JP2014216620A - レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラム - Google Patents
レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014216620A JP2014216620A JP2013095635A JP2013095635A JP2014216620A JP 2014216620 A JP2014216620 A JP 2014216620A JP 2013095635 A JP2013095635 A JP 2013095635A JP 2013095635 A JP2013095635 A JP 2013095635A JP 2014216620 A JP2014216620 A JP 2014216620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light amount
- current
- light
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
Abstract
【課題】容易にバイアス発光の影響を低減して閾値電流の変動を防止する。
【解決手段】PD13の検出出力に応じて、レーザ制御部16はLD12a,12bに与える駆動電流を制御してLDから出力されるレーザ光の光量を設定光量に制御する。さらに、レーザ制御部はPDの検出出力とLDの駆動電流とに応じてLDが発光を開始するための閾値電流を算出し、設定光量を切り替えて複数の閾値電流を比較して、その差分に応じてLDの光量制御に用いる設定光量を決定する。
【選択図】図1
【解決手段】PD13の検出出力に応じて、レーザ制御部16はLD12a,12bに与える駆動電流を制御してLDから出力されるレーザ光の光量を設定光量に制御する。さらに、レーザ制御部はPDの検出出力とLDの駆動電流とに応じてLDが発光を開始するための閾値電流を算出し、設定光量を切り替えて複数の閾値電流を比較して、その差分に応じてLDの光量制御に用いる設定光量を決定する。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラムに関し、特に、プリンタなどの画像形成装置の露光装置で用いられるレーザ駆動装置に関する。
一般に、電子写真プロセスを用いた画像形成装置などでは、パルス信号を光パルスに変換するために発光素子としてレーザダイオードが用いられている。そして、レーザダイオードの発光量はレーザダイオードの温度が変化しても所望の光量が得られることが要求されている。
ところが、レーザダイオードの発光特性は、レーザダイオードの温度に大きく依存しており、その温度の変化に伴い閾値電流が変化する。レーザダイオードには、発光遅延という特有の現象がある。レーザダイオードを発光時の発光応答性の向上のため、画像形成中の非発光時にレーザダイオードにバイアス電流を印加している。そして、発光応答性の向上を図るためには、バイアス電流をできるだけ閾値電流近傍に印加することが望ましい。
しかしながら、閾値電流は、前述したように、レーザダイオードの温度の依存性が大きく、個々のレーザダイオードによっても異なるため、レーザダイオードに印加するバイアス電流を固定値とすると発光応答性が低下し、さらには、感光体の表面電位を変化させる光量のレーザ光が出射してしまう可能性がある。
ところで、画像形成装置で用いられるレーザ駆動装置において、レーザ発光における2種類の光量と当該光量に対応する駆動電流とに応じてレーザダイオードに印加するバイアス電流を決定するようにしたものがある(バイアスAPC:例えば、特許文献1参照)。
画像形成速度の高速化を図るために複数の発光素子から出射される複数のレーザ光によって感光体を露光する装置において、従来のバイアス電流の制御方法を用いると、バイアス電流を高精度に設定できないという課題が生じる。バイアス電流の値を決定する際には制御対象である発光素子に第1の光量P1(APC_H)及び第2の光量P2(APC_L)の2種類の光量で発光させるための駆動電流が供給される。
このとき、PD(フォトダイオード)などの検知装置を用いて光量を検出しながら駆動電流を制御し、第1の光量が検出されたときの駆動電流及び第2の光量が検出されたときの駆動電流をそれぞれサンプリングする。それらの結果から、制御対象である発光素子のレーザ発振領域における発光特性を特定し、特定結果から閾値電流を算出し、その閾値電流からバイアス電流を求める。
ある発光素子のAPCを行っている間、APCの制御対象以外の発光素子には発光応答性を確保するためにバイアス電流が供給されている。複数の発光素子に対して上記PDは共通に用いられ、かつ複数の発光素子の近傍に配置されているため、バイアス電流が供給されることによって発光素子から自然放出されるレーザ光がPDに入射する。そのため、PDの検出結果には制御対象以外の発光素子からのレーザ光の光量も含まれることになる。
前述のように、2種類の光量と当該光量に対応する駆動電流に基づいて閾値電流を求めようとすると、正確に閾値電流を算出するためには、一方の光量(以下APC_Hという)を目標光量に設定し、他方の光量(以下APC_Lという)はできる限り低い光量に設定する必要がある。ところが、マルチビームを生成するレーザ駆動装置では、APC_Lが低すぎると、APC_Hに設定されたレーザダイオードにバイアス発光の影響を不可避的に受けてしまう。
図13は、従来のレーザ駆動装置においてレーザダイオードの特性を示す図である。
図13において、レーザダイオードの特性(駆動電流と光量との関係)が曲線Aで示す特性であるとする。この際、閾値電流はIthであるとする。そして、バイアス発光の影響を受けて閾値電流がIthからΔIthだけずれてしまい、レーザダイオードの特性は曲線Bで示すようになる。
従って、本発明の目的は、容易にバイアス発光の影響を低減して閾値電流の変動を防止することのできるレーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラムを提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明によるレーザ駆動装置は、レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置において、前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出手段と、前記検出手段からの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御手段と、前記検出手段からの検出出力と前記レーザダイオードの駆動電流とに応じて前記レーザダイオードが誘導発光を開始する直前の閾値電流を算出する閾値電流算出手段と、前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記閾値電流算出手段から得られる複数の閾値電流を互いに比較して、その差分が所定の値以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御手段とを有することを特徴とする。
また、本発明によるレーザ駆動装置は、レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置において、前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出手段と、前記検出手段からの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御手段と、前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記検出手段からの検出出力と前記駆動電流とによって定められる光量と駆動電流との関係の変化割合を示す変化率を求めて、該変化率が所定の変化率以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御手段とを有することを特徴とする。
本発明によれば、簡単な回路構成で、制御シーケンスの複雑化を招くことなく、バイアス発光の影響を低減して閾値電流の変動を防止することができるという効果がある。
以下、本発明の実施の形態によるレーザ駆動装置の一例について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態によるレーザ駆動装置が用いられる画像形成装置の構成を示す断面図である。
図1は、本発明の第1の実施形態によるレーザ駆動装置が用いられる画像形成装置の構成を示す断面図である。
