JP2006029984A - 振動式圧力センサ - Google Patents
振動式圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006029984A JP2006029984A JP2004209290A JP2004209290A JP2006029984A JP 2006029984 A JP2006029984 A JP 2006029984A JP 2004209290 A JP2004209290 A JP 2004209290A JP 2004209290 A JP2004209290 A JP 2004209290A JP 2006029984 A JP2006029984 A JP 2006029984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- pressure sensor
- diaphragm
- type pressure
- vibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
- G01L9/0008—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
- G01L9/0019—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a semiconductive element
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】 静水圧による圧縮歪を改善して、耐圧性が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第1,第2の支持部を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。
【選択図】 図1
【解決手段】 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第1,第2の支持部を具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、静水圧による圧縮歪を改善して、耐圧性が向上された振動式圧力センサに関するものである。
振動式圧力センサに関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
実開昭63−63737号公報(第2頁、第3図)
図12は従来より一般に使用されている従来例の構成説明図で、例えば、実開昭63ー63737号公報に示されている。
図において、1は半導体チップである。
この場合は、シリコンが使用されている。
2は半導体チップ1に設けられ半導体チップ1に起歪部たるダイアフラム3を構成する凹部である。
この場合は、シリコンが使用されている。
2は半導体チップ1に設けられ半導体チップ1に起歪部たるダイアフラム3を構成する凹部である。
4は、半導体チップ1の起歪部3に設けられた半導体圧力検出素子である。
この場合は、振動子が使用されている。
5は半導体チップ1の一面に一面が接続され、凹部2と圧力導入室6を構成する絶縁材からなるチップ支持基板である。
この場合は、振動子が使用されている。
5は半導体チップ1の一面に一面が接続され、凹部2と圧力導入室6を構成する絶縁材からなるチップ支持基板である。
この場合は、パイレックス(登録商標)ガラスが使用され、直接全面接合されている。
また、この場合は、半導体チップ1とチップ支持基板5とは、陽極接合により接合されている。
7はガラス支持基板5に設けられ、圧力導入室6に連通する連通孔である。
また、この場合は、半導体チップ1とチップ支持基板5とは、陽極接合により接合されている。
7はガラス支持基板5に設けられ、圧力導入室6に連通する連通孔である。
以上の構成において、圧力導入室6に低圧側圧力PLが導入され、ダイアフラム3の外側から高圧側圧力PHが加わると、ダイアフラム3は、高圧側圧力PH―低圧側圧力PLの差圧により変位する。
この変位を半導体圧力検出素子4により電気的に検出すれば、差圧に対応した電気信号出力が得られる。
この変位を半導体圧力検出素子4により電気的に検出すれば、差圧に対応した電気信号出力が得られる。
しかしながら、このような装置においては、以下の間題点がある。
静水圧が印加された場合、半導体チップ1とチップ支持基板5とのヤング率差により、半導体チップ1自体の圧縮歪より大きな圧縮歪が、半導体圧力検出素子4に印加されることになる。
静水圧が印加された場合、半導体チップ1とチップ支持基板5とのヤング率差により、半導体チップ1自体の圧縮歪より大きな圧縮歪が、半導体圧力検出素子4に印加されることになる。
この場合は、シリコンよりなる半導体チップ1のヤング率は、E=135GPaであり、パイレックス(登録商標)ガラスよりなるチップ支持基板5のヤング率は、E=80GPaであり、チップ支持基板5が半導体チップ1より圧縮率が大きい。
シリコンよりなる半導体チップ1自体の圧縮歪より大きな圧縮歪(約1.5〜2倍)が、半導体圧力検出素子4に印加されることになる。
これにより、半導体圧力検出素子4の動作歪範囲が制限されて、半導体圧力センサの正常動作範囲と耐圧性能が制約される。
これにより、半導体圧力検出素子4の動作歪範囲が制限されて、半導体圧力センサの正常動作範囲と耐圧性能が制約される。
このために、現状においては、センサ感度を下げ(性能低下)たり、正常動作範囲を限定(耐圧性能を低下させる)することを余儀なくされている。
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、耐圧特性が向上出来、感度が増大出来て、レンジアビリティが拡大され、出力リップルが減少出来る半導体圧力センサを提供することにある。
このような課題を達成するために、本発明では、請求項1の振動式圧力センサにおいては、
測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第1,第2の支持部を具備したことを特徴とする。
測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第1,第2の支持部を具備したことを特徴とする。
本発明の請求項2の振動式圧力センサにおいては、請求項1記載の振動式圧力センサにおいて、
前記支持部の取付け位置を調整して静圧補正歪量を調整するようにしたことを特徴とする。
前記支持部の取付け位置を調整して静圧補正歪量を調整するようにしたことを特徴とする。
本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。
以上説明したように、本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。
静圧歪による振動梁の圧縮歪が、引張歪が加わることにより緩和・減少されるため、振動梁の動作範囲を広げることができる。
以上説明したように、本発明の請求項1によれば、次のような効果がある。
静圧歪による振動梁の圧縮歪が、引張歪が加わることにより緩和・減少されるため、振動梁の動作範囲を広げることができる。
それにより、耐圧特性が向上出来、振動梁の感度もアップできるため、レンジアビリティが拡大され、出力リップルが減少出来る振動式圧力センサが得られる。
本発明の請求項2によれば、次のような効果がある。
