本发明还提供一种光刻胶涂层，其包括上述所述光刻胶组合物，
本发明还提供所述光刻胶涂层的制备方法，包括将所述光刻胶组合物施加在基底上得到。
优选地，所述施加方式为旋涂法。
优选地，所述光刻胶涂层为薄膜。
本发明还提供所述光刻胶涂层在光刻中的应用。
本发明所述化合物具有很高的玻璃化温度(大于100℃)，可用于光刻加工。
根据本发明，所述光刻胶涂层可以用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外(EUV)光刻、纳米压印光刻或电子束光刻中等现代光刻技术中，优选用于极紫外光刻技术。
本发明的有益效果如下：
(1)本发明提供了一系列如式(I)或式(II)所示的含硅多苯基单分子树脂。所述含硅多苯基单分子树脂合成过程简单，反应中间体和终产物通过重结晶或沉淀即可实现产物与体系的分离，适用于工业化生产；
(2)本发明所述含硅多苯基单分子树脂含有硅原子，由于硅具有四面体成键方式，使得所述含硅多苯基单分子树脂具有更好的溶解性和成膜性特点；
(3)本发明所述含硅多苯基单分子树脂通过硅原子为中心原子联接，使得由所述含硅多苯基单分子树脂制得的光刻胶材料具有较高的抗刻蚀性能，并增加其与基底的相互作用；
(4)本发明所述含硅多苯基单分子树脂本身具有确定的分子结构，分子尺寸单一，可以很好的满足高分辨光刻的要求。
(5)本发明所述含硅多苯基单分子树脂中硅原子在极紫外区的吸收相对于其它元素更小，有助于提高极紫外光对由所述含硅多苯基单分子树脂制得的光刻胶的透过，从而提高所述光刻胶的对比度，因此更符合下一代极紫外光刻的要求。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明
图1为本发明实施例8中化合物I-3的差示扫描量热曲线图和热失重曲线图。
图2为本发明实施例16中化合物II-2的差示扫描量热曲线图和热失重曲线图。
图3为本发明实施例8中以化合物I-3为含硅多苯基单分子树脂的正性光刻胶电子束光刻得到的条纹的扫描电镜(SEM)图。
图4为本发明实施例16中以化合物II-2为含硅多苯基单分子树脂形成负性光刻胶电子束光刻得到的条纹的扫描电镜(SEM)图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的详细说明。但本领域技术人员了解，本发明的保护范围不仅限于以下实施例。根据本发明公开的内容，本领域技术人员将认识到在不脱离本发明技术方案所给出的技术特征和范围的情况下，对所述实施例做出许多变化和修改都属于本发明的保护范围。实施例1
制备二-(3,5-二溴苯基)-二苯基硅烷，合成路线如下：
在500mL的三口瓶中加入1,3,5-三溴苯(12.8g,40.0mmol,1.0eq)，和干燥的乙醚400mL，氮气氛围下，在-78℃冷浴冷却，向反应体系中滴加正丁基锂的正己烷溶液(1.6M，25mL，40mmol)，反应液低温反应2小时后，向体系中滴加二氯二苯基硅烷(4.33mL，20mmol)，反应液继续在冷浴下搅拌反应1小时，然后撤去冷浴，恢复到室温反应5小时，将反应液加入到300mL水中淬灭反应，并用乙醚萃取，减压浓缩除去溶剂，在乙酸乙酯中重结晶得到白色固体8.5g，产率64％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.76(s,2H),7.51(s,4H),7.38-7.50(m,10H)。
实施例2
制备二-(3,5-二溴-4-甲氧基-苯基)-苯基-环己基硅烷，合成路线如下：
具体步骤同实施例1，不同之处在于用二氯苯基环己基硅烷替代二氯二苯基硅烷，2,4,6-三溴苯甲醚替代1,3,5-三溴苯，产率66％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.73(s,4H),7.32-7.55(m,5H),1.11-1.50(m,10H),0.81(m,1H)。
实施例3
制备二-(3,5-二溴-苯基)-苯基-甲基硅烷，合成路线如下：
具体步骤同实施例1，不同之处在于用二氯甲基苯基硅烷替代二氯二苯基硅烷，产率72％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.70(s,2H),7.48(s,4H),7.33-7.54(m,5H),0.54(s,3H)。
实施例4
制备三-(3,5-二溴苯基)-苯基硅烷，合成路线如下：
具体步骤同实施例1，不同之处在于用三氯苯基硅烷替代二氯二苯基硅烷，产率56％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.78(s,3H),7.55(s,6H),7.33-7.54(m,5H)。
实施例5
制备三-(3,5-二溴-4-甲氧基-苯基)-丙基硅烷，合成路线如下：
