JP2007123619A - 発光素子駆動装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電流注入型の発光素子の閾電流値の極近傍にバイアス電流を自動的に設定し、安定した光出力と高速の発光動作を保証すること。
【解決手段】バイアス電流供給回路12において、特に閉ループ回路20においては、モニタ電圧VM1が基準電圧VA1に一致するようにバイアス電流Ibを可変させるバイアスAPCのフィードバック動作が行われる。このフィードバック動作により、VM1=VA1の平衡状態に達し、レーザダイオード10に与えられる駆動電流Ib(Iba+Ibb)は一定値に収束する。一定時間後にS/H回路34がホールド・モードに切り換えられると、そこでいったん駆動電流Ib(Iba+Ibb)が所定の光出力に対応する一定値にホールドされる。

【選択図】 図2

Description

本発明は、発光素子駆動装置に係り、特に電流−光出力特性に閾電流値を有する電流注入型の発光素子を駆動する回路に関する。
電流注入型発光素子の代表例としてレーザダイオードがよく知られている。レーザダイオードに順方向の駆動電流を流すと、活性層の領域で電子とホールとが再結合してフォトンが発生し、この自然放出光が帰還作用によって活性層中を往復運動してレーザ発振(誘導放出)が生じる。図7に示すように、レーザダイオードの駆動電流−光出力特性には発振閾値または閾電流値ITHと称される変曲点が存在し、この閾電流値ITH以上の駆動(注入)電流によってレーザ発振(発光)し、光出力を容易かつ高速に可変制御することができる。
レーザダイオードの応用分野の1つに印字ヘッドがある。いわゆるレーザ方式の印字ヘッドは、レーザダイオードより一定のドット周期で発生されるパルスレーザ光のビームスポットを感光ドラム上でライン方向(主走査方向)に走査するように構成されている。この場合、レーザダイオードは、高速のパルス信号に応答して高速パルスの光出力を発生する。
もっとも、レーザダイオードを発光させるために、駆動電流を零から増加させたならば、駆動電流が閾電流値ITHを越えた時点からレーザ発振(発光)が開始する。つまり、駆動電流が閾電流値ITHに達するまでの遅れ時間が存在する。そこで、レーザダイオードを高速にパルス駆動するアプリケーションでは、レーザダイオードに閾電流値ITH付近に設定された直流のバイアス電流を注入しておいて、パルス期間中はバイアス電流に上積みする形で一定電流値のスイッチング電流を供給(注入)して、レーザダイオードの光出力をスイッチング電流に追随させて高速に立ち上げるようにしている。この場合、駆動電流−光出力特性上でバイアス電流とスイッチング電流とを足し合わせた駆動電流に対応する光出力が得られる。
しかしながら、バイアス電流が固定されていると、周囲温度や経時変化等によってレーザダイオードの駆動電流−光出力特性が変化した場合に、バイアス電流が閾電流値ITHからオフセットし、あるいはそのオフセット量が拡大してしまい、支障が出る。すなわち、閾電流値ITHがバイアス電流よりも大きい方に変化すると、スイッチング電流を注入してからレーザ発振を開始するまでに遅れが生じ、あるいはその時間遅れが増大する。また、閾電流値ITHがバイアス電流よりも小さい方に変化すると、スイッチング電流を注入しない時にも微弱ながら常時発光してしまう。
こうした固定バイアス法の問題を解消するために、レーザダイオードの駆動電流−光出力特性を直線近似して理論的な閾電流値ITHを演算で求め、そこから一定値だけ小さい方に後退またはオフセットさせて得られる電流値をバイアス電流として設定する可変バイアスの手法も提案されている。この可変バイアス設定法は、駆動電流−光出力特性上の複数(典型的には2つ)の動作点を測定し、それら2つの動作点を通る直線が光出力零の値をとる横軸(電流軸)と交差する点を演算により求め、その交差点の電流値を理論的な閾電流値ITHとするものであり、レーザダイオードの駆動電流−光出力特性が変動しても、その変動に追従したバイアス電流を自動的に再設定または更新できるようにしている。
しかしながら、レーザダイオードの駆動電流−光出力特性は閾電流値ITH以上の発振領域においても厳密には非直線的な曲線を示す。上記従来の可変バイアス設定法は、そのような非直線の特性曲線に直線近似を当てはめるため、そこから理論的に求められる閾電流値ITHの精度ひいてはバイアス電流の精度が低いという問題がある。
さらに、上記従来の可変バイアス設定法によれば、駆動電流−光出力特性曲線上の複数点を割り出すために、レーザダイオードを仮駆動して所定値の光出力に対応する電流値を測定するバイアス電流設定用の動作モードを少なくとも2回行わなくてはならない。このことは、アプリケーション上の大きな制限となる。すなわち、レーザダイオードの駆動電流−光出力特性の変動に対して正規動作点の光出力を一定に保持するには、バイアス電流だけでなくスイッチング電流も再設定しなくてはならない。このため、バイアス電流設定用の動作モードに続けて、新たなバイアス電流の下に改めてレーザダイオードを仮駆動して正規動作点を得るためのスイッチング電流を確定するスイッチング電流設定用の動作モードを行わなくてはならない。このため、バイアス電流とスイッチング電流の再設定に合計3回以上の動作モード(仮駆動)が必要となる。しかし、たとえばレーザ方式の印字ヘッドにおいては、そのような再設定モードを実施できる機会は走査の合間(たとえば帰線期間)に限られており、再設定モードの所要時間が長ければ実施不能となるか、実施回数を減らすはめになる。
さらに、上記のような可変バイアス設定法に基づく従来の発光素子駆動装置は、直線近似法から理論的な閾電流値ないしバイアス電流を求めるための煩雑なアナログ演算回路を備えるだけでなく、バイアス電流設定モードの際に用いたバイアス電流供給回路とは別に演算で求めたバイアス電流を生成するための特別な電流生成回路を備えなくてはならず、回路規模が非常に大きくなるという問題もあった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解消するものであり、電流注入型の発光素子の閾電流値の極近傍にバイアス電流を自動的に設定し、安定した光出力と高速の発光動作を保証する発光素子駆動回路を提供することを目的とする。
