JPH0510839A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH0510839A JPH0510839A JP16187091A JP16187091A JPH0510839A JP H0510839 A JPH0510839 A JP H0510839A JP 16187091 A JP16187091 A JP 16187091A JP 16187091 A JP16187091 A JP 16187091A JP H0510839 A JPH0510839 A JP H0510839A
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- JP
- Japan
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- diaphragm
- pressure sensor
- substrate
- semiconductor pressure
- diaphragms
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で広い測定レンジを有し小形化が
可能な半導体圧力センサを提供する。 【構成】 Ｓｉ基板に形成されたダイアフラムに歪み検
出素子が設けられ，前記ダイアフラムに印加される流体
の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導体圧
力センサにおいて，前記Ｓｉ基板上に感圧度の異なる複
数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラムに
歪み検出素子を設ける。
可能な半導体圧力センサを提供する。 【構成】 Ｓｉ基板に形成されたダイアフラムに歪み検
出素子が設けられ，前記ダイアフラムに印加される流体
の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導体圧
力センサにおいて，前記Ｓｉ基板上に感圧度の異なる複
数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラムに
歪み検出素子を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，測定レンジの異なる複
数の圧力を測定する為の半導体圧力センサに関し，小形
化をはかった圧力センサに関する。
数の圧力を測定する為の半導体圧力センサに関し，小形
化をはかった圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の半導体圧力センサの構造を
示す縦断面図である。図において１０はｎ形のシリコン
単結晶で作られたセンサチップであり，凹部１１を有
し，更に凹部１１の形成により厚さの薄くなった起歪部
（ダイアフラム）１２とその周辺の固定部１３を有して
いる。ダイアフラム１２は単結晶の（１００）面とさ
れ，その上にはその中心を通る結晶軸＜１００＞方向で
固定部１３との境界付近に例えば歪みゲ―ジ１４が不純
物の拡散により伝導型がｐ形として形成されている。歪
みゲ―ジ１４はその長手方向に一対の電源端（図では省
略）を持ち，その電源端に電源電圧が印加され，その長
手方向のほぼ中央部に一対の出力端が形成され，この出
力端により出力電圧を得ている。センサチップ１０は，
その固定部１３が例えば中央部に導圧穴１５を持つパイ
レックスガラス等のガラス基板１６に固定され，このガ
ラス基板１６は中央に導圧孔１７を持つ金属の支持台１
８に固定されている。センサチップ１０，ガラス基板１
６および金属の支持台１８の相互間はガラス基板１６に
対してセンサチップ１０を電源（図示せず）により正電
位に保持し，かつ，ガラス基板１６に対して負電位に保
持して陽極接合する。また，ガラス基板１６と支持台１
８は低融点ガラスを挟んで４７０℃程度に加熱して接着
する。上記の構成において，測定圧力ｐがダイアフラム
１２に印加されると，これによってゲ―ジ１４に歪みが
発生し，これに対応する電気信号を出力端に得ることが
できる。
示す縦断面図である。図において１０はｎ形のシリコン
単結晶で作られたセンサチップであり，凹部１１を有
し，更に凹部１１の形成により厚さの薄くなった起歪部
（ダイアフラム）１２とその周辺の固定部１３を有して
いる。ダイアフラム１２は単結晶の（１００）面とさ
