JP2009010073A - 半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置 Download PDF

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Abstract

【課題】異なる接続方法による接続パッドを有する半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置において、それぞれの接続パッドにおける表面処理を確実に行うことが可能で、生産効率の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ接続用パッド１６が形成された領域の外方に、ランドパッド１８の形成領域が設けられた半導体パッケージ６０において、ランドパッド１８の形成領域に、ランドパッド１８を露出させるように保護部材３９が形成され、保護部材３９は、フリップチップ接続用パッド１６を囲んで配置される枠状構造部３９Ａと、枠状構造部３９Ａの外方側に配置される支持膜部３９Ｂと、からなることを特徴とする半導体パッケージ６０およびこれを用いた半導体装置７０である。
【選択図】図１１

Description

本発明は半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置に関し、より詳細には、フリップチップ接続用パッドとＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）またはＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）接続に用いるランドパッドとを備えた半導体パッケージと、この半導体パッケージを用いた半導体装置に関する。
携帯電話やデジタルカメラ等に用いられる半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置は、高密度化、小型化が望まれている。これらの高密度化、小型化された半導体パッケージおよび半導体装置のアセンブリ技術においては、半導体チップのフリップチップ接続構造を採用することが有効な手段である。
上記フリップチップ接続構造において、半導体チップとチップ搭載エリアにおける半導体パッケージの基板との間隔は、高密度接続構造では３０μｍ程度ときわめて狭い間隔になってきているため、アンダーフィル樹脂には低粘性の樹脂が用いられる。
低粘性のアンダーフィル樹脂を使用した場合には、アンダーフィル樹脂がフリップチップ接続領域から多少流れ出すことがある。従来は、見栄えを多少損ねる程度であり無視できたが、半導体チップそのものが小型化し、半導体チップ、その他の電子部品の搭載密度が高くなってくると、このアンダーフィル樹脂の流れ出しが、周辺のチップや電子部品に悪影響をもたらすおそれが生じてきた。
近年においては、半導体素子をフリップチップ接続した半導体装置の上に別の半導体装置を搭載し、ＬＧＡ接続によって半導体装置間の接続をとって形成される積層型半導体装置がある。このような半導体装置においては、半導体パッケージのチップ搭載領域の外側に配置されるＢＧＡ接続用またはＬＧＡ接続用のランドパッドにアンダーフィル樹脂が流れ出さないように、チップ搭載領域を囲むようにして配設される保護レジスト層によってアンダーフィル樹脂の流れ出しを防ぐダムを形成する方法が必須となる。
特開２００６−３５１５５９号公報
図１４はフリップチップ接続用のパッドと、ＢＧＡまたはＬＧＡ接続用のランドパッドを備えた半導体パッケージの製造途中の工程を示す説明図である。
フリップチップ接続用パッド１６には半導体素子１０に（図１２参照）形成されたバンプ１２（金バンプ）が接合されるのに対して、ＢＧＡ接続やＬＧＡ接続等のランドパッド１８にははんだボールや接続用のピン等が接続される。このため、フリップチップ接続用パッド１６では銅パッドの表面にはんだが被着される。また、ＢＧＡ接続やＬＧＡ接続等のランドパッド１８においても銅パッドを用いることもできるが、より好適なランドパッド１８とするには、銅パッドの表面にめっき３６（たとえば、ニッケルめっきと金めっき）を施すことが望ましい。
