JP2010087018A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上面に半導体素子E1が搭載される搭載部1Aを有する絶縁基体1と、絶縁基体1の搭載部1Aに格子状の並びに被着されており、上面に半導体素子E1の電極が導電バンプB1を介して接続されるめっき層から成る円形の複数の半導体素子接続パッド2Aと、絶縁基体1上に被着されており、半導体素子接続パッド2Aの側面を覆うとともに半導体素子接続パッド2Aの上面を露出させるソルダーレジスト層3とを具備して成る配線基板10であって、ソルダーレジスト層3は、少なくとも半導体素子接続パッド2Aの上面全面を底面とする凹部3Aを有する。
【選択図】 図1
Description
このような半導体集積回路素子を配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接続により接続する方法が採用されている。フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた半導体素子接続パッドの上面を半導体集積回路素子の電極端子の配置に対応した並びに露出させ、この半導体素子接続パッドの露出する上面と前記電子部品の電極端子とを対向させ、これらの間を半田や金等からなる導電バンプを介して電気的に接続する方法である。
また、近時はこのようなフリップチップ接続により半導体素子を配線基板上に搭載し、さらにその上に別の電子部品を半田ボール接続またはワイヤボンド接続により搭載して、配線基板への半導体素子や電子部品の搭載密度を高めることが行われている。
さらに、前記凹部が前記半導体素子の搭載される前記搭載部に対応する領域全体を前記底面とし、側壁が前記搭載部を取り囲むように形成されている場合には、配線基板と半導体素子との間に充填樹脂を充填する際に凹部の側壁が充填樹脂の外部流出を防止するダムとして機能するので、それにより充填樹脂の絶縁基体外周部への不要な流出を防止することができる。
さらにまた、前記凹部が前記半導体素子接続パッドの各々に対応して個別に形成されている場合には、半導体素子の電極端子を半導体素子接続パッドに導電バンプを介して接続する際に、前記凹部を導電バンプと半導体素子接続パッドとの位置決め用のガイドとして利用することができ、それにより配線基板への半導体素子の実装を容易なものとすることができる。
また、前記絶縁基体の上面における前記半導体素子が搭載される前記搭載部の外側に前記半導体素子以外の電子部品が接続されるめっき層から成る電子部品接続パッドが形成されているとともに前記電子部品接続パッドの上面中央部が前記ソルダーレジスト層から露出している場合には、狭ピッチ電極の半導体素子およびそれ以外の電子部品を配線基板上に高密度に実装することができる。
さらに、本発明の配線基板の製造方法において、前記凹部を、前記半導体素子が搭載される前記搭載部に対応する領域全体を前記底面とし、側壁が前記搭載部を取り囲むように形成する場合には、配線基板と半導体素子との間に充填樹脂を充填する際に凹部の側壁を充填樹脂が外部に流出するのを防止するダムとして機能させることができるので、それにより充填樹脂の絶縁基体外周部への不要な流出を防止することが可能な配線基板を提供することができる。
さらにまた、本発明の配線基板の製造方法において、前記凹部を、前記半導体素子接続パッドの各々に対応して個別に形成する場合には、半導体素子の電極端子を半導体素子接続パッドに導電バンプを介して接続する際に、前記凹部を導電バンプと半導体素子接続パッドとの位置決め用のガイドとして利用することができ、それにより配線基板への半導体素子の実装を容易なものとした配線基板を提供することができる。
図1は、半導体素子としてのエリアアレイ型の半導体集積回路素子をフリップチップ接続により搭載し、さらにその上に別の電子部品としての半導体素子搭載基板を半田ボール接続により搭載した本発明にかかる配線基板の一例を示す概略断面図であり、図2は、図1の配線基板を示す平面図である。
そして、半導体集積回路素子E1の電極端子と半導体素子接続パッド2Aとを導電バンプB1を介して電気的に接続した後、半導体集積回路素子E1と配線基板10との間の隙間にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成るアンダーフィルと呼ばれる充填樹脂U1を充填し、半導体集積回路素子E1が配線基板10上に実装される。さらに、その上に半導体素子搭載基板E2の電極端子と電子部品接続パッド2Bとを半田ボールB2を介して電気的に接続することにより半導体素子搭載基板E2が配線基板10上に実装され、これにより配線基板10上に半導体素子および電子部品が高密度に実装されることとなる。
