JP2009016747A

JP2009016747A - レーザダイオード駆動装置及び光走査装置

Info

Publication number: JP2009016747A
Application number: JP2007179915A
Authority: JP
Inventors: Takashi Sugano; 高士菅野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2007-07-09
Filing date: 2007-07-09
Publication date: 2009-01-22
Anticipated expiration: 2027-07-09
Also published as: JP4574650B2; US7760780B2; US20090016394A1

Abstract

【課題】環境変動によりレーザダイオードの電流−光量特性が変動しても安定したパルス発光状態が得られるレーザダイオード駆動装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオード駆動装置は、ＬＤ１２の光量を検出する光量検出手段としてのＰＤ１３を備える。また、ＬＤ１２の光量を決定する光量決定手段及びＬＤ１２を光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段としてのレーザ制御部２０を備える。また、光量決定手段により決定された３種類以上の光量でＬＤ１２を発光した結果に基づいてバイアス電流値を決定するバイアス電流値決定手段としてのバイアス電流決定部５７を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザダイオード駆動装置及び光走査装置に関する。

レーザダイオード駆動装置に関して、特許文献１において、レーザ発光の２種類の光量とそれに応じた電流値とからレーザダイオードへ印加するバイアス電流値を決定する技術が提案されている。
特開平１１−２４５４４４号公報

しかしながら、従来のレーザダイオードに印加するバイアス電流値の算出方式は以下に述べるような課題がある。

レーザダイオード、特にＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）においては、図６のように電流−光量特性に極値が存在する場合がある。２種類の光量とその電流値に基づいてレーザダイオードの閾値電流値Ｉｔｈｃを算出すると、実際の閾値電流値Ｉｔｈに対して図７のようにΔＩだけずれてしまう。

算出したＩｔｈｃからバイアス電流値Ｉｂを算出するため、目標とするＩｔｈ付近に設定するはずのＩｂがずれてしまうことになる。バイアス電流値が目標に対してずれてしまっていると、レーザの発光特性が安定せず、例えば、光通信機器に用いた場合には、データ伝送の不具合が発生する。また、画像形成装置に用いた場合には、ハイライト側の濃度を出力する際に、環境によっては濃度が変動してしまうなどの不具合が発生する。

本発明の目的は、環境変動によりレーザダイオードの電流−光量特性が変動しても安定したパルス発光状態が得られるレーザダイオード駆動装置及び光走査装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１記載のレーザダイオード駆動装置は、レーザダイオードの光量を検出する光量検出手段と、前記レーザダイオードの光量を決定する光量決定手段と、前記レーザダイオードを前記光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段と、前記光量決定手段により決定された３種類以上の光量で前記レーザダイオードを発光した結果に基づいてバイアス電流値を決定するバイアス電流値決定手段とを備えることを特徴とする。

請求項７記載の光走査装置は、レーザダイオードの光量を検出する光量検出手段と、前記レーザダイオードの光量を決定する光量決定手段と、前記レーザダイオードを前記光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段と、前記光量決定手段により決定された３種類以上の光量で前記レーザダイオードを発光した結果に基づいてバイアス電流値を決定するバイアス電流値決定手段とを備えることを特徴とする。

本発明のレーザダイオード駆動装置及び光走査装置は、レーザダイオードの光量を検出する光量検出手段と、レーザダイオードの光量を決定する光量決定手段と、レーザダイオードを光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段とを備える。また、光量決定手段により決定された３種類以上の光量でレーザダイオードを発光した結果に基づいてバイアス電流値を決定するバイアス電流値決定手段を備える。

この構成により、環境変動によりレーザダイオードの電流−光量特性が変動しても安定したパルス発光状態が得られる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明の実施の形態に係るレーザダイオード駆動装置のブロック図である。

レーザダイオード駆動装置１１には、半導体レーザ（レーザダイオード；以下ＬＤと略す）１２と、フォトダイオード（以下ＰＤと略す）１３と、画像制御部１４とが接続される。

レーザダイオード駆動装置１１は、レーザ制御部２０とレーザ駆動回路２１を備える。レーザ駆動回路２１、ＬＤ１２の駆動電流を制御することにより、ＬＤ１２を所定光量で一定に発光させる。

