CN104990648B - 一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置，用以增大该压力传感器的量程范围。该压力传感器包括：硅片、位于硅片上的下电极板、位于所述下电极板上的可振动的上电极膜片、位于所述上电极膜片与所述下电极板之间的绝缘层、以及与所述上电极膜片连接的引出电极；其中，所述上电极膜片与所述绝缘层之间形成一个密封真空腔。
Description
技术领域
本发明涉及微机电系统领域，尤其涉及一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置。
背景技术
目前压力传感器分为电容式的微机电系统(Microelectro Mechanical System，MEMS)压力传感器和电阻式压力传感器。
电容式的MEMS压力传感器大部分都是由一个可变行的上电极膜片和一个固定的下电极板组成的，然后通过上电极膜片在承受一定压力时产生的形变量，造成上电极膜片与下电极板之间的距离发生变化，使得上电极膜片与下电极板之间的电容产生变化，根据该电容值确定一个相对应的压力值。从而实现压力传感器对压力值的检测。
与电阻式压力传感器相比，因为电容式压力传感器的动态响应较快，且灵敏度高，以及分辨率较高的优点，使得电容式压力传感器被批量生产，且广泛应用。
然而，根据目前的电容式的MEMS压力传感器的检测原理，当检测低压的电压值时，MEMS压力传感器的上电极膜片发生形变量的幅度比较小，而且，因形变量小产生的非线性的特性曲线不太理想，从而使得检测低压情况下的压力值与实际的压力值差距较大，检测到的压力值不准确。
综上所述，目前的电容式的MEMS压力传感器的量程范围较小。
发明内容
本发明实施例提供了一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置，用以增大压力传感器的量程范围。
本发明实施例提供了一种压力传感器，该压力传感器包括：硅片、位于硅片上的下电极板、位于所述下电极板上的可振动的上电极膜片、位于所述上电极膜片与所述下电极板之间的绝缘层、以及与所述上电极膜片连接的引出电极；
其中，所述上电极膜片与所述绝缘层之间形成一个密封真空腔。
通过本发明实施例提供的压力传感器，当有压力施加在上电极膜片时，可以通过上电极膜片的振动情况，从而测量低压情况下的压力值，或者可以通过上电极膜片与下电极之间形成的电容的变化值确定高压情况下的压力值。从而使得该压力传感器既能测量高压情况下的压力值，又能检测低压情况下的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
较佳地，所述下电极板位于所述硅片的第一凹槽内，所述引出电极位于所述硅片的第二凹槽内；
其中，所述第一凹槽与所述第二凹槽平行设置且相互独立。
较佳地，所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。
较佳地，所述引出电极包括位于所述第二凹槽底部的下电极板、位于所述下电极板上的金属层，其中所述金属层与所述上电极膜片相连。
一种本发明实施例提供的压力传感器的压力检测方法，该方法包括：
当上电极膜片产生振动时，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；
根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动所对应的压力值。
通过本发明实施例提供的压力传感器的压力检测方法，当压力传感器接收的压力值较小，且上电极膜片产生振动时，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数，并通过该品质因数，确定上电极膜片振动所对应的压力值，从而实现根据品质因数确定低压情况下的压力值，进而提高了压力传感器在检测低压时的压力值的准确度。
较佳地，该方法还包括：
当上电极膜片产生形变时，根据所述上电极膜片的形变量，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
通过当压力传感器接收的压力值较大时，根据上电极膜片产生形变时的形变量，确定上电极膜片形变时对应的压力值，从而实现根据上电极膜片的形变量确定高压情况下的压力值，进而实现该压力传感器既能检测高压时的压力值，又能检测低压时的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
较佳地，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数，具体为：
根据上电极膜片振动时所对应的响应信号的幅值，与用于测试品质因数的激励信号的幅值的差值，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；其中，所述响应信号是所述上电极膜片发生形变时所述上电极膜片发送给所述检测电路的。
较佳地，所述上电极膜片通过引出电极向所述检测电路发送所述响应信号。
较佳地，根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值，包括：
根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，以及所述品质因数与压力的预设关系，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值。
因为品质因数对压力的变化比较敏感，所以通过品质因数确定压力值，进而提高了在低压情况下测量压力值的准确度。