本発明の別の目的は、電流注入型発光素子の閾電流値を高精度に検出できるようにした発光素子駆動回路を提供することにある。
本発明の他の目的は、電流注入型発光素子の最適なバイアス電流およびスイッチング電流をシンプルな回路構成で短時間に設定できるようにした発光素子駆動回路を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の発光素子駆動装置は、発光素子の光出力を電流に変換するための受光素子と、前記受光素子を流れる電流に第1の係数を乗じた大きさの第1のモニタ電圧を生成する第1のモニタ電圧生成回路と、前記発光素子に対するバイアス電流を設定するために選定された第1の光出力基準値に対応する第1の基準電圧に前記モニタ電圧が一致するように前記発光素子に第1の電流を供給する第1の閉ループ回路と、前記受光素子を流れる電流に第2の係数(好ましくは第2の係数<第1の係数)を乗じた大きさの第2のモニタ電圧を生成する第2のモニタ電圧生成回路と、前記発光素子に対するスイッチング電流を設定するために選定された第2の光出力基準値に対応する第2の基準電圧に前記第2のモニタ電圧が一致するように前記発光素子に第2の電流を供給する第2の閉ループ回路とを有する。
上記の構成においては、第1のモニタ電圧生成回路と第1の閉ループ回路とでフィードバック動作が行われ、第1のモニタ電圧が第1の基準電圧に一致するに至った平衡状態で得られる第1の電流の値を基に所望のバイアス電流が設定される。さらに、第2のモニタ電圧生成回路と第2の閉ループ回路とで別のフィードバック動作が行われ、第2のモニタ電圧が第2の基準電圧に一致するに至った平衡状態で得られる第2の電流の値を基に所望のスイッチング電流が設定される。
本発明の好適な一態様においては、バイアス電流を決定するための第1のモードでは、第2の閉ループ回路を止めて第1の閉ループ回路にフィードバック動作を行わせ、第1の閉ループ回路で平衡状態に達した第1の電流から所定の割合のオフセット分を差し引いたものをバイアス電流としてホールドする。上記のような第1の光出力基準値に基づいて得られるバイアス電流は実際の閾電流値よりも極僅かだけ大きな値で近似する。このため、平衡状態に達した第1の電流(仮バイアス電流)から所定の割合だけオフセット分を差し引いたものを実バイアス電流としてホールドすることで、実際の閾電流値に一層近似させることができる。
この場合の第1の閉ループ回路の構成として、好ましくは、モニタ電圧と第1の基準電圧とを比較して、その差分に応じた誤差電圧を発生する第1のコンパレータと、この第1のコンパレータからの誤差電圧をサンプリング・ホールドする第1のサンプル・ホールド回路と、この第1のサンプル・ホールド回路の出力電圧に応じた第1のバイアス電流成分を生成する第1のバイアス電流成分生成回路と、この第1のサンプル・ホールド回路の出力電圧に応じた第2のバイアス電流成分を生成する第2のバイアス電流成分生成回路と、第1のバイアス電流成分と第2のバイアス電流成分とを足し合わせて第1の電流を生成する第1の電流加算回路とを有し、第1のモードで、フィードバック動作を行うときは第1のサンプル・ホールド回路をサンプリング・モードに切り換え、フィードバック動作を止めるときは記第1のサンプル・ホールド回路をホールド・モードに切り換え、フィードバック動作を止めた後に第1の電流加算回路に対して第2のバイアス電流成分生成回路からの第2のバイアス電流成分の供給を断つ。
さらに、好ましい一態様として、第1の閉ループ回路が、一方の端子が第1の基準電源電圧端子に接続され、他方の端子が第1のノードに接続された第3のトランジスタと、第1のバイアス電流成分を流すために第1のノードと第2の基準電源電圧端子との間に接続された第1の帰還抵抗と、第2のバイアス電流成分を流すために第1のノードと第2の基準電源電圧端子との間で第1の帰還抵抗と並列に接続された第2の帰還抵抗と、第1のノードと第2の基準電源電圧端子との間で第2の帰還抵抗と直列に接続されるオン/オフ・スイッチと、第1のサンプル・ホールド回路の出力端子に接続された第1の入力端子と、第1のノードに接続された第2の入力端子と、第3のトランジスタの制御端子に接続された出力端子とを有し、第1のサンプル・ホールド回路の出力電圧と第1のノードに得られるノード電圧との差分をとって増幅する差動増幅器と、第3のトランジスタとカレントミラー回路を構成し、かつ発光素子と直列に接続される第4のトランジスタとを有する。この場合、第3のトランジスタと第1の帰還抵抗と差動増幅器とで第1のバイアス電流成分生成回路が構成され、第3のトランジスタと第2の帰還抵抗と差動増幅器とで第2のバイアス電流成分生成回路が構成され、第1のモードでフィードバック動作を行うときは該スイッチがオンし、第1のモードでフィードバック動作を止めるために該スイッチがオフする。このように、フィードバック動作による平衡状態で確立させた仮バイアス電流から実際の閾電流値により一層近似した実バイアス電流にオフセットさせるにも、スイッチをオフするだけの操作で済み、演算処理は一切不要である。
別の好適な一態様においては、バイアス電流を設定するための第1のモードの終了後に行われるスイッチング電流を設定するための第2のモードでは、第1の閉ループ回路よりバイアス電流をホールド状態で供給させると同時に第2の閉ループ回路にフィードバック動作を行わせ、第2の閉ループ回路内で平衡状態に達した電流をスイッチング電流としてホールドする。スイッチング電流の設定は、バイアス電流の設定の後に続けて行われるのが好ましい。したがって、直前に設定されたバイアス電流にスイッチング電流を足し合わせたものを第2の電流として発光素子に供給し、第2の閉ループ回路内で平衡状態に達した電流をスイッチング電流としてホールドすることによって、発行素子に第2の光出力基準値で発光させるための駆動電流(バイアス電流+スイッチング電流)を確定することができる。
