CN109786422A - 压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法，压力传感器芯片主要包括密封玻璃盖、谐振器层、压力敏感膜层、应力隔离垫、压电激励元件和电阻拾振元件，采用压力敏感膜片和谐振器复合结构，为二次敏感模式，谐振器层包括谐振梁和扭转梁，相邻的两根谐振梁一端的延伸部连接至同一悬置扭转梁，另一端与质量块连接，质量块中部设置有耦合梁，谐振器通过连接点与锚点连接，应力隔离垫上设有导压孔，压力由导压孔传递到矩形压力敏感膜片引起其变形，该变形通过锚点放大，传递到谐振器层，谐振梁和耦合梁外表面上分别布置有压电激励元件和电阻拾振元件，压电激励元件和电阻拾振元件分别通过导线与外部电路连接。

Description

压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法

技术领域

本发明属于微纳制造与传感领域，具体涉及压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法。

背景技术

硅微谐振式压力传感器的工作机理是通过测量谐振器固有频率的变化间接测量压力，具有精度高、长期稳定性好、功耗低等特点，广泛应用于航天航空、气象数据采集、航海深度探测、工业控制等领域。但是目前国内所需要的高精度压力传感器有70％依赖于进口，并且采购较为困难，严重影响到我国高精度压力测量事业的发展，因此开展具有高精度的谐振式压力传感器研究至关重要。

谐振式压力传感器多采用二次敏感结构，谐振器作为二次敏感元件，其结构和性能受激励和检测方式影响。针对激励方式，目前现有的谐振式压力传感器主要包括电磁激励、静电激励、光激励和电热激励。静电激励仅需要两个电极，易于微型化，但缺点是电极间距的控制要求高；电磁激励需要用磁场，不易微型化；光激励需要利用光路进行激振，其光学系统设计复杂，微型化难度大；电热激励利用温度差引起热应力进行激振，缺点是温度稳定性和封装热应力影响较大。针对检测方式，谐振式压力传感器主要包括电磁检测、电容检测、光检测、电热检测和压阻检测，其原理和优缺点与激励方式相同。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出了一种压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法，目的是提供一种小体积、低功耗、结构简单、易于生产、易于激励、易于检测和高精度的压力传感器。

压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，包括压力敏感膜层和设置在压力敏感膜层上的谐振器层，压力敏感膜层包括压力敏感膜和设置在压力敏感膜上的锚点；谐振器层包括两组相对平行设置的谐振梁，谐振梁上布置有压电薄膜，同一组谐振梁的一端连接至同一悬置扭转梁，另一端与质量块连接，两组谐振梁相对设置，四根谐振梁共同组成H型梁，质量块中部设置有耦合梁，耦合梁中部设置有拾振电阻，连接点通过柔性梁与谐振梁的外部框架连接，连接点与锚点固定连接。

进一步的，相邻的两个谐振梁之间设置有平衡块，平衡块一端与悬置扭转梁连接。

进一步的，压电薄膜为AlN压电薄膜，压电薄膜布置在谐振梁中性面的一侧。

进一步的，拾振电阻以耦合梁的中心线为对称轴对称布置。

进一步的，压力敏感膜外周设置有支撑边框，支撑边框与应力隔离垫连接。

进一步的，所述应力隔离垫上开设有导压孔，导压孔为通孔。

进一步的，柔性梁为蛇形。

进一步的，所述谐振器层和压力敏感膜层均采用4寸双面抛光N型硅片制成，密封玻璃盖和应力隔离垫均为Pyrex玻璃制作。

压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：对压力敏感膜硅片7进行双面热氧化，在压力敏感膜硅片7上下表面各形成一层氧化硅5；