レーザ制御部２０は、ＬＤ１２の光量を決定する光量決定手段として機能する。また、レーザ制御部２０は、ＬＤ１２を光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段として機能する。

ＬＤ１２から出力されるレーザ光をモニタする（レーザダイオードの光量を検出する）光量検出手段としてのＰＤ１３は、モニタするレーザビームの光量に応じた電流を出力する。光量調整可変抵抗２３は、ＬＤ１２が所定の光量で発光するように調整する。

ＰＤ１３から出力される、レーザビームの光量に応じたＰＤ電流２２は光量調整可変抵抗２３で電圧変換され、ＰＤ電圧信号２４として出力される。ＰＤ電圧信号２４は、レーザ制御部２０から出力される光量決定信号２６と共にサンプル／ホールド回路２７に入力される。

サンプル／ホールド回路２７は、レーザ制御部２０から出力されるサンプル・ホールド（以下Ｓ／Ｈと略す）制御信号２９がサンプル要求時は、ＰＤ電圧信号２４と光量決定信号２６を比較する。

そして、ＰＤ電圧信号２４が光量決定信号２６より低い場合は、ＰＤ電圧信号２４は、ホールドコンデンサ５１に充電され、ＰＤ電圧信号２４が光量決定信号２６より高い場合はホールドコンデンサ５１から放電する。このように、電流に応じた電圧値２８を加減制御することによりＬＤ１２を所定光量とする。

Ｓ／Ｈ制御信号２９がホールド要求時は、サンプル要求時に得られた結果に基づいた電流に応じた電圧値２８をホールドコンデンサ５１に保持する。

電流制御回路としてのカレントミラー回路３１は、トランジスタ３１ａと３１ｂとで構成されている。例えば、カレントミラー回路３１のミラー比が約４０倍あるとする。レーザ制御部２０から入力されるＳ／Ｈ制御信号２９により、データ出力要求時はサンプル／ホールド回路２７から出力される電流に応じた電圧値２８がオペアンプ５２のプラス入力端子に入力されている。そのため、トランジスタ５３のエミッタから出力される電流が抵抗５４を流れる。

尚、抵抗５４で発生する電圧値は、オペアンプ５５を介してＬＤ電流検出信号５６としてレーザ制御部２０へ出力されている。カレントミラー回路３１のトランジスタ３１ａのコレクタ側から出力されるレーザ駆動電流３２は、カレントミラー回路３１のミラー比が約４０倍であるため、抵抗５４を流れる電流値の約４０倍になる。

差動入力を有する差動レシーバ（ＬＶＤＳ）３５は、画像制御部１４から入力される非反転データ信号３３、反転データ信号３４を受信する。出力選択回路３８は、Ｓ／Ｈ制御信号２９またはデータ出力制御信号３０によって決定されたスイッチング信号ａ３９及びスイッチング信号ｂ４０を出力する。

電流ドライバ４１は、トランジスタ４１ａ及びトランジスタ１ｂのエミッタ端子を接続した差動増幅の構成としている。トランジスタ４１ａは、レーザ駆動電流３２を以ってスイッチング信号ａ３９に基づいて、ＬＤ１２をスイッチング駆動する。同様に、トランジスタ４１ｂは、レーザ駆動電流３２を以ってスイッチング信号ｂ４０に基づいて、負荷抵抗４２をスイッチング駆動する。

バイアス電流決定部５７では、バイアス電流設定信号５０に応じて、ＬＤ１２のレーザ閾値電流Ｉｔｈに対するＬＤ１２へのバイアス電流値の割合または電流量が変化しないように電流を出力する。

バイアス電流値決定手段としてのバイアス電流決定部５７の機能をさらに具体的に説明する。

バイアス電流決定部５７は、異なる２種類の光量でＬＤ１２を発光させたときに、ＬＤ１２に印加される電流値に基づいてバイアス電流値を決定する。

また、バイアス電流決定部５７は、異なる２種類の光量でＬＤ１２を発光させたときに、ＬＤ１２に印加される電流値から求めたそれぞれのバイアス電流値を比較してバイアス電流値を決定する。

また、バイアス電流決定部５７は、３種類以上の光量の中で最大光量以外の２種類の光量でＬＤ１２を発光させたときに、ＬＤ１２に印加される電流値に基づいてバイアス電流値を決定する。

