JP2008534778A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008534778A5 JP2008534778A5 JP2008503028A JP2008503028A JP2008534778A5 JP 2008534778 A5 JP2008534778 A5 JP 2008534778A5 JP 2008503028 A JP2008503028 A JP 2008503028A JP 2008503028 A JP2008503028 A JP 2008503028A JP 2008534778 A5 JP2008534778 A5 JP 2008534778A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- niobium
- particulate
- heated
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 85
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N Tantalum pentoxide Chemical compound O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 39
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 27
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 21
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N Niobium dioxide Chemical compound O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N Niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000000737 periodic Effects 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
- 239000005092 Ruthenium Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000003638 reducing agent Substances 0.000 description 2
- -1 (eg Chemical compound 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021472 group 8 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton(0) Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon(0) Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(2+) Chemical compound [O-2].[Ta+2] JMOHEPRYPIIZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon(0) Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
発明の分野
本発明は、高融点金属酸化物(例えば、五酸化タンタル)を水素を含む反応性ガスを含有する加熱されたガス(例えば、プラズマ)中で還元することによって高融点金属を製造する方法に関する。加熱されたガスの温度範囲および水素ガスと高融点金属酸化物との質量比は、加熱されたガスが原子状水素を含有し、高融点金属酸化物供給原料が実質的に熱力学的に安定化され、かつ高融点金属酸化物が加熱されたガスとの接触によって還元され、それによって高融点金属(例えば、タンタル金属)を形成するようにそれぞれ選択される。
本発明は、高融点金属酸化物(例えば、五酸化タンタル)を水素を含む反応性ガスを含有する加熱されたガス(例えば、プラズマ)中で還元することによって高融点金属を製造する方法に関する。加熱されたガスの温度範囲および水素ガスと高融点金属酸化物との質量比は、加熱されたガスが原子状水素を含有し、高融点金属酸化物供給原料が実質的に熱力学的に安定化され、かつ高融点金属酸化物が加熱されたガスとの接触によって還元され、それによって高融点金属(例えば、タンタル金属)を形成するようにそれぞれ選択される。
高融点金属、例えばタンタル金属を製造するよりいっそう最近の方法は、高融点金属酸化物とガス状還元剤、例えばガス状マグネシウムとの接触によって高融点金属酸化物(例えば、五酸化タンタルまたは五酸化ニオブ)を完全に還元するとは言えない還元を含む。更に、この完全に還元されたとは言えない高融点金属は、浸出され、さらに還元され、かつ凝集される。例えば、米国特許第6171363号明細書B1参照。
高融点金属、例えばタンタルおよびニオブを製造する別の最近の方法は、最初に水素を粉末状高融点金属酸化物(例えば、五酸化タンタル)に通過させ、それによって中間体の高融点金属亜酸化物(例えば、一酸化タンタル)を製造することを含む。第2工程で高融点金属亜酸化物は、ガス状還元剤(例えば、ガス状マグネシウム)との接触によって還元される。更に、このほぼ完全に還元された高融点金属は、浸出され、さらに還元され、かつ凝集される。例えば、米国特許第6558447号明細書B1参照。
発明の概要
本発明によれば、実質的に単独工程で達成することができかつ実質的に水を含有する副産物を形成する、高融点金属の製造法が提供され、この方法は、次の工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって1つの温度範囲を有する加熱されたガスを形成する工程;および
(b)粒状高融点金属酸化物を加熱されたガスと接触させる工程を含み、
(i)前記の加熱されたガスの温度範囲および
(ii)前記の加熱されたガスの水素ガスと前記の粒状高融点金属酸化物との質量比がそれぞれ
加熱されたガスが原子状水素を含有し、
高融点金属酸化物が実質的に熱力学的に安定化され、および
高融点金属酸化物が工程(b)で原子状水素によって還元されるように選択され、
それによって高融点金属を形成することによって特徴付けられる。