図示の画像形成装置100は、所謂電子写真プロセスを用いたフルカラープリンタである。画像形成、つまり、印刷を行う際には、各色に対応する感光体である感光ドラム101a〜101dがそれぞれ帯電装置102a〜102dによって所定の電位(帯電電位)に帯電される。感光ドラム102a〜102dには発光素子を光源(半導体レーザなど)とする光走査装置200a〜200dから出射されるレーザ光(光ビーム)によって静電潜像が形成される。これら静電潜像はそれぞれ現像器103a〜103dによって現像され、トナー像とされる。そして、感光ドラム101a〜101d上のトナー像は、転写ブレード104a〜104dに印加される転写バイアスによって中間転写ベルト105に転写される。
中間転写ベルト105に転写されたトナー像は、二次転写ローラ106によって記録紙Sに一括転写される。その後、トナー像を担持した記録紙Sは定着装置107において定着処理が施される。定着処理が施された後、記録紙Sは排紙ローラ108等によって装置外に排出される。
上記の記録紙Sは給紙カセット109又は手差しトレイ110などから給紙される。レジローラ111は、給紙された記録紙Sを二次転写ローラ106に搬送するタイミングを調整するためのローラである。
両面印刷の際には、定着装置107を通過した記録紙Sは両面反転パス112の方向に導かれて逆方向に反転搬送され、両面パス113に搬送される。両面パス113を通過した記録紙Sは再び縦パスローラ114を通って、1面目と同様に2面目の画像を作像、転写、そして定着されて排紙される。
上述の4つの光走査装置はそれぞれ同一のものであるので、ここでは光走査装置200aを例に挙げて説明する。
図2は、図1に示す光走査装置200aおよび感光ドラム101aを模式的に示す図である。
図2において、光走査装置200aは、光源であるところの半導体レーザ201(LD:レーザダイオード)、コリメータレンズ202、開口絞り203、シリンドリカルレンズ204、ポリゴンミラー205、ポリゴンミラー駆動部206、トーリックレンズ207、回折光学素子208を備える。上記の半導体レーザ201は後述するレーザ駆動回路11によって駆動される。
コリメータレンズ202は、半導体レーザ201から出射された光ビームを平行光束に変換している。開口絞り203は、通過する光ビームの光束を制限している。シリンドリカルレンズ204は、副走査方向にのみ所定の屈折力を有しており、開口絞り203を通過した光束をポリゴンミラー205の反射面に主走査方向に長い楕円像として結像させている。
回転多面鏡であるポリゴンミラー205は、ポリゴンミラー駆動部206により図中矢印C方向に一定速度で回転しており、反射面上に結像したレーザ光を偏向(反射)する。トーリックレンズ207は、f−θ特性を有する光学素子であり、主走査方向および副走査方向において互いに異なる屈折率を有する。トーリックレンズ207の主走査方向の表裏の両レンズ面は非球面形状より成っている。
回折光学素子208は、f−θ特性を有する光学素子であり主走査方向および副走査方向において互いに異なる倍率を有する。ビーム検出器(BD)209は、画像形成装置100が備える感光ドラム101aの画像形成領域外に相当する位置に設置され、反射ミラー210によって反射されたレーザ光を検出することで、走査タイミング信号(BD信号)を生成する。
感光ドラム101aには、回転駆動されるポリゴンミラー205の反射面によって偏向されたレーザ光のスポットがドラム軸に平行に直線状に移動(走査)する。本実施例における光走査装置200aは、複数の発光素子を有する半導体レーザ201を備える。半導体レーザ201は複数ビームを発し、それによって1回の走査により複数本のライン状の静電潜像を形成することができる。感光ドラム101aは駆動部211によって回転駆動され、これによって主走査を折り返すことで、副走査方向(感光ドラムの回転方向)に画像書き込みが行われる。
図3は、図2に示す半導体レーザの一例を示す斜視図である。
図3において、ステム1000の一方の面には基台1100が設けられ、基台1100上に発光点12aおよび12bを有するレーザダイオード12(LD)と背面光を受光する受光部であるフォトダイオード(PD)13が固定されている。これらLD12およびPD13が載置された基台11をカバーするようにしてキャップ1400がステム1000に取り付けられ、キャップ1400の先端面にはレーザ光LaおよびLbが透過する窓15が設けられている。また、ステム1000の逆側の面には、レーザーチップ12とPD13をレーザ駆動回路11に接続するための通電端子1600が設けられている。
図4は、図2に示すレーザ駆動装置11の一例を示すブロック図である。
図4において、前述のように、レーザダイオード12は複数の発光点12aおよび12bを有している。以下の説明では、これら発光点もLDと呼ぶ。レーザ駆動装置11にはLD12aおよび12bが接続されるとともに、PD13が接続されている。そして、レーザ駆動装置11は、後述するようにして、LD12aおよび12bを駆動制御する。
さらに、レーザ駆動装置11には、画像信号生成部14および外部制御部15が接続されている。画像信号生成部14はコントローラ(図示せず)から与えられる画像データをLD駆動用データ信号(DATA_a_P、DATA_a_N、DATA_b_P、およびDATA_b_N)として所定のタイミングでレーザ駆動装置11に出力する。ここで、LD駆動用データ信号DATA_a_PはLD12aに対応するデータ信号であり、LD駆動用データ信号DATA_a_NはLD駆動用データ信号DATA_a_Pを反転させたデータ信号である。このように反転させたデータ信号を受けることによってノイズに対する耐性が強くなる。同様に、LD駆動用データ信号DATA_b_PはLD12bに対応するデータ信号であり、LD駆動用データ信号DATA_b_NはLD駆動用データ信号DATA_b_Pを反転させたデータ信号である。
外部制御部15は、レーザ駆動装置11を制御するための外部制御信号をレーザ駆動部11に与える。さらに、外部制御部15は後述する目標電圧データをレーザ駆動装置11に送る。
レーザ駆動装置11はレーザ制御部16およびモード制御部17を有している。モード制御部17は外部制御部15から与えられる外部制御信号に応じて、後述するようにして、レーザ制御部16の動作モードおよびゲインを制御する。そして、レーザ駆動部16はLD12aおよび12bの発光光量を目標光量に制御する。
LD12aおよび12bから出力されたレーザ光の光量はPD13で検出されて、PD13はレーザ光の光量に応じた電流を検出電流(検出出力)として出力する。この検出電流は電流−電圧変換回路18に与えられる。電流−電圧変換回路18は所定のゲインで検出電流を電圧変換して、PD出力電圧として出力する。この電流−電圧変換回路18はモード制御部15から与えられるゲイン切り替え信号によってそのゲインが決定される。
電流−電圧変換回路18から出力されたPD出力電圧は比較器19に与えられる。また、比較器19には目標電圧設定部20から基準電圧(以下Vrefという)が与えられる。この基準電圧VrefはLD12aおよび12bにおける光量を決定するための電圧であり、例えば、感光ドラムの表面を露光する際の光量に対応する電圧である。そして、比較器19はPD出力電圧とVrefとを比較して、比較結果(電圧差分)を電流制御部21に出力する。
なお、目標電圧設定部20はDAC(デジタルアナログ変換器:図示せず)を備えており、外部制御部15から設定された目標電圧データに応じてVrefを出力する。
電流制御部21はモード制御部17から与えられる制御信号(ビデオモード信号および自動光量制御(APC)信号)に応じて電流制御動作を行う。つまり、電流制御部21は、比較器19から与えられる比較結果に応じて、LD12aおよび12bの発光量が目標光量(設定光量)となるように駆動電流を制御する(APC)。電流制御部21では、LD12aおよび12bを駆動する駆動電流値をデジタルデータとして保持する。なお、電流制御部21動作については後述する。
電流制御部21はAPCに応じて決定した駆動電流値を閾値電流算出部22およびスイッチング電流算出部25に出力する。閾値電流算出部22には、制御信号として、モード制御部17からAPC信号、APCモード切替信号、およびゲイン切替信号が与えられる。ここでは、LD12aおよび12bに対して、それぞれ第1および第2の2つの光量(以下高い方の光量をAPC_H、低い方の光量をAPC_Lとする)が規定されている。
閾値電流算出部22は第1および第2の光量、電流制御部21で決定された駆動電流値、およびゲイン切り替え信号に基づいて閾値電流(Ith)を算出する。そして、閾値電流算出部22は閾値電流(Ith)をバイアス電流算出部23およびスイッチング電流算出部25に出力する。なお、閾値電流とは、LDが誘導発光を開始する直前の電流である。つまり、閾値電流とはレーザ光が出力される直前の電流である。