ここで、図１のレーザダイオード駆動装置１１によるレーザの各種制御モードについて図２、３を用いて説明する。

（１）自動光量制御（以下ＡＰＣ（ＡｕＴｏＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ）とする）
サンプル／ホールド回路２７がサンプル状態の場合、出力選択回路３８は、レシーバ非反転出力信号３６、レシーバ反転出力信号３７の出力の如何に因らず、ＬＤ１２が発光するよう強制的にＯＮデータを出力する。ＰＤ電圧信号２４と光量決定信号２６の差分に応じた信号を以って、以下によりＬＤ１２の発光光量を所定光量とする制御を行う。
・ＰＤ電圧信号２４＞光量決定信号２６
ＬＤ１２の発光光量が所定光量より大きいと判断し、ホールドコンデンサ５１の電荷を放電することによって、電流に応じた電圧値２８を低下させ、レーザ駆動電流３２を減少することによりＬＤ１２の発光光量を低下する。
・ＰＤ電圧信号２４＜光量決定信号２６
ＬＤ１２の発光光量が所定光量より小さいと判断し、ホールドコンデンサ５１に電荷を充電することによって、電流に応じた電圧値２８を増加させ、レーザ駆動電流３２を増加することによりＬＤ１２の発光光量を上昇する。
・ＰＤ電圧信号２４＝光量決定信号２６
ＬＤ１２の発光光量が所定光量と同一判断し、ホールドコンデンサ５１の電荷を充放電しないことによって、電流に応じた電圧値２８、レーザ駆動電流３２共に増加減はしない。
レーザ強制消灯（ＯＦＦ）
サンプル／ホールド回路２７にて設定された電流に応じた電圧値２８を保持し、出力選択回路３８は、レシーバ非反転出力信号３６、レシーバ反転出力信号３７の出力の如何に因らず、ＬＤ１２が消灯するよう強制的にＯＦＦデータを出力する。
データ出力（ＤＡＴＡＯＵＴ）
サンプル／ホールド回路２７にて設定された電流に応じた電圧値２８を以って、出力選択回路３８は、レシーバ非反転出力信号３６、レシーバ反転出力信号３７に応じた信号を出力することによって、ＬＤ１２もしくは抵抗４２に電流を流す。
リセット
リセット状態となり、サンプル／ホールド回路２７にて設定された電流値を初期化し且つ、出力選択回路３８からＬＤ１２が消灯するよう強制的にＯＦＦデータを出力する。