具体步骤同实施例1，不同之处在于用三氯丙基硅烷替代二氯二苯基硅烷，2,4,6-三溴苯甲醚替代1,3,5-三溴苯，产率51％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.86(s,6H),1.09-1.50(m,5H),0.82(m,2H)。
实施例6
制备化合物I-1，合成路线如下：
高纯氮气保护下，在500mL的Schleck反应瓶中加入二-(3,5-二溴苯基)-二苯基硅烷(13.0g,20mmol,1.0eq)，Pd(PPh3)4(462mg,0.4mmol,0.02eq)，3,4-二甲氧基苯硼酸(18.2g,100.0mmol,5.0eq)，无水碳酸钾固体(13.8g,100mmol,5.0eq)，体系在氮气氛围下，加入重蒸的二氧六环300mL，水60mL，反应液加热回流24h，冷却至室温，并用二氯甲烷/水萃取，合并有机层，无水硫酸钠干燥，减压浓缩除去溶剂，在乙酸乙酯中重结晶得到白色固体14.4g，产率82％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.75(s,2H,苯环),7.49(d,4H，苯环),7.38-7.48(m,10H,苯环),7.13-7.16(m,8H,苯环),6.94-6.96(d,4H,苯环),3.92(s,12H,-OCH3),3.89(s,12H,-OCH3)；MS(MALDI-TOF):m/z＝880.4,计算值：(C56H52O8Si)m/z＝880.34([M]+)。
实施例7
制备化合物I-2，合成路线如下：
在500mL的三口瓶中加入化合物I-1(8.8g,10mmol,1.0eq)和二氯甲烷100mL，氮气氛围下溶解，在低温-78℃下，用注射器向反应液中滴加含三溴化硼(25.0g，100.0mmol,10.0eq)的二氯甲烷溶液100mL，反应液在-78℃下反应1小时后逐渐升温到室温，继续反应6小时，向反应体系中缓慢加入20mL冰水淬灭反应，析出大量白色固体，过滤反应体系得到白色固体，分别用水和二氯甲烷洗涤，得到固体再用甲醇/水沉淀，得到白色固体7.3g，产率96％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)8.88(s,4H,-OH),8.84(s,4H,-OH),7.79(s,2H,苯环),7.63(s,4H),7.40-7.52(m,10H,苯环),7.20-7.24(m,8H,苯环),6.95-7.01(d,4H,苯环)；MS(MALDI-TOF):m/z＝768.4,计算值：(C48H36O8Si)m/z＝768.22([M]+)。
实施例8
制备化合物I-3，合成路线如下：
反应式中Boc表示
取代基，
表示连接键。
在250mL三口瓶中加入化合物I-2(3.8g,5.0mmol,1.0eq)，Boc酸酐(二碳酸二叔丁酯)(10.9g,50.0mmol,10.0eq)和100mL干燥四氢呋喃，氮气氛围下搅拌溶解后，向溶液中加入催化剂DMAP(4-二甲氨基吡啶)(61mg,0.5mmol,0.1eq)引发反应，室温条件下搅拌24h。反应液用乙酸乙酯/水萃取，有机相分别用饱和硫酸氢钠水溶液和水各洗涤三次，无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，剩余物在乙酸乙酯/正己烷混合液中重结晶，得到的白色固体6.3g，产率81％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.74(s,2H,苯环),7.48(d,4H，苯环),7.35-7.46(m,10H,苯环),7.11-7.16(m,8H,苯环),6.94-6.96(d,4H,苯环),1.56(s,36H,-O-Boc),1.55(s,36H,-O-Boc)；MS(MALDI-TOF):m/z＝1568.3,计算值：(C88H100O24Si)m/z＝1568.64([M]+)。
实施例9
制备化合物I-4，合成路线如下：
具体步骤同实施例6，不同之处在于用对甲氧基苯硼酸替代3,4-二甲氧基苯硼酸，二-(3,5-二溴-4-甲氧基-苯基)-苯基-环己基硅烷替代二-(3,5-二溴苯基)-二苯基硅烷，反应产率86％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.61(s,4H,苯环),7.33-7.54(m,5H,苯环),7.11-7.08(d,8H,苯环),6.94-6.92(d,8H,苯环),3.72(s,12H,-OCH3),3.20(s,6H,-OCH3),1.10-1.52(m,10H),0.82(m,1H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝826.5,计算值：C54H54O6Si m/z＝826.37([M]+).