支持部の取付け位置を調整して静圧補正歪量を調整するようにしたので、更に、耐圧特性が向上出来る振動式圧力センサが得られる。
支持部の取付け位置を調整して静圧補正歪量を調整するようにしたので、更に、耐圧特性が向上出来る振動式圧力センサが得られる。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2は図1の平面図、図3は図1の要部構成説明図である。
図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、図2は図1の平面図、図3は図1の要部構成説明図である。
第1,第2の支持部11,12は、振動梁10の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ、他端がダイアフラム3面にほぼ直交して設けられ柱状をなす。
この場合は、支持部11,12の取付け位置を調整して、静圧補正歪量を調整するようにしている。
この場合は、支持部11,12の取付け位置を調整して、静圧補正歪量を調整するようにしている。
以上の構成において、静水圧F1が印加されると、振動梁10の固定端に圧縮歪F2が加わる事により、振動梁4の部分には矢印←→方向に引張り歪F3が印加される。
このような装置は、図4〜図10に示す如くして製作される。
図4において、
半導体チップ1の表面に、シリコン酸化膜101形成後、フォトリソグラフィにより、振動梁10の下側空隙部分を形成する。
P+拡散により電極リード部102を形成する。
半導体チップ1の表面に、シリコン酸化膜101形成後、フォトリソグラフィにより、振動梁10の下側空隙部分を形成する。
P+拡散により電極リード部102を形成する。
図5において、
シリコン酸化膜101除去後、再度、シリコン酸化膜103形成後、フォトリソグラフィにより、第1,第2の支持部11,12用の穴を形成する。
シリコン酸化膜101除去後、再度、シリコン酸化膜103形成後、フォトリソグラフィにより、第1,第2の支持部11,12用の穴を形成する。
図6において、
振動梁10の部分のポリシリコン膜104を成膜する。そして、ボロンBによるP++拡散を行う。
振動梁10の部分のポリシリコン膜104を成膜する。そして、ボロンBによるP++拡散を行う。
図7において、RIEエッチングにより、振動梁10の部分を形成する。
図8において、
CVDによりシリコン酸化膜105を成膜する。そして、ポリシリコン膜106を形成する。
CVDによりシリコン酸化膜105を成膜する。そして、ポリシリコン膜106を形成する。
図9において、
ポリシリコン膜106にシリコン酸化膜103、105エッチング用の通路を形成後、リコン酸化膜103、105を除去する。
ポリシリコン膜106にシリコン酸化膜103、105エッチング用の通路を形成後、リコン酸化膜103、105を除去する。
図10において、
ポリシリコン膜107を成膜して、真空封止する。
ポリシリコン膜107を成膜して、真空封止する。
この結果、
静圧歪F1による振動梁10の圧縮歪F2が、引張歪F3が加わることにより緩和・減少されるため、振動梁10の動作範囲を広げることができる。
それにより、耐圧特性が向上出来、振動梁10の感度もアップできるため、レンジアビリティが拡大され、出力リップルが減少出来る振動式圧力センサが得られる。
静圧歪F1による振動梁10の圧縮歪F2が、引張歪F3が加わることにより緩和・減少されるため、振動梁10の動作範囲を広げることができる。
それにより、耐圧特性が向上出来、振動梁10の感度もアップできるため、レンジアビリティが拡大され、出力リップルが減少出来る振動式圧力センサが得られる。
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
1 半導体チップ
2 凹部
3 測定ダイヤフラム
4 半導体圧力検出素子
5 チップ支持基板
6 圧力導入室
7 連通孔
10 振動梁
11 第1の支持部
12 第2の支持部
F1 静水圧
F2 圧縮歪
F3 引張り歪
101 シリコン酸化膜
102 電極リード部
103 シリコン酸化膜
104 ポリシリコン膜
105 シリコン酸化膜
106 ポリシリコン膜
107 ポリシリコン膜
PL 低圧側圧力
PH 高圧側圧力
2 凹部
3 測定ダイヤフラム
4 半導体圧力検出素子
5 チップ支持基板
6 圧力導入室
7 連通孔
10 振動梁
11 第1の支持部
12 第2の支持部
F1 静水圧
F2 圧縮歪
F3 引張り歪
101 シリコン酸化膜
102 電極リード部
103 シリコン酸化膜
104 ポリシリコン膜
105 シリコン酸化膜
106 ポリシリコン膜
107 ポリシリコン膜
PL 低圧側圧力
PH 高圧側圧力
Claims (2)
- 測定圧が加えられるダイアフラムと、このダイアフラムに設けられた振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
前記振動梁の両端側にそれぞれ一端がほぼ直交して設けられ他端がダイアフラム面にほぼ直交して設けられた柱状の第1,第2の支持部
を具備したことを特徴とする振動式圧力センサ。 - 前記支持部の取付け位置を調整して静圧補正歪量を調整するようにしたこと
を特徴とする請求項1記載の振動式圧力センサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209290A JP2006029984A (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 振動式圧力センサ |
US11/180,277 US20060010981A1 (en) | 2004-07-16 | 2005-07-12 | Vibration type pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004209290A JP2006029984A (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 振動式圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006029984A true JP2006029984A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35598020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004209290A Pending JP2006029984A (ja) | 2004-07-16 | 2004-07-16 | 振動式圧力センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060010981A1 (ja) |
JP (1) | JP2006029984A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012242123A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Yokogawa Electric Corp | 振動式圧力トランスデューサ |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070236213A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Paden Bradley E | Telemetry method and apparatus using magnetically-driven mems resonant structure |