図４は、図１のレーザダイオード駆動装置によって実行されるＬＤへのバイアス電流値決定処理の手順を示すフローチャートである。

始にステップＳ１０１〜Ｓ１０５まで説明する。
Ｉ．ＬＤ１２の発光光量をデータ発光時の光量ＰａＰｃに調整するために、上記の自動光量制御を実施
始に、ステップＳ１０１においてｎ＝１を設定し、ステップＳ１０２において、光量ＰａＰｃでＡＰＣ発光を実施する。その状態のＬＤ１２への電流値に対する電圧値が抵抗５４−ＧＮＤ間に出力される。そのときの光量決定信号２６はＶＲｅｆ−ａＰｃとする。抵抗５４の抵抗値をＲ５４、ＬＤ１２に流れる電流をＩａＰｃとすると、抵抗５４−ＧＮＤ間に発生する電圧Ｖ５４ａＰｃは、
Ｖ５４ａＰｃ＝ＩａＰｃ × Ｒ５４／４０・・・・・式Ａ
となる。このＶ５４ａＰｃの電圧値は、オペアンプ５５を介してレーザ制御部２０へ出力され、ステップＳ１０５で式Ａから電流値を算出し、その値をレーザ制御部２０のメモリ内に保持する。因みに、電流値は
ＩａＰｃ＝４０ × Ｖ５４ａＰｃ／Ｒ５４
となる。
II．Ｉ．の光量の１／２の光量ＰａＰｃ／２でＡＰＣを実行
ステップＳ１０３でＩ．の光量の１／２の光量ＰａＰｃ／２で発光させるために、光量決定信号２６をＶＲｅｆ−ａＰｃ／２とすることで、ＰＤ電圧信号２４＞光量決定信号２６となり（１）で説明しているようにＬＤ１２に流れる電流を減少させる。そのときのＬＤ１２への電流値に対する抵抗５４−ＧＮＤ間に発生する電圧Ｖ５４１／２ａＰｃは、
Ｖ５４１／２ａＰｃ＝Ｉ１／２ａＰｃ × Ｒ５４／４０・・・・・式Ｂ
となる。このＶ５４１／２ａＰｃの電圧値は、オペアンプ５５を介してレーザ制御部２０へ出力され、ステップＳ１０５で式Ｂから電流値を算出し、その値をレーザ制御部２０のメモリ内に保持する。因みに、電流値は
Ｉ１／２ａＰｃ＝４０ × Ｖ５４１／２ａＰｃ／Ｒ５４
となる。
III．Ｉ．の光量の１／３の光量ＰａＰｃ／３でＡＰＣを実行
ステップＳ１０４でＩ．の光量の１／３の光量ＰａＰｃ／３で発光させるために、光量決定信号２６をＶＲｅｆ−ａＰｃ／３とすることで、ＰＤ電圧信号２４＞光量決定信号２６となり（１）で説明しているようにＬＤ１２に流れる電流を減少させる。そのときのＬＤ１２への電流値に対する抵抗５４−ＧＮＤ間に発生する電圧Ｖ５４１／３ａＰｃは、
Ｖ５４１／３ａＰｃ＝Ｉ１／３ａＰｃ × Ｒ５４／４０・・・・・式Ｃ
となる。このＶ５４１／３ａＰｃの電圧値は、オペアンプ５５を介してレーザ制御部２０へ出力され、ステップＳ１０５で式Ｃから電流値を算出し、その値をレーザ制御部２０のメモリ内に保持する。因みに、電流値は
Ｉ１／３ａＰｃ＝４０ × Ｖ５４１／３ａＰｃ／Ｒ５４
となる。

次に、それぞれの光量と電流値よりＩｔｈを算出するステップＳ１０６を説明する。
IV．Ｉ．、II．、III．より算出されたＬＤ１２についての光量Ｐと電流Ｉの関係からＩｔｈを算出
光量ＰａＰｃ、ＰａＰｃ／２、ＰａＰｃ／３とそれぞれに対応する電流ＩａＰｃ、Ｉ１／２ａＰｃ、Ｉ１／３ａＰｃとの関係よりＩｔｈ（Ａ）を試算する。Ｉ．における光量Ｐと電流Ｉは（ＰａＰｃ，ＩａＰｃ）であり、II．における光量Ｐと電流Ｉは（ＰａＰｃ／２，Ｉ１／２ａＰｃ）であるので、Ｉｔｈ（Ａ）は、
Ｉｔｈ（Ａ）＝ＩａＰｃ − ＰａＰｃ × （ＩａＰｃ − Ｉ１／２ａＰｃ）／（ＰａＰｃ − ＰａＰｃ／２）・・・・・式Ｄ
II．とIII．の光量Ｐと電流Ｉの関係よりＩｔｈ（Ｂ）を試算する。II．における光量Ｐと電流Ｉは（ＰａＰｃ／２，Ｉ１／２ａＰｃ）、III．における光量Ｐと電流Ｉは（ＰａＰｃ／３，Ｉ１／３ａＰｃ）であるので、Ｉｔｈ（Ｂ）は、
Ｉｔｈ（Ｂ）＝Ｉ１／２ａＰｃ − ＰａＰｃ／２ × （Ｉ１／２ａＰｃ − Ｉ１／３ａＰｃ）／（ＰａＰｃ／２ − ＰａＰｃ／３）・・・・・式Ｅ
最後に、ステップＳ１０７〜Ｓ１０９について説明する。
V． IV．で２つのＩｔｈを算出したものを比較しＬＤ１２に印加するバイアス電流を決定
ステップＳ１０７において、Ｉｔｈ（Ａ）とＩｔｈ（Ｂ）を比較し、Ｉｔｈ（Ｂ）に対してＩｔｈ（Ａ）の誤差が例えば５％以内であった場合は、以下のようになる。即ち、光量と電流の関係が図５のＤ１、Ｅ１の１次式の関係（光量ＰａＰｃ、ＰａＰｃ／２、ＰａＰｃ／３と電流ＩａＰｃ、Ｉ１／２ａＰｃ、Ｉ１／３ａＰｃとの関係が１つの１次式上に存在する）であると判定される。そして、Ｉｔｈの算出結果と実際のＬＤ１２のＩｔｈの特性とがほぼ一致していると言えるので、Ｉｔｈ（Ａ）の値を用いてステップＳ１０８でバイアス電流値を決定する。