较佳地，根据所述上电极膜片的形变量，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值，包括：
根据所述上电极膜片形变时与下电极板之间形成的电容值，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
一种本发明实施例提供的压力传感器的压力检测装置，该装置包括：
品质因数确定单元，用于当上电极膜片产生振动时，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；
第一压力值确定单元，用于根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动所对应的压力值。
通过本发明实施例提供的压力传感器的压力检测装置，当压力传感器接收的压力值较小，且上电极膜片产生振动时，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数，并通过该品质因数，确定上电极膜片振动所对应的压力值，从而实现根据品质因数确定低压情况下的压力值，进而提高了压力传感器在检测低压时压力值的准确度。
较佳地，该装置还包括：
第二压力值确定单元，用于当上电极膜片产生形变时，根据所述上电极膜片的形变量，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
通过当压力传感器接收的压力值较大时，根据上电极膜片产生形变时的形变量，确定上电极膜片形变时对应的压力值，从而实现根据上电极膜片的形变量确定高压情况下的压力值，进而实现该压力传感器既能检测高压时的压力值，又能检测低压时的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
较佳地，品质因数确定单元确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数，具体用于：
根据上电极膜片振动时所对应的响应信号的幅值，与用于测试品质因数的激励信号的幅值的差值，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；其中，所述响应信号是所述上电极膜片发生形变时所述上电极膜片发送给所述检测电路的。
较佳地，所述上电极膜片通过引出电极向所述检测电路发送所述响应信号。
较佳地，所述第一压力值确定单元，具体用于：
根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，以及所述品质因数与压力的预设关系，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值。
因为品质因数对压力的变化比较敏感，所以通过品质因数确定压力值，进而提高了在低压情况下测量压力值的准确度。
较佳地，所述第二压力值确定单元，具体用于：
根据所述上电极膜片形变时与下电极板之间形成的电容值，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种压力传感器的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的第二种压力传感器的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的第三种压力传感器的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的第四种压力传感器的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的第五种压力传感器的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的第六种压力传感器的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的第七种压力传感器的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的第八种压力传感器的结构示意图；
图9为一种本发明实施例提供的压力传感器的压力检测方法的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的一种压力传感器的检测电路原理图；
图11为一种本发明实施例提供的压力传感器的压力检测装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置，用以增大压力传感器的量程范围。
实施例1
参见图1、本发明实施例提供的一种压力传感器，包括硅片100、位于硅片100上的下电极板101、位于下电极板101上的可振动的上电极膜片102、位于该上电极膜片102与该下电极板101之间的绝缘层103、以及与上电极膜片102连接的引出电极104；其中，上电极膜片102与绝缘层103之间形成真空腔105。
需要说明的是，上电极膜片102为可振动的膜片，当压力足够大时，上电极膜片102会产生变形，并与下电极板101贴近，从而根据上电极膜片102与下电极板101之间电容值的变化来确定压力值。当压力不够大时，上电极膜片发生振动，不会产生变形，从而需要根据该上电极膜片的振动来确定当前的压力值。因此，本发明实施例提供的压力传感器即可以测量高压情况下的压力值，也可以测量低压情况下的压力值，从而增加了压力传感器的量程范围。
其中，下电极板101位于硅片100的第一凹槽内，引出电极104位于硅片的第二凹槽内，第一凹槽与第二凹槽平行设置且相互独立。