別の好適な一態様においては、第2のモードの終了後に行われる発光素子を発光駆動する第3のモードでは、第1の閉ループ回路よりホールド状態で与えられるバイアス電流を発光素子に常時供給し、第2の閉ループ回路よりホールド状態で与えられるスイッチング電流を所定の入力信号に応じてバイアス電流と加算して発光素子に供給する。発光素子は、スイッチング電流を供給されない間はバイアス電流だけで駆動され、発光直前のスタンバイ状態に置かれる。そして、スイッチング電流を供給される間は、バイアス電流にスイッチング電流を加算した合成電流で駆動され、スイッチング電流設定時と同じ基準値(第2の光出力基準値)の光出力で発光する。
別の好適な一態様においては、第1のモニタ電圧生成回路が、受光素子を流れる電流と同一の電流または第1の倍率(好ましく1倍以上)で比例する電流が流れる第1のモニタ抵抗を有し、この第1のモニタ抵抗から第1のモニタ電圧を取り出す。好ましくは、第1のモニタ電圧生成回路が、受光素子と直列に接続される第1のトランジスタと、第1のトランジスタと第1の倍率に相当するカレントミラー比でカレントミラー回路を構成する第2のトランジスタとを有し、第1のモニタ抵抗と第2のトランジスタとを直列に接続してなる。
別の好適な一態様においては、第2のモニタ電圧生成回路が、受光素子を流れる電流と同一の電流または第2の倍率(好ましく1倍)で比例する電流が流れる第2のモニタ抵抗を有し、第2のモニタ抵抗から第2のモニタ電圧を取り出す。好ましくは、第2のモニタ電圧生成回路が、受光素子と直列に接続される第5のトランジスタと、第5のトランジスタと第2の倍率に相当するカレントミラー比で第3のカレントミラー回路を構成する第2のトランジスタとを有し、第2のモニタ抵抗と前記第2のトランジスタとを直列に接続する。
本発明においては、第1および第2のモニタ電圧生成回路におけるカレントミラー回路のカレントミラー比、モニタ抵抗の抵抗値および第1、第2の基準電圧を適宜選定することで、第2の光出力基準値に対する第1の光出力基準値の比率を限りなく小さな値にし、第1の光出力基準値を限りなく零に近い値とすることができる。このことは、第1の閉ループ回路内のフィードバック動作で得られるバイアス電流を実際の閾電流値に限りなく近づけられることを意味する。
別の好適な一態様においては、第2の閉ループ回路が、モニタ電圧と第2の基準電圧とを比較して、その差分に応じた誤差電圧を発生する第2のコンパレータと、この第2のコンパレータからの誤差電圧をサンプリング・ホールドする第2のサンプル・ホールド回路と、この第2のサンプル・ホールド回路の出力電圧に応じたスイッチング電流を生成するスイッチング電流生成回路とを有し、第2のモードで、フィードバック動作を行うときは第2のサンプル・ホールド回路をサンプリング・モードに切り換え、フィードバック動作を止めるときは第2のサンプル・ホールド回路をホールド・モードに切り換える。
本発明の好適な一態様においては、受光素子を第1または第2のモニタ電圧生成回路のいずれかに選択的に接続するための切換スイッチが設けられる。本発明における発光素子として特にレーザダイオードが典型的であり、本発明で用いるトランジスタは高速動作に有利なバイポーラ・トランジスタが好ましい。
本発明の発光素子駆動装置によれば、電流注入型発光素子の閾電流値を高精度に検出し、閾電流値の極近傍にバイアス電流をシンプルな回路構成により短時間で自動的に設定し、安定した光出力と高速の発光動作を保証することができる。
以下、図1〜図6を参照して本発明の好適な一実施形態を説明する。
図1に、本発明の一実施形態による発光素子駆動装置の回路構成を示す。この発光素子駆動装置は、レーザダイオード(LD)10を駆動対象の発光素子とし、このレーザダイオード10に直流のバイアス電流Ibおよびパルス状のスイッチング電流Isをそれぞれ供給するためのバイアス電流供給回路12およびスイッチング電流供給回路14を有している。
レーザダイオード10はカソード接地型であり、そのカソード端子には負極性の電源電圧端子Vssが接続され、アノード端子にはバイアス電流供給回路12およびスイッチング電流供給回路14のそれぞれの出力端子12a,14aが電流加算回路16を介して接続されている。
バイアス電流供給回路12は、バイアス電流設定モードの時だけ動作するモニタ電圧生成回路18と、アクティブ状態とホールド状態とに選択的に切換可能なフィードバック型の閉ループ回路20とを有しており、閉ループ回路20の中にバイアス電流Ibを生成する回路36,38を含んでいる。
モニタ電圧生成回路18は、レーザダイオード10の発生する光を受光し、その光強度または光出力に応じた電流を光電変換により生成するフォトダイオード(PD)22と、このフォトダイオード22を流れる電流IPDに所定の倍率N(好ましくはN≧3)で比例する電流NIPDを生成するカレントミラー回路24と、このカレントミラー回路24の出力段に設けられたモニタ抵抗26とを有している。より詳細には、カレントミラー回路24は一対のPNPトランジスタ28,30によって構成され、一方のPNPトランジスタ28と直列に切換スイッチ25を介してフォトダイオード22が接続され、他方のトランジスタ30と直列にモニタ抵抗26が接続されている。モニタ抵抗26の抵抗値をR26とすると、モニタ抵抗26の端子よりR26*NIPDで表されるモニタ電圧VM1が取り出される。なお、カレントミラー回路24においては、PNPトランジスタ28,30のエミッタサイズ比が1:Nに設定される。
閉ループ回路20には、演算増幅器からなるアナログのコンパレータ32、サンプル・ホールド(S/H)回路34、2つの電圧−電流変換回路36,38および電流加算回路40が含まれている。