れ，その上にはその中心を通る結晶軸＜１００＞方向で
固定部１３との境界付近に例えば歪みゲ―ジ１４が不純
物の拡散により伝導型がｐ形として形成されている。歪
みゲ―ジ１４はその長手方向に一対の電源端（図では省
略）を持ち，その電源端に電源電圧が印加され，その長
手方向のほぼ中央部に一対の出力端が形成され，この出
力端により出力電圧を得ている。センサチップ１０は，
その固定部１３が例えば中央部に導圧穴１５を持つパイ
レックスガラス等のガラス基板１６に固定され，このガ
ラス基板１６は中央に導圧孔１７を持つ金属の支持台１
８に固定されている。センサチップ１０，ガラス基板１
６および金属の支持台１８の相互間はガラス基板１６に
対してセンサチップ１０を電源（図示せず）により正電
位に保持し，かつ，ガラス基板１６に対して負電位に保
持して陽極接合する。また，ガラス基板１６と支持台１
８は低融点ガラスを挟んで４７０℃程度に加熱して接着
する。上記の構成において，測定圧力ｐがダイアフラム
１２に印加されると，これによってゲ―ジ１４に歪みが
発生し，これに対応する電気信号を出力端に得ることが
できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述の
圧力センサは測定レンジが決められているので広い範囲
にわたる圧力測定ができないという問題があった。本発
明は上記従来技術の問題を解決するためになされたもの
で，簡単な構成で広い測定レンジを有し小形化が可能な
半導体圧力センサを提供することを目的とする。
圧力センサは測定レンジが決められているので広い範囲
にわたる圧力測定ができないという問題があった。本発
明は上記従来技術の問題を解決するためになされたもの
で，簡単な構成で広い測定レンジを有し小形化が可能な
半導体圧力センサを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明は，請求項１においては，Ｓｉ基板に形成された
ダイアフラムに歪み検出素子が設けられ，前記ダイアフ
ラムに印加される流体の圧力を前記歪み検出素子で検出
する様にした半導体圧力センサにおいて，前記Ｓｉ基板
上に膜厚が同一で面積の異なる複数のダイアフラムを形
成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設けた
ことを特徴とするものであり，請求項２，３において
は，前記Ｓｉ基板上に厚さの異なる複数のダイアフラム
を形成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設
けたものであり，その各ダイアフラムの膜厚は基板上に
形成したエピタキシャル成長層と高濃度層の組み合わせ
とエッチング時間を調整して形成したものである。
本発明は，請求項１においては，Ｓｉ基板に形成された
ダイアフラムに歪み検出素子が設けられ，前記ダイアフ
ラムに印加される流体の圧力を前記歪み検出素子で検出
する様にした半導体圧力センサにおいて，前記Ｓｉ基板
上に膜厚が同一で面積の異なる複数のダイアフラムを形
成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設けた
ことを特徴とするものであり，請求項２，３において
は，前記Ｓｉ基板上に厚さの異なる複数のダイアフラム
を形成するとともに各ダイアフラムに歪み検出素子を設
けたものであり，その各ダイアフラムの膜厚は基板上に
形成したエピタキシャル成長層と高濃度層の組み合わせ
とエッチング時間を調整して形成したものである。
【０００５】
【作用】請求項１において，面積の大きなダイアフラム
は流体圧力が低いレンジの際に機能し，面積の小さなダ
イアフラムは流体圧力が高いレンジの際に機能する。請
求項２において，板厚の薄いダイアフラムは流体圧力が
低いレンジの際に機能し，板厚の厚いダイアフラムは流
体圧力が高いレンジの際に機能する。そして各ダイアフ
ラムは同一基板上に形成されているので全体として圧力
センサを小形化することができる。
は流体圧力が低いレンジの際に機能し，面積の小さなダ
イアフラムは流体圧力が高いレンジの際に機能する。請
求項２において，板厚の薄いダイアフラムは流体圧力が
低いレンジの際に機能し，板厚の厚いダイアフラムは流
体圧力が高いレンジの際に機能する。そして各ダイアフ
ラムは同一基板上に形成されているので全体として圧力
