JP2008522193A5

JP2008522193A5 -

Info

Publication number: JP2008522193A5
Application number: JP2007544451A
Authority: JP
Filing date: 2005-11-29
Publication date: 2009-01-29

Claims

機械的入力を感知して、少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置であって、
シリコン基板と、
相対的に移動可能な部分を形成する前記基板の一部分を横切って延びる間隙、及びその間に延びる、該基板と同じ材料から得られる撓み断面と、
前記シリコン基板の表面上に設けられた少なくとも１つの歪み感応素子と、
を含み、
前記歪み感応素子は、中間ネック部分によって相互接続された２つの端部部分を有し、該ネック部分は、歪みを集中させる構造体上に支持され、該構造体は、前記間隙にわたって延び、かつ該間隙における前記断面まで延びる垂直壁を有し、かつ該構造体は、前記基板と同じ材料から得られ、
前記基板部分の前記相対的な移動から生じる前記歪み感応素子を通る電流の方向に前記ネック部分が応力を受ける時の前記端部部分間の電気抵抗の変化を検出するために該端部部分に電気的に接続した電極手段、
を更に含むことを特徴とする装置。
機械的入力を感知して、少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置であって、
シリコン基板と、
相対的に移動可能な部分を形成する前記基板の一部分を横切って延びる間隙、及びその間に延びる、該基板と同じ材料から得られる撓み断面と、
前記シリコン基板の表面上に設けられ、かつ直列に接続した少なくとも２つの歪み感応素子と、
を含み、
前記歪み感応素子の各々は、中間ネック部分によって相互接続された２つの端部部分を有し、各ネック部分は、歪みを集中させる対応する構造体上に支持され、該構造体は、前記間隙にわたって延び、かつ該間隙における前記断面まで延びる垂直壁を有し、かつ該構造体は、前記基板と同じ材料から得られ、
前記基板部分の前記相対的な移動から生じる前記歪み感応素子を通る電流の方向に前記ネック部分が応力を受ける時の前記端部部分間の電気抵抗の変化を検出するために該端部部分に電気的に接続した電極手段、
を更に含むことを特徴とする装置。
機械的入力を感知して、少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置であって、
（１１０）平面内に配向されたｎ型半導体材料から得られるシリコン基板と、
リムと、該リムを横切って延びるダイヤフラムと、中央突起と、該中央突起の両側及び該リムの内側の２つの外側突起とを含む、前記基板の片側上に彫刻された３点突起ダイヤフラムと、
相対的に移動可能な部分を形成する前記基板の一部分を横切って延びる４つの間隙、及び該間隙の２つが前記外側突起の外側に位置し、かつ該間隙の２つが前記中央突起の両側及びいずれかの外側突起の内側に位置するように対応する間隙の間に延びる撓み断面と、前記間隙の回りの前記シリコン基板の表面上に設けられた４つ歪み感応素子対と、
を含み、
各対は、直列に接続した２つの歪み感応素子を含み、各歪み感応素子は、中間ネック部分によって相互接続された２つの端部部分を有し、該ネック部分は、歪みを集中させる対応する構造体上に支持され、該構造体は、前記間隙にわたって延び、かつ前記対応する間隙における前記断面まで延びる垂直壁を有し、該歪み感応素子は、ｐ型半導体材料から得られ、かつ［１１１］方向に配向され、前記４つの歪み感応素子対は、ブリッジ回路として接続されており、
前記基板部分の前記相対的な移動から生じる前記歪み感応素子を通る電流の方向に前記ネック部分が応力を受ける時の前記端部部分間の電気抵抗の変化を検出するために該歪み感応素子の該端部部分に電気的に接続した電極手段、
を更に含むことを特徴とする装置。
機械的入力を感知して少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置を製作する方法であって、
センサウェーハ及びサポートウェーハを製作する段階と、
ダイヤフラム及び歪み感応素子がそこから製作される前記センサウェーハを、該センサの機械的剛性及びそれへの電気接続のために前記サポートウェーハに整列させる段階と、前記整列したサポート及びセンサウェーハを結合する段階と、
前記ダイヤフラム及び歪み感応素子区域を深反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）する段階と、
を含むことを特徴とする方法。