コンパレータ32は、モニタ電圧生成回路18からのモニタ電圧VM1を一方の(反転)入力端子に入力するとともに、基準電圧発生回路(図示せず)からのバイアス電流設定用の基準電圧VA1を他方の(非反転)入力端子に入力し、両入力電圧VM1,VA1の差分に応じた誤差電圧VE1を出力する。S/H回路34は、コンパレータ32の出力電圧VE1をサンプリング・ホールドする。電圧−電流変換回路36,38は、S/H回路34の出力電圧VSH1に応じた電流Iba,Ibbをそれぞれ生成する。ここで、電圧−電流変換回路36より生成される電流Ibaは実バイアス電流成分、電圧−電流変換回路38より生成される電流Ibbは補助バイアス電流であり、両者の間にはIbb=KIba(ただし0<K<1)の比例関係がある。電流加算回路40は、実バイアス電流成分Ibaと補助バイアス電流成分Ibbとを足し合わせ、その合成電流(Iba+Ibb)をバイアス電流Ibとして電流加算回路16の一方の入力端子に与える。
スイッチング電流供給回路14は、スイッチング電流設定モードの時だけ動作するモニタ電圧生成回路42と、アクティブ状態とホールド状態とに選択的に切換可能なフィードバック型の閉ループ回路44とを有しており、閉ループ回路44の中にスイッチング電流Isを生成する回路を含んでいる。
モニタ電圧生成回路42は、フォトダイオード22をバイアス電流供給回路12側のモニタ電圧生成回路18と共有しており、このフォトダイオード22を流れる電流IPDに所定の倍率n(通常はn=1)で比例する電流nIPDを生成するカレントミラー回路46と、このカレントミラー回路46の出力段に設けられたモニタ抵抗48とを有している。より詳細には、カレントミラー回路46は一対のPNPトランジスタ50,52によって構成され、一方のPNPトランジスタ50と直列に切換スイッチ25を介してフォトダイオード22が接続され、他方のトランジスタ52と直列にモニタ抵抗48が接続されている。モニタ抵抗48の抵抗値をR48とすると、モニタ抵抗48の端子よりR48*nIPDで表されるモニタ電圧VM2が取り出される。
閉ループ回路44には、演算増幅器からなるアナログのコンパレータ54、サンプル・ホールド(S/H)回路56、電圧−電流変換回路58およびスイッチ回路60が含まれている。
コンパレータ54は、モニタ電圧生成回路42からのモニタ電圧VM2を一方の(反転)入力端子に入力するとともに、基準電圧発生回路(図示せず)からのスイッチング電流設定用の基準電圧VA2を他方の(非反転)入力端子に入力し、両入力電圧VM2,VA2の差分に応じた誤差電圧VE2を出力する。S/H回路56は、コンパレータ54の出力電圧VE2をサンプリング・ホールドする。電圧−電流変換回路58は、S/H回路56の出力電圧VSH2に応じたスイッチング電流Isを生成する。スイッチ回路60は、高周波数でオン・オフ動作の可能なスイッチング回路からなり、電圧−電流変換回路58からのスイッチング電流Isを入力し、二値信号またはパルス信号として与えられる所望の入力信号SCに応じて、SC=Hレベルのときにスイッチング電流Isを電流加算回路16へ通し、SC=Lレベルのときはスイッチング電流Isを遮断する。
電流加算回路16は、電流駆動回路を含んでおり、バイアス電流供給回路12からのバイアス電流Ibとスイッチング電流供給回路14からのスイッチング電流Isとを足し合わせて、その合成電流(Ib+Is)をレーザ駆動電流としてレーザダイオード10に注入する。
図2に、バイアス電流供給回路12における電圧−電流変換回路36,38および電流加算回路40の具体的構成例を示す。この構成例において、それぞれのベース端子を相互に共通接続している一対のPNPトランジスタ62,64はカレントミラー回路を構成する。PNPトランジスタ62は、エミッタ端子が正極側の電源電圧端子Vccに接続され、コレクタ端子がノードNDに接続されている。ノードNDと負極側電源電圧端子Vssとの間には2つの帰還抵抗66,68が並列に接続されるとともに、抵抗68と直列にオン/オフ・スイッチ70が接続されている。演算増幅器からなる差動増幅器72の一方の(反転)入力端子にはS/H回路34の出力端子が接続され、他方の(非反転)入力端子にはノードNDが接続されている。そして、差動増幅器72の出力端子はPNPトランジスタ62のベース端子に接続されている。PNPトランジスタ64は、エミッタ端子が正極側の電源電圧端子Vccに接続され、コレクタ端子がバイアス電流供給回路12の出力端子12aを介して電流加算回路16の一方の入力端子に接続されている。
電圧−電流変換回路36はPNPトランジスタ62と抵抗66と差動増幅器72とで構成され、電圧−電流変換回路38はPNPトランジスタ62と抵抗68と差動増幅器72とで構成されている。電流加算回路40はノードNDによって構成されている。なお、カレントミラー回路(62,64)のカレントミラー比は通常は1:1でよい。
この発光素子駆動装置においては、切換スイッチ25、S/H回路34,56および電圧−電流変換回路38(スイッチ70)が制御回路(図示せず)によって状態切換の制御を受けるようになっている。すなわち、切換スイッチ25は、フォトダイオード22をバイアス電流供給回路12側のモニタ電圧生成回路18に接続するときは端子b側に切り換えられ、フォトダイオード22をスイッチング電流供給回路14側のモニタ電圧生成回路42に接続するときは端子s側に切り換えられる。S/H回路34は、後述するように、閉ループ回路20にバイアスAPC(オートバイアスコントロール)のフィードバック動作を行わせるときはサンプリング・モードに切り換えられ、バイアスAPCのフィードバック動作を終了させるときはホールド・モードに切り換えられる。S/H回路56は、後述するように、閉ループ回路44にスイッチングAPCのフィードバック動作を行わせるときはサンプリング・モードに切り換えられ、スイッチングAPCのフィードバック動作を終了させるときはホールド・モードに切り換えられる。電圧−電流変換回路38(スイッチ70)は、バイアスAPCのフィードバック動作を実行する際にアクティブ状態(スイッチ・オン)に切り換えられ、バイアスAPCのフィードバック動作を終了させた後は非アクティブ状態(スイッチ・オフ)に切り換えられる。また、コンパレータ32,54に与えられる基準電圧VA1,VA2も、制御回路の下でそれぞれ任意の値に設定できるようになっている。
次に、この発光素子駆動装置の作用を説明する。この発光素子駆動装置には、バイアス電流設定モード、スイッチング電流設定モードおよび正規発光モードの3種類のモードがある。以下、各モードにおける作用について説明する。