バイアス電流算出部23は閾値電流(Ith)に応じてLD12aおよび12bに印加するバイアス電流(Ib)を算出する。ここでは、バイアス電流はLD12aおよび12bが自然放出による発光を行う電流であり、上記の閾値電流よりも低く、例えば、閾値電流の80%〜90%程度の電流である。つまり、バイアス電流算出部23は閾値電流(Ith)に予め定められた割合を乗算してLD12aおよび12bに印加するバイアス電流(Ib)を算出する。
さらに、バイアス電流算出部23はモード制御部17から与えられるビーム選択信号に応じてバイアス電流用のDAC_Ib_a24aおよびDAC_Ib_b24bにバイアス電流(Ib)を設定する。
DAC_Ib24aおよびDAC_Ib24bはそれぞれバイアス電流源24−1および24−2を制御してバイアス電流(Ib)に対応する電流をLD12aおよび12bに印加する。なお、このバイアス電流は、LDの発光の立ち上がり時間を速めるための電流である。
スイッチング電流算出部25は電流制御部21によって決定された駆動電流値とバイアス電流(Ib)とに応じて、LD12aおよび12bを駆動するための電流(以下スイッチング電流という)を算出する。例えば、スイッチング電流算出部25は、駆動電流値からバイアス電流(Ib)を減算して、LD12aおよび12bを駆動するためのスイッチング電流を算出する。なお、電流制御部21によって決定された駆動電流値とは、LDがレーザ光を発光する駆動電流値である。つまり、この駆動電流値とは後述する第1および第2の光量ばかりでなく他の光量にも対応する電流値である。
さらに、スイッチング電流算出部25はモード制御部17から与えられるビーム選択信号によってスイッチング電流用のDAC_Isw_a26aおよびDAC_Isw_b26bにスイッチング電流を設定する。そして、DAC_Isw26aおよび26bはスイッチング電流に対応する電流を電流駆動部27に与える。
電流駆動部27は、モード制御部17から与えられる制御信号(ここでは、ビデオモード信号、APC信号、およびビーム選択信号)に応じて、画像信号生成部14から与えられる画像データ(DATA_a_P、DATA_a_N、DATA_b_P、DATA_b_N)が入力されるタイミングで、スイッチング電流に応じてLD12aおよび12bをパルス駆動する。
ここで、図4に示すレーザ駆動装置11による各種制御モードについて説明する。
図5は、図4に示す電流制御部21および電流駆動部27における動作モードを説明するための図である。
図4および図5を参照して、電流駆動部27はモード制御部17からAPC信号のみが入力されている間では、画像信号生成部14の出力の拘わらず、LD12aおよび12bがそれぞれDAC_Isw26aおよび26bに設定されたスイッチング電流に応じて発光するように制御する。この際、電流駆動部27はモード制御部17から与えられるビーム選択信号で選択されたレーザ光(ビーム)に係るデータのみを強制的にオンとし、他のビームに係るデータについてはオフとする。
なお、初期状態においてはDAC_Ib24aおよび24bとDAC_Isw26aおよび26bとにはゼロが設定されている。
LD12aおよび12bから発光されたレーザ光はモニタ用のPD13で受光される。前述したように、PD13は受光したレーザ光の光量に応じた電流を出力する。電流−電圧変換回路18はモード制御部17から与えられるゲイン切り替え信号に応じたゲインでPD出力電流をPD出力電圧に変換する。比較器19はPD出力電圧とVrefとを比較して、比較結果として電圧差分を電流制御部21に出力する。
電流制御部21はモード制御部17からAPC信号のみが入力されている間、電圧差分に応じて、次のようにしてLD12aおよび12bの発光光量を所定の光量(設定光量)とする制御を実行する。
PD出力電圧>Vrefのとき、つまり、電圧差分がマイナスを示しているとき、電流制御部21はLD12aおよび12bの発光光量が所定の光量より大きいと判断して、DAC_Isw26aおよび26b(又はDAC_Ib24aおよび24b)に設定する電流値を低下させて、LD12aおよび12bの発光光量を低下させる。
PD出力電圧<Vrefのとき、つまり、電圧差分がプラスを示しているとき、電流制御部21はLD12aおよび12bの発光光量が所定の光量より小さいと判断して、DAC_Isw26aおよび26b(およびDAC_Ib24aおよび24b)に設定する電流値を増加させて、LD12の発光光量を増加させる。
PD出力電圧=Vrefのとき、つまり、電圧差分がゼロであるとき、電流制御部21はLD12aおよび12bの発光光量が所定の光量と同一であると判断して、DAC_Isw26aおよび26b(又はDAC_Ib24aおよび24b)に設定する電流値の増加減を行わない。
なお、電流制御部21はモード制御部17からビデオ(VIDEO)モード信号のみが入力されている間も、DAC_Isw26aおよび26b、DAC_Ib24aおよび24bに設定する電流値の増加減を行わない。
電流駆動部27はモード制御部17からVIDEOモード信号およびAPC信号が同時に入力されている間、オフモードとなる。オフモードの際には、画像信号生成部14から与えられる画像データに拘わらず、電流駆動部27はLD12aおよび12bが消灯するよう強制的にデータをオフとする。つまり、オフモードの際には、LD12aおよび12bにはバイアス電流のみが印加された状態となる。
電流制御部21はモード制御部17からVIDEOモード信号およびAPC信号が同時に入力されている間、オフモードとなる。そして、オフモードの際には、電流制御部21は電流値を保持(ホールド)する。
電流駆動部27はモード制御部17からVIDEOモード信号のみが入力されている間、VIDEOモードとなる。VIDEOモードの際には、電流駆動部27はAPC動作によって決定されたDAC_Isw26aおよび26bからのスイッチング電流を出力する。そして、このスイッチング電流にバイアス電流が重畳されて駆動電流としてLD12aおよび12bに与えられる。
電流制御部21はモード制御部17からVIDEOモード信号のみが入力されている間は、電流値をホールドする。
電流制御部21はモード制御部17からAPC信号およびVIDEOモード信号がともに入力されない期間はディスチャージモードとなる。ディスチャージモードにおいて、電流制御部21は電流値を初期化して、DAC_Isw26aおよび26b、DAC_Ib24aおよび24bに設定する電流値を初期化する。電流駆動部27はAPC信号およびVIDEOモード信号がともに入力されなくなると、強制的にデータをオフとする。
次に、図4に示すレーザ駆動装置11によって実行されるバイアス電流決定処理について説明する。
第1の実施形態では、閾値電流(Ith)を算出する際に用いる光量のうち低い方の光量(APC_L)が他のビームに係るバイアス発光量の影響を受けているか否かについて、閾値電流算出部22において算出した閾値電流(Ith)の比較を行うことによって判定する。このため、まず、電源投入直後に他のLDにバイアス電流を印加しない状態でひとつのLDの閾値電流を算出して、この閾値電流をIth0とする。
続いて、他のビームを出力するLDにバイアス電流(いつ、あるいはどのような条件で設定されたバイアス電流かを明確にしてください。)を印加した状態で閾値電流を算出して、この閾値電流をIth1とする。そして、閾値電流Ith0およびIth1の差分が、所定の値以下であれば、他のビームに係るバイアス発光の影響を受けることなく閾値電流が算出されているとする。さらに、正確に閾値電流を算出するために、APC_Lの光量を下げる。
そして、上述の演算を繰り返して、閾値電流Ith0および閾値電流Ithn(nは1以上の整数)の差分が所定の値を越えると、閾値電流算出部22は、APC_Lの光量が他のビームに係るバイアス発光の影響を受けていると判定する。そして、閾値電流算出部22は他のビームに係るバイアス発光の影響を受けない最も低いAPC_L光量を用いて閾値電流を算出する。
図6は、図4に示すレーザ駆動装置11において電源投入直後の閾値電流の算出を説明するためのフローチャートである。また、図7は、図4に示すモード制御部17から出力されるゲイン切り替え信号に対する電流−電圧変換回路18のゲイン値を示す図である。
図4、図6、および図7を参照して、レーザ駆動装置11は電源投入直後、外部制御部15から初期APC信号が入力されている間、図6に示すフローチャートの動作を行う。
