JP2008526013A5 - - Google Patents

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一方、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、ｎ−／ｐ−／ｎ−接合構造の発光素子を形成するが、第２電極接触層として使われるｎ−ＩｎＧａＮ層２１５上に形成される第２電極物質は、ｎ−ＩｎＧａＮ層２１５のドーピング相、またはエネルギーバンドギャップ差により決定される。ところが、ｎ−ＩｎＧａＮ層２１５は、前述したように電流注入効果（current spreading effect）を増加させるために、インジウム含量を線形的に変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディング（super grading）構造であるので、第２電極物質は透過性酸化物と透過性抵抗性金属が使われることができる。その具体的な例としてはＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（Ｇａ−ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ−ＺｎＯ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ ＺｎＯ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯなどのような物質が使われることができる。
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