バイアス電流設定モードは、バイアス電流供給回路12側でレーザダイオード10に対するバイアス電流Ibを設定または再設定するためのモードである。このモードを実行するときは、切換スイッチ25が端子b側に切り換えられ、フォトダイオード22はバイアス電流供給回路12側のモニタ電圧生成回路18に接続される。スイッチング電流供給回路14を止めておくため、スイッチ回路60は強制的にオフ状態に保持されてよい。
バイアス電流設定モードを開始させるために、S/H回路34がサンプリング・モードに切り換えられるとともに、電圧−電流変換回路38のスイッチ70がオン状態に切り換えられる。バイアス電流供給回路12からのバイアス電流Ibが駆動電流としてレーザダイオード10に供給(注入)され、レーザダイオード10が光を発すると、その光を受光するフォトダイオード22に光電流IPDが流れる。このフォトダイオード22の光電流IPDは、モニタ電圧生成回路18によりR26*NIPDで表されるモニタ電圧VM1に変換される。そして、このモニタ電圧VM1と基準電圧VA1との差分に応じた誤差電圧VE1がコンパレータ32より出力され、S/H回路34でサンプリングされる。S/H回路34のサンプリング電圧VSH1を反転入力端子に受ける差動増幅器72においては、その非反転入力側の電圧(ノードNDの電圧)がサンプリング電圧VSH1と同電位になるようにフィードバックがかかり、PNPトランジスタ62が通電する。電圧−電流変換回路38のオン/オフ・スイッチ70がオン状態なので、PNPトランジスタ62のコレクタ電流Ibは電圧−電流変換回路36側の抵抗66と電圧−電流変換回路38側の抵抗68とに分流する。つまり、PNPトランジスタ62のコレクタ電流Ibは、抵抗66を流れる電流Ibaと抵抗68を流れる電流Ibbとを足し合わせたものとなる。ここで、抵抗66を流れる電流Ibaは実バイアス電流であり、抵抗68を流れる電流Ibbは補助バイアス電流である。そして、PNPトランジスタ64にも同じ大きさのコレクタ電流Ib(Iba+Ibb)がレーザ駆動電流として流れる。
このようにして、バイアス電流供給回路12において、特に閉ループ回路20においては、モニタ電圧VM1が基準電圧VA1に一致するようにバイアス電流Ibを可変させるバイアスAPCのフィードバック動作が行われる。このフィードバック動作により、VM1=VA1の平衡状態に達し、バイアス電流供給回路12よりレーザダイオード10に与えられる駆動電流Ib(Iba+Ibb)は一定値に収束する。こうして、バイアスAPCモードを開始してから一定時間後にS/H回路34がホールド・モードに切り換えられると、そこでいったん駆動電流Ib(Iba+Ibb)が後述する所定の光出力Pbに対応する一定値にホールドされる。
ここで、バイアスAPCのフィードバック動作で平衡状態に達したときのレーザダイオード10の光出力をPb、フォトダイオード12の光電流IPDをIPDbとすると、次式(1)が成立する。ただし、αは比例定数である。
b=α*IPDb ・・・・(1)
また、下記のように、上記平衡状態の式VM1=VA1から次式(2)が導かれる。
A1=VM1
=R26*NIPDb ・・・・(2)
上記の式(1)、(2)から次式(3)が得られる。
b=α*IPDb
=α*VA1/(N*R26) ・・・・(3)
要するに、基準電圧VA1,カレントミラー回路24のカレントミラー比Nおよびモニタ抵抗26の抵抗値R26を適宜選定することで、バイアスAPCにおけるレーザダイオード10の光出力Pbを任意の値に設定することが可能である。とりわけ、VA1を小さな値に選び、N,R26を大きく値に選ぶことで、図3に示すように、Pbを可及的に零に近い値に設定し、このPbに対応する駆動電流つまり仮バイアス電流Ib(Iba+Ibb)を閾電流値ITHより極僅かだけ大きな値に設定することができる。
次に、バイアス電流供給回路12においては、スイッチ70をオフ状態に切り換えて抵抗68をノードNDから電気的に切り離す。これにより、電圧−電流変換回路38における補助バイアス電流成分Ibbがなくなり、駆動電流Ibは実バイアス電流Ibaと補助バイアス電流成分Ibbとを足し合わせた仮バイアス電流(Iba+Ibb)から実バイアス電流Ibaだけになる。ここで、上記のようにIbb=KIbaの関係があり、抵抗66,68の抵抗値をそれぞれR66,R68とすると、K=R66/R68である。つまり、抵抗66,68の抵抗値R66,R68の選定次第で実バイアス電流Ibaに対する補助バイアス電流成分Ibbの割合を任意に設定することが可能である。もっとも、仮バイアス電流(Iba+Ibb)の段階で既に閾電流値ITHの極近傍の値に設定されているので、割合Kの値は適当な微小値に選んでよい。こうして、仮バイアス電流(Iba+Ibb)から補助バイアス電流成分Ibbを差し引いて得られる実バイアス電流Ibaを閾電流値ITHにほぼ一致または可及的に近似させることができる。
スイッチング電流設定モードは、スイッチング電流供給回路14側でレーザダイオード10に対するスイッチング電流Isを設定または再設定するためのモードであり、通常はバイアス電流設定モードの後に行われる。スイッチングAPCモードを実行するときは、切換スイッチ25が端子s側に切り換えられ、フォトダイオード22はスイッチング電流供給回路14側のモニタ電圧生成回路42に接続される。バイアス電流供給回路12は、上記のようなバイアス電流設定モードで確定した実バイアス電流Ibaをレーザダイオード10に供給し続ける。スイッチ回路60は強制的にオン状態に保持される。
