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  1. 堆積ストレッサ材料の応力レベルを上昇させる方法であって、
    基板の少なくとも表面の上にアモルファス膜ストレッサの第１の部分であって、第１の応力値を規定する機械的歪みの第１の状態を有する前記第１の部分を形成するステップと、
    前記機械的歪みの第１の状態は実質的に変化させずに前記第１の応力値を増加させるように、前記アモルファス膜ストレッサ材料の前記第１の部分を高密度化するステップと
    を含む方法。
  2. 前記形成するステップ及び前記高密度化するステップは、予め選択された厚さを有する多層ストレッサ材料を設けるために繰り返される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記アモルファス膜ストレッサ材料は、窒化物、酸化物、又は金属を含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記アモルファス膜ストレッサ材料は水素をさらに含む、請求項３に記載の方法。
  5. 前記アモルファス膜ストレッサ材料は、ＳｉＮ又は水素を含有するＳｉＮを含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記機械的歪みの第１の状態は引張り状態又は圧縮状態のいずれか一方である、請求項１に記載の方法。
  7. 前記アモルファス膜ストレッサの第１の部分を形成するステップは、５５０℃又はそれ以下の温度で実施される堆積プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
  8. 前記堆積プロセスは、化学気相堆積、プラズマ強化化学気相堆積、又は急速熱化学気相堆積のうちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
  9. 前記高密度化するステップは、プラズマ窒化又は放射照射のうちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
  10. 前記高密度化するステップは、窒素含有プラズマの存在下において、５５０℃又はそれ以下の温度で実施されるプラズマ窒化を含む、請求項９に記載の方法。
  11. 前記窒素含有プラズマは、原子状窒素、分子状窒素又は原子状窒素イオンのうちの１つを含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記プラズマ窒化は、０．５秒から２００秒までの時間実施される、請求項１０に記載の方法。
  13. 前記高密度化するステップは、前記アモルファス膜ストレッサ材料の上部領域と下部領域を形成し、前記上部領域は前記下部領域に比べてより高い密度を有する、請求項１に記載の方法。
  14. 前記上部領域は、１ｎｍから５０ｎｍまでの厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記高密度化されたアモルファス・ストレッサ膜材料を成形するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  16. 堆積時のストレッサ材料の応力レベルを上昇させる方法であって、
    基板の少なくとも表面上にプラズマ強化化学気相堆積によってアモルファス膜ストレッサ材料の第１の部分であって、第１の応力値を規定する機械的歪みの第１の状態を有する前記第１の部分を形成するステップと、
    前記機械的歪みの第１の状態は実質的に変化させずに前記第１の応力値を増加させるように、５５０℃又はそれ以下の温度におけるプラズマ窒化により、前記アモルファス膜ストレッサ材料の前記第１の部分を高密度化するステップと
    を含む方法。
  17. 半導体構造体を形成する方法であって、
    絶縁領域によって隔てられた、少なくとも１つのｎＦＥＴを含む少なくとも１つのｎＦＥＴ領域と、少なくとも１つのｐＦＥＴを含む少なくとも１つのｐＦＥＴ領域とを含む半導体基板を準備するステップと、
    前記基板の少なくとも表面上並びに前記ｎＦＥＴ及びｐＦＥＴの上に、アモルファス膜ストレッサ材料の第１の部分であって、第１の応力値を規定する機械的歪みの第１の状態を有する前記第１の部分を形成するステップと、
    前記機械的歪みの第１の状態は実質的に変化させずに前記第１の応力値を増加させるように、前記アモルファス膜ストレッサ材料の前記第１の部分を高密度化するステップと
    を含む方法。
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