まず、モード制御部17は、ゲインが×1となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×1とする(ゲインn=1:ステップS301)。続いて、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。比較器19では電流−電圧変換回路18においてゲイン×1で電圧変換されたPD出力電圧とVrefとを比較して比較結果を出力する。電流制御部21は、この比較結果に応じてAPC動作を行ってLD12aを所定の光量に制御する(ステップS302)。この際の光量をPaとし。その電流値(Ia1)が閾値電流算出部22の内蔵メモリ(図示せず)に格納される。
次に、モード制御部17はAPC信号およびVIDEOモード信号をともに出力して、LD12aを強制的に消灯する。
続いて、モード制御部17はLD12aをPa/4の光量で発光させるため、ゲインが×4となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×4とする。次に、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。比較器19は電流−電圧変換回路18がゲイン×4で電圧変換したPD出力電圧とVrefとの比較結果を出力する。電流制御部21はこの比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12aを光量(Pa/4)に制御する(ステップS303)。この際の電流値(Ia4)は閾値電流算出部22内蔵メモリに格納される。
続いて、閾値電流算出部22は光量PaおよびPa/4とこれら光量に対応する電流値Ia1およびIa4とに応じて閾値電流Ith_a0算出するとともに、閾値電流Ith_a0を内蔵メモリに格納する(ステップS304)。
バイアス電流算出部23およびスイッチング電流算出部25は閾値電流Ith_a0と電流値Ia1とに応じてバイアス電流およびスイッチング電流を算出する。そして、バイアス電流算出部23およびスイッチング電流算出部25はこれらバイアス電流およびスイッチング電流をそれぞれDAC_Isw_a26aおよびDAC_Ib_a24aに設定する(ステップS305)。
次に、モード制御部17はゲインが×1となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×1とする(ステップS306)。モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。
比較器19では電流−電圧変換回路18においてゲイン×1で電圧変換されたPD出力電圧とVrefとを比較して比較結果を出力する。電流制御部21は、この比較結果に応じてAPC動作を行ってLD12bを所定の光量に制御する(ステップS307)。この際の光量をPbとし。その電流値(Ib1)が閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
次に、モード制御部17はAPC信号およびVIDEOモード信号をともに出力して、LD12bを強制的に消灯する。
続いて、モード制御部17はLD12bをPb/4の光量で発光させるため、ゲインが×4となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×4とする。次に、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。
比較器19は電流−電圧変換回路18がゲイン×4で電圧変換したPD出力電圧とVrefとの比較結果を出力する。電流制御部21はこの比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12bを光量(Pb/4)に制御する(ステップS308)。この際の電流値(Ib4)は閾値電流算出部22内蔵メモリに格納される。
続いて、閾値電流算出部22は光量PbおよびPb/4とこれら光量に対応する電流値Ib1およびIb4とに応じて閾値電流Ith_b0算出するとともに、閾値電流Ith_b0を内蔵メモリに格納する(ステップS309)。
バイアス電流算出部23およびスイッチング電流算出部25は閾値電流Ith_b0と電流値Ib1とに応じてバイアス電流およびスイッチング電流を算出する。そして、バイアス電流算出部23およびスイッチング電流算出部25はこれらバイアス電流およびスイッチング電流をそれぞれDAC_Isw_b26bおよびDAC_Ib_b24bに設定する(ステップS310)。これによって、レーザ駆動装置11は初期APCを終了する。
なお、初期APC中においては、DAC_Isw_a26aおよびDAC_Isw_b26bに設定された電流値はLD12a及びLD12bに印加されない。
図8は、図4に示すレーザ駆動装置11においてAPC_Lの光量決定を説明するためのフローチャートである。このフローチャートは外部制御部15から初期APC信号が出力されなくなると行われる。
図4および図8を参照して、まず、モード制御部17はゲインが×1となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×1とする(ステップS311)。続いて、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。この際、LD12bには図6で説明したステップS306〜S310において決定されたバイアス電流が印加される。比較器19は電流−電圧変換回路18がゲイン×1で電圧変換したPD出力電圧とVrefとを比較して比較結果を得る。電流制御部21は当該比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12aを光量(Pa)に制御する(ステップS312)。
この際、電流値(Ia1)が閾値電流算出部22内蔵メモリに格納される。その後、モード制御部17はAPC信号およびVIDEOモード信号をともに出力して、LD12aを強制的に消灯する(オフモード)。
次に、LD12aをPa/2の光量で発光させるため、モード制御部17はゲインが×2となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×2とする。つまり、モード制御部17は設定光量を低下させる方向に切り替えることになる。
その後、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19から出力される比較結果に応じてAPC動作を行って、LD12aを光量(Pa/2)に制御する(ステップS313)。この際、電流値(Ia2)が閾値電流算出部22内蔵メモリに格納される。
閾値電流算出部22は、光量PaおよびPa/2とこれら光量に対応する電流Ia1およびIa2とに応じて閾値電流Ith_a1を算出する(ステップS314)。
LD12aをPa/3の光量で発光させるため、モード制御部17はゲインが×3となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×3とする。その後、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行って、LD12aを光量(Pa/3)に制御する(ステップS315)。この際、電流値(Ia3)が閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
閾値電流算出部22は、光量PaおよびPa/3とこれらの光量に対応する電流Ia1およびIa3と応じて閾値電流Ith_a2を算出する(ステップS316)。
続いて、閾値電流算出部22は、複数の閾値電流Ith_a1およびIth_a2を比較する。そして、閾値電流算出部22は閾値電流Ith_a2およびIth_a1の差分(絶対値)が所定の変化率以上(変化割合:例えば、5%以上)であるか否かを判定する(ステップS317)。差分が5%未満であると(ステップS317において、NO)、閾値電流算出部22は光量と電流との関係が一次式の関係にあるとする。
図9は、光量と電流との関係が一次式の関係にあることを説明するための図である。
図9においては、上述の光量Pa、Pa/2、およびPa/3と電流Ia1、Ia2、およびIa3との関係が直線(一次式)上に存在する。図9に示す関係があると、APC_Lの光量をより低い光量にする方が正確な閾値電流を算出できる可能性があることになる。
このため、前述のステップS315で発光させた光量Pa/3よりも低い光量にするために、閾値電流算出部22はステップS318に移行してモード制御部17に、ゲインに1を加算するゲイン決定信号を送る。これによって、モード制御部17はゲインが×4となるゲイン切り替え信号を出力する。そして、前述のステップS315〜S317が行われる。つまり、Pa/4の光量でAPC制御が行われることになる。この際の電流をIa4とする。