本発明によれば、実質的に単独工程で達成することができかつ実質的に水を含有する副産物を形成する、高融点金属の製造法が提供され、この方法は、次の工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって1つの温度範囲を有する加熱されたガスを形成する工程;および
(b)粒状高融点金属酸化物を加熱されたガスと接触させる工程を含み、
(i)前記の加熱されたガスの温度範囲および
(ii)前記の加熱されたガスの水素ガスと前記の粒状高融点金属酸化物との質量比がそれぞれ
加熱されたガスが原子状水素を含有し、
高融点金属酸化物が実質的に熱力学的に安定化され、および
高融点金属酸化物が工程(b)で原子状水素によって還元されるように選択され、
それによって高融点金属を形成することによって特徴付けられる。
また、本発明によれば、次の工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって加熱されたガスを形成する工程;および
(b)粒状五酸化タンタルを前記の加熱されたガスと1900K(ケルビン)〜2900Kの温度で接触させ、それによって粒状五酸化タンタルを還元し、タンタル金属を形成させる工程を含み;
加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触された粒状五酸化タンタルが1.5超:1の水素ガスと粒状五酸化タンタルとの質量比を有することを特徴とする、高融点金属の製造法が提供される。
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって加熱されたガスを形成する工程;および
(b)粒状五酸化タンタルを前記の加熱されたガスと1900K(ケルビン)〜2900Kの温度で接触させ、それによって粒状五酸化タンタルを還元し、タンタル金属を形成させる工程を含み;
加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触された粒状五酸化タンタルが1.5超:1の水素ガスと粒状五酸化タンタルとの質量比を有することを特徴とする、高融点金属の製造法が提供される。
更に、本発明によれば、つぎの工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって加熱されたガスを形成する工程;および
(b)二酸化ニオブ、五酸化ニオブおよびその組合せからなる群から選択されたニオブの粒状酸化物を加熱されたガスと2100K〜2700Kの温度で接触させ、それによってニオブの粒状酸化物を還元し、ニオブ金属を形成させる工程を含み;
加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触されたニオブの粒状酸化物が少なくとも9:1の水素ガスとニオブの粒状酸化物との質量比を有することを特徴とする、ニオブ金属の製造法が提供される。
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって加熱されたガスを形成する工程;および
(b)二酸化ニオブ、五酸化ニオブおよびその組合せからなる群から選択されたニオブの粒状酸化物を加熱されたガスと2100K〜2700Kの温度で接触させ、それによってニオブの粒状酸化物を還元し、ニオブ金属を形成させる工程を含み;
加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触されたニオブの粒状酸化物が少なくとも9:1の水素ガスとニオブの粒状酸化物との質量比を有することを特徴とする、ニオブ金属の製造法が提供される。
本発明の方法において加熱されかつ高融点金属酸化物供給材料と接触されるガスは、水素ガスを含有する反応性ガスを含む。更に、場合によっては、反応性ガスは、他の反応性成分、例えばアルカン(例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタンおよびその組合せ)を含有する。反応性ガスが水素以外の反応性成分(例えば、メタン)を含む場合には、このような他の反応性成分は、典型的には少量で(例えば、反応性ガスの全質量に対して49質量%以下の量で)存在する。反応性ガスは、次のものを含むことができる:51〜99質量%、60〜85質量%または70〜80質量%の量の水素;および1〜49質量%、15〜40質量%または20〜30質量%の量の、水素以外の反応性成分(例えば、メタン)、この場合質量%は、反応性ガスの全質量に対するものである。好ましくは、反応性ガスは、実質的に水素ガス100質量%を含有する。
更に、本発明の方法において加熱されかつ高融点金属酸化物供給材料と接触されるガスは、場合によっては不活性ガスを含むことができる。不活性ガスは、例えば元素の周期律表の第VIII族以上の希ガスから選択することができる。希ガスが選択されうる第VIII族の元素は、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびその組合せを含む。好ましい不活性ガスは、アルゴンである。不活性ガスが存在する場合には、加熱されかつ高融点金属酸化物と接触されるガス(供給ガス)は、典型的には次のものを含む:反応性ガス20〜50質量%または反応性ガス25〜40質量%;および不活性ガス50〜80質量%または不活性ガス60〜75質量%、この場合この質量%は、供給ガスの全質量に対するものである。不活性ガスは、典型的には反応性ガスのためのキャリヤーとして使用される。本発明の方法をプラズマ手段によって行う場合には、ガス(供給ガス)は、典型的には不活性ガス、例えばアルゴンを含み、これは、本明細書中でさらに詳細に記載される。
分子状水素(即ち、H2(g))での五酸化タンタルの還元によるタンタル金属の形成は、1000℃〜3600℃の温度範囲を上廻り熱力学的に好ましくない。次の一般的な反応式(I)は、分子状水素による五酸化タンタルの還元の代表例である。
第1表中に記載された結果は、一般的な反応式(I)によって表わされているように、分子状水素による五酸化タンタルの還元およびタンタル金属の形成が1000℃〜3600℃の温度範囲を上廻り熱力学的に有効でないということを示す。殊に、第1表のAG値が正であり、かつ評価された温度範囲を上廻って大きな大きさ(100Kcalの過剰量で)を有することは、注目すべきである(即ち、反応式(I)の平衡が左側/供給側に向かってシフトし、右側/生成物側から離れてシフトする)。厳密な意味で、五酸化タンタルの還元は、1000℃〜3600℃の温度範囲を上廻り実現不可能である。