ランドパッド１８にニッケルめっきと金めっきを施す場合には、基板１４を形成する工程では基板１４の表面に配線パターン、フリップチップ接続用パッド１６およびランドパッド１８をパターン形成した後、まず、ランドパッド１８となるパッド部にめっき３６を施し、次いで、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部にはんだ５２ａを被着する。
具体的には、ランドパッド１８となるパッド部１８ａにめっき３６を処理する際においては、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａをめっきレジストにより被覆してめっき３６を施し、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａにはんだ粉５２によりはんだコートをする際においては、ランドパッド１８にマスキングテープ４２を貼り付け、ランドパッド１８を被覆した状態で処理している。
ところで、ランドパッド１８はフリップチップ接続用パッド１６が形成されている領域を囲む外側領域に設けられており、フリップチップ接続用パッド１６が形成されている領域を囲むようにして保護レジスト層によるダムＤが形成されている。このダムＤは、アンダーフィル樹脂３７（図１２参照）がランドパッド１８の形成領域まで流れ出さないようにするためのもので、樹脂基板３０またはソルダーレジスト３８から上方に向けて突出するようにして設けられている。前述したように、マスキングテープ４２はランドパッド１８を遮蔽するように貼り付けるのであるが、ダムＤが形成されているためにランドパッド１８の形成領域内に平坦に貼り付けることができず、図１４に示すように、マスキングテープ４２とランドパッド１８の形成領域との間に隙間Ｓが生じてしまうという課題がある。フリップチップ接続用パッドとなるパッド部１６ａをはんだ粉５２によりはんだコートする場合は、パッド部１６ａに粘着性溶液を付着させる。したがって、このような状態で粘着性溶液を供給すると、粘着性溶液がランドパッド１８の形成領域とマスキングテープ４２との隙間Ｓからランドパッド１８の形成領域に流れ込んでしまったり、はんだ粉５２がランドパッド１８に付着することによりランドバッド１８の表面のめっき３６を保護することができず、不良品となってしまう。
そこで本願発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、フリップチップ接続とＢＧＡ接続やＬＧＡ接続といった異なる接続方法による接続パッドを有する半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置において、それぞれの接続パッドにおける表面処理を確実に行うことが可能で、生産効率の高い半導体パッケージおよび半導体装置の提供を目的としている。
本発明は、フリップチップ接続用パッドが形成された領域の外方に、ランドパッドの形成領域が設けられた半導体パッケージにおいて、前記ランドパッドの形成領域に、ランドパッドを露出させるように保護部材が形成され、該保護部材は、前記フリップチップ接続用パッドを囲んで配置される枠状構造部と、該枠状構造部の外方側に配置される支持膜部と、からなることを特徴とする半導体パッケージである。
また、前記支持膜部は、前記枠状構造部を外方側から囲む枠状に形成されているか、前記支持膜部は、前記枠状構造部の外方側に散点的に形成されていることを特徴とする。
また、前記支持膜部は、前記ランドパッドの最外周位置よりも外方側に形成されていることを特徴とする。
以上の構成を採用することにより、ＢＧＡ接続やＬＧＡ接続をするためのランドパッド形成領域に対してマスキングテープを隙間なく貼り付けることができるため、半導体パッケージの歩留まりが向上し、半導体パッケージの製造コストを低減することができる。
また、前記枠状構造部と前記支持膜部の高さは同じ高さに形成されていることを特徴とする。これにより、ＢＧＡ接続やＬＧＡ接続をするためのランドパッド形成領域に対してマスキングテープを隙間なく平坦に貼り付けることが容易に行えるため、半導体パッケージの歩留まりがさらに向上する。加えて半導体パッケージの製造コストをさらに低減することもできる。
また、他の発明は、上記のうちいずれかに記載されている半導体パッケージに、半導体素子が搭載された半導体装置であって、半導体パッケージに搭載された半導体素子がフリップチップ接続により接続されていることを特徴とする半導体装置である。さらにこの半導体装置を上下方向に積層し、上層側の半導体装置における外部接続端子が下層側の半導体装置におけるランドパッドに接続されていることを特徴とする。