ここで、Ｉｔｈ（Ａ）の値を用いてバイアス電流値を決定する理由を述べる。Ｉｔｈの算出時に使用する値として、抵抗５４−ＧＮＤ間の電圧Ｖ５４を用いるが、ＬＤ１２の光量が低光量である場合に、この電圧値が低くなってしまうことにより、高精度にＩｔｈを算出しようとする場合に誤差が大きくなるためである。

また、ＬＤ１２がＶＣＳＥＬである場合は、出力できる定格光量自体が低光量であり、Ｖ５４の値が更に低くなるし、また、ＰＤ１３の出力も低くなってしまいＡＰＣ自体の誤差も増加してしまうためである。

バイアス電流値のステップＳ１０８での決定の方法は、例えば、Ｉｔｈ（Ａ）の９０％のバイアス電流値とする場合は、バイアス電流Ｉｂは、
Ｉｂ＝０.９ × Ｉｔｈ（Ａ）
とする。

また、ステップ１０７でＩｔｈ（Ａ）とＩｔｈ（Ｂ）を比較し、Ｉｔｈ（Ｂ）に対してＩｔｈ（Ａ）の誤差が例えば５％を超えている場合は、以下のようになる。即ち、光量と電流の関係が図６のＤ２、Ｅ２の１次式の関係（光量ＰａＰｃ、ＰａＰｃ／２、ＰａＰｃ／３と電流ＩａＰｃ、Ｉ１／２ａＰｃ、Ｉ１／３ａＰｃとの関係が１つの１次式上に存在しない）であると判定され、Ｉｔｈの算出結果と実際のＬＤ１２のＩｔｈの特性との差が大きいと言える。

そのため、ステップＳ１０４で発光させた光量ＰａＰｃ／３よりも低い光量にするためにステップＳ１０９でｎに１を加算し、ステップＳ１０４でＰａＰｃの１／４の光量ＰａＰｃ／４でＡＰＣを実行させる。そして、Ｉｔｈ（Ｂ）と、ステップＳ１０６で光量ＰａＰｃ／３、ＰａＰｃ／４とそれぞれに対応する電流Ｉ１／３ａＰｃ、Ｉ１／４ａＰｃとからＩｔｈ（Ｃ）を算出する。さらに、その値を上記同様に比較し、それぞれの値が５％以内になるかどうかをステップＳ１０７において判定する。

このステップを２つのＩｔｈの誤差が５％以内になるまで繰り返し実行する。そうすれば、レーザダイオードの特性が図６のような最大出力光量が非直線特性の部分にあるようなものであっても、精度良くバイアス電流を設定できるようになる。

尚、ＬＤ１２がデータ出力をしている期間中、例えば、図２のサンプルタイミングでは、常に光量ＰａＰｃでＡＰＣを実施している。また、バイアス電流値Ｉｂを決定するためのステップＳ１０３以降のステップは、図２のようなデータ出力をしていないタイミングであってもよい。そのときに、ｎ＝１でステップＳ１０７において誤差が５％より大きかった場合で、再度バイアス電流値Ｉｂを決定するためのシーケンスが動作する場合は、ｎ＝２から設定してもよい。また、本実施の形態では、１つのレーザダイオードに対する制御であったが、複数のレーザダイオードでも制御可能である。

以上説明したように、レーザダイオードの３種類以上の光量に対するそれぞれの電流値からバイアス電流値を算出することにより、光量−電流特性が図６のような特性であっても、バイアス電流値Ｉｂをレーザダイオードの閾値電流Ｉｔｈ付近に設定できる。

従って、光通信機器の場合はデータ伝送の不具合、画像形成装置の場合は画像劣化などの問題を軽減することができる。また、光量−電流特性にリニア領域がないものであっても閾値電流Ｉｔｈ付近にバイアス電流を設定できるため、例えば、１つ以上の発光点を有するＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）であっても高精度の光量制御が実施可能である。