需要说明的是，第一凹槽用于通过上电极膜片和下电极板形成真空腔，真空腔用于承受一定压力，并有利于检测压力值；第二凹槽用于形成引出电极，用于连接上电极膜片与外界检测电路。
其中，第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度。
第一凹槽的深度为um级别，具体第一凹槽的深度可以根据实际需要进行设计。例如，第一凹槽直径20-80um，可振动的膜片的厚度为2-6um。其中第一凹槽深度为十几微米到几十微米，以方便压焊金丝球制作电极为基准，当然不限于本发明提供的凹槽深度值以及可振动的膜片的厚度值，所有参数均可以通过仿真确定。本发明不做具体限定。
其中，引出电极包括位于第二凹槽底部的下电极板、位于下电极板上的金属层，其中金属层与上电极膜片相连。
通过本发明实施例提供的压力传感器，当有压力施加在上电极膜片时，可以通过上电极膜片的振动情况，从而测量低压情况下的压力值，或者可以通过上电极膜片与下电极之间形成的电容的变化值确定高压情况下的压力值。从而使得该压力传感器既能测量高压情况下的压力值，又能检测低压情况下的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
为了能够形成上述压力传感器的结构，下面介绍一下本发明实施例提供的压力传感器的制作方法，该方法包括：
步骤一，参见图2所示，在<100>方向的硅片100上热生长一层氧化层11作为刻蚀掩膜层；
步骤二，参见图3所示，在图2形成的氧化层11上，利用不同的掩膜技术进行刻蚀，并刻蚀出第一凹槽12和第二凹槽13；
其中，第一凹槽通过后续工艺与上电极膜片形成真空腔，为上电极膜片振动提供空间，此处可以通过开不同深度的凹槽来增加测试精度，深度在um量级，第二凹槽用于制作引出电极。
步骤三，在图3中经过刻蚀的部分，利用浓硼扩散技术形成底部电极，参见图4所示，在第一凹槽部分的底部电极为本发明实施例提供的下电极板101，在第二凹槽部分的底部电极为引出电极的下电极板130；
其中，用于形成底部电极的技术，不仅可以采用浓硼扩散，还可以采用离子注入技术，或者热掺杂等的技术，本发明实施例不做具体限定。
步骤四，在图4中的底部电极上生长一层二氧化硅(SiO2)作为绝缘层15，具体结构参见图5所示；
步骤五，参见图6所示，在另外一片<100>方向的硅片100上通过浓硼扩散技术形成上电极膜片102，并通过真空熔融键合技术将上电极膜片键合在图5的底部电极上；
步骤六，参见图7所示，在图6中的上电极膜片102上的硅片进行自停止刻蚀，形成具有一定厚度的上电极膜片102，并刻蚀掉第二凹槽上面的硅片和上电极膜片；
其中上电极膜片的厚度可以根据实际需要进行设定。
步骤七，参见图8所示，在图7中的上电极膜片102和第二凹槽13上沉淀低温氧化物16，使得上电极膜片和下电极板之间形成的真空腔密封；
其中氧化物可以为SiO2等。
步骤八，刻蚀掉图8中上电极膜片和第二凹槽上的低温氧化物，并在第二凹槽上溅射金属形成引出电极104，参见图1所示。
其中，金属可以为Al，Au，Ti等易与SiO2形成欧姆接触即接触电阻比较小的金属或金属合金。
综上所述，通过本发明实施例提供的可振动的上电极膜片，当有压力施加在上电极膜片时，可以通过上电极膜片的振动情况，从而测量低压情况下的压力值，或者可以通过上电极膜片与下电极之间形成的电容的变化值确定高压情况下的压力值。从而使得该压力传感器既能测量高压情况下的压力值，又能检测低压情况下的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
实施例2
基于实施例1中提供的压力传感器的结构，本实施例提供一种该压力传感器的压力检测方法。
参见图9，一种本发明实施例提供的压力传感器的压力检测方法，包括：
S901、当上电极膜片产生振动时，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数；
其中，当施加在上电极膜片上的压力较小时，上电极膜片还没有贴合到下电极板上，该上电极膜片只会进行振动，从而可以根据该振动的幅度确定所对应的品质因数。
较佳地，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数，具体为：
根据上电极膜片振动时所对应的响应信号的幅值，与用于测试品质因数的激励信号的幅值的差值，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数；其中，响应信号是上电极膜片发生形变时上电极膜片发送给检测电路的。
较佳地，上电极膜片通过引出电极向检测电路发送响应信号。
根据实施例1中提供的压力传感器的结构，图1中所示引出电极与上电极膜片进行连接，引出电极用于连接外部检测电路，其工作原理为通过锁定上电极膜片相位使其工作在谐振模式从而确定谐振频点，在该谐振频点下施加幅值固定的激励信号(外界压力)，通过检测电路确定谐振点下的响应信号幅度，该幅度与上电极膜片q值成正比。其中检测电路首先确定可振动的上电极膜片处于谐振模式，以及根据该可振动的上电极膜片的工作模式确定的谐振频点后，发送激励信号给上电极膜片，其中激励信号是外界压力，在激励信号的作用下，上电极膜片发生谐振振动产生振动频率，通过外部检测电路产生相应的响应信号，该响应信号由检测电路输出并与可动膜片q值成正比。然后引出电极将该激励信号发送给上电极膜片，上电极膜片根据振动幅度产生响应信号，并将该响应信号通过引出电极发送给检测电路。检测电路根据发送的激励信号的幅值，和接收的响应信号的幅值得到该上电极膜片在该响应信号下的品质因数，且振幅的大小与品质因数成正比例关系，其正比例关系的比例系数可以根据实际应用中设备的不同而确定。