また、異種の半導体パッケージを本発明における半導体パッケージに積層してもよい。
本発明にかかる半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置によれば、フリップチップ接続とＢＧＡ接続またはＬＧＡ接続といった異なる接続部を有する半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置において、アンダーフィル樹脂の流れ出しを防止する枠状構造部が形成されていても、それぞれの接続パッドにおける表面処理を確実に行うことが可能となる。また、ランドパッドの形成領域にソルダーレジストによる支持膜部が形成されることにより、半導体パッケージおよび半導体装置の反りを緩和させることが可能になり、小型かつ高品質な半導体パッケージおよび半導体装置を得ることができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面にしたがって詳細に説明する。図１〜図１０は本実施形態における半導体パッケージの製造工程を示す断面図である。図１１は、本実施形態における半導体パッケージの平面図（ａ）と、平面図内のＡ−Ａ線における断面図（ｂ）である。なお、図１〜図１０における断面図は、図１１（ａ）内のＡ−Ａ線における断面図である。
図１は、片面銅張りの樹脂基板にレジストパターンを形成した状態を示す断面図である。レジストパターン３４は、樹脂基板３０に貼り付けられた銅箔３１にレジストフィルム３３を被着し、レジストフィルム３３を露光および現像することにより形成される。レジストパターン３４は、図示しない所要の配線パターン、フリップチップ接続用パッド１６、ＢＧＡ接続またはＬＧＡ接続をするためのランドパッド１８のパターン部分を被覆するように形成されている。
図２は、樹脂基板に配線パターンを形成すると同時にフリップチップ接続用パッドとランドパッドとなるパッドを形成した状態を示す断面図である。レジストパターン３４を形成した後、レジストパターンをマスクとして銅箔をエッチングすることにより、配線パターン、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａ、ランドパッド１８となるパッド部１８ａを形成する。エッチング後、レジストパターン３４は除去される。
図３は、樹脂基板の表面にフリップチップ接続用パッドとなるパッド部とランドパッドのみを露出させた状態でソルダーレジストが被着されている状態を示す断面図である。樹脂基板３０の表面をソルダーレジスト３８によって被覆し、露光および現像をして樹脂基板３０の表面にフリップチップ接続用パッドとなるパッド部１６ａとランドパッド１８となるパッド部１８ａのみを露出させる。
図４は、ランドパッドとなるパッド部にめっきを施してランドパッドを形成した状態を示す断面図である。本実施形態では、めっき３６として、ニッケルめっきと金めっきをこの順に施した。なお、図示しないが、ランドパッド１８となるパッド部１８ａにめっきを施す際に、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａにめっき液が付着しないようにパッド部１６ａが形成された領域をマスクで遮蔽してめっきした。このマスクとしては、たとえばめっきレジストを用いることができる。
図５は、ランドパッドが形成されている領域に、フリップチップ接続用パッドが配置された領域を囲む配置に枠状構造部と支持膜部を形成した状態を示す断面図である。ランドパッド１８が配設されている領域におけるソルダーレジスト３８の上面を保護部材である２層目のソルダーレジスト３９によって被覆し、アンダーフィル樹脂３７の流出を防止するための枠状構造部３９Ａと、枠状構造部３９Ａと同じ高さに支持膜部３９Ｂを同時に形成する。枠状構造部３９Ａはパッド部１６ａが形成される領域の周囲に沿って設けられ、支持膜部３９Ｂは枠状構造部３９Ａと同じ高さを有し、枠状構造部３９Ａを囲むように、平面視が枠状に形成される。
図５に示すように枠状構造部３９Ａは、アンダーフィル樹脂３７の流れ出しを防止するに十分な高さと幅に形成されている。また、支持膜部３９Ｂを枠状構造部３９Ａと同じ肉厚で接続パッド１８の形成領域内において枠状に形成したことにより、半導体パッケージ６０（図１１参照）および半導体パッケージ６０を用いた半導体装置７０（図１２参照）の反りを抑えることができ、平坦度の高い半導体パッケージ６０、半導体装置７０を提供することができる。