实施例10
制备化合物I-5，合成路线如下：
具体步骤同实施例7，不同之处在于用化合物I-4替代化合物I-1，反应产率91％。1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ(ppm)9.23(s,2H,-OH),8.78(s,4H,-OH),7.63(s,4H,苯环),7.30-7.52(m,5H,苯环),7.10-7.13(d,8H,苯环),6.92-6.95(d,8H,苯环),1.10-1.50(m,10H),0.78(m,1H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝742.4,计算值：C48H42O6Si m/z＝742.28([M]+).
实施例11
制备化合物I-6，合成路线如下：
反应式中PY表示
取代基，
表示连接键。
在100mL三口瓶中加入化合物I-5(3.4g,5.0mmol,1.0eq)，3,4-二氢吡喃(1.0g,12.0mmol,12.0eq)和30mL四氢呋喃，反应液冷却到0℃，加入100mg(催化量)一水合对甲苯磺酸，并在0℃下搅拌1h，然后升温到室温反应16h，反应液用1mol/L的碳酸氢钠溶液淬灭，二氯甲烷萃取，有机层用无水MgSO4干燥，减压除去溶剂，得到混合物用乙酸乙酯/正己烷重结晶，得到白色固体4.0g，产率68％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.69(s,4H,苯环),7.29-7.53(m,5H,苯环),7.12-7.13(d,8H,苯环),6.94-6.95(d,8H,苯环),5.09(m,6H,PY),3.94(m,12H,PY),2.17(m,12H,PY),1.11-1.81(m,24H和10H,PY和己烷),0.78(m,1H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝1246.7,计算值：C78H90O12Si m/z＝1246.62([M]+)。
实施例12
制备化合物I-7，合成路线如下：
具体步骤同实施例6，不同之处在于用二-(3,5-二溴苯基)-苯基甲基硅烷替代二-(3,5-二溴苯基)-二苯基硅烷，3,4,5-三甲氧基苯硼酸替代3,4-二甲氧基苯硼酸，反应产率93％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.75(s,2H,苯环),7.50(s,4H,苯环),7.36-7.46(m,10H,苯环),6.40(s,8H,苯环),3.84(s,24H,-OCH3),3.82(s,12H,-OCH3)0.57(s,3H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝938.4,计算值：C55H58O12Si m/z＝938.37([M]+).
实施例13
制备化合物I-8，合成路线如下：
具体步骤同实施例7，不同之处在于用化合物I-7替代化合物I-1，反应产率90％。1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ(ppm)9.31(s,4H,-OH),8.86(s,8H,-OH),7.77(s,2H,苯环),7.53(s,4H,苯环),7.30-7.51(m,5H,苯环),6.39(s,8H,苯环),0.58(s,3H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝770.3,计算值：C43H34O12Si m/z＝770.18([M]+).
实施例14
制备化合物I-9，合成路线如下：
反应式中NB表示
取代基，
表示连接键。
具体步骤：在100mL三口瓶中加入化合物I-8(3.9g,5mmol,1.0eq)、四丁基溴化铵(2.42g,7.5mmol,1.5eq)、K2CO3固体(10.3g,75mmol,15.0eq)和50mL的N-甲基吡咯烷酮(NMP)，常温下搅拌2小时，向反应液中慢慢滴加入化合物NB-Cl(15.2g,75mmol,15eq)的N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶液，升温至60℃反应48h。反应完全后，冷却至室温，反应液用乙酸乙酯/水萃取，有机相分别用3wt％的草酸溶液和水洗涤一次，合并有机层，无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂。用乙酸乙酯/正己烷混合溶剂重结晶，得到白色固体8.4g，产率61％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.79(s,2H,苯环),7.55(s,4H,苯环),7.31-7.51(m,5H,苯环),6.41(s,8H,苯环),4.72(s,24H,O-CH2-),1.18-2.21(m,156H,NB),0.57(s,3H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝2764.6,计算值：C163H202O36Si m/z＝2764.38([M]+)。
实施例15
制备化合物II-1，合成路线如下：
具体步骤同实施例6，不同之处在于用三-(3,5-二溴苯基)-苯基硅烷替代二-(3,5-二溴苯基)-二苯基硅烷，3-甲氧基苯硼酸替代3,4-二甲氧基苯硼酸，反应产率83％。1HNMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.87(s,3H,苯环),7.52(s,6H,苯环),7.36-7.46(m,5H,苯环),7.15-7.26(m,18H,苯环),7.01-7.03(m,6H,苯环),3.85(s,18H,-OCH3)；MS(MALDI-TOF):m/z＝972.5,计算值：C66H56O6Si m/z＝972.38([M]+).