步骤2：对步骤1得到的结构正面进行化学气相沉积氮化硅6，形成复合双掩膜；

步骤3：在步骤2得到的结构正面附上一层正性光刻胶，并在掩膜版下曝光，然后利用SF6气体反应离子刻蚀进行刻蚀二氧化硅5和氮化硅6复合掩膜，得到湿法掩膜窗口；

步骤4：利用TMAH各向异性腐蚀液对步骤3得到的结构进行湿法腐蚀，形成锚点303；

步骤5：用HF去掉步骤4得到的结构上的二氧化硅5和氮化硅6复合掩膜；

步骤6：对步骤5得到的结构进行双面热氧化，二氧化硅层5重新覆盖压力敏感膜硅片7表面，形成DRIE保护层；

步骤7：将谐振器层硅片8与步骤6加工完成的结构进行真空键合；

步骤8：对谐振器层硅片8进行减薄、研磨、化学机械抛光，并采用标准RCA工艺清洗；

步骤9：在步骤8得到的结构正面进行化学气相沉积二氧化硅层5，旋涂正性光刻胶，在掩膜版下曝光，进行光刻，形成用于溅射氮化铝压电材料的掩膜；

步骤10：在步骤9得到的结构正面通过溅射的方式沉积氮化铝压电薄膜208；

步骤11：对步骤10得到的结构进行化学气相沉积二氧化硅层，利用轻掺杂掩膜版在谐振层去除正面轻掺杂区域的二氧化硅层，其余区域的二氧化硅充当掩膜，然后进行硼离子轻掺杂，形成压阻区域20901，并进行再分布的阱推扩散退火过程，保证压阻区域杂质浓度均匀分布；

步骤12：对步骤11得到的结构进行化学气相沉积二氧化硅层，利用重掺杂掩膜版在谐振层去除正面重掺杂区域的二氧化硅层，其余区域的二氧化硅充当掩膜，然后进行硼离子重掺杂，形成欧姆接触区20902，之后再进行分布扩散退火，保证欧姆接触区的杂质浓度均匀分布；

步骤13：在步骤12得到的结构正面整个表面物理气相沉积Ti/Al层，然后利用金属焊盘及金属引线版刻蚀除金属引线210和焊盘211以外其他区域的Ti/Al层，形成金属引线210和金属焊盘211结构，并在500℃条件下进行合金化过程；再湿法去除二氧化硅掩膜层；

步骤14：在步骤13得到的器件正面采用PECVD溅射二氧化硅层5，作为DRIE刻蚀谐振器层结构的掩膜，并在器件正面旋涂正胶，然后进行光刻使二氧化硅层5图案化；

步骤15：将步骤14得到的结构进行深反应离子刻蚀，形成谐振器层2的整体结构；

步骤16：在步骤15形成的结构反面旋涂光刻胶并进行光刻感压膜窗口，然后湿法腐蚀感压膜窗口，形成压力敏感膜层3；

步骤17：利用湿法去除谐振器层2和压力敏感膜层3表面所有的二氧化硅层5；

步骤18：将器件的正面与密封盖1采用玻璃阳极键合；

步骤19：将器件的背面与应力隔离垫4采用玻璃阳极键合，完成整体封装。

与现有技术相比，本发明至少具有以下有益的技术效果：本发明利用锚点的放大原理，将敏感膜的应力和形变进行放大后，传递给谐振器层，提高了传感器的灵敏度；谐振器的结构对称且二阶工作模态的振型反向，振动过程中重心固定不动，可有效避免谐振梁与压力敏感膜直接的能量交换，提高了传感器的品质因子，降低了外部能量耦合，进而提升了检测精度。本发明压力传感器采用谐振原理，具有Q值高的优点，进而使得谐振器具有功耗低、精度高、抗外界干扰能力强、系统的振动稳定性好的特点。

基于压电元件的逆压电效应进行激励，施加激励电场实现传感器从电能到机械能的转换，相比较于之前提出的静电激励方式，不需要固定电极和可动电极，只需要在耦合梁上布置压电敏感薄膜，该设计具有激励方式简单、机电转换效率高、功耗低、电路简单、抗干扰能力强，制备工艺难度低的等特点。