具体的には、フリップチップ接続後において半導体素子１０を上にした状態で半導体装置７０を正面側から見た場合、半導体装置７０が上に凸状となる変形をすることが知られている。そこで、ソルダーレジスト３８を半導体パッケージ６０の基板に２度塗布することにより、半導体装置７０を凹状に変形させようとする応力を増すことができ、半導体装置７０に生じる反りを緩和させることができる。
図６は、ランドパッドの形成領域をマスキングテープによってマスクした状態を示す断面図である。マスキングテープ４２はパッド部１６ａの表面にはんだを被着する際に、ランドパッド１８の表面にはんだ粉等が付着することを防止する目的で使用される。図６に示すように枠状構造部３９Ａおよび支持膜部３９Ｂの表面はランドパッド１８の表面よりも上側の位置にあるから、マスキングテープ４２を枠状構造部３９Ａおよび支持膜部３９Ｂの上面にそれぞれ粘着させ、マスキングープ４２を枠状構造部３９Ａと支持膜部３９Ｂとの間に掛け渡すように粘着する。
マスキングテープ４２によりランドパッド１８の形成領域を確実に覆うためには、支持膜部３９Ｂを、最外方のランドパッド１８の配設位置よりもさらに外方側の位置に少なくとも１つ配設しておけばよい。
本実施形態で使用したマスキングテープ４２は基材が塩化ビニル系の樹脂からなり、粘着剤がアクリル系の樹脂からなるものである。マスキングテープ４２の粘着層はランドパッド１８に粘着剤が残ってもＢＧＡ接続やＬＧＡ接続に支障のない材料によって形成されているが、図６に示すようにマスキングテープ４２はランドパッド１８の表面から離間して粘着されるから、ランドパッド１８の表面に粘着剤は付着しない。
なお、マスキングテープ４２は、実際には樹脂フィルムからなるセパレータから剥離して対象物に粘着して使用する。マスキングテープ４２を枠状構造部３９Ａおよび支持膜部３９Ｂの表面にそれぞれ粘着することにより、ランドパッド１８は外部からシールされた状態になる。
次にフリップチップ接続用パッドとなるパッドの表面にはんだを被着する。まず、図６に示したワーク４０のフリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａの表面に粘着層５０を形成する。粘着層５０はアクリル系化合物からなる粘着剤の溶液槽にワーク４０を浸漬することによってパッド部１６ａの表面に粘着剤を被着させることにより形成される。粘着液は銅からなるパッド部１６ａの表面に選択的に付着するが、ランドパッド１８はマスキングテープ４２によって被覆されているから、粘着剤の溶液槽にワーク４０を浸漬してもランドパッド１８に粘着剤の溶液が付着することはない。図７は、上記処理が施された状態を示す断面図である。
次に、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａ(以下、単にパッド部１６ａということがある)にはんだ粉５２を付着させる。図８は、フリップチップ接続用パッドとなるパッド部にはんだ粉が付着した状態を示す断面図である。ワーク４０の上方から、はんだ粉５２を振りかけるようにしてパッド部１６ａの表面にはんだ粉５２を付着させる。パッド部１６ａ上に落ちたはんだ粉５２は、粘着層５０によってパッド部１６ａの表面に付着する。パッド部１６ａ以外の基板表面に落下したはんだ粉５２は、洗浄工程によって取り除かれるが、この洗浄工程においてもランドパッド１８はマスキングテープ４２によって被覆されているから支障はない。なお、本実施形態では、Ｓｎ−Ａｇからなるはんだ粉５２を用いている。
パッド部１６ａの表面に付着したはんだ粉５２はリフロー工程により溶融されてパッド部１６ａの表面に被着する。本実施形態においては、リフロー工程の前工程として、はんだ粉５２をパッド部１６ａに仮付けしている。この仮付け工程は、はんだ粉５２をわずかに溶かしてパッド部１６ａに付着させるためのものである。実際には、１７０℃程度の加熱炉で１時間程度基板を加熱することによってはんだ粉５２を仮付けすることができる。マスキングテープ４２は仮付け工程に進む前に剥離する。仮付け工程後においては、マスキングテープ４２によってランドパッド１８を被覆しなくてもランドパッド１８の表面に異物が付着したりすることはない。