本発明の実施の形態に係るレーザダイオード駆動装置のブロック図である。図１のレーザダイオード駆動装置による制御シーケンスを表すタイミングチャートである。図１のレーザダイオード駆動装置による制御モードの図表である。図１のレーザダイオード駆動装置によって実行されるＬＤへのバイアス電流値決定処理の手順を示すフローチャートである。図１における半導体レーザ（レーザダイオード）の特性を表す図である（その１）。図１における半導体レーザ（レーザダイオード）の特性を表す図である（その２）。従来のレーザダイオードの特性を表す図である。

符号の説明

１１レーザダオード駆動装置
１２半導体レーザ（ＬＤ）
１３フォトダイオード（ＰＤ）
１４画像制御部
１１レーザ駆動部
２０レーザ制御部
２２フォトダイオード（ＰＤ）電流
２３光量調整可変抵抗
２４フォトダイオード（ＰＤ）電圧信号
２６光量決定信号
２７サンプル／ホールド回路
２８電流に応じた電圧値
２９サンプル・ホールド（Ｓ／Ｈ）制御信号
３０データ出力制御信号
３１カレントミラー回路
３２レーザ駆動電流
３３非反転データ信号
３４反転データ信号
３５差動レシーバ（ＬＶＤＳ）
３６レシーバ非反転出力信号
３７レシーバ反転出力信号
３８出力選択回路
３９スイッチング信号ａ
４０スイッチング信号ｂ
４１電流ドライバ
４１ａ、４１ｂトランジスタ
４２負荷抵抗
５０バイアス電流設定信号
５１ホールドコンデンサ
５２、５５オペアンプ
５３トランジスタ
５４抵抗
５６ＬＤ電流検出信号
５７バイアス電流決定部

Claims

レーザダイオードの光量を検出する光量検出手段と、
前記レーザダイオードの光量を決定する光量決定手段と、
前記レーザダイオードを前記光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段と、
前記光量決定手段により決定された３種類以上の光量で前記レーザダイオードを発光した結果に基づいてバイアス電流値を決定するバイアス電流値決定手段と、
を備えることを特徴とするレーザダイオード駆動装置。
前記バイアス電流値決定手段は、異なる２種類の光量で前記レーザダイオードを発光させたときに前記レーザダイオードに印加される電流値に基づいてバイアス電流値を決定することを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動装置。
前記バイアス電流値決定手段は、異なる２種類の光量で前記レーザダイオードを発光させたときに前記レーザダイオードに印加される電流値から求めたそれぞれのバイアス電流値を比較してバイアス電流値を決定することを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動装置。
前記バイアス電流値決定手段は、３種類以上の光量の中で最大光量以外の２種類の光量で前記レーザダイオードを発光させたときに前記レーザダイオードに印加される電流値に基づいてバイアス電流値を決定することを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動装置。
前記レーザダイオードが面発光型半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動装置。
前記レーザダイオードが１つ以上の発光点を有する面発光型半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動装置。
レーザダイオードの光量を検出する光量検出手段と、
前記レーザダイオードの光量を決定する光量決定手段と、
前記レーザダイオードを前記光量決定手段により決定された光量に制御する光量制御手段と、
前記光量決定手段により決定された３種類以上の光量で前記レーザダイオードを発光した結果に基づいてバイアス電流値を決定するバイアス電流値決定手段と、
を備えることを特徴とする光走査装置。
前記バイアス電流値決定手段は、異なる２種類の光量で前記レーザダイオードを発光させたときに前記レーザダイオードに印加される電流値に基づいてバイアス電流値を決定することを特徴とする請求項７記載の光走査装置。
前記バイアス電流値決定手段は、異なる２種類の光量で前記レーザダイオードを発光させたときに前記レーザダイオードに印加される電流値から求めたそれぞれのバイアス電流値を比較してバイアス電流値を決定することを特徴とする請求項７記載の光走査装置。
前記バイアス電流値決定手段は、３種類以上の光量の中で最大光量以外の２種類の光量で前記レーザダイオードを発光させたときに前記レーザダイオードに印加される電流値に基づいてバイアス電流値を決定することを特徴とする請求項７記載の光走査装置。
前記レーザダイオードが面発光型半導体レーザであることを特徴とする請求項７記載の光走査装置。
前記レーザダイオードが１つ以上の発光点を有する面発光型半導体レーザであることを特徴とする請求項７記載の光走査装置。