进一步的，采用悬置扭转梁与平衡块的组合设计，并将锚点放置于H型谐振梁两侧，可有效的减小谐振器的面外振动和有效避免面内谐振梁微小扭转，提高传感器的精度。

进一步的，连接两个质量块的矩形框耦合梁，实现振动模态耦合；并在耦合梁上掺杂敏感电阻，实现压阻拾振功能；基于压阻元件的压阻效应进行信号拾取，有利于去除其他模态的干扰，提高信噪比。

进一步的，柔性梁用于实现谐振器层内部电路与外部电路的导通，柔性梁设置为蛇形，有效的降低柔性梁的刚度，从而避免外部框架对谐振梁刚度的影响。

进一步的，压电激励元件采用AlN压电薄膜，AlN压电薄膜具有高的压电性和良好的半导体工艺兼容性。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为图1的纵剖图；

图3为谐振器层的结构示意图；

图4为耦合梁和拾振电阻的局部放大图；

图5为图1的局部放大图；

图6为加载后压力敏感膜片及谐振器层的变形示意图；

图7为本发明的制备工艺流程示意图；

附图中：1-密封玻璃盖，2-谐振器层，3-压力敏感膜层，4-应力隔离垫，5-二氧化硅，6-氮化硅，7-压力敏感膜硅片，8-谐振器层硅片，201-谐振梁，202-悬置扭转梁，203-平衡块，204-连接点，205-柔性梁，206-耦合梁，207-质量块，208-压电薄膜，209-拾振电阻，210-金属引线，211-金属焊盘，212-外部框架，401-导压孔，20901-轻掺杂区，20902-重掺杂区，301-支撑边框，302-压力敏感膜，303-锚点，401-导压孔。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系，是基于附图所示的方位或位置关系而进行描述，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、或特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

参照图1和图2，压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片包括自上而下依次设置的密封玻璃盖1、谐振器层2、压力敏感膜层3和应力隔离垫4。

其中，压力敏感膜层3包括支撑边框301、压力敏感膜302和锚点303，压力敏感膜302为矩形薄膜，压力敏感膜302上布置有锚点303，外周布置有支撑边框301，压力敏感膜层3与谐振器层2通过锚点303连接，压力敏感膜层3与应力隔离垫4通过支撑边框301连接，应力隔离垫4中间开设有导压孔401，导压孔401为通孔，用于导入压力。谐振器层2与压力敏感膜层3均采用双面抛光N型硅片制成，密封玻璃盖1和应力隔离垫4均采用Pyrex玻璃制成，最终采用键合工艺完成真空封装。

参照图3和图5，谐振器层2在X轴方向和Y方向均为对称结构，谐振器层2包括外部框架212、谐振梁201，悬置扭转梁202，平衡块203，连接点204，柔性梁205，耦合梁206，质量块207，AlN压电薄膜208，拾振电阻209和金属引线210。

其中，H型谐振梁包括两组相对平行设置的谐振梁201，相邻的两根谐振梁201的一端连接至同一悬置扭转梁202上，谐振梁201另一端与质量块207连接，每根谐振梁201上均布置有AlN压电薄膜208，AlN压电薄膜208布置在谐振梁201中性面的一侧，施加激励电场时，中性面两侧分别受到拉/压应力，致使谐振器201产生变形。质量块207中部设置有耦合梁206，耦合梁206由两根梁双端连接而成，形成矩形框结构；耦合梁206中部外侧与质量块207中心连接，相邻的两个谐振梁201之间设置有平衡块203，平衡块203一端悬空另一端与悬置扭转梁202连接。

参照图4，耦合梁206中部相对设置有两个拾振电阻209，拾振电阻209位于耦合梁206上部，拾振电阻209与金属引线210连接，拾振电阻209以耦合梁206长度方向的中心线对称布置，耦合梁206对双谐振器耦合，当H型谐振梁处于二阶模态状态时，拾振电阻209将循环处于受压/受拉状态，基于压阻效应工作原理，此时谐振器将处于工作状态；当H型谐振梁处于一阶模态时，耦合梁上的拾振电路阻无变形，基于压阻效应工作原理，传感器将无信号输出，此时传感器不工作。