S902、根据该上电极膜片振动时对应的品质因数，确定该上电极膜片振动所对应的压力值。
较佳地，根据上电极膜片振动时对应的品质因数，确定上电极膜片振动时所对应的压力值，包括：
根据上电极膜片振动时对应的品质因数，以及品质因数与压力的预设关系，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值。
因为品质因数对压力的变化比较敏感，所以通过品质因数确定压力值，进而提高了在低压情况下测量压力值的准确度。
具体地，首先根据品质因数的变化值确定电压值，然后根据电压值确定压力值。
首先介绍品质因数与电压的预设关系。参见图10所示的电路图，其中，U1为运算放大器，S2、U2,，S3和U3,分别构成采样保持器，U4是仪表放大器。开始时，S1、S2、S3均处于闭合状态，V1电压为零，且V1＝V2；开始时刻S1断开，V1在理想情况下会继续保持电压为零，但是由于可振动膜片振动时，产生的品质因数转换成电荷，由于电荷注入效应，会有QC的电荷量注入Cf，从而使得V1逐渐变成负值，经过U2,，U3,采样保持后，V2、V3均为负值，下一时刻S3断开，V1、V2、V3输出电压不变；再下一个时刻V1变为低电平，此时Cx左侧基板电荷转移为：Q＝△V1Cx，且U1,的输出为VH＝VL-Q/Cf。由于S3断开所以V3不变；当输出稳定后将S2断开，V2被保持，U4的输出为：V4＝VH-VL＝-△V1Cx/Cf。
即得到与被测振动上电极膜片产生的电容成正比的电压信号。电极与地间形成的杂散电容等效为Cas和Cbs，由于Cas由激励源驱动，它的存在对流过被测电容的电流无影响，电容Cbs在监测过程中始终处于虚地状态，两端无电压差，因而对电容测量也无影响。整个电路对杂散电容不敏感。
根据上述品质因数与电压之间的关系，从而确定由于可振动的上电极膜片的振动时相对应的电压值。因为电压的大小与压力的值成正比，从而确定可振动的上电极膜片的振动时相对应的压力值。
较佳地，该方法还包括：
当上电极膜片产生形变时，根据上电极膜片的形变量，确定上电极膜片形变时所对应的压力值。
较佳地，根据上电极膜片的形变量，确定上电极膜片形变时所对应的压力值，包括：
根据上电极膜片形变时与下电极板之间形成的电容值，确定上电极膜片形变时所对应的压力值。
其中，当施加在上电极膜片上的压力值较大时，上电极膜片产生形变，使得上电极膜片贴合在下电极板上的绝缘层上，使得上电极膜片与下电极板之间的距离发生变化，从而上电极膜片与下电极板之间的电容发生变化。根据电容的公式其中，S是上电极膜片与下电极板之间的正对面积，d代表上电极膜片与下电极板之间的距离，ε为上电极膜片与下电极板之间电介质的介电常量，k为静电力恒量。
当上电极膜片与下电极板之间正对面积不变时，当上电极膜片与下电极板之间距离越近，上电极膜片与下电极板之间的电容越大，说明压力值越大；当上电极膜片与下电极板之间距离越远，上电极膜片与下电极板之间的电容越小，说明压力值越小。
当上电极膜片与下电极板之间距离不变时，上电极膜片与下电极板之间正对面积越小，上电极膜片与下电极板之间的电容越小，说明压力值越大；当上电极膜片与下电极板之间正对面积越大，上电极膜片与下电极板之间的电容越大，说明压力值越小。
一般地，有多种转换输出电路，借助于各种信号调节电路，通过把电容变量转换成与之对应的电压、电流或频率输出。转换方法有电桥法、调频法、差动脉冲调宽法、运算放大器法和电荷转移法等。本发明实施例针对该转换输出电路不做具体限定，只要是因为电容变化引起负载电荷变化，通过转换电路变为可检测的电压变化的方法，均属于本发明实施例的保护范围。
需要说明的是，本发明实施例通过确定电压值的大小，以及根据电压值与压力值的正比例关系，从而确定压力值的大小。
通过本发明实施例提供的压力传感器的压力检测方法，当压力传感器接收的压力值较小，且上电极膜片产生振动时，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数，并通过该品质因数，确定上电极膜片振动所对应的压力值，从而实现根据品质因数确定低压情况下的压力值，进而提高了压力传感器在检测低压时的压力值的准确度。当压力传感器接收的压力值较大时，根据上电极膜片产生形变时的形变量，确定上电极膜片形变时对应的压力值，从而实现根据上电极膜片的形变量确定高压情况下的压力值，进而实现该压力传感器既能检测高压时的压力值，又能检测低压时的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
参见图11，一种本发明实施例提供的压力传感器的压力检测装置，包括：
品质因数确定单元1101，用于当上电极膜片产生振动时，确定上电极膜片振动时所对应的品质因数；
较佳地，品质因数确定单元1101确定上电极膜片振动时所对应的品质因数，具体用于：
根据上电极膜片振动时所对应的响应信号的幅值，与用于测试品质因数的激励信号的幅值的差值，确定上电极膜片振动时所对应的品质因数；其中，响应信号是所述上电极膜片发生形变时上电极膜片发送给检测电路的。
较佳地，上电极膜片通过引出电极向检测电路发送响应信号。
第一压力值确定单元1102，用于根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动所对应的压力值。
较佳地，第一压力值确定单元1102，具体用于：
根据上电极膜片振动时对应的品质因数，以及品质因数与压力的预设关系，确定上电极膜片振动时所对应的压力值。