实施例16
制备化合物II-2，合成路线如下：
具体步骤同实施例7，不同之处在于用化合物II-1替代化合物I-1，反应产率95％。1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ(ppm)9.28(s,6H,-OH),7.84(s,3H,苯环),7.50(s,6H,苯环),7.33-7.48(m,5H,苯环),7.11-7.25(m,18H,苯环),7.00-7.02(m,6H,苯环)；MS(MALDI-TOF):m/z＝888.4,计算值：C60H44O6Si m/z＝888.29([M]+).
实施例17
制备化合物II-3，合成路线如下：
反应式中AD表示
取代基，
表示连接键。
具体步骤同实施例14，不同之处在于用化合物II-2替代化合物I-8，用AD-Cl替代NB-Cl，反应产率78％。1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ(ppm)7.88(s,3H,苯环),7.52(s,6H,苯环),7.32-7.49(m,5H,苯环),7.10-7.25(m,18H,苯环),6.97-7.01(m,6H,苯环),4.72(s,12H,O-CH2-),1.17-2.30(m,102H,金刚烷)；MS(MALDI-TOF):m/z＝2126.2,计算值：C138H152O18Si m/z＝2126.08([M]+).
实施例18
制备化合物II-4，合成路线如下：
具体步骤同实施例6，不同之处在于用三-(3,5-二溴-4-甲氧基-苯基)-丙基硅烷替代二-(3,5-二溴苯基)-二苯基硅烷，反应产率79％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.76(s,6H,苯环),7.10-7.15(m,12H,苯环),6.93-6.95(d,6H,苯环),3.91(s,18H,-OCH3),3.88(s,18H,-OCH3),3.20(s,9H,-OCH3),1.06-1.51(m,5H),0.81(m,2H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝1208.7,计算值：C72H76O15Si m/z＝1208.50([M]+).
实施例19
制备化合物II-5，合成路线如下：
具体步骤同实施例7，不同之处在于用化合物II-4替代化合物I-1，反应产率89％。1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ(ppm)9.16(s,3H,-OH),8.77-8.52(m,12H,-OH),7.70(s,6H,苯环),7.10-7.14(m,12H,苯环),6.95-6.97(d,6H,苯环),1.02-1.52(m,5H),0.80(m,2H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝998.4,计算值：C57H46O15Si m/z＝998.26([M]+).
实施例20
制备化合物II-6，合成路线如下：
反应式中Boc表示
取代基，
表示连接键。
具体步骤同实施例8，不同之处在于用化合物II-5替代化合物I-2，反应产率78％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ(ppm)7.75(s,6H,苯环),7.11-7.15(m,12H,苯环),6.91-6.93(d,6H,苯环),1.55(s,54H,-O-Boc),1.53(s,81H,-O-Boc),1.02-1.52(m,5H),0.80(m,2H)；MS(MALDI-TOF):m/z＝2500.3,计算值：C132H166O45Si m/z＝2500.05([M]+).