US8477716B2 (en) * | 2008-05-22 | 2013-07-02 | Motorola Solutions, Inc. | Method for facilitating sharing of channel information in a wireless communication network |
CN102752877B (zh) | 2011-04-19 | 2015-01-21 | 华为技术有限公司 | 机器对机器服务管理设备、网络设备、业务处理方法及系统 |
CN102809450B (zh) * | 2012-08-09 | 2014-08-27 | 厦门大学 | 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法 |
CN104568238B (zh) * | 2014-12-08 | 2018-02-23 | 太原航空仪表有限公司 | 压电激励谐振膜压力传感器 |
CN105136350B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-11-21 | 中北大学 | 一种近场耦合无线无源超高温压力传感器及其制备方法 |
CN104990648B (zh) * | 2015-07-28 | 2018-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5165289A (en) * | 1990-07-10 | 1992-11-24 | Johnson Service Company | Resonant mechanical sensor |
US5417115A (en) * | 1993-07-23 | 1995-05-23 | Honeywell Inc. | Dielectrically isolated resonant microsensors |
US6182513B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-02-06 | Radi Medical Systems Ab | Resonant sensor and method of making a pressure sensor comprising a resonant beam structure |
US20060075836A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-13 | Anis Zribi | Pressure sensor and method of operation thereof |
US7527742B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-05-05 | Momentive Performance Materials Inc. | Etchant, method of etching, laminate formed thereby, and device |
US7331236B2 (en) * | 2006-03-21 | 2008-02-19 | Radi Medical Systems Ab | Pressure sensor |
-
2004
- 2004-07-16 JP JP2004209290A patent/JP2006029984A/ja active Pending
-
2005
- 2005-07-12 US US11/180,277 patent/US20060010981A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012242123A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Yokogawa Electric Corp | 振動式圧力トランスデューサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060010981A1 (en) | 2006-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10809141B2 (en) | Dual-cavity pressure sensor die and the method of making same | |
JP3317084B2 (ja) | 力検知素子およびその製造方法 | |
Zou et al. | Design and fabrication of silicon condenser microphone using corrugated diaphragm technique | |
TW200804781A (en) | Micro electrical mechanical systems pressure sensor | |
US11254559B2 (en) | FET based sensory systems | |
JP2009517940A (ja) | 音響的な信号を受信および/または発生させるためのマイクロマシニング構造体、マイクロマシニング構造体を製造するための方法、およびマイクロマシニング構造体の使用法 | |
US20060010981A1 (en) | Vibration type pressure sensor | |
JP4864438B2 (ja) | 圧力を検知するためのシステム及び方法 | |
US7013733B2 (en) | Silicon resonant type pressure sensor | |
JP2012122924A (ja) | 圧力センサ | |
JP2008170203A (ja) | 加速度検知ユニット、及び加速度センサ | |
US11592347B2 (en) | Resonant pressure sensor with imporved linearity | |
CN105300573A (zh) | 一种梁膜结构压电传感器及其制作方法 | |
CN105388323B (zh) | 振动式传感器装置 | |
JP2006153481A (ja) | 力学量センサ | |
JP7327695B2 (ja) | 振動式圧力センサ | |
JP2004279379A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2004093140A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2770488B2 (ja) | 半導体圧力計 | |
JP2006250837A (ja) | 圧力センサ | |
JPH01127931A (ja) | 振動形差圧センサ | |
JPH0510839A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2008170166A (ja) | 加速度検知ユニット、及び加速度センサ | |
JP2007078406A (ja) | 振動式圧力センサ及び振動式圧力センサの製造方法 | |
JP2005331269A (ja) | 磁気センサ |