図９は、基板の表面にフラックスをコーティングした状態を示す断面図である。リフロー工程の前には図９に示すように樹脂基板３０の上面にフラックス５４をコーティングする工程を行う場合もある。フラックス５４は、はんだ粉５２を溶融させて得たはんだ５２ａの流れ性、はんだ５２ａとパッド部１６ａとの接合性を良好にするためのものである。フラックス５４のコーティングは公知の方法を用いれば良い。
図１０は、リフロー工程後のフリップチップ接続用パッドの表面に、はんだ粉を溶融させて得たはんだが被着された状態を示す断面図である。フラックス５４をコーティングした後、リフロー工程に移りはんだ粉５２を溶融させ、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａの表面にはんだ５２ａを被着させる。リフロー工程後、フラックス５４を洗浄して除去する。
なお、上述したはんだ粉５２を粘着層５０によりパッド部１６ａの表面に付着させ、リフローによってパッド部１６ａの表面にはんだ５２ａを被着させる方法としては、たとえば特開平７−７２４４号公報に記載されている方法を利用することができる。
図１１は、本実施形態における半導体パッケージの構成を示す平面図（ａ）と平面図内のＡ−Ａ線における断面図（ｂ）である。
以上のようにしてフリップチップ接続用パッド１６とランドパッド１８を備えた基板を形成した後、樹脂基板３０の下面に形成されたパッドＰに外部接続端子１５を取り付ければ、図１１に示す半導体パッケージ６０が得られる。この半導体パッケージ６０は、フリップチップ接続用パッド１６が形成された領域の外方に位置するランドパッド１８の形成領域に、ランドパッド１８を露出させるようにして保護部材である２層目のソルダーレジスト３９により、枠状構造部３９Ａと枠状構造部３９Ａの外方側に枠状構造部３９Ａを囲むように枠状に形成された支持膜部３９Ｂとが形成されている。図１１における半導体パッケージ６０には、支持膜部３９Ｂによる枠体が２箇所に形成されている。
また、枠状構造部３９Ａと枠状構造部３９Ａを囲む支持膜部３９Ｂ，３９Ｂは同じ高さに形成されているので、フリップチップ接続用パッド１６となるパッド部１６ａに粘着剤の溶液を浸漬させる際に、マスキングテープ４２によりランドパッド１８の形成領域を確実に被覆することができる。これにより、フリップチップ接続用パッド１６についてはパッド部１６ａの表面のみにはんだ５２ａを被着することができ、ランドパッド１８についてはパッド部１８ａの表面のみに所要のめっき３６を施すことができ、フリップチップ接続とＢＧＡ接続またはＬＧＡ接続によって半導体素子や別の半導体パッケージを搭載することが可能なものとして提供されるのである。
本実施形態の半導体パッケージ６０の製造方法は、フリップチップ接続用パッド１６とランドパッド１８とを樹脂基板３０内に形成する際に、ランドパッド１８を形成した部位については、枠状構造部３９Ａと、枠状構造部３９Ａを囲む配置に、枠状構造部３９Ａと同じ高さに形成された支持膜部３９Ｂとにマスキングテープ４２を橋渡し状に粘着することによりマスキングテープ４２を平坦に貼り付けし、ランドパッド１８が外部に露出しないようにした状態で、フリップチップ接続用パッド１６を形成する工程を行うことを特徴とする。マスキングテープ４２によってランドパッド１８を隙間なく完全に被覆することにより、ランドパッド１８にはんだ等が被着しないように確実に保護することができる。また、マスキングテープ４２は、枠状構造部３９Ａと支持膜部３９Ｂに粘着したり、枠状構造部３９Ａと支持膜部３９Ｂから剥離したりする操作が容易にできる。
上記の半導体パッケージ６０の製造方法において、フリップチップ接続用パッド１６にはんだを被着するためにランドパッド１８を被覆する他の方法として、液状のレジストを塗布してランドパッド１８を被覆する方法も考えられる。しかしながら、この方法の場合には、レジストを塗布した後、露光および現像によってフリップチップ接続用のパッド部１６ａが形成された領域を露出させる必要があり、工程が煩雑になることから生産性が劣るという問題がある。また、この方法の場合は、はんだ粉５２を付着した後にレジスト層を除去することになるから、レジスト層を除去する際にはんだ粉５２まで除去されるおそれがあるという問題がある。
上述したマスキングテープ４２を使用する半導体パッケージ６０の製造方法はこれらの問題がない点で優れており、実際の半導体パッケージ６０の量産方法として好適に利用することができる方法として有効である。