实施例21
测定实施例8和16中制备得到的化合物I-3和化合物II-2的热稳定性和玻璃化温度，两种单分子树脂的差示扫描量热曲线和热重分析见图1和图2，结果显示其玻璃化温度都达到了100℃以上，具有很好的热稳定性。
实施例22
一种正性光刻胶组合物，包括实施例8制备得到的化合物I-3、丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)和三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐。具体方法如下：将实施例8的化合物I-3溶于丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)中，制得质量浓度2％的溶液，并加入0.1wt％的三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐为光致产酸剂，用孔径0.22μm的微孔过滤器过滤，得到旋涂液，在经过酸碱处理的硅基底上进行旋涂制膜，在100℃下烘烤3分钟，将制备得到的薄膜在上海光源干涉光刻线站(BL08U1B)上进行极紫外曝光实验，曝光周期为140nm，得到的光刻条纹见图3，光刻条纹的分辨率为30nm左右。
实施例23
一种负性光刻胶组合物，包括实施例16得到的化合物II-2、四甲氧基甲基甘脲，三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐和环己酮。具体方法如下：将实施例16的化合物II-2作为主体材料溶于环己酮中，制得质量浓度6wt％的溶液，并加入四甲氧基甲基甘脲为交联剂，质量浓度0.5wt％，三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐为光致产酸剂，质量浓度0.15wt％，用孔径0.22μm的微孔过滤器过滤，得到旋涂液，在经过酸碱处理的硅基底上进行旋涂制膜，在100℃下烘烤3分钟，将制备得到的薄膜进行电子束曝光实验，曝光周期为150nm，得到非常均匀的光刻条纹，见图4，光刻条纹的分辨率为57nm左右。
Claims (10)
1.一种化合物，其特征在于，具有如下式(I)或式(II)的结构：
其中：
式(I)中，R0、Ra1～Ra12相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基、C1-15烷氧基或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；式(II)中，R0、Rb1～Rb18相同或不同，各自独立地选自氢原子，羟基，C1-15烷氧基或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；
Rx、Ry和Rz相同或不同，各自独立选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs1取代的如下基团：C1-15烷基、C3-20环烷基、C6-20芳基、5-20元杂芳基、3-20元杂环基、-C1-15烷基-C6-20芳基、-C1-15烷基-5-20元杂芳基；
Rs1选自C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述具有酸敏感性的基团为-CR1-O-R1、-CO-O-R1、-CH2-CO-O-R1、
其中R1相同或不同，独立地选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs2取代的如下基团：C1-15烷基，C3-20环烷基、C7-20桥环基；
的环上任选被一个、两个或更多个Rs2取代；m为1至4的任一整数、
表示基团与主体结构的连接键；
Rs2相同或不同，彼此独立地选自如下基团：C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述酸敏感性取代基的结构选自如下：
优选地，Rx、Ry和Rz独立选自如下结构：
其中，
表示连接键；
优选的，所述式(I)所示的化合物选自如下化合物：
优选的，所述式(II)所示的化合物选自如下化合物：
4.一种权利要求1-3任一项所述的式(I)化合物的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
其中，R0、Rx、Ry、Ra1～Ra12如权利要求1-3任一项所定义，Ra1’～Ra3’相同或不同，各自独立地表示H或C1-15烷氧基；
1)将式(III)化合物与式(IV)化合物反应，得到式(I)化合物，其中R0、Ra1～Ra12独立的选自H或C1-15烷氧基；
任选的，2)将所述式(I)化合物进行去烷基化反应，得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或羟基的式(I)化合物；
任选的，3)将所述R0、Ra1～Ra12独立的选自H或羟基的式(I)化合物与化合物Rb-L反应，制备得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或-ORb的式(I)化合物；其中L为离去基团或者L与Rb构成含Rb的酸酐。
优选的，所述式(III)化合物的制备方法，包括：将式(VII)化合物与式(VIII)化合物进行反应，得到所述式(III)化合物；
其中，R0、Rx、Ry如权利要求1-3任一项所定义，X为卤素。
5.一种权利要求1-3任一项所述的式(II)化合物的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
其中，R0、Rz、Rb1～Rb18如权利要求1-3任一项所定义，Rb1’～Rb3’相同或不同，各自独立地表示H或C1-15烷氧基；
i)将式(V)化合物与式(VI)化合物反应，得到式(II)化合物，其中R0、Rb1～Rb18独立的选自H或C1-15烷氧基；
任选的，ii)将所述式(II)化合物进行去烷基化反应，得到R0、Rb1～Rb18独立的选自H或羟基的式(II)化合物；
任选的，iii)将所述R0、Rb1～Rb18独立的选自H或羟基的式(II)化合物与化合物Rb-L反应，得到R0、Rb1～Rb18独立的选自H或-ORb的式(II)化合物；其中L为离去基团或者L与Rb构成含Rb的酸酐。
优选的，所述式(V)化合物的制备方法，包括：将式(IX)化合物与式(VIII)化合物进行反应，得到所述式(V)化合物；
其中，R0、Rz如权利要求1-3任一项所定义，X为卤素。
6.一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物包括权利要求1-3任一项所述的式(I)或式(II)化合物。