3000℃未満の温度での原子状水素の熱力学的に好ましくない形成に対する前記障害は、次のこと:(i)水素ガス(即ち、分子状水素ガス)が加熱される温度範囲;および(ii)水素ガスと高融点金属酸化物との質量比の双方を注意深く選択することによって克服することができることが見出された。実証の目的のために、前記条件の選択は、タンタル金属(Ta)を形成させるための五酸化タンタル(Ta2O5)の還元に関連して議論される。
"Ta(c)"の用語は、形成された縮合タンタル金属の量を表わし、"Ta(供給原料)"は、反応に供給されたタンタルの量を表わし、この場合このタンタルの量は、反応に供給された五酸化タンタル(Ta2O5)の質量から計算される。図10において、温度の関数としての百分率でのタンタルの収率は、9.0:1.0、2.3:1.0および0.1:1.0の水素ガスと五酸化タンタルとの質量比のためにプロットされている。図10に関連して、9.0:1.0の水素ガスと五酸化タンタルとの質量比で、実質的に100%のタンタルの収率は、約2150K〜2750Kの望ましく幅広い温度範囲に亘って達成される。(図10に示されているように)水素ガスと五酸化タンタルとの質量比が増加するにつれて、百分率でのタンタルの収率および、このような収率が増加することが達成される温度範囲の双方が増加することに基づいて、9.0:1,0を上廻る水素ガスと五酸化タンタルとの質量比が十分に幅広い温度範囲に亘って(例えば、2000℃〜3000℃の温度範囲に亘って)実質的に100%のタンタルの収率を生じると思われることが予想される。
Claims (34)
- 次の工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって1つの温度範囲を有する加熱されたガスを形成する工程;および
(b)粒状高融点金属酸化物を加熱されたガスと接触させる工程を含む高融点金属の製造法において、
(i)前記の加熱されたガスの温度範囲および
(ii)前記の加熱されたガスの水素ガスと前記の粒状高融点金属酸化物との質量比がそれぞれ
加熱されたガスが原子状水素を含有し、
高融点金属酸化物が実質的に熱力学的に安定化され、および
高融点金属酸化物が工程(b)で原子状水素によって還元されるように選択され、
それによって高融点金属が形成され、該高融点金属酸化物の金属は、Ta、Nb、Ti、Zr、Hfおよびその組合せからなる群から選択されることを特徴とする、高融点金属の製造法。 - 粒状高融点金属酸化物の少なくとも90質量%が工程(b)で還元され、高融点金属が形成される、請求項1記載の方法。
- 加熱されたガスが、1×10 -10 未満のイオン性水素(H + (g) )の質量画分を含有するのみで、実質的に前記イオン性水素を含有しない請求項1記載の方法。
- 加熱されたガスが不活性ガスのプラズマを含み、この場合このプラズマは、不活性ガスおよび反応性ガスを含有する供給ガスから形成されており、および粒状高融点金属酸化物は、工程(b)で前記プラズマと接触される、請求項1記載の方法。
- 不活性ガスは、元素の周期律表の第VIII族の希ガスおよびその組合せからなる群から選択される、請求項4記載の方法。
- 粒状高融点金属酸化物は、プラズマ中への粒状高融点金属酸化物の導入によってプラズマと接触される、請求項4記載の方法。
- 高融点金属酸化物は、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、二酸化ニオブおよびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。
- 反応性ガスは100質量%の水素ガスを含有する、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 粒状高融点金属酸化物は、触媒存在下で加熱されたガスと接触される、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 触媒は、パラジウム、白金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、それらの組合せおよびそれらの合金からなる群から選択される1つの金属を含有する粒状触媒である、請求項9に記載の方法。
- 次の工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって加熱されたガスを形成する工程;および
(b)粒状五酸化タンタルを前記の加熱されたガスと1900K(ケルビン度)〜2900Kの温度で接触させ、それによって粒状五酸化タンタルを還元し、タンタル金属を形成させる工程を含むタンタル金属の製造法において、
加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触された粒状五酸化タンタルが1.5超:1の水素ガスと粒状五酸化タンタルとの質量比を有することを特徴とする、タンタル金属の製造法。 - 水素ガスと粒状五酸化タンタルとの質量比は、少なくとも2.3:1である、請求項11に記載の方法。
- 水素ガスと粒状五酸化タンタルとの質量比は、少なくとも4:1である、請求項11に記載の方法。
- 水素ガスと粒状五酸化タンタルとの質量比は、少なくとも9:1であり、粒状五酸化タンタルは、1900K〜2700Kの温度で加熱されたガスと接触される、請求項11に記載の方法。
- 粒状五酸化タンタルの少なくとも98質量%は工程(b)で還元され、タンタル金属が形成される、請求項11から14までのいずれか1項に記載の方法。
- 形成されたタンタル金属は、粒状タンタル金属である、請求項11から15までのいずれか1項に記載の方法。
- 加熱されたガスが不活性ガスのプラズマを含み、この場合このプラズマは、不活性ガスおよび反応性ガスを含有する供給ガスから形成されており、および粒状五酸化タンタルは、工程(b)で前記プラズマと接触される、請求項11から16までのいずれか1項に記載の方法。
- 不活性ガスは、元素の周期律表の第VIII族の希ガスおよびその組合せからなる群から選択される、請求項17に記載の方法。
- 粒状五酸化タンタルは、プラズマ中への粒状五酸化タンタルの導入によってプラズマと接触される、請求項17に記載の方法。
- 反応性ガスは100質量%の水素ガスを含有する、請求項11から19までのいずれか1項に記載の方法。
- 五酸化タンタルは、炭素、ニオブ、珪素、タングステン、アルミニウムおよび鉄を50ppm未満の全体量で含有するのみで、実質的に純粋な五酸化タンタルである、請求項11から20までのいずれか1項に記載の方法。
- 五酸化タンタルは、10ppm未満の炭素含量を有する、請求項21に記載の方法。