なお、上述した半導体パッケージ６０に半導体素子１０を搭載する場合は、半導体素子１０をフリップチップ接続用パッド１６にフリップチップ接続し、半導体素子１０とフリップチップ接続用パッド１６との接合領域にアンダーフィル樹脂３７を注入すればよい。
アンダーフィル樹脂３７を注入する際にアウトガスが発生することがあるが、ランドパッド１８が形成された領域には枠状構造部３９Ａと支持膜部３９Ｂがランドパッド１８の表面位置よりも高い位置に突出しているため、アウトガスがランドパッド１８に接触することを防ぎランドパッド１８の表面を保護することができる。これにより、ランドパッド１８の表面処理（例えば、ニッケルめっきと金めっき）の状態を好適に維持することが可能となる。図１２は、本実施形態にかかる半導体パッケージを用いた半導体装置の構造例を示す断面図である。
本願発明は、以上のようにして形成した半導体装置７０Ａ，７０Ｂを図１３に示すように上下に積層したいわゆるＰＯＰ構造の半導体装置７０として構成することができる。下層側の半導体装置７０Ｂと上層側の半導体装置７０Ａとは、上層側における半導体装置７０Ａの外部接続用端子であるはんだボール１５Ａを介して電気的に接続することができる。ランドパッド１８は、アンダーフィル樹脂３７の流出が防止され、接合性が確保されるから上層側と下層側の半導体装置７０Ａ，７０Ｂの電気的接続も確実になされる。
先にも説明したとおり、下層側半導体装置７０Ｂにおけるランドパッド１８は、枠状構造部３９Ａと支持膜部３９Ｂとによりアンダーフィル樹脂３７を注入する際におけるアンダーフィル樹脂３７からのアウトガスから保護されているため、上層側の半導体装置７０Ａにおけるはんだボール１５Ａと下層側の半導体装置７０Ｂのランドパッド１８に高品位な状態で接続することが可能となり、接続の信頼性が向上する。
以上に、本願発明について実施形態に基づいて詳細に説明してきたが、本願発明は以上に示した実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲において各種改変を施したとしても、本願発明の技術的範囲に属することはもちろんである。例えば、本実施形態においては、ランドパッド１８の形成領域にマスキングテープ４２を貼り付ける際に、枠状構造部３９Ａの高さと同一高さを有し、枠状構造部３９Ａを外方側から囲む枠状の支持膜部３９Ｂを形成した形態について説明しているが、支持膜部３９Ｂは必ずしも枠状に形成されていなくても良い。また、本願発明における効果を有する範囲で支持膜部３９Ｂの高さは必ずしも枠状構造部３９Ａと同一高さでなくても良い。
支持膜部３９Ｂは、枠状構造部３９Ａと共にランドパッド１８の形成領域内をマスキングテープ４２によって平坦に遮蔽することができればよく、格子状や散点的に形成されていても良いし、ランドパッド１８の形成領域内の全体に配設し、ランドパッド１８部分のみを露出させた形態であってもよい。さらには、枠状構造物３９Ａの外方側に支持膜部３９Ｂを複数形成した形態を採用することもできる。
また、半導体パッケージ６０や半導体装置７０の製造時にこれらに反りが生じないようにする支持膜部３９Ｂの配設パターンを採用することができるのはもちろんである。
さらに、本実施形態においては、図４に示すように樹脂基板３０の表面全体を１層目のソルダーレジスト３８によって被覆し、露光および現像をして樹脂基板３０の表面にフリップチップ接続用パッドとなるパッド部１６ａとランドパッド１８となるパッド部１８ａのみを露出させた後、図５に示すようにランドパッド１８の形成領域に２層目のソルダーレジストを被着することにより枠状構造部３９Ａと支持膜部３９Ｂを形成する形態について説明しているが、フリップチップ接続用パッド１６の形成領域に１層目のソルダーレジスト３８を被着させず、１層目のソルダーレジスト３８により枠状構造部と支持膜部を形成する形態であっても本実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
また、上記実施形態においては、半導体パッケージ６０の基板上部に搭載される半導体パッケージ６０はＢＧＡ接続により半導体素子１０を搭載している形態について説明をしているが、半導体パッケージ６０の基板上部に搭載される半導体パッケージ６０における半導体素子１０は、ＢＧＡ接続の他にワイヤボンディングにより接続されたものであってもよいのはもちろんである。