センサを小形化することができる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の請求項１に関する一実施例を
示す構成断面図である。図において１は単結晶Ｓｉ基
板，２，２´はダイアフラムで，基板の一面から所定の
異方性エッチング液によりエッチングを行い，液の濃度
と時間を制御することにより穴３を開けて所定の膜厚に
形成する。１４はダイアフラムの歪みを最も感じる部分
に形成された剪断ゲ―ジである。なお，ダイアフラムの
一面の長さａ，ｂはマスク（図では省略）の開口面積を
調整することにより任意に形成することができる。図２
は本発明の請求項２に関する一実施例を示す構成断面図
である。前記請求項１で示すダイアフラム２，２´は厚
さが同一の為製造工程上は簡素化されるが，高レンジの
膜厚に合せると低レンジのダイアフラムは面積が大きく
なってしまうという問題がある。
示す構成断面図である。図において１は単結晶Ｓｉ基
板，２，２´はダイアフラムで，基板の一面から所定の
異方性エッチング液によりエッチングを行い，液の濃度
と時間を制御することにより穴３を開けて所定の膜厚に
形成する。１４はダイアフラムの歪みを最も感じる部分
に形成された剪断ゲ―ジである。なお，ダイアフラムの
一面の長さａ，ｂはマスク（図では省略）の開口面積を
調整することにより任意に形成することができる。図２
は本発明の請求項２に関する一実施例を示す構成断面図
である。前記請求項１で示すダイアフラム２，２´は厚
さが同一の為製造工程上は簡素化されるが，高レンジの
膜厚に合せると低レンジのダイアフラムは面積が大きく
なってしまうという問題がある。
【０００７】請求項２においては同一基板上に高レンジ
用と低レンジ用の厚さの異なるダイアフラム４，４´を
形成することにより例えば一辺の長さａを同じにして低
レンジから高レンジまでの測定を可能としている。ここ
で，図３（ａ）〜（ｅ）を用いて請求項２のダイアフラ
ムの製作方法を概略工程に従って説明する。 工程１（ａ図参照） 不純物濃度１×１０15cm-3程度のｐ形単結晶基板１の
（１００）面にレジスト２０を塗布し，高圧レンジ用ダ
イアフラムを形成すべき位置に窓２１を形成して基板１
の表面を露出させる。 工程２（ｂ図参照） レジスト２０をマスクとしてボロンイオンの注入を行い
不純物濃度１×１０20cm-3程度のｐ++層２２を形成す
る。 工程３（ｃ図参照） 前記ボロンを注入した箇所を含む基板１の表面にエピタ
キシャル成長を行い不純物濃度１×１０15cm-3程度のｎ
形Ｓｉ単結晶層２３を形成する。
用と低レンジ用の厚さの異なるダイアフラム４，４´を
形成することにより例えば一辺の長さａを同じにして低
レンジから高レンジまでの測定を可能としている。ここ
で，図３（ａ）〜（ｅ）を用いて請求項２のダイアフラ
ムの製作方法を概略工程に従って説明する。 工程１（ａ図参照） 不純物濃度１×１０15cm-3程度のｐ形単結晶基板１の
（１００）面にレジスト２０を塗布し，高圧レンジ用ダ
イアフラムを形成すべき位置に窓２１を形成して基板１
の表面を露出させる。 工程２（ｂ図参照） レジスト２０をマスクとしてボロンイオンの注入を行い
不純物濃度１×１０20cm-3程度のｐ++層２２を形成す
る。 工程３（ｃ図参照） 前記ボロンを注入した箇所を含む基板１の表面にエピタ
キシャル成長を行い不純物濃度１×１０15cm-3程度のｎ
形Ｓｉ単結晶層２３を形成する。
【０００８】工程４（ｄ図参照）
ｎ形Ｓｉ単結晶層２３の表面に剪断ゲ―ジ，配線Ａｌ等
を形成し，基板１の裏面に異方性エッチングのマスクと
なるＳｉＯ2 膜２４およびＳｉ3 Ｎ4 膜２５を形成し，
穴を開ける部分のエッチングを行って基板１を露出させ
る。 工程５（ｅ図参照） 例えば８０℃のＫＯＨ（イソプロピルアルコ―ル）混合
水溶液中に基板１を浸して異方性エッチングを行いダイ
アフラム形成の為の穴を開ける。この場合エッチング時
間は低レンジ用ダイアフラムが目標膜厚になるようにエ
ッングレ―トを勘案して決定する。また，この場合，高
レンジ用ダイアフラムのｐ++層２２は低レンジ側に比較
してエッチングレ―トが１桁以上おそくなる。このｐ++
層は工程２で形成するが，その不純物濃度と膜厚はレン
ジの要求膜厚によって決定しておくものとする。
を形成し，基板１の裏面に異方性エッチングのマスクと
なるＳｉＯ2 膜２４およびＳｉ3 Ｎ4 膜２５を形成し，
穴を開ける部分のエッチングを行って基板１を露出させ