- 処理は大気圧で行なわれる、請求項11から22までのいずれか1項に記載の方法。
- 次の工程:
(a)反応性ガスを含有するガスを加熱し、この場合、この反応性ガスは、水素ガスを含有し、それによって加熱されたガスを形成する工程;および
(b)二酸化ニオブ、五酸化ニオブおよびそれらの組合せからなる群から選択されたニオブの粒状酸化物を加熱されたガスと2100K〜2700Kの温度で接触させ、それによってニオブの粒状酸化物を還元し、ニオブ金属を形成させる工程を含むニオブ金属の製造法において、
加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触されたニオブの粒状酸化物が少なくとも9:1の水素ガスとニオブの粒状酸化物との質量比を有することを特徴とする、ニオブ金属の製造法。 - ニオブの粒状酸化物の少なくとも90質量%が工程(b)で還元され、ニオブ金属が形成される、請求項24に記載の方法。
- 形成されたニオブ金属は、粒状ニオブ金属である、請求項24または25に記載の方法。
- 加熱されたガスが不活性ガスのプラズマを含み、この場合このプラズマは、不活性ガスおよび反応性ガスを含有する供給ガスから形成されており、およびニオブの粒状酸化物は、工程(b)で前記プラズマと接触される、請求項24に記載の方法。
- 不活性ガスは、元素の周期律表の第VIII族の希ガスおよびその組合せからなる群から選択される、請求項27に記載の方法。
- ニオブの粒状酸化物は、プラズマ中へのニオブの粒状酸化物の導入によってプラズマと接触される、請求項27に記載の方法。
- 反応性ガスは100質量%の水素ガスを含有する、請求項24から29までのいずれか1項に記載の方法。
- 処理は大気圧で行なわれる、請求項24から30までのいずれか1項に記載の方法。
- ニオブの粒状酸化物は、炭素、タンタル、鉄、珪素、タングステンおよびアルミニウムを50ppm未満の全体量で含有するのみで、実質的に純粋な五酸化ニオブである、請求項24から31までのいずれか1項に記載の方法。
- 五酸化ニオブは、10ppm未満の炭素含量を有する、請求項32に記載の方法。
- ニオブの粒状酸化物は、粒状二酸化ニオブであり、この粒状二酸化ニオブは、加熱されたガスと2100K〜2500Kの温度で接触され、加熱されたガスの水素ガスおよび加熱されたガスと接触される二酸化ニオブは、少なくとも9:1の水素ガスと粒状二酸化ニオブとの質量比を有する、請求項24から33までのいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/085,876 | 2005-03-22 | ||
US11/085,876 US7399335B2 (en) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | Method of preparing primary refractory metal |
PCT/US2006/009174 WO2006101850A1 (en) | 2005-03-22 | 2006-03-15 | Method of preparing primary refractory metal |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008534778A JP2008534778A (ja) | 2008-08-28 |
JP2008534778A5 true JP2008534778A5 (ja) | 2012-10-18 |
JP5713530B2 JP5713530B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=36582233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008503028A Active JP5713530B2 (ja) | 2005-03-22 | 2006-03-15 | 高融点金属、タンタル金属およびニオブ金属の各製造法 |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7399335B2 (ja) |
EP (1) | EP1866449B1 (ja) |
JP (1) | JP5713530B2 (ja) |
KR (1) | KR101323696B1 (ja) |
CN (1) | CN101146918B (ja) |
AU (1) | AU2006227768B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0609669B1 (ja) |
CA (1) | CA2603012C (ja) |
IL (2) | IL185669A0 (ja) |
MX (1) | MX2007011298A (ja) |
RU (1) | RU2415957C2 (ja) |
TW (1) | TW200704782A (ja) |
WO (1) | WO2006101850A1 (ja) |
ZA (1) | ZA200708016B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1880035B1 (en) * | 2005-05-05 | 2021-01-20 | Höganäs Germany GmbH | Method for coating a substrate surface and coated product |
CA2607091C (en) * | 2005-05-05 | 2014-08-12 | H.C. Starck Gmbh | Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes |
US20080078268A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
MX2009004773A (es) * | 2006-11-07 | 2009-05-21 | Starck H C Gmbh | Metodo para revestir una superficie de sustrato y producto revestido. |
US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
US8043655B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-10-25 | H.C. Starck, Inc. | Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes |
US8268035B2 (en) | 2008-12-23 | 2012-09-18 | United Technologies Corporation | Process for producing refractory metal alloy powders |
JP2010168606A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 粒子の製造方法及び反応装置 |
US9120183B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-01 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets |
EP2870277B1 (en) * | 2012-07-03 | 2021-04-14 | Enlighten Innovations Inc. | Apparatus and method of producing metal in a nasicon electrolytic cell |
US9260765B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-02-16 | Ati Properties, Inc. | Process for producing tantalum alloys |
US9994929B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-06-12 | Ati Properties Llc | Processes for producing tantalum alloys and niobium alloys |
RU2549791C1 (ru) * | 2013-12-27 | 2015-04-27 | Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" (АО "Гиредмет") | Способ получения тантала алюминотермическим восстановлением его оксида |
CN107914021B (zh) * | 2017-11-23 | 2019-09-03 | 北京科技大学 | 一种高通量研究制备难熔金属材料样品的装置及方法 |
CN114057227B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-09-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种低碳高纯五氧化二钽粉末及其制备方法和用途 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1728941A (en) | 1927-02-19 | 1929-09-24 | Westinghouse Lamp Co | Production of rare metals |
US2516863A (en) | 1946-07-15 | 1950-08-01 | Gardner Daniel | Process of producing tantalum, columbium, and compounds thereof |
NL252366A (ja) | 1958-06-13 | |||
CH417118A (de) | 1961-11-23 | 1966-07-15 | Ciba Geigy | Verfahren zur Herstellung von Tantal oder Niob durch Reduktion von Tantal- oder Niobpentachlorid im Wasserstoff-Plasmastrahl |
FR1363155A (fr) | 1963-01-30 | 1964-06-12 | Tubix Sa | Anode tournante pour tubes à rayons x |
US3748106A (en) | 1971-03-18 | 1973-07-24 | Plasmachem | Tantalum powder |
US3974245A (en) | 1973-12-17 | 1976-08-10 | Gte Sylvania Incorporated | Process for producing free flowing powder and product |
US3989511A (en) * | 1975-03-10 | 1976-11-02 | Westinghouse Electric Corporation | Metal powder production by direct reduction in an arc heater |
US4149998A (en) * | 1976-04-05 | 1979-04-17 | Exxon Research & Engineering Co. | Supported metal interaction catalysts |
DE3309891A1 (de) | 1983-03-18 | 1984-10-31 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren |
DE3413064A1 (de) | 1984-04-06 | 1985-10-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von metallsilizidschichten durch abscheidung aus der gasphase bei vermindertem druck und deren verwendung |
US4743295A (en) * | 1986-05-02 | 1988-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Herbicidal sulfonamides |
JPS63243210A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Showa Denko Kk | 金属微粉の製造方法 |
US4743297A (en) | 1987-04-03 | 1988-05-10 | Gte Products Corporation | Process for producing metal flakes |
