JP2008521241A5 - - Google Patents

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JP2008205436A (ja) * 2007-01-26 2008-09-04 Toshiba Corp 微細構造体の製造方法
KR101868596B1 (ko) 2016-10-10 2018-06-19 (주)아인스 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63128719A (ja) * 1986-11-19 1988-06-01 Nec Corp 終点検出装置
JP2611001B2 (ja) * 1989-07-17 1997-05-21 株式会社日立製作所 終点判定方法および装置
JP2936501B2 (ja) * 1992-01-29 1999-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びこのクリーニング方法
JPH04333230A (ja) * 1991-05-08 1992-11-20 Kokusai Electric Co Ltd プラズマエッチング装置に於けるエッチング終点検出装置
JP3433891B2 (ja) * 1997-07-09 2003-08-04 日鐵住金溶接工業株式会社 P添加薄板鋼用ガスシールドアーク溶接ワイヤおよびmag溶接方法
DE19730644C1 (de) * 1997-07-17 1998-11-19 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Erkennen des Übergangs unterschiedlicher Materialien in Halbleiterstrukturen bei einer anisotropen Tiefenätzung
JP3563949B2 (ja) * 1997-12-19 2004-09-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP2004527117A (ja) * 2001-03-23 2004-09-02 東京エレクトロン株式会社 部分最小自乗を使用したエンドポイント検知方法と装置

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