拾振电阻209包括压阻区域20901和欧姆接触区20902，欧姆接触区20902位于压阻区域20901两端。

优选的，拾振电阻209通过金属引线210及4个金属焊盘211组成惠斯通半桥电路，金属引线210一端连接拾振电阻209，另一端连接芯片外面的电路。传感器通过焊盘与外界电路实现连通。

优选的，锚点303形状为离散斜锚点，实现与谐振器层的连接。同时也可采用连续型斜锚点、连续直锚点、离散直锚点等结构，调节锚点303的高度可有效调节传感器的灵敏度，上述离散的意思为位于同一侧的锚点不连续，中间有间隔。

优选的，压力敏感膜302可以设计不同的厚度，从而实现对传感器量程和灵敏度的调节。参照图5，压力敏感膜302上布置有锚点303，谐振器层2通过连接点204与锚点303连接，连接点204通过柔性梁205与外部框架212连接，用于金属引线210和焊盘连接。

参照图6，谐振器层2通过连接点204与锚点303键合，工作时，外界压力通过导压401传递到压力敏感膜302，引起压力敏感膜302变形和锚点303的变形；锚点303对压力敏感膜302的形变进行放大，通过悬置扭转梁202带动谐振梁201受拉，谐振梁201内部应力状态发生改变，从而引起谐振梁201固有频率发生变化。

工作过程如下：

本发明采用压力敏感膜片和谐振器复合结构，为二次敏感模式。参照图6，当压力经过导压孔401传递到矩形的压力敏感膜302时，压力敏感膜302上下两侧因存在压力差将产生变形，从而带动锚点303产生沿H型谐振梁201长度方向的变形，该变形通过锚点303放大，并通过悬置扭转梁202和平衡块203传递给H型谐振梁201，让谐振梁201产生受拉应力，从而引起谐振器的弹性系数变化，其中悬置扭转梁202和平衡块203可有效降低H型谐振梁201的面外位移；利用AlN压电薄膜208的逆压电效应进行激励，带动谐振梁201振动，调节输入电压的频率使工作频率到达谐振器的二阶模态，实现共振；耦合梁206随着工作模态产生振动，通过检测耦合梁206上表面的拾振电阻209组成的惠斯通半桥输出信号频率的变化，从而得到H型谐振梁201固有频率的变化，进而感知加载压力的大小，谐振器层2激励与检测信号通过S型柔性梁205实现与外部框架212连接。

当谐振梁受轴向应力时，振动固有频率与应力间有如下关系式：

f＝f_n(1+σ/σ_cr)^1/2

其中:

f_n——不受外力时谐振器的固有频率；

σ——谐振梁所受轴线应力；

σ_cr——压杆失稳的极限应力；

根据硅的压阻效应，耦合梁206上的拾振电阻209阻值变化与其所受应力之间有如下关系式：

ΔR＝πσ_RR

其中：

R——压敏拾振电阻条的初始阻值；

π——压敏拾振电阻条的压阻系数；

σ_R——压敏拾振电阻条中的应力；

压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片的制备原材料为：谐振器层2和压力敏感膜3均使用双面抛光N型硅片，压力敏感膜使用厚度500μm的硅片，谐振器使用厚度300μm的硅片，密封玻璃盖1与导压孔4均为Pyrex玻璃制作，厚度为500μm。