る。 工程５（ｅ図参照） 例えば８０℃のＫＯＨ（イソプロピルアルコ―ル）混合
水溶液中に基板１を浸して異方性エッチングを行いダイ
アフラム形成の為の穴を開ける。この場合エッチング時
間は低レンジ用ダイアフラムが目標膜厚になるようにエ
ッングレ―トを勘案して決定する。また，この場合，高
レンジ用ダイアフラムのｐ++層２２は低レンジ側に比較
してエッチングレ―トが１桁以上おそくなる。このｐ++
層は工程２で形成するが，その不純物濃度と膜厚はレン
ジの要求膜厚によって決定しておくものとする。
【０００９】図４（ａ）〜（ｅ）は膜厚の異なるダイア
フラムを形成する別の方法を示す概略工程図である。工
程に従って説明する。 工程１（ａ図参照） 不純物濃度１×１０15cm-3程度のｐ形単結晶基板１の
（１００）面に酸化膜３０を形成し，高圧レンジ用のダ
イアフラムを形成する位置にエッチングにより窓を３１
開けて基板１の表面を露出させる。 工程２（ｂ図参照） 選択エピタキシャル成長法により工程１で窓３１を開け
た部分にボロン濃度１×１０20cm-3程度のＳｉ単結晶３
２を所定の厚さに成長させ，酸化膜３０を除去する。
フラムを形成する別の方法を示す概略工程図である。工
程に従って説明する。 工程１（ａ図参照） 不純物濃度１×１０15cm-3程度のｐ形単結晶基板１の
（１００）面に酸化膜３０を形成し，高圧レンジ用のダ
イアフラムを形成する位置にエッチングにより窓を３１
開けて基板１の表面を露出させる。 工程２（ｂ図参照） 選択エピタキシャル成長法により工程１で窓３１を開け
た部分にボロン濃度１×１０20cm-3程度のＳｉ単結晶３
２を所定の厚さに成長させ，酸化膜３０を除去する。
【００１０】工程３（ｃ図参照）
成長させたＳｉ単結晶３１を含む基板全面に１×１０15
cm-3程度のｎ形Ｓｉ単結晶を所定の厚さに形成する。 工程４（ｄ図参照） ｎ形Ｓｉ単結晶層２３の表面に剪断ゲ―ジ，配線Ａｌ等
を形成し，基板１の裏面に異方性エッチングのマスクと
なるＳｉＯ2 膜およびＳｉ3 Ｎ4を形成し，穴を開ける
部分のエッチングを行って基板１を露出させる。 工程５（ｅ図参照） 例えば８０℃のＫＯＨとイソプロピルアルコ―ルの混合
溶液中に基板１を浸して異方性エッチングを行いダイア
フラム形成の為の穴３を開ける。この場合もエッチング
時間は低レンジ用ダイアフラムが目標膜厚になるように
エッングレ―トを勘案して決定する。なお，上記実施例
においては同一基板にダイアフラムを２個形成した場合
について図示したが，面積や膜厚の異なるダイアフラム
は測定レンジに合わせて２個以上形成してもよい。ま
た，図では省略するがＳｉ基板１上には歪みゲ―ジから
の信号を取出す為の電子素子や配線が公知の半導体技術
により形成されているものとする。
cm-3程度のｎ形Ｓｉ単結晶を所定の厚さに形成する。 工程４（ｄ図参照） ｎ形Ｓｉ単結晶層２３の表面に剪断ゲ―ジ，配線Ａｌ等
を形成し，基板１の裏面に異方性エッチングのマスクと
なるＳｉＯ2 膜およびＳｉ3 Ｎ4を形成し，穴を開ける
部分のエッチングを行って基板１を露出させる。 工程５（ｅ図参照） 例えば８０℃のＫＯＨとイソプロピルアルコ―ルの混合
溶液中に基板１を浸して異方性エッチングを行いダイア
フラム形成の為の穴３を開ける。この場合もエッチング
時間は低レンジ用ダイアフラムが目標膜厚になるように
エッングレ―トを勘案して決定する。なお，上記実施例
においては同一基板にダイアフラムを２個形成した場合
について図示したが，面積や膜厚の異なるダイアフラム
は測定レンジに合わせて２個以上形成してもよい。ま
た，図では省略するがＳｉ基板１上には歪みゲ―ジから
の信号を取出す為の電子素子や配線が公知の半導体技術
により形成されているものとする。
【００１１】図５は上記により形成した半導体圧力セン
サを圧力検出装置として組込んだ場合の一実施例を示す
構成断面図である。図において４０はケ―ス，４１は貫
通孔４２，４３を有する底板である。４４は貫通孔４
５，４６を有するパイレックスガラスであり，このパイ
レックスガラス４４の上方に本発明の半導体圧力センサ
４８が固定されている。５０は半導体圧力センサ４８の
上方に固定された支持板であり，この支持板５０は低圧
用ダイアフラムと高圧用ダイアフラムを気密に仕切る仕
切り部材５１を有しており，仕切り部材によって仕切ら
れた室５２，５３が形成されている。５４，５５は支持
板５０の上方に固定された過大圧防止膜で，この過大圧