US5114471A (en) | 1988-01-04 | 1992-05-19 | Gte Products Corporation | Hydrometallurgical process for producing finely divided spherical maraging steel powders |
US4802915A (en) | 1988-04-25 | 1989-02-07 | Gte Products Corporation | Process for producing finely divided spherical metal powders containing an iron group metal and a readily oxidizable metal |
JPH02200706A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Daido Steel Co Ltd | 金属微粉末の製造法 |
JP2647591B2 (ja) * | 1992-02-20 | 1997-08-27 | 松下電工株式会社 | 酸化銅の還元処理方法 |
US5409543A (en) | 1992-12-22 | 1995-04-25 | Sandia Corporation | Dry soldering with hot filament produced atomic hydrogen |
DE4404747C2 (de) | 1994-02-15 | 1995-12-14 | Starck H C Gmbh Co Kg | Herstellung von Reinstmetallpulver aus Metallalkoxiden |
US5972065A (en) | 1997-07-10 | 1999-10-26 | The Regents Of The University Of California | Purification of tantalum by plasma arc melting |
US6171363B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-01-09 | H. C. Starck, Inc. | Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium |
WO2000038730A2 (en) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | G.D. Searle & Co. | Use of a cyclooxygenase-2 inhibitor and one or more antineoplastic agents for combination therapy in neoplasia |
US6226173B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-05-01 | Case Western Reserve University | Directionally-grown capacitor anodes |
JP3871824B2 (ja) | 1999-02-03 | 2007-01-24 | キャボットスーパーメタル株式会社 | 高容量コンデンサー用タンタル粉末 |
US6197082B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-03-06 | H.C. Starck, Inc. | Refining of tantalum and tantalum scrap with carbon |
US6558447B1 (en) | 1999-05-05 | 2003-05-06 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
US6139922A (en) | 1999-05-18 | 2000-10-31 | Gelest, Inc. | Tantalum and tantalum-based films formed using fluorine-containing source precursors and methods of making the same |
JP2001020065A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料 |
JP3776710B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-05-17 | 三菱重工業株式会社 | 金属薄膜の作製方法及びその作製装置 |
US6849104B2 (en) | 2000-10-10 | 2005-02-01 | H. C. Starck Inc. | Metalothermic reduction of refractory metal oxides |
JP2002217070A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ用アノード |
BE1013557A6 (fr) | 2001-02-08 | 2002-03-05 | Tmg Tungsten Molybdenium Group | Four electrique pour la reduction des oxydes de metaux refractaires. |
BR0204587A (pt) | 2002-11-04 | 2004-06-29 | Cbmm Sa | Processo de produção de pó de nióbio e/ou de tântalo de elevada área superficial |
DE10332033A1 (de) | 2003-07-15 | 2005-02-03 | Chemetall Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Metallpulvern, bzw. von Metallhydridpulvern der Elemente Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta und Cr |
DE10333156A1 (de) * | 2003-07-22 | 2005-02-24 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Niobsuboxid |