ステップS316において、閾値電流算出部22は、光量PaおよびPa/4とこれらの光量に対応する電流Ia1およびIa4とに応じて閾値電流Ith_a3を算出する。そして、閾値電流算出部22は、ステップS317で閾値電流Ith_a2およびIth_a3の比較を行う。このようにして、第nの閾値電流Ith_a(n)と第(n−1)のIth_a(n−1)との差分が5%以上になるまで上述の制御が行われる。
続いて、差分が5%以上(所定の値以上)となった場合について説明する(ステップS317において、YES)。いま、閾値電流Ith_a3およびIth_a4の差分が5%以上であるとして説明を行う。
図10は、光量と電流との関係が一次式の関係にないことを説明するための図である。
図10において、光量Pa/4は光量Pa、Pa/2、およびPa/3と異なって直線(一次式)上に位置していない。つまり、光量Pa/4はLD12bのバイアス発光の影響を受けているということになる。このため、閾値電流算出部22はAPC_Lの光量をLD12bのバイアス発光の影響を受けない最も低い光量、つまり、Pa/3に決定して、光量Pa/3の際のゲインを示すゲイン決定信号をモード制御部17に出力する(ステップS319)。
続いて、モード制御部17はゲインが×1となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×1とする(ステップS320)。そして、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。この際、LD12bには図6で説明したステップS301〜S305で決定したバイアス電流が印加されている。
電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12bを光量(Pb)に制御する(ステップS321)。この際、電流値(Ib1)は閾値電流算出部22の内蔵のメモリに格納される。その後、モード制御部17はAPC信号およびVIDEOモード信号をともに出力して、LD12bを強制的に消灯する(オフモード)。
続いて、LD12bをPb/2の光量で発光させるため、モード制御部17はゲインが×2となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×2とする。その後、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行って、LD12bを光量(Pb/2)に制御する(ステップS322)。この際、電流値(Ib2)が閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
続いて、閾値電流算出部22は、光量PbおよびPb/2とこれらの光量に対応する電流Ib1およびIb2とに応じて閾値電流Ith_b1算出する(ステップS323)。
次に、LD12bをPb/3の光量で発光させるため、モード制御部17はゲインが×3となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×3とする。その後、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12bを光量(Pb/3)に制御する(ステップS324)。この際、電流値(Ib3)は閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
閾値電流算出部22で、光量PbおよびPb/3とこれらの光量に対応する電流Ib1、Ib3とに応じて閾値電流Ith_b2を算出する(ステップS325)。
続いて、閾値電流算出部22は、閾値電流Ith_b1およびIth_b2を比較して、閾値電流Ith_b2およびIth_b1の差分が5%以上であるか否かを判定する(ステップS326)。
差分が5%未満であると(ステップS326において、NO)、閾値電流算出部22は、図9に関連して説明したように光量と電流との関係が一次式の関係にあるとする。このため、前述のステップS324で発光させた光量Pb/3よりも低い光量にするために、閾値電流算出部22はステップS327に移行してモード制御部17に、ゲインに1を加算するゲイン決定信号を送る。これによって、モード制御部17はゲインが×4となるゲイン切り替え信号を出力する。そして、前述のステップS324〜S326が行われる。つまり、Pb/4の光量でAPC制御が行われることになる。この際の電流をIb4とする。
ステップS3325において、閾値電流算出部22は、閾値電流PbおよびPb/4とこれらの光量に対応する電流Ib1およびIb4とに応じて閾値電流Ith_b3を算出する。そして、閾値電流算出部22は、ステップS326で閾値電流Ith_b2およびIth_b3の比較を行う。このようにして、閾値電流Ith_b(n)とIth_b(n−1)との差分が5%以上になるまで上述の制御が行われる。
続いて、差分が5%以上となった場合について説明する(ステップS326において、YES)。いま、閾値電流Ith_b3およびIth_b4の差分が5%以上であるとして説明を行う。
図10に関連して説明したことから理解できるように、この場合には、光量Pb/4は光量Pb、Pb/2、およびPb/3と異なって直線(一次式)上に位置していない。つまり、光量Pb/4はLD12aのバイアス発光の影響を受けているということになる。このため、閾値電流算出部22はAPC_Lの光量をLD12aのバイアス発光の影響を受けない最も低い光量、つまり、Pb/3に決定して、光量Pb/3の際のゲインを示すゲイン決定信号をモード制御部17に出力する(ステップS328)。
図11は、図4に示すレーザ駆動装置11で行われる通常シーケンスにおけるバイアス電流決定を説明するためのフローチャートである。なお、通常シーケンスにおいては、LD12aおよびLD12bにはバイアス電流が印加されている。
図4および図11を参照して、上述のようにして、APC_L光量を決定した後、レーザ駆動装置11は外部制御部15から与えられるAPC動作信号(制御信号)に応じて動作する。
まず、モード制御部17は、ゲインが×1となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×1とする(ステップS701)。続いて、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12aを光量Paに制御する(ステップS702)。この際、電流値Ia1が閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
その後、モード制御部17はAPC信号およびVIDEOモード信号をともに出力して、LD12aを強制的に消灯する(オフモード)。
次に、モード制御部17は、LD12aを上述したようにして決定したAPC_L光量(Papcl)で発光させるため、上述したようにして決定したゲイン(決定ゲイン)となるゲイン切り替え信号を出力する。これによって、電流−電圧変換回路18のゲインが決定ゲインされる。
その後、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12aを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行って、LD12aを光量Papclに制御する(ステップS703)。この際の電流値(Iapcl_a)は閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
閾値電流算出部22は、光量PaおよびPapcl_aとこれらの光量に対応する電流値Ia1およびIapc_lとに応じて閾値電流Ith_aを算出する(ステップS704)。
続いて、バイアス電流算出部23は閾値電流Ith_aに相当する電流値をバイアス電流(Iba)として算出する。スイッチング電流算出部25は電流値IbaおよびIa1に応じてスイッチング電流を算出する(ステップS705)。
例えば、バイアス電流を閾値電流と同等の電流にする場合には、バイアス電流=Iba、そして、スイッチング電流=Ia1−Ibaとなる。
上述のようにして、算出したスイッチング電流およびバイアス電流はそれぞれDAC_Isw_a26aおよびDAC_Ib_a24aに設定され、これによって、LD12aに係るバイアス電流およびスイッチング電流が決定される。
次に、モード制御部17はゲインが×1となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×1とする(ステップS706)。
モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行って、LD12bを光量Pbに制御する(ステップS707)。この際の電流値Ib1は閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。その後、モード制御部17はAPC信号およびVIDEOモード信号をともに出力して、LD12bを強制的に消灯する(オフモード)。
モード制御部17は、LD12bを上述の光量(Papc_l)で発光させるため、上述のようにして決定したゲインとなるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを決定ゲインとする。その後、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。電流制御部21は比較器19の出力である比較結果に応じてAPC動作を行って、LD12bを光量(Papcl)に制御する(ステップS708)。この際の電流値(Iapcl_b)は閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
続いて、閾値電流算出部22は、光量PbおよびPapclとこれらの光量に対応する電流値Ib1およびIapcl_bとに応じて閾値電流Ith_bを算出する(ステップS709)。そして、バイアス電流算出部23は閾値電流Ith_aに相当する電流値をバイアス電流(Ibb)として算出し、バイアス電流をDAC_Ib_b24bに設定する。スイッチング電流算出部25はバイアス電流Ibbと電流値Ib1とに応じてスイッチング電流を算出し、スイッチング電流をDAC_Isw_b26bに設定する(ステップS710)。これによって、レーザ駆動装置11はバイアス電流決定を終了する。
以上のように、第1の実施形態においては、2種類の光量を有するマルチビームについて各LDの電流値からバイアス電流値を算出する際、2種類の光量のうち低い方の光量を他のビームにおけるバイアス発光量の影響を受けることなく可能な限り低い光量に設定することができ、各LDに正確なバイアス電流を印加することができる。
[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態によるレーザ駆動装置の一例については説明する。第2の実施形態によるレーザ駆動装置の構成は図4に示すレーザ駆動装置と同様である。
次に、本発明の第2の実施形態によるレーザ駆動装置の一例については説明する。第2の実施形態によるレーザ駆動装置の構成は図4に示すレーザ駆動装置と同様である。
上述の第1の実施形態においては、他のビームに係るバイアス発光の影響を受けない光量(Papcl)と閾値電流Ithを比較するようにしたが、第2の実施形態によるレーザ駆動装置では、光量PbおよびPbn(nは1以上の整数)とこれら光量に対応する電流値Ib1およびIbnとに応じて一次式の傾きを求める。そして、これら傾きを比較することによって、例えば、LD12aによるバイアス発光の影響を受けているか否かを判定する。
図12は、本発明の第2の実施形態によるレーザ駆動装置11が行うAPC_L光量の決定を説明するためのフローチャートである。なお、図12に示すフローチャートにおいて、図6に示すフローチャートと同様の処理(ステップ)については同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図12に示すステップS307の後、モード制御部17はLD12bをPb/2の光量で発光させるため、ゲインが×2となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×2とする。次に、モード制御部17はAPC信号およびビーム選択信号を出力して、LD12bを強制的に発光させる。
比較器19は電流−電圧変換回路18がゲイン×2で電圧変換したPD出力電圧とVrefとの比較結果を出力する。電流制御部21はこの比較結果に応じてAPC動作を行い、LD12bを光量Pb/2に制御する(ステップS808)。この際の電流値(Ib2)は閾値電流算出部22の内蔵メモリに格納される。
次に、閾値電流算出部22は、光量PbおよびPb/2とこれらの光量に対応する電流Ib1およびIb2に基づいて一次式(直線)の傾きβ1を算出する(ステップS809)。
モード制御部17はゲインが×3となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×3とする。そして、電流制御部21は前述のようにしてAPC動作を行って、LD12bを光量Pb/3に制御する(ステップS810)。閾値電流算出部22は、光量PbおよびPb/3とこれらの光量に対応する電流値Ib1およびIb3とに応じて一次式の傾きβ2を算出する(ステップS811)。
閾値電流算出部22は、傾きβ1およびβ2を比較して、傾きβ2およびβ1の差分(絶対値)が所定の値(例えば、5%)以上であるか否かを判定する(ステップS812)。差分が5%未満であると(ステップS812において、NO)、閾値電流算出部22は、前述したように、光量と電流の関係が一次式の関係であるとする。つまり、閾値電流算出部22はAPC_Lの光量をより低い光量にする方が正確な閾値電流を算出できる可能性があるとする。
閾値電流算出部22はその旨モード制御部17に通知する。これによって、モード制御部17はゲインに1を加算して、ゲインが×4となるゲイン切り替え信号を出力して、電流−電圧変換回路18のゲインを×4とする(ステップS813)。その後、処理はステップS810に移行して、前述のようにして、ステップS810〜S812の処理が行われる。つまり、LD12bは光量Pb/4で制御されることになる。この際の電流値をIb4とする。そして、ステップS811では、閾値電流算出部22は光量PbおよびPb/4とこれらの光量に対応する電流値Ib1およびIb4とに応じて傾きβ3を算出することになる。ステップS812において、閾値電流算出部22は傾きβ2およびβ3を比較する。
このようにして、閾値電流算出部22は傾きβ(n)とβ(n−1)との差分(誤差)が5%以上になるまで上述の動作を行うことになる。
ステップS812において、傾きβ2およびβ1の差分が5%以上であると(ステップS812において、YES)、閾値電流算出部22は、光量と電流の関係が一次式の関係にないとする。つまり、閾値電流算出部22は光量Pb/3がLD12aのバイアス発光の影響を受けていると判定する。そして、閾値電流算出部22はAPC_Lの光量をLD12aのバイアス発光の影響を受けない最も低い光量、つまり、Pb/2に決定する(ステップS814)。これによって、レーザ駆動装置11はAPC_L光量決定処理を終了する。
このように、LD12a又は12bの光量−電流特性の傾きに応じてAPC_Lの光量を決定するようにすれば制御を簡略化することができる。
以上のように、第2の実施形態では、2種類の光量を有するマルチビームについて各LDの電流値からバイアス電流値を算出する際、2種類の光量のうち低い方の光量を他のビームにおけるバイアス発光量の影響を受けることなく可能な限り低い光量に設定することができ、各LDに正確なバイアス電流を印加することが可能となる。つまり、第2の実施形態によれば、容易にバイアス発光の影響を低減して閾値電流の変動を防止することができる。
なお、シングルビームLDにおいても、より低い光量から閾値電流を算出できるため閾値電流の算出精度を向上させることができる。
上述の説明から明らかなように、図4において、PD13が検出手段又は検出センサとして用いられる。また、レーザ制御部16およびモード制御部17が光量制御手段、閾値電流算出手段、および制御手段として機能する。また、レーザ制御手段はバイアス電流印加手段としても機能する。
以上、本発明について実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。
例えば、上記の実施の形態の機能を制御方法として、この制御方法を、レーザ駆動装置に実行させるようにすればよい。また、上述の実施の形態の機能を有するプログラムを制御プログラムとして、この制御プログラムをレーザ駆動装置が備えるコンピュータに実行させるようにしてもよい。なお、制御プログラムは、例えば、コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録される。
この際、制御方法および制御プログラムは、少なくとも検出ステップ、光量制御ステップ、閾値電流算出ステップ、および制御ステップを有することになる。
また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア(プログラム)を、ネットワーク又は各種記録媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)がプログラムを読み出して実行する処理である。
11 レーザ駆動装置