防止膜５４，５５と室５２，５３とは貫通孔５６，５７
によって連結され，封液５８が封入されている。６０は
圧力導入孔６１を有する上板で，この上板６０と支持板
５０の間に被測定流体６２が導入される。なお，半導体
圧力センサ４８の表面には剪断ゲ―ジの出力を取出す為
のリ―ド線６３が接続されておりケ―ス４０の側面から
ハ―メチックシ―ル孔６４を介して取出される。
サを圧力検出装置として組込んだ場合の一実施例を示す
構成断面図である。図において４０はケ―ス，４１は貫
通孔４２，４３を有する底板である。４４は貫通孔４
５，４６を有するパイレックスガラスであり，このパイ
レックスガラス４４の上方に本発明の半導体圧力センサ
４８が固定されている。５０は半導体圧力センサ４８の
上方に固定された支持板であり，この支持板５０は低圧
用ダイアフラムと高圧用ダイアフラムを気密に仕切る仕
切り部材５１を有しており，仕切り部材によって仕切ら
れた室５２，５３が形成されている。５４，５５は支持
板５０の上方に固定された過大圧防止膜で，この過大圧
防止膜５４，５５と室５２，５３とは貫通孔５６，５７
によって連結され，封液５８が封入されている。６０は
圧力導入孔６１を有する上板で，この上板６０と支持板
５０の間に被測定流体６２が導入される。なお，半導体
圧力センサ４８の表面には剪断ゲ―ジの出力を取出す為
のリ―ド線６３が接続されておりケ―ス４０の側面から
ハ―メチックシ―ル孔６４を介して取出される。
【００１２】信号変換部６５は２つのダイアフラムから
の出力のうちいずれかの出力を選択して出力する。即
ち，例えば低圧用ダイアフラムの測定レンジが０〜２ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 ，高圧用ダイアフラムの測定レンジが０〜
２０ｋｇｆ／ｃｍ2 とした場合，０〜２ｋｇｆ／ｃｍ2
の圧力の範囲では低圧用ダイアフラムからの信号を出力
し，２．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲の場合は高圧用
ダイアフラムからの信号を出力する。上記の構成におい
て，圧力導入孔６１から被測定流体６１が導入される
と，その圧力は過大圧防止膜５４，５５を撓ませる。そ
の撓みは封液５８を介してそれぞれのダイアフラムを撓
ませ，そのダイアフラム上に形成した歪みゲ―ジにより
圧力に関連したから出力されるが，流体圧力が２ｋｇｆ
／ｃｍ2 を越えた場合は低圧側の過大圧防止膜５４が図
６に示すように撓んで貫通孔５７を封止する。そのた
め，低圧用ダイアフラムには２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上の圧
力が印加されることがない。更に流体圧力が２０ｋｇｆ
／ｃｍ2 を越えた場合には過大圧防止膜５５が同様に撓
んで貫通孔５６を同様に封止する。
の出力のうちいずれかの出力を選択して出力する。即
ち，例えば低圧用ダイアフラムの測定レンジが０〜２ｋ
ｇｆ／ｃｍ2 ，高圧用ダイアフラムの測定レンジが０〜
２０ｋｇｆ／ｃｍ2 とした場合，０〜２ｋｇｆ／ｃｍ2
の圧力の範囲では低圧用ダイアフラムからの信号を出力
し，２．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の範囲の場合は高圧用
ダイアフラムからの信号を出力する。上記の構成におい
て，圧力導入孔６１から被測定流体６１が導入される
と，その圧力は過大圧防止膜５４，５５を撓ませる。そ
の撓みは封液５８を介してそれぞれのダイアフラムを撓
ませ，そのダイアフラム上に形成した歪みゲ―ジにより
圧力に関連したから出力されるが，流体圧力が２ｋｇｆ
／ｃｍ2 を越えた場合は低圧側の過大圧防止膜５４が図
６に示すように撓んで貫通孔５７を封止する。そのた
め，低圧用ダイアフラムには２ｋｇｆ／ｃｍ2 以上の圧
力が印加されることがない。更に流体圧力が２０ｋｇｆ
／ｃｍ2 を越えた場合には過大圧防止膜５５が同様に撓
んで貫通孔５６を同様に封止する。
【００１３】
【発明の効果】以上実施例とともに具体的に説明した様
に，本発明の半導体圧力センサによれば，測定レンジの
異なる圧力センサを同一基板上に複数個設けたので，そ
の出力を選択して使用することにより広いレンジの測定
が可能となるとともに，小形化をはかった半導体センサ
を実現することができる。
に，本発明の半導体圧力センサによれば，測定レンジの