次いで、図4(c)に示すように、下地めっき層51の表面に、感光性アルカリ現像型ドライフィルムレジストDFR1を貼着するとともに、これをフォトリソグラフィ技術を用いて露光および現像を行なうことにより、図4(d)に示すように、半導体素子接続パッド2Aに対応する形状の半導体素子接続パッド形成用開口M1Aおよび電子部品接続パッド2Bに対応する形状の電子部品接続パッド形成用開口M1Bを有するめっきマスクM1を形成する。なお、めっきマスクM1の厚みは、後に形成する半導体素子接続パッド2Aおよび電子部品接続パッド2Bの厚みよりも若干厚い厚みであるのがよい。
次に、図6(g)に示すように、めっき層52で覆われた部分以外の下地めっき層51を除去する。これにより、下地めっき層51およびめっき層52から成る半導体素子接続パッド2Aと電子部品接続パッド2Bとが形成される。なお、めっき層52で覆われた部分以外の下地めっき層51を除去するには、前記めっきマスクM1を除去した後に露出する下地めっき層51を、例えば、過酸化水素水や過硫酸ナトリウム等を含有するエッチング液によりエッチング除去する方法を採用すればよい。
1A 搭載部
2A 半導体素子接続パッド
2B 電子部品接続パッド
3 ソルダーレジスト層
3A,3AA 凹部
51 下地めっき層
52 めっき層
M1 めっきマスク
M1A 半導体素子接続パッド形成用開口
M1B 電子部品接続パッド形成用開口
Claims (8)
- 上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の前記搭載部に格子状の並びに被着されており、上面に前記半導体素子の電極が導電バンプを介して接続されるめっき層から成る円形の複数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基体上に被着されており、前記半導体素子接続パッドの側面を覆うとともに前記半導体素子接続パッドの上面を露出させるソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記ソルダーレジスト層は、少なくとも前記半導体素子接続パッドの上面全面を底面とする凹部を有することを特徴とする配線基板。
- 前記凹部は、少なくとも前記搭載部に対応する領域全体を前記底面とし、側壁が前記搭載部を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記凹部は、前記半導体素子接続パッドの各々に対応して個別に形成されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記絶縁基体の上面における前記搭載部の外側に前記半導体素子以外の電子部品が接続されるめっき層から成る電子部品接続パッドが形成されているとともに前記電子部品接続パッドの上面中央部が前記ソルダーレジスト層から露出していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の配線基板。
- 上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体の前記搭載部にめっき層から成る円形の半導体素子接続パッドを格子状の並びに形成する工程と、前記絶縁基体上に前記半導体素子接続パッドを完全に埋めるソルダーレジスト層用の樹脂層を被着するとともに該樹脂層を部分的に除去して前記半導体素子接続パッドの側面を覆うとともに少なくとも該半導体素子接続パッドの上面全面を底面とする凹部を有するソルダーレジスト層を形成する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体の前記搭載部にめっき層から成る円形の半導体素子接続パッドを格子状の並びに形成するとともに前記搭載部の外側の上面にめっき層から成る電子部品接続パッドを形成する工程と、前記絶縁基体上に前記半導体素子接続パッドおよび前記電子部品接続パッドを完全に埋めるソルダーレジスト層用の樹脂層を被着するとともに該樹脂層を部分的に除去して前記半導体素子接続パッドの側面および前記電子部品接続パッドの側面を覆うとともに少なくとも前記半導体素子接続パッドの上面全面を底面とする凹部および前記電子部品接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を形成する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記凹部は、前記搭載部に対応する領域全体を前記底面とし、側壁が前記搭載部を取り囲むように形成されることを特徴とする請求項5または6記載の配線基板の製造方法。
- 前記凹部は、前記半導体素子接続パッドの各々に対応して個別に形成されることを特徴とする請求項5または6記載の配線基板の製造方法。
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