7.根据权利要求6所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物为正性光刻胶组合物，所述正性光刻胶组合物包括所述式(I)或式(II)化合物，光酸产生剂，以及光刻胶溶剂；
优选的，在式(I)化合物基团Ra1～Ra12中，或式(II)化合物基团Rb1～Rb18中，至少一个基团为具有酸敏感性的基团，优选的，在每一个苯环上至少一个基团为具有酸敏感性的基团；
优选的，所述正性光刻胶组合物中，所述式(I)或式(II)化合物的质量占所述正性光刻胶组合物总质量的1～10wt％，所述光酸产生剂占0.01～1wt％，其余为光刻胶溶剂；
优选的，所述光酸产生剂为离子型光酸产生剂或非离子型光酸产生剂；
优选的，所述光酸产生剂选自三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐、全氟丁基磺酸三苯基硫鎓盐、对甲苯磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓盐和N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸盐中的至少一种；
优选的，所述光刻胶溶剂选自乳酸乙酯、醋酸丁酯、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚、环己酮、甲基正戊酮、甲基异戊酮中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物为负性光刻胶组合物，所述负性光刻胶组合物包括所述式(I)或式(II)化合物，光酸产生剂，交联剂以及光刻胶溶剂；
优选的，在式(I)化合物基团Ra1～Ra12中，或式(II)化合物基团Rb1～Rb18中，至少一个基团为羟基，优选的，在每一个苯环上至少一个基团为羟基；
优选的，所述式(I)或式(II)化合物的质量占所述负性光刻胶组合物总质量的1～10wt％，所述光酸产生剂占0.01～1wt％，所述交联剂占0.1wt％～1wt％，其余为光刻胶溶剂；
优选的，所述光酸产生剂为离子型光酸产生剂或非离子型光酸产生剂；
优选的，所述光酸产生剂选自三氟甲磺酸三苯基硫鎓盐、全氟丁基磺酸三苯基硫鎓盐、对甲苯磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓盐和N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸盐中的至少一种；
优选的，所述交联剂为四甲氧基甲基甘脲和/或2,4-二羟甲基-6-甲基苯酚；
优选的，所述光刻胶溶剂选自乳酸乙酯、醋酸丁酯、丙二醇单甲醚醋酸酯、丙二醇二甲醚、乙二醇单甲醚、环己酮、甲基正戊酮、甲基异戊酮中的至少一种。
9.一种光刻胶涂层及其制备方法，其特征在于，所述光刻胶涂层包括权利要求6-8任一项所述光刻胶组合物；
所述光刻胶涂层的制备方法包括将所述光刻胶组合物施加在基底上得到；优选地，所述施加方式为旋涂法。
10.权利要求1-4任一项所述的化合物、权利要求6-8任一项所述的光刻胶组合物、权利要求9所述的光刻胶涂层在光刻中的应用。
优选的，所述化合物、所述光刻胶组合物、所述光刻胶涂层用于248nm光刻、193nm光刻、极紫外(EUV)光刻、纳米压印光刻或电子束光刻中。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910569152.6A CN112142769B (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 |
| PCT/CN2020/090908 WO2020259126A1 (zh) | 2019-06-27 | 2020-05-18 | 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910569152.6A CN112142769B (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112142769A true CN112142769A (zh) | 2020-12-29 |
| CN112142769B CN112142769B (zh) | 2022-02-01 |
Family
ID=73868794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910569152.6A Active CN112142769B (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112142769B (zh) |
| WO (1) | WO2020259126A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115521344A (zh) * | 2021-06-25 | 2022-12-27 | 中国科学院化学研究所 | 一种金属位取代的二茂金属衍生物及其制备方法和应用 |
| WO2024087158A1 (zh) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 中国科学院化学研究所 | 含硅高抗刻蚀分子玻璃光刻胶化合物及其制备方法和应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220721A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20080044757A1 (en) * | 2006-02-16 | 2008-02-21 | Cornell Research Foundation, Inc. | Molecular glass photoresists |
| CN103304385A (zh) * | 2012-03-16 | 2013-09-18 | 中国科学院化学研究所 | 含双酚a骨架结构的分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8513650B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-08-20 | Xerox Corporation | Dielectric layer for an electronic device |