異なる圧力センサを同一基板上に複数個設けたので，そ
の出力を選択して使用することにより広いレンジの測定
が可能となるとともに，小形化をはかった半導体センサ
を実現することができる。
【図１】本発明の半導体圧力センサの請求項１に関する
一実施例を示す断面図である。
一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体圧力センサの請求項２に関する
一実施例を示す断面図である。
一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体圧力センサの請求項３に関する
一製作例を示す工程断面図である。
一製作例を示す工程断面図である。
【図４】本発明の半導体圧力センサの請求項３に関する
他の製作例を示す工程断面図である。
他の製作例を示す工程断面図である。
【図５】本発明の半導体圧力センサの使用例を示す断面
図である。
図である。
【図６】図５における過大圧防止膜の動作例を示す説明
図である。
図である。
【図７】従来の半導体センサの構成を示す縦断面図であ
る。
る。
１ Ｓｉ単結晶基板
２，２´，４，４´ ダイアフラム
３ 穴
１４ 歪みゲ―ジ
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板に形成されたダイアフラムに歪
み検出素子が設けられ，前記ダイアフラムに印加される
流体の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導
体圧力センサにおいて，前記Ｓｉ基板上に膜厚が同一で
面積の異なる複数のダイアフラムを形成するとともに各
ダイアフラムに歪み検出素子を設けたことを特徴とする
半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 Ｓｉ基板に形成されたダイアフラムに歪
み検出素子が設けられ，前記ダイアフラムに印加される
流体の圧力を前記歪み検出素子で検出する様にした半導
体圧力センサにおいて，前記Ｓｉ基板上に厚さの異なる
複数のダイアフラムを形成するとともに各ダイアフラム
に歪み検出素子を設けたことを特徴とする半導体圧力セ
ンサ。 - 【請求項３】ダイアフラムの膜厚は基板上に形成したエ
ピタキシャル成長層と高濃度層の組み合わせとエッチン
グ時間を調整して形成したことを特徴とする請求項２記
載の半導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16187091A JPH0510839A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16187091A JPH0510839A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0510839A true JPH0510839A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15743538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16187091A Pending JPH0510839A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510839A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1306655A1 (en) * | 2000-07-31 | 2003-05-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor |
| US7341243B2 (en) | 2002-11-29 | 2008-03-11 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Liquid-sealed vibration control device |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16187091A patent/JPH0510839A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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