12a,12b レーザダイオード(LD)
13 フォトダイオード(PD)
17 モード制御部
18 電流−電圧変換回路
21 電流制御部
22 閾値電流算出部
23 バイアス電流算出部
25 スイッチング電流算出部
27 電流駆動部
12a,12b レーザダイオード(LD)
13 フォトダイオード(PD)
17 モード制御部
18 電流−電圧変換回路
21 電流制御部
22 閾値電流算出部
23 バイアス電流算出部
25 スイッチング電流算出部
27 電流駆動部
Claims (9)
- レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置において、
前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出手段と、
前記検出手段からの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御手段と、
前記検出手段からの検出出力と前記レーザダイオードの駆動電流とに応じて前記レーザダイオードが誘導発光を開始する直前の閾値電流を算出する閾値電流算出手段と、
前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記閾値電流算出手段から得られる複数の閾値電流を互いに比較して、その差分が所定の値以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御手段と、
を有することを特徴とするレーザ駆動装置。 - 前記制御手段は、前記設定光量を低下させる方向に切り替えて、前記閾値電流算出手段から得られる第nの閾値電流と第(n−1)の閾値電流(nは1以上の整数)と比較してその差分が所定の値以上となると前記第(n−1)の閾値電流に対応する設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量と決定することを特徴とする請求項1に記載のレーザ駆動装置。
- レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置において、
前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出手段と、
前記検出手段からの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御手段と、
前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記検出手段からの検出出力と前記駆動電流とによって定められる光量と駆動電流との関係の変化割合を示す変化率を求めて、該変化率が所定の変化率以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御手段と、
を有することを特徴とするレーザ駆動装置。 - 前記制御手段は、前記設定光量を低下させる方向に切り替えて、前記変化率が所定の変化率以上となると、前記変化率が前記所定の変化率以上となる前の設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量と決定することを特徴とする請求項3に記載のレーザ駆動装置。
- 複数の前記レーザダイオードを備え、
前記レーザダイオードの各々についてその発光の立ち上がり時間を速めるためのバイアス電流を印加するバイアス電流印加手段を有し、
前記制御手段は、前記バイアス電流印加手段によって前記バイアス電流の印加が行われた状態で、前記レーザダイオードの各々について前記設定光量の決定処理を行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のレーザ駆動装置。 - レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置の制御方法であって、
検出センサによって前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出ステップを有し、
前記レーザ駆動装置の制御部が、
前記検出センサからの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御ステップと、
前記検出センサからの検出出力と前記レーザダイオードの駆動電流とに応じて前記レーザダイオードが誘導発光を開始する直前の閾値電流を算出する閾値電流算出ステップと、
前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記閾値電流算出ステップで得られる複数の閾値電流を互いに比較して、その差分が所定の値以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御ステップとを行うことを特徴とする制御方法。 - レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置の制御方法において、
検出センサによって前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出ステップを有し、
前記レーザ駆動装置の制御部が、
前記検出センサからの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御ステップと、
前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記検出センサからの検出出力と前記駆動電流とによって定められる光量と駆動電流との関係の変化割合を示す変化率を求めて、該変化率が所定の変化率以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御ステップと、
を行うことを特徴とする制御方法。 - レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置で用いられる制御プログラムにおいて、
前記レーザ駆動装置が備えるコンピュータに、
検出センサで前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出ステップと、
前記検出センサからの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御ステップと、
前記検出センサからの検出出力と前記レーザダイオードの駆動電流とに応じて前記レーザダイオードが誘導発光を開始する直前の閾値電流を算出する閾値電流算出ステップと、
前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記閾値電流算出ステップで得られる複数の閾値電流を互いに比較して、その差分が所定の値以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御ステップと、
を実行させることを特徴とする制御プログラム。 - レーザダイオードを駆動するレーザ駆動装置で用いられる制御プログラムにおいて、
前記レーザ駆動装置が備えるコンピュータに、
検出センサによって前記レーザダイオードから出力されたレーザ光の光量を検出する検出ステップと、
前記検出センサからの検出出力に応じて前記レーザダイオードに与える駆動電流を制御することによって前記レーザダイオードから出力されるレーザ光の光量を複数の設定光量に制御する光量制御ステップと、
前記複数の設定光量を切り替えて選択し、前記設定光量の各々において前記検出センサからの検出出力と前記駆動電流とによって定められる光量と駆動電流との関係の変化割合を示す変化率を求めて、該変化率が所定の変化率以上である設定光量を前記レーザダイオードの光量制御に用いる設定光量として決定する制御ステップと、
を実行させることを特徴とする制御プログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013095635A JP2014216620A (ja) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラム |
US14/258,059 US9425584B2 (en) | 2013-04-30 | 2014-04-22 | Laser drive device that drives laser diode, method of controlling the same, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013095635A JP2014216620A (ja) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014216620A true JP2014216620A (ja) | 2014-11-17 |
