JP5069879B2 - 回路装置 - Google Patents
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Description
[回路装置の構造]
図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置10の構造を示す断面図である。半導体装置10は、回路素子の一つである半導体素子が複数積層されてパッケージ化された構造を有するマルチチップモジュールの回路装置の一種である。具体的には、半導体装置10は、第1の基板20、第1の半導体素子30、第1の封止樹脂40ならびに第2の半導体素子110および受動素子120がパッケージ化された回路パッケージとしての半導体パッケージ100を備える。
以下に、第1の実施の形態に係る半導体装置10の製造方法を参照して説明する。図3〜図11は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
図12は、第2の実施の形態に係る半導体装置310の構造を示す断面図である。第1の実施の形態に係る半導体装置10においては、半導体パッケージ100と第1の基板20とを接続する際にフレキシブル基板200を介して接続していたが、第2の実施の形態に係る半導体装置310においては、ワイヤボンディング法によって直接半導体パッケージ100と第1の基板20とを接続している。なお、以下の各実施の形態に係る説明において、他の実施の形態と同様な内容の説明は適宜省略する。
図13は、第3の実施の形態に係る半導体装置320の構造を示す断面図である。第1の実施の形態に係る半導体装置10および第2の実施の形態に係る半導体装置310においては、半導体パッケージ100の上面が露出して雰囲気にさらされているが、第3の実施の形態に係る半導体装置320においては、第2の基板102の露出部を覆うように開口部40aに放熱部材322を配置している点が大きく異なる。
図14は、第4の実施の形態に係る半導体装置330の構造を示す断面図である。第4の実施の形態に係る半導体装置330における放熱部材332は、第3の実施の形態に係る放熱部材322と異なり、放熱部材332により半導体パッケージ100の露出した部分だけでなく、第1の封止樹脂40を覆うように構成されている。これにより、放熱部材332の表面積が大きくなるので、半導体パッケージ100からの熱をより放熱しやすくなるとともに、第1の封止樹脂40を介した放熱性も向上することができる。
図15は、第5の実施の形態に係る半導体装置340の構造を示す断面図である。第1の実施の形態に係る半導体装置10と比較して、半導体パッケージ100の一部であるフレキシブル基板200が第1の封止樹脂40より突出している。これにより、第1の封止樹脂40よりフレキシブル基板200の一部が突出するので、突出した半導体パッケージ100の上面だけでなく側面からも放熱が可能となり、放熱性を更に向上することができる。
図16は、第6の実施の形態に係る半導体装置350の構造を示す断面図である。第6の実施の形態に係る半導体装置350は、第5の実施の形態に係る半導体装置340と異なり、放熱部材352により半導体パッケージ100の露出した部分とともに第1の封止樹脂40を覆うように構成されている。これにより、放熱部材352の表面積が大きくなるので、半導体パッケージ100からの熱をより放熱しやすくなるとともに、第1の封止樹脂40を介した放熱性も向上することができる。
図17は、第7の実施の形態に係る半導体装置360の構造を示す断面図である。第7の実施の形態に係る半導体装置360は、放熱部材が導電材料を含んだ導電体である点が前述の放熱部材と大きく異なる。半導体装置360は、第2の基板102において外部と導通することが可能な配線層103を有する。そこで、本実施の形態に係る放熱部材362は、配線層103を形成する複数の配線のうち、接地電位となる第1の配線103aと電気的に導通するように形成される。また、放熱部材362は、配線層103を形成する複数の配線のうち、接地電位以外となる第2の配線103bとは第1の封止樹脂40により絶縁される状態で形成される。あるいは、第2の配線103bを絶縁体によりマスクすることで第2の配線103bと放熱部材362との絶縁性を保証してもよい。
図18は、第8の実施の形態に係る半導体装置370の構造を示す断面図である。第8の実施の形態に係る半導体装置370は、第7の実施の形態に係る半導体装置360と比較して、放熱部材372が第2の基板102と接続されているフレキシブル基板200における配線層220bを覆う点が大きく異なる。半導体装置370は、フレキシブル基板200において外部と導通することが可能な配線層220bを有する。そこで、本実施の形態に係る放熱部材372は、配線層220bを形成する複数の配線のうち、接地電位となる第1の配線220b1,220b2と電気的に導通するように形成される。また、放熱部材372は、配線層220bを形成する複数の配線のうち、接地電位以外となる第2の配線220b3とは絶縁層374により絶縁される状態で形成される。絶縁層374は、フレキシブル基板200の製造時に形成してもよいし、あるいは、第1の封止樹脂40により第1の半導体素子30および半導体パッケージ100を封止した後に形成してもよい。
図19は、第9の実施の形態に係る半導体装置380の構造を示す断面図である。第1の実施の形態に係る半導体装置10と比較して、半導体パッケージ100の一部である第2の封止樹脂130が第1の封止樹脂40より突出している。これにより、突出した半導体パッケージ100の上面だけでなく側面からも放熱が可能となり、放熱性を更に向上することができる。
図20は、第10の実施の形態に係る半導体装置390の構造を示す断面図である。第9の実施の形態に係る半導体装置10と比較して、半導体パッケージ100の上を放熱部材392で覆っている点が大きく異なる。これにより、突出した半導体パッケージ100の上面だけでなく側面からも放熱部材392放熱が可能となり、放熱性を更に向上することができる。
本実施の形態に係る半導体装置は、上述の各実施の形態に係る半導体装置において、第1の封止樹脂40の熱伝導度を、第2の封止樹脂130の熱伝導度より高くした点が大きく異なる。これにより、半導体パッケージ100で発生した熱は第2の封止樹脂130より第1の封止樹脂40に伝達されやすくなる。そのため、第2の封止樹脂130を介して半導体パッケージ100より下方にある第1の半導体素子30に熱が伝わりにくくなり、第1の半導体素子30の昇温による動作信頼性の低下を抑制することができる。
Claims (2)
- 第1の基板と、
前記第1の基板に載置された第1の回路素子と、
前記第1の回路素子の上に積層され、外部と導通することが可能な配線層を備えた第2の基板と該第2の基板に載置された第2の回路素子とを有する回路パッケージと、
前記第1の回路素子および前記回路パッケージを封止するとともに、前記回路パッケージの一部が露出するように開口部が形成された第1の封止部と、
前記第1の封止部より熱伝導度が高く、前記回路パッケージの露出した部分を覆うように配置された放熱部材とを備え、
前記回路パッケージは、前記第2の基板を上側にして前記第1の回路素子の上に積層されているとともに、該第2の基板の少なくとも一部が前記第1の封止部で覆われずに露出しており、
前記回路パッケージは、前記第2の基板に設けられた電極と電気的に接続され、該回路パッケージの上面および側面に沿って設けられた第3の基板を更に有し、
前記回路パッケージと前記第1の基板の上に設けられた電極との電気的な接続が、前記第3の基板を経由しており、
前記放熱部材は、前記第3の基板における配線層を形成する複数の配線のうち、接地電位となる第1の配線と電気的に導通するとともに接地電位以外となる第2の配線とは絶縁される状態で前記露出した部分を覆う導電体であることを特徴とする回路装置。 - 前記第1の封止部は、前記回路パッケージの一部が外部に対して露出するように開口部が形成されているとともに、前記回路パッケージの外部側の面が前記第1の封止部の表面よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の回路装置。
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