参照图7，具体包括以下步骤：

对压力敏感膜硅片7进行双面热氧化，在压力敏感膜硅片7上下表面各形成一层氧化硅5，热氧化温度900℃-1200℃，氧化层厚度200nm；

对步骤1得到的结构正面进行化学气相沉积200nm的氮化硅6，形成复合双掩膜；

在步骤2得到的结构正面附上一层正性光刻胶，并在掩膜版下曝光，然后利用SF6气体反应离子刻蚀进行刻蚀二氧化硅5和氮化硅6复合掩膜，得到湿法掩膜窗口；

利用TMAH各向异性腐蚀液对步骤3得到的结构进行湿法腐蚀，形成锚点303；

用40％HF去掉步骤4得到的结构上的二氧化硅5和氮化硅6复合掩膜；

对步骤5得到的结构进行双面热氧化，二氧化硅层5重新覆盖压力敏感膜硅片7表面，形成DRIE保护层，热氧化温度900℃-1200℃，氧化层厚度200nm；

将谐振器层硅片8与步骤6加工完成的结构进行真空键合；

对谐振器层硅片8进行减薄、研磨、化学机械抛光，并采用标准RCA工艺清洗；

在步骤8得到的结构正面进行化学气相沉积二氧化硅层5，旋涂正性光刻胶，在掩膜版下曝光，进行光刻，形成用于溅射氮化铝压电材料的掩膜；

在步骤9得到的结构正面通过溅射的方式沉积氮化铝压电薄膜208；

对步骤10得到的结构进行化学气相沉积二氧化硅层，利用轻掺杂掩膜版在谐振层去除正面轻掺杂区域的二氧化硅层，其余区域的二氧化硅充当掩膜，然后进行硼离子轻掺杂，形成压阻区域20901，使得该区域方块电阻大小约为220Ω/方并进行再分布的阱推扩散退火过程，保证压阻区域杂质浓度均匀分布；

对步骤11得到的结构进行化学气相沉积二氧化硅层，利用重掺杂掩膜版在谐振层去除正面重掺杂区域的二氧化硅层，其余区域的二氧化硅充当掩膜，然后进行硼离子重掺杂，形成欧姆接触区20902，使得该区域方块电阻大小约为10Ω/方，之后再进行分布扩散退火，保证欧姆接触区的杂质浓度均匀分布；

在步骤12得到的结构正面整个表面物理气相沉积Ti/Al层，然后利用金属焊盘及金属引线版刻蚀除金属引线210和焊盘211以外其他区域的Ti/Al层，形成金属引线210和金属焊盘211结构，并在500℃条件下进行合金化过程；再湿法去除二氧化硅掩膜层；

在步骤13得到的器件正面采用PECVD溅射二氧化硅层5，溅射厚度300nm，作为DRIE刻蚀谐振器层结构的掩膜，并在器件正面旋涂正胶，然后进行光刻使二氧化硅层5图案化；

将步骤14得到的结构进行深反应离子刻蚀，形成谐振器层2的整体结构；

在步骤15形成的结构反面旋涂光刻胶并进行光刻感压膜窗口，然后湿法腐蚀感压膜窗口，形成压力敏感膜层3，腐蚀压力敏感膜层3厚度到制定厚度；

利用湿法去除谐振器层2和压力敏感膜层3表面所有的二氧化硅层5；

将器件的正面与密封盖1采用玻璃阳极键合；

将器件的背面与应力隔离垫4采用玻璃阳极键合，完成整体封装。本发明的压电激励式受拉硅微谐振压力传感器芯片所能可达到的主要技术指标如下：

1)压力量程：0-300kPa

2)测量精度：0.01％FS

3)响应时间：≤100ms

4)过压保护压力：200％FS

5)使用温度范围：-50℃-125℃。

以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，该传感器芯片包括压力敏感膜层(3)和设置在压力敏感膜层(3)上的谐振器层(2)，压力敏感膜层(3)包括压力敏感膜(302)和设置在压力敏感膜(302)上的锚点(303)；

谐振器层(2)包括两组相对平行设置的谐振梁，谐振梁(201)上布置有压电薄膜(208)，同一组谐振梁(201)的一端连接至同一悬置扭转梁(202)，另一端与质量块(207)连接，两组谐振梁相对设置，四根谐振梁(201)共同组成H型梁，质量块(207)中部设置有耦合梁(206)，耦合梁(206)中部设置有拾振电阻(209)，连接点(204)通过柔性梁(205)与谐振梁(201)的外部框架(212)连接，连接点(204)与锚点(303)固定连接。

2.根据权利要求1所述的压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，相邻的两个谐振梁(201)之间设置有平衡块(203)，平衡块(203)一端与悬置扭转梁(202)连接。