スイッチング電流設定モードを開始させるために、S/H回路34がサンプリング・モードに切り換えられる。レーザダイオード10の発する光に応じてフォトダイオード22に流れる光電流IPDは、モニタ電圧生成回路42によりR42*nIPDで表されるモニタ電圧VM2に変換される。このモニタ電圧VM2と基準電圧VA2との差分に応じた誤差電圧VE2がコンパレータ54より出力され、S/H回路56でサンプリングされる。そして、S/H回路56の出力電圧VSH2は電圧−電流変換回路58で電流に変換される。この電圧−電流変換回路58で生成された電流つまりスイッチング電流Isがオン状態のスイッチ回路60および電流加算回路16を介してレーザダイオード10に供給される。レーザダイオード10は、バイアス電流供給回路12からの実バイアス電流Ibaとスイッチング電流供給回路14からのスイッチング電流Isとを足し合わせた駆動電流(Iba+Is)で駆動される。ここで、実バイアス電流Ibaは先のバイアス電流設定モードで設定された固定電流である。
このようにして、スイッチング電流供給回路14において、特に閉ループ回路44においては、モニタ電圧VM2が基準電圧VA2に一致するようにスイッチング電流ISを可変させるスイッチングAPCのフィードバック動作が行われる。このフィードバック動作により、VM2=VA2の平衡状態に達し、駆動電流(Ib+IS)が一定値に収束し、スイッチング電流ISも一定値に収束する。こうして、スイッチングAPCモードを開始してから一定時間後にS/H回路54がホールド・モードに切り換えられると、そこで駆動電流(Ib+IS)およびスイッチング電流ISが後述する所定の光出力PSに対応する一定値にホールドされる。
ここで、スイッチングAPCのフィードバック動作で平衡状態に達したときのレーザダイオード10の光出力をPS、フォトダイオード12の光電流IPDをIPDSとすると、次式(4)が成立する。
S=α*IPDS ・・・・(4)
また、下記のように、上記平衡状態の式VM2=VA2から次式(5)が導かれる。
A2=VM2
=R48*nIPDS ・・・・(5)
上記の式(4)、(5)から次式(6)が得られる。
s=α*IPDS
=α*VA2/(n*R48) ・・・・(6)
この式(6)から、基準電圧VA2,カレントミラー回路46のカレントミラー比nおよびモニタ抵抗48の抵抗値R48を適宜選定することで、スイッチングAPCにおけるレーザダイオード10の光出力PSを任意の値に設定できることがわかる。もっとも、スイッチング電流設定モードは、正規動作モードでレーザダイオード10を発光させるときの光出力を一定にするためのスイッチング電流ISないし駆動電流(Ib+IS)を確定するものであり、スイッチングAPCに用いる設定光出力PSは正規動作モードで目標とする光出力と同じであり、いわば規格化された固定値である。
上式(6)が意味をもつのは上式(3)との関係である。つまり、上式(3),(6)から次式(7)が得られる。
b/PS=VA1*(n*R48)/VA2*(N*R26) ・・・・(7)
上式(7)から、基準電圧VA1,VA2,カレントミラー回路18,46のカレントミラー比N,nおよびモニタ抵抗26,48の抵抗値R26,R48を適宜選定することで、規格値PSに対する任意可変値Pbの比率を限りなく小さな値に設定できる(つまりPbを限りなく零に近づけられる)ことがわかる。
たとえば、VA1=70mV、VA2=1.4V、N=5、n=1、R26=5kΩ、R48=1kΩとすると、上式(7)の右辺の値は次のようになる。
b/Ps=0.07*1*1000/1.4*5*5000
=1/500 ・・・・(8)
レーザダイオード10の光出力Pをそれと比例関係にあるフォトダイオード22の光電流IPDに換算した場合、スイッチング電流設定モードでフォトダイオード22を流れる光電流IPDSが2mAであるとすると、バイアス電流設定モードではフォトダイオード22にIPDSの1/500つまり4μAの光電流IPDbを流すようなバイアス電流Ibが設定されることになる。もちろん、Pb/Ps=1/500の比率は一例であり、1/1000あるいは1/5000といった比率も可能である。
上記のようにして、スイッチング電流設定モードにおいては、レーザダイオード10に規格値の光出力PSでレーザ発振させるためのスイッチング電流ISをスイッチング電流供給回路14内で確定し、かつホールドする。この後、正規動作モードに移行する。
正規動作モードでは、バイアス電流供給回路12およびスイッチング電流供給回路14より上記のようなバイアス電流設定モードおよびスイッチング電流設定モードで設定または再設定したバイアス電流Ibおよびスイッチング電流ISを出力させ、スイッチ回路60を入力信号SCに応じてスイッチング動作させる。すなわち、入力信号SCがLレベルのときは、スイッチ回路60がスイッチング電流Isを遮断する。このとき、レーザダイオード10は、バイアス電流供給回路12からのバイアス電流Ibだけで駆動され、レーザ発振(発光)直前のスタンバイ状態に置かれる。そして、入力信号SCがHレベルのときは、スイッチ回路60がスイッチング電流供給回路14からのスイッチング電流ISをスルーで通し、このスイッチング電流ISが電流加算回路16でバイアス電流Ibに加算され、その合成電流(Ib+IS)を駆動電流とするレーザダイオード10は規格値の光出力Psで発光する。
この実施形態においては、レーザダイオードの個体差あるいは周囲温度の変化や経時変化等によって駆動電流−光出力特性にばらつきや変動があっても、上記のようなバイアス電流設定モードを実行することで当該レーザダイオード10の閾電流値ITHにほぼ一致または可及的に近似したバイアス電流Ibを自動的に設定または再設定できるとともに、バイアス電流設定モードに続けて上記のようなスイッチング電流設定モードを実行することで当該レーザダイオード10に規格値の光出力Psでレーザ光を発生させるためのスイッチング電流Isを自動的に設定または再設定することができる。
したがって、たとえば図3に示すようなものから図4に示すようなものまでレーザダイオードの駆動電流−光出力特性にばらつきや変動があっても、各特性毎に安定かつ高精度のバイアス電流Ibおよびスイッチング電流Isを自動的に設定または再設定することができる。
特に、この実施形態におけるバイアス電流設定法は、レーザダイオード10の光出力Pないしフォトダイオード22の光電流IPDが限りなく零に近い値となるようなポイントに、つまり閾電流値ITHを超える最小の近傍点に、仮バイアス電流(Iba+Ibb)をバイアスAPCによって確定するので、駆動電流−光出力特性曲線のばらつきによって設定精度が左右されることはない。