-
2005
- 2005-03-22 US US11/085,876 patent/US7399335B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-15 BR BRPI0609669-7A patent/BRPI0609669B1/pt active IP Right Grant
- 2006-03-15 JP JP2008503028A patent/JP5713530B2/ja active Active
- 2006-03-15 AU AU2006227768A patent/AU2006227768B2/en not_active Ceased
- 2006-03-15 RU RU2007138729/02A patent/RU2415957C2/ru active
- 2006-03-15 WO PCT/US2006/009174 patent/WO2006101850A1/en active Application Filing
- 2006-03-15 CN CN2006800091625A patent/CN101146918B/zh active Active
- 2006-03-15 MX MX2007011298A patent/MX2007011298A/es active IP Right Grant
- 2006-03-15 EP EP06738256.4A patent/EP1866449B1/en active Active
- 2006-03-15 KR KR1020077024102A patent/KR101323696B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-15 CA CA2603012A patent/CA2603012C/en active Active
- 2006-03-21 TW TW095109521A patent/TW200704782A/zh unknown
-
2007
- 2007-09-03 IL IL185669A patent/IL185669A0/en unknown
- 2007-09-18 ZA ZA200708016A patent/ZA200708016B/xx unknown
-
2011
- 2011-11-20 IL IL216465A patent/IL216465A0/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008534778A5 (ja) | ||
US11713495B2 (en) | Tantalum based alloy that is resistant to aqueous corrosion | |
US9580773B2 (en) | Niobium based alloy that is resistant to aqueous corrosion | |
JP5713530B2 (ja) | 高融点金属、タンタル金属およびニオブ金属の各製造法 | |
JP2009532365A5 (ja) | ||
JP2010510221A (ja) | 2,3,3,3−テトラフルオロプロペンの製造方法 | |
JP2009158918A5 (ja) | ||
JP5639474B2 (ja) | 接触水素化による1,1,1,2,3,3−ヘキサフルオロプロパンおよび1,1,1,2−テトラフルオロプロパンの製造 | |
RU2009116616A (ru) | Способ получения металлических порошков с низким содержанием кислорода, получаемые этим способом порошки и их использование | |
Zhang et al. | Effect of Ru on interdiffusion dynamics of β-NiAl/DD6 system: A combined experimental and first-principles studies | |
US20130243660A1 (en) | Separation membrane, hydrogen separation membrane including the separation membrane, and device including the hydrogen separation membrane | |
JP2010117123A5 (ja) | ||
JP2017200907A5 (ja) | ||
JP4657349B2 (ja) | 優れた耐食性と強度を有するチタン合金 | |
WO2005010220A1 (ja) | 高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 | |
JP5900894B2 (ja) | Ni3Si系金属間化合物を含有する水素製造用触媒、当該触媒を活性化させる方法、当該触媒を用いた水素製造方法及び装置 | |
JPS642662B2 (ja) | ||
JP5268069B2 (ja) | メタンの水蒸気改質触媒 | |
CN101410358A (zh) | 生产1,1,1,3,3-五氟丙烷的方法 | |
WO1995013256A1 (fr) | Procede de production de 1,1,1,3,3-pentafluoropropane__________ | |
EP3647302A1 (en) | Method for producing 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene | |
WO2008136682A1 (en) | Method for the initial start of reaction in a process for the direct chlorination of silicon metal or a silicon containing material at a low temperature | |
Chandra et al. | Vaporization behavior of group via to viiia crystalline carbonyls. | |
TW294649B (ja) | ||
JPS60215764A (ja) | 被膜形成方法 |