3.根据权利要求1所述的压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，压电薄膜(208)为AlN压电薄膜，压电薄膜(208)布置在谐振梁(201)中性面的一侧。

4.根据权利要求1所述的压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，拾振电阻(209)以耦合梁(206)的中心线对称布置。

5.根据权利要求1所述的压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，压力敏感膜(302)外周设置有支撑边框(301)，支撑边框(301)与应力隔离垫(4)连接。

6.根据权利要求5所述的压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，所述应力隔离垫(4)上开设有导压孔(401)，导压孔(401)为通孔。

7.根据权利要求1所述的压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，柔性梁(205)为蛇形。

8.根据权利要求1所述的压电激振式受拉硅微谐振压力传感器芯片，其特征在于，所述谐振器层(2)和压力敏感膜层(3)均采用4寸双面抛光N型硅片制成。

9.压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：对压力敏感膜硅片(7)进行双面热氧化，在硅片上下表面各形成一层氧化硅(5)；

步骤2：在步骤1得到的结构上端面进行化学气相沉积氮化硅(6)，形成复合双掩膜；

步骤3：在步骤2得到的结构正面附上一层正性光刻胶，并在掩膜版下曝光，然后利用SF6气体反应离子刻蚀进行刻蚀二氧化硅(5)和氮化硅(6)复合掩膜，得到湿法掩膜窗口；

步骤4：利用TMAH各向异性腐蚀液对步骤3得到的结构进行湿法腐蚀，形成锚点(303)；

步骤5：去掉步骤4得到的结构上的二氧化硅(5)和氮化硅(6)复合掩膜；

步骤6：对步骤5得到的结构进行双面热氧化，使二氧化硅层(5)重新覆盖压力敏感膜硅片(7)表面，形成DRIE保护层；

步骤7：将谐振器层硅片(8)与步骤6加工完成的结构进行真空键合；

步骤8：对谐振器层硅片(8)进行减薄、研磨、化学机械抛光，并清洗；

步骤9：在步骤8得到的结构正面进行化学气相沉积二氧化硅层(5)，旋涂正性光刻胶，在掩膜版下曝光，进行光刻，形成用于溅射氮化铝压电材料的掩膜；

步骤10：在步骤9得到的结构正面沉积氮化铝压电薄膜(208)；

步骤11：对步骤10得到的结构进行化学气相沉积二氧化硅层，利用轻掺杂掩膜版在谐振层(2)去除正面轻掺杂区域的二氧化硅层，其余区域的二氧化硅充当掩膜，然后进行硼离子轻掺杂，形成压阻区域(20901)；

步骤12：对步骤11得到的结构进行化学气相沉积二氧化硅层，利用重掺杂掩膜版在谐振层(2)去除正面重掺杂区域的二氧化硅层，其余区域的二氧化硅充当掩膜，然后进行硼离子重掺杂，形成欧姆接触区(20902)；

步骤13：在步骤12得到的结构正面整个表面物理气相沉积Ti/Al层，然后刻蚀除金属引线(210)和焊盘(211)以外其他区域的Ti/Al层，形成金属引线(210)和金属焊盘(211)结构，并进行合金化过程；再湿法去除二氧化硅掩膜层；

步骤14：在步骤13得到的器件正面溅射二氧化硅层(5)，作为DRIE刻蚀谐振器层结构的掩膜，并在器件正面旋涂正胶，然后进行光刻使二氧化硅层(5)图案化；

步骤15：将步骤14得到的结构进行深反应离子刻蚀，形成谐振器层(2)的整体结构；

步骤16：在步骤15形成的结构反面旋涂光刻胶并进行光刻感压膜窗口，然后湿法腐蚀感压膜窗口，形成压力敏感膜层(3)；

步骤17：去除谐振器层(2)和压力敏感膜层(3)表面所有的二氧化硅层(5)；

步骤18：将器件的正面与密封盖(1)采用真空玻璃阳极键合；

步骤19：将器件的背面与应力隔离垫(4)采用玻璃阳极键合，完成整体封装。