このことは、図5および図6に示すように、従来技術の直線近似法と比較すれば一目瞭然に理解されよう。直線近似法は、駆動電流−光出力特性曲線を直線近似して近似直線が光出力零の値をとる横軸(電流軸)と交差する点Ib'を演算により求めて、これを閾電流値ITHの理論値とするものであるが、曲線を直線に近似するところに不可避的な精度の粗さがあり、実際の閾電流値ITHを大きく超える近傍点に理論値Ib'を求める傾向がある。この誤差をオフセットで調整するにしても、誤差が大きいだけに最適なオフセット量の選定が難しく、図5および図6に示すように駆動電流−光出力特性曲線が大きいとオフセットでも対応できなくなる。
また、この実施形態におけるバイアス電流設定法は、上記のように駆動電流−光出力特性上の1つの動作点についてバイアスAPC動作を1回行うだけで高精度なバイアス電流Ibを設定することができ、回路構成はシンプルで処理時間は非常に短い。その点、従来技術の直線近似法は、駆動電流−光出力特性上の複数の動作点について複数回のAPC動作を行わなくてはならず、しかもその後に理論値Ib'を求めるための複雑な演算処理を必要とし、回路構成は煩雑・大規模で処理時間が長かった。
一般にバイアス電流設定とスイッチング電流設定とが相連続して1セットで行われるため、バイアス電流設定の所要時間が短いほどスイッチング電流設定と合わせた設定モード全体の所要時間も短くなり、本来の正規動作モードに早く復帰することができる。この実施形態におけるバイアス電流設定モードの時間短縮化は、設定モードに長時間を割くのが難しいアプリケーション(たとえばレーザ方式の印字ヘッド等)では大なる利点となる。
なお、この実施形態においては、バイアスAPCによって確立した仮バイアス電流(Iba+Ibb)から実際の閾電流値ITHにより近似した実バイアス電流Ibaにオフセットするにも、スイッチ70をオフするだけでよく、演算処理は一切不要である。もっとも、仮バイアス電流(Iba+Ibb)自体が実際の閾電流値ITHに相当近似しているので、補助バイアス電流成分Ibbを生成する電圧−電流変換回路38を省く構成も可能である。
また、上記した実施形態においては、トランジスタ類を全てバイポーラ・トランジスタで構成しており、回路全体の動作速度を高くしている。しかし、一部または全部のトランジスタにMOSトランジスタを用いることも可能である。また、本発明の駆動装置は、レーザダイオードの点灯駆動に適用して特に好適であるが、他の電流注入型発光素子の点灯駆動にも適用可能である。
本発明の一実施形態における発光素子駆動装置の回路構成を示す図である。 実施形態における発光素子駆動装置の具体的な回路構成を示す図である。 実施形態における発光素子駆動装置の一作用を説明するための図である。 実施形態における発光素子駆動装置の一作用を説明するための図である。 実施形態におけるバイアス電流の精度と従来技術におけるバイアス電流の精度とを模式的に比較して示す図である。 実施形態におけるバイアス電流の精度と従来技術におけるバイアス電流の精度とを模式的に比較して示す図である。 レーザダイオードの駆動電流−光出力特性を示す図である。
符号の説明
10 レーザダイオード
12 バイアス電流供給回路
14 スイッチング電流供給回路
16 電流加算回路
18,42 モニタ電圧生成回路
20,44 閉ループ回路
22 フォトダイオード
24,46 カレントミラー回路
26,48 モニタ抵抗
28,30,50,52,62,64 PNPトランジスタ
32,54 コンパレータ
34,56 サンプル・ホールド(S/H)回路
36,38,58 電圧−電流変換回路
66,68 帰還抵抗
70 オン/オフ・スイッチ
72 差動増幅器

Claims (17)

  1. 発光素子の光出力を電流に変換するための受光素子と、
    前記受光素子を流れる電流に第1の係数を乗じた大きさの第1のモニタ電圧を生成する第1のモニタ電圧生成回路と、
    前記発光素子に対するバイアス電流を設定するために選定された第1の光出力基準値に対応する第1の基準電圧に前記モニタ電圧が一致するように前記発光素子に第1の電流を供給する第1の閉ループ回路と、
    前記受光素子を流れる電流に第2の係数を乗じた大きさの第2のモニタ電圧を生成する第2のモニタ電圧生成回路と、
    前記発光素子に対するスイッチング電流を設定するために選定された第2の光出力基準値に対応する第2の基準電圧に前記第2のモニタ電圧が一致するように前記発光素子に第2の電流を供給する第2の閉ループ回路と
    を有する発光素子駆動装置。
  2. 前記バイアス電流を設定するための第1のモードでは、前記第2の閉ループ回路を止めて前記第1の閉ループ回路にフィードバック動作を行わせ、前記第1の閉ループ回路で平衡状態に達した前記第1の電流から所定の割合のオフセット分を差し引いたものを前記バイアス電流としてホールドする請求項1に記載の発光素子駆動装置。
  3. 前記第1のモードの終了後に行われる前記スイッチング電流を設定するための第2のモードでは、前記第1の閉ループ回路より前記バイアス電流をホールド状態で供給させると同時に前記第2の閉ループ回路にフィードバック動作を行わせ、前記第2の閉ループ回路内で平衡状態に達した電流を前記スイッチング電流としてホールドする請求項2に記載の発光素子駆動装置。
  4. 前記第2のモードの終了後に行われる前記発光素子を発光駆動する第3のモードでは、前記第1の閉ループ回路よりホールド状態で与えられる前記バイアス電流を前記発光素子に常時供給し、前記第2の閉ループ回路よりホールド状態で与えられる前記スイッチング電流を所定の入力信号に応じて前記バイアス電流と加算して前記発光素子に供給する請求項3に記載の発光素子駆動装置。
  5. 前記第1のモニタ電圧生成回路が、前記受光素子を流れる電流と同一の電流または第1の倍率で比例する電流が流れる第1のモニタ抵抗を有し、前記第1のモニタ抵抗から前記第1のモニタ電圧を取り出す請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  6. 前記第1の倍率が1以上である請求項5に記載の発光素子駆動装置。