因为品质因数对压力的变化比较敏感，所以通过品质因数确定压力值，进而提高了在低压情况下测量压力值的准确度。
较佳地，该装置还包括：
第二压力值确定单元，用于当上电极膜片产生形变时，根据上电极膜片的形变量，确定上电极膜片形变时所对应的压力值。
较佳地，第二压力值确定单元，具体用于：
根据上电极膜片形变时与下电极板之间形成的电容值，确定上电极膜片形变时所对应的压力值。
综上，通过本发明实施例提供的压力传感器的压力检测方法，当压力传感器接收的压力值较小，且上电极膜片产生振动时，确定该上电极膜片振动时所对应的品质因数，并通过该品质因数，确定上电极膜片振动所对应的压力值，从而实现根据品质因数确定低压情况下的压力值，进而提高了压力传感器在检测低压时的压力值的准确度。当压力传感器接收的压力值较大时，根据上电极膜片产生形变时的形变量，确定上电极膜片形变时对应的压力值，从而实现根据上电极膜片的形变量确定高压情况下的压力值，进而实现该压力传感器既能检测高压时的压力值，又能检测低压时的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
总之，本发明提供了一种压力传感器，当有压力施加在上电极膜片时，可以通过上电极膜片的振动情况，从而测量低压情况下的压力值，或者可以通过上电极膜片与下电极之间形成的电容的变化值确定高压情况下的压力值。从而使得该压力传感器既能测量高压情况下的压力值，又能检测低压情况下的压力值，从而增加了该压力传感器的量程范围。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种压力传感器的压力检测方法，其特征在于，该方法包括：
当上电极膜片产生振动时，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；
根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动所对应的压力值；
其中，该方法还包括：
当上电极膜片产生形变时，根据所述上电极膜片的形变量，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
2.根据权利要求1所述的压力检测方法，其特征在于，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数，具体为：
根据上电极膜片振动时所对应的响应信号的幅值，与用于测试品质因数的激励信号的幅值的差值，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；其中，所述响应信号是所述上电极膜片发生形变时所述上电极膜片发送给所述检测电路的。
3.根据权利要求2所述的压力检测方法，其特征在于，所述上电极膜片通过引出电极向所述检测电路发送所述响应信号。
4.根据权利要求3所述的压力检测方法，其特征在于，根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值，包括：
根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，以及所述品质因数与压力的预设关系，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值。
5.根据权利要求1所述的压力检测方法，其特征在于，根据所述上电极膜片的形变量，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值，包括：
根据所述上电极膜片形变时与下电极板之间形成的电容值，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
6.一种压力传感器的压力检测装置，其特征在于，该装置包括：
品质因数确定单元，用于当上电极膜片产生振动时，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；
第一压力值确定单元，用于根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，确定所述上电极膜片振动所对应的压力值；
其中，该装置还包括：
第二压力值确定单元，用于当上电极膜片产生形变时，根据所述上电极膜片的形变量，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
7.根据权利要求6所述的压力检测装置，其特征在于，品质因数确定单元确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数，具体用于：
根据上电极膜片振动时所对应的响应信号的幅值，与用于测试品质因数的激励信号的幅值的差值，确定所述上电极膜片振动时所对应的品质因数；其中，所述响应信号是所述上电极膜片发生形变时所述上电极膜片发送给所述检测电路的。
8.根据权利要求7所述的压力检测装置，其特征在于，所述上电极膜片通过引出电极向所述检测电路发送所述响应信号。
9.根据权利要求8所述的压力检测装置，其特征在于，所述第一压力值确定单元，具体用于：
根据所述上电极膜片振动时对应的品质因数，以及所述品质因数与压力的预设关系，确定所述上电极膜片振动时所对应的压力值。
10.根据权利要求6所述的压力检测装置，其特征在于，所述第二压力值确定单元，具体用于：
根据所述上电极膜片形变时与下电极板之间形成的电容值，确定所述上电极膜片形变时所对应的压力值。
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