Family
ID=51789232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013095635A Pending JP2014216620A (ja) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9425584B2 (ja) |
JP (1) | JP2014216620A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10673203B2 (en) * | 2018-03-09 | 2020-06-02 | North Inc. | Alignment methods for laser diodes |
DE102018212687A1 (de) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Koninklijke Philips N.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Überwachen der optischen Ausgangsleistung einer Laserdiode mit einer zugeordneten Fotodiode und Partikelsensorvorrichtung |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005064132A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザーダイオード駆動回路及びレーザーダイオード駆動方法 |
JP2005317925A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-11-10 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置 |
JP2009016747A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Canon Inc | レーザダイオード駆動装置及び光走査装置 |
JP2012023243A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置およびその駆動装置を備えた画像形成装置 |
JP2013055158A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Canon Inc | 露光装置及び画像形成装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3581555B2 (ja) | 1998-02-27 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | 光源駆動装置 |
US7954358B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-06-07 | Finisar Corporation | Laser driver bias current calibration |
-
2013
- 2013-04-30 JP JP2013095635A patent/JP2014216620A/ja active Pending
-
2014
- 2014-04-22 US US14/258,059 patent/US9425584B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005064132A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザーダイオード駆動回路及びレーザーダイオード駆動方法 |
JP2005317925A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-11-10 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置 |
JP2009016747A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Canon Inc | レーザダイオード駆動装置及び光走査装置 |
JP2012023243A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置およびその駆動装置を備えた画像形成装置 |
JP2013055158A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Canon Inc | 露光装置及び画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9425584B2 (en) | 2016-08-23 |
US20140321490A1 (en) | 2014-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7728862B2 (en) | Optical scanning apparatus | |
US9841699B2 (en) | Optical scanning apparatus and image forming apparatus | |
JP5754955B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP6178641B2 (ja) | 光走査装置及び画像形成装置 | |
JP5282444B2 (ja) | 画像形成装置および画像形成方法 | |
JP5439874B2 (ja) | 画像形成装置および画像形成方法 | |
JP2005161790A (ja) | 光走査装置の光量制御方法及び画像形成装置 | |
JP2014216620A (ja) | レーザ駆動装置、その制御方法、および制御プログラム | |
US8724163B2 (en) | Optical scanning apparatus, light power control method, and image forming apparatus for adjusting drive current supplied to the light source | |
US8933979B2 (en) | Electrophotographic-type image forming apparatus | |
JP2013059906A (ja) | レーザ光出射装置、及び該レーザ光出射装置を備える画像形成装置 | |
US20070097452A1 (en) | Image forming apparatus for generating stable horizontal sync signal and method thereof | |
JP2017207672A (ja) | 画像形成装置及び走査装置 | |
JP5791269B2 (ja) | 画像形成装置 | |
US9939755B2 (en) | Image forming apparatus | |
JP5717402B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP2015001566A (ja) | 露光装置及び画像形成装置 | |
JP5568945B2 (ja) | 画像形成装置 | |
US11984702B2 (en) | Optical scanning device, image-forming apparatus, and control method | |
US10401755B2 (en) | Scanning apparatus and image forming apparatus | |
JP2016132235A (ja) | 画像書込装置、画像書込方法及び画像形成装置 | |
JP5705195B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP2016141100A (ja) | 光走査装置及び画像形成装置 | |
JP4892442B2 (ja) | レーザ駆動装置、画像形成装置、およびプログラム | |
JP2007168309A (ja) | 光学走査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170808 |