  7. 前記第1のモニタ電圧生成回路が、前記受光素子と直列に接続される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタと前記第1の倍率に相当するカレントミラー比でカレントミラー回路を構成する第2のトランジスタとを有し、前記第1のモニタ抵抗と前記第2のトランジスタとを直列に接続する請求項5または請求項6に記載の発光素子駆動装置。
  8. 前記第1の閉ループ回路が、
    前記モニタ電圧と前記第1の基準電圧とを比較して、その差分に応じた誤差電圧を発生する第1のコンパレータと、
    前記第1のコンパレータからの誤差電圧をサンプリング・ホールドする第1のサンプル・ホールド回路と、
    前記第1のサンプル・ホールド回路の出力電圧に応じた第1のバイアス電流成分を生成する第1のバイアス電流成分生成回路と、
    前記第1のサンプル・ホールド回路の出力電圧に応じた第2のバイアス電流成分を生成する第2のバイアス電流成分生成回路と、
    前記第1のバイアス電流成分と前記第2のバイアス電流成分とを足し合わせて前記第1の電流を生成する第1の電流加算回路と
    を有し、
    前記第1のモードで、前記フィードバック動作を行うときは前記第1のサンプル・ホールド回路をサンプリング・モードに切り換え、前記フィードバック動作を止めるときは前記第1のサンプル・ホールド回路をホールド・モードに切り換え、前記フィードバック動作を止めた後に第1の電流加算回路に対して前記第2のバイアス電流成分生成回路からの前記第2のバイアス電流成分の供給を断つ請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  9. 前記第1の閉ループ回路が、
    一方の端子が第1の基準電源電圧端子に接続され、他方の端子が第1のノードに接続された第3のトランジスタと、
    前記第1のバイアス電流成分を流すために第1のノードと第2の基準電源電圧端子との間に接続された第1の帰還抵抗と、
    前記第2のバイアス電流成分を流すために前記第1のノードと第2の基準電源電圧端子との間で前記第1の帰還抵抗と並列に接続された第2の帰還抵抗と、
    前記第1のノードと前記第2の基準電源電圧端子との間で前記第2の帰還抵抗と直列に接続されるオン/オフ・スイッチと、
    前記第1のサンプル・ホールド回路の出力端子に接続された第1の入力端子と、前記第1のノードに接続された第2の入力端子と、前記第3のトランジスタの制御端子に接続された出力端子とを有し、前記第1のサンプル・ホールド回路の出力電圧と前記第1のノードに得られるノード電圧との差分をとって増幅する差動増幅器と、
    前記第3のトランジスタとカレントミラー回路を構成し、前記発光素子と直列に接続される第4のトランジスタと
    とを有し、
    前記第3のトランジスタと前記第1の帰還抵抗と前記差動増幅器とで前記第1のバイアス電流成分生成回路を構成し、
    前記第3のトランジスタと前記第2の帰還抵抗と前記差動増幅器とで前記第2のバイアス電流成分生成回路を構成し、
    前記第1のモードで前記フィードバック動作を行うときは前記スイッチをオンにし、
    前記第1のモードで前記フィードバック動作を止めるために前記スイッチをオフにする請求項8に記載の発光素子駆動装置。
  10. 前記第2のモニタ電圧生成回路が、前記受光素子を流れる電流と同一の電流または第2の倍率で比例する電流が流れる第2のモニタ抵抗を有し、前記第2のモニタ抵抗から前記第2のモニタ電圧を取り出す請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  11. 前記第2の倍率が1である請求項10に記載の発光素子駆動装置。
  12. 前記第2のモニタ電圧生成回路が、前記受光素子と直列に接続される第5のトランジスタと、前記第5のトランジスタと前記第2の倍率に相当するカレントミラー比で第3のカレントミラー回路を構成する第2のトランジスタとを有し、前記第2のモニタ抵抗と前記第2のトランジスタとを直列に接続する請求項10または請求項11に記載の発光素子駆動装置。
  13. 前記第2の閉ループ回路が、
    前記モニタ電圧と前記第2の基準電圧とを比較して、その差分に応じた誤差電圧を発生する第2のコンパレータと、
    前記第2のコンパレータからの誤差電圧をサンプリング・ホールドする第2のサンプル・ホールド回路と、
    前記第2のサンプル・ホールド回路の出力電圧に応じたスイッチング電流を生成するスイッチング電流生成回路と
    を有し、
    前記第2のモードで、前記フィードバック動作を行うときは前記第2のサンプル・ホールド回路をサンプリング・モードに切り換え、前記フィードバック動作を止めるときは前記第2のサンプル・ホールド回路をホールド・モードに切り換える請求項1〜12のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  14. 前記受光素子を前記第1または第2のモニタ電圧生成回路のいずれかに選択的に接続するための切換スイッチを有する請求項1〜13のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  15. 前記第1の係数が前記第2の係数よりも大きい請求項1〜14のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  16. 前記発光素子がレーザダイオードである請求項1〜15のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。
  17. 前記トランジスタのいずれもバイポーラ・トランジスタである請求項1〜16のいずれか一項に記載の発光素子駆動装置。



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