上記実施形態では、単体の基板部分あるいは半導体パッケージについて示したが、実際の製造工程においては、大判の樹脂基板に多数個の半導体パッケージ６０が造りこまれた半導体パッケージをワークとして製造し、最終的な製造段階で個片化するといった製造工程にすることも可能である。
片面銅張りの樹脂基板にレジストパターンを形成した状態を示す断面図である。 樹脂基板に配線パターンを形成すると同時にフリップチップ接続用パッドとランドパッドとなるパッドを形成した状態を示す断面図である。 樹脂基板の表面にフリップチップ接続用パッドとなるパッド部とランドパッドのみを露出させた状態でソルダーレジストが被着されている状態を示す断面図である。 ランドパッドとなるパッド部にめっきを施してランドパッドを形成した状態を示す断面図である。 ランドパッドが形成されている領域に、フリップチップ接続用パッドが配置された領域を囲む配置に枠状構造部と支持膜部を形成した状態を示す断面図である。 ランドパッドの形成領域をマスキングテープによってマスクした状態を示す断面図である。 フリップチップ接続用のパッド表面に粘着層を形成した状態を示す断面図である。 フリップチップ接続用パッドとなるパッド部にはんだ粉が付着した状態を示す断面図である。 基板の表面にフラックスをコーティングした状態を示す断面図である。 リフロー工程後のフリップチップ接続用パッドの表面に、はんだ粉を溶融させて得たはんだが被着された状態を示す断面図である。 本実施形態における半導体パッケージの構成を示す断面図である。 本実施形態にかかる半導体パッケージを用いた半導体装置の構造例を示す断面図である。 本実施形態にかかる半導体装置を上下に積層してなるＰＯＰ構造の半導体装置の構造を示す断面図である。 フリップチップ接続用のパッドと、ＢＧＡまたはＬＧＡ接続用のランドパッドを備えた半導体パッケージの製造途中の工程を示す説明図である。
符号の説明
１０ 半導体素子
１２ バンプ
１４ 基板
１５ 外部接続端子
１５Ａ はんだボール
１６ フリップチップ接続用パッド
１６ａ フリップチップ接続用パッドとなるパッド部
１８ ランドパッド
１８ａ ランドパッドとなるパッド部
３０ 樹脂基板
３１ 銅箔
３３ レジストフィルム
３４ レジストパターン
３６ めっき
３７ アンダーフィル樹脂
３８ ソルダーレジスト
３９ ２層目のソルダーレジスト（保護部材）
３９Ａ 枠状構造部
３９Ｂ 支持膜部
４０ ワーク
４２ マスキングテープ
５０ 粘着層
５２ はんだ粉
５２ａ はんだ
５４ フラックス
６０ 半導体パッケージ
７０，７０Ａ，７０Ｂ 半導体装置
Ｄ ダム
Ｐ パッド
Ｓ 隙間

Claims (7)

  1. フリップチップ接続用パッドが形成された領域の外方に、ランドパッドの形成領域が設けられた半導体パッケージにおいて、
    前記ランドパッドの形成領域に、ランドパッドを露出させるように保護部材が形成され、
    該保護部材は、前記フリップチップ接続用パッドを囲んで配置される枠状構造部と、該枠状構造部の外方側に配置される支持膜部と、からなることを特徴とする半導体パッケージ。
  2. 前記支持膜部は、前記枠状構造部を外方側から囲む枠状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
  3. 前記支持膜部は、前記枠状構造部の外方側に散点的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
  4. 前記支持膜部は、前記ランドパッドの最外周位置よりも外方側に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
  5. 前記枠状構造部と前記支持膜部の高さは同じ高さに形成されていることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
  6. 請求項１〜５のうちのいずれか一項記載の半導体パッケージに、半導体素子が搭載された半導体装置であって、
    半導体パッケージに搭載された半導体素子がフリップチップ接続により接続されていることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項６記載の半導体装置を上下方向に積層し、上層側の半導体装置における外部接続端子が下層側の半導体装置におけるランドパッドに接続されていることを特徴とする半導体装置。
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