| CN102557930B (zh) * | 2012-01-05 | 2014-01-29 | 南京航空航天大学 | 联苯型分子玻璃及其制备方法 |
| CN108314785B (zh) * | 2017-01-16 | 2020-12-11 | 中国科学院理化技术研究所 | 八苯基取代笼形倍半硅氧烷衍生物分子玻璃及其应用 |
| CN107266319B (zh) * | 2017-07-17 | 2020-04-24 | 中国科学院理化技术研究所 | 树枝状多苯基取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物 |
-
2019
- 2019-06-27 CN CN201910569152.6A patent/CN112142769B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-18 WO PCT/CN2020/090908 patent/WO2020259126A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220721A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20080044757A1 (en) * | 2006-02-16 | 2008-02-21 | Cornell Research Foundation, Inc. | Molecular glass photoresists |
| CN103304385A (zh) * | 2012-03-16 | 2013-09-18 | 中国科学院化学研究所 | 含双酚a骨架结构的分子玻璃光刻胶及其制备方法和应用 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115521344A (zh) * | 2021-06-25 | 2022-12-27 | 中国科学院化学研究所 | 一种金属位取代的二茂金属衍生物及其制备方法和应用 |
| WO2024087158A1 (zh) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 中国科学院化学研究所 | 含硅高抗刻蚀分子玻璃光刻胶化合物及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020259126A1 (zh) | 2020-12-30 |
| CN112142769B (zh) | 2022-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI403846B (zh) | 正型光阻組成物，光阻圖型之形成方法及高分子化合物 | |
| TWI525071B (zh) | 新穎化合物 | |
| JP5559036B2 (ja) | フォトレジスト用ポリオール化合物 | |
| TWI465849B (zh) | 光阻組成物及光阻圖型形成方法，及化合物與其所形成之酸產生劑 | |
| TWI534531B (zh) | 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，高分子化合物 | |
| US20090042123A1 (en) | Calixresorcinarene compound, photoresist base comprising the same, and composition thereof | |
| TWI394005B (zh) | 正型光阻組成物，光阻圖型之形成方法與高分子化合物 | |
| TW200928579A (en) | Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound and method of producing the same, and acid generator | |
| CN107324978B (zh) | 联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物 | |
| CN112142769B (zh) | 含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物 | |
| JP3075174B2 (ja) | ジフェニルモノテルペン炭化水素誘導体、溶解制御剤及び化学増幅ポジ型レジスト材料 | |
| TW200948766A (en) | Aromatic fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing the same | |
| CN108341748B (zh) | 一种基于1,4二取代柱[5]芳烃衍生物的单分子树脂、正性光刻胶及其应用 | |
| TWI493283B (zh) | 無氟稠芳香雜環光酸生成劑、含此光酸生成劑的光阻組成物及其使用方法 | |
| CN107266319B (zh) | 树枝状多苯基取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物 | |
| JPH10120628A (ja) | 三環式芳香族骨格を有するカルボン酸誘導体 | |
| WO2016125782A1 (ja) | 新規脂環式エステル化合物、（メタ）アクリル共重合体およびそれを含む機能性樹脂組成物 | |
| CN113698329B (zh) | 一种193nm浸没式光刻用光产酸剂及其中间体 | |
| CN108314785B (zh) | 八苯基取代笼形倍半硅氧烷衍生物分子玻璃及其应用 | |
| CN111978224B (zh) | 含硫单分子树脂及其光刻胶组合物 | |
| TWI427416B (zh) | 正型光阻組成物、光阻圖型之形成方法、高分子化合物及化合物 | |
| CN111978228B (zh) | 基于硫鎓盐的单分子树脂产酸剂及其光刻胶组合物 | |
| CN112830944B (zh) | 基于二茂金属化合物的光刻胶及其制备方法和应用 | |
| CN112142955B (zh) | 金刚烷－多酚寡聚物及其光刻胶组合物和应用 | |
| TWI476529B (zh) | A method for forming a positive resistive composition and a photoresist pattern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |