JPS63128719A - 終点検出装置 - Google Patents
終点検出装置Info
- Publication number
- JPS63128719A JPS63128719A JP27609486A JP27609486A JPS63128719A JP S63128719 A JPS63128719 A JP S63128719A JP 27609486 A JP27609486 A JP 27609486A JP 27609486 A JP27609486 A JP 27609486A JP S63128719 A JPS63128719 A JP S63128719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detecting
- detector
- disc
- processing chamber
- vacuum processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特にプラズマエツチングにお
けるエツチング終了点を検出する装置に関する。
けるエツチング終了点を検出する装置に関する。
従来、この種の終点検出装置は第3図に示すように、電
源9により電極8a、8bの間に発生したプラズマ光を
真空処理室7外に取付けられた検出器1で検出窓2を介
して検出しているが、検出窓2は真空処理室7内に露出
しており、その中の雰囲気にさらされている。10は検
出器1のコントローラである。
源9により電極8a、8bの間に発生したプラズマ光を
真空処理室7外に取付けられた検出器1で検出窓2を介
して検出しているが、検出窓2は真空処理室7内に露出
しており、その中の雰囲気にさらされている。10は検
出器1のコントローラである。
上述した従来の終点検出装置は検出窓2がプロセス中宮
にプラズマエツチングによって発生する反応生成物にさ
らされているため、長時間使用すると、検出窓2に反応
生成物が付着し、必要とする発光スペクトルの透過率が
変化することにより、正確なモニタリングを行うことが
できないという欠点がある。
にプラズマエツチングによって発生する反応生成物にさ
らされているため、長時間使用すると、検出窓2に反応
生成物が付着し、必要とする発光スペクトルの透過率が
変化することにより、正確なモニタリングを行うことが
できないという欠点がある。
本発明の目的は真空処理室内での発光スペクトルを正確
にモニタリングする終点検出装置を提供することにある
。
にモニタリングする終点検出装置を提供することにある
。
上述した従来の終点検出装置に対し、本発明は反応生成
物や反応ガスイオンが検出窓に付着しないように、検出
穴を有する回転円板を用いてこれらの物質を検出窓から
隔離するという独創的内容を有する。
物や反応ガスイオンが検出窓に付着しないように、検出
穴を有する回転円板を用いてこれらの物質を検出窓から
隔離するという独創的内容を有する。
本発明は真空処理室内での発光スペクトルを光学的に検
出器で検出する終点検出装置において、真空処理室に設
けられた検出窓の真空処理室側に該検出窓を遮へいする
円板を回動可能に設け、検出器の光軸と一致する該円板
の半径上に検出穴を設けたことを特徴とする終点検出装
置である。
出器で検出する終点検出装置において、真空処理室に設
けられた検出窓の真空処理室側に該検出窓を遮へいする
円板を回動可能に設け、検出器の光軸と一致する該円板
の半径上に検出穴を設けたことを特徴とする終点検出装
置である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1)
第1図は本発明の実施例1の断面図である。第1図にお
いて、円板4は検出窓2を遮へいするに充分な大きさを
持っており、真空回転導入部5を介してモーター6と接
続され一定の速度で回転する。円板4には検出器1の光
軸と一致する半径上の1点に検出穴3があり、検出器1
は前記検出穴3を通して検出窓2越しに真空処理室7内
のプラズマの発光スペクトルを検出する。
いて、円板4は検出窓2を遮へいするに充分な大きさを
持っており、真空回転導入部5を介してモーター6と接
続され一定の速度で回転する。円板4には検出器1の光
軸と一致する半径上の1点に検出穴3があり、検出器1
は前記検出穴3を通して検出窓2越しに真空処理室7内
のプラズマの発光スペクトルを検出する。
検出°器1でのプラズマ発光スペクトルの検出は円板4
一回転につき1回の割合で行われ、パルス状に入射され
るプラズマからの光を検出器1でとらえる。円板4は真
空処理室7の隔壁7aとわずかなりリアランスを保って
回転し、真空処理室7の雰囲気が円板4の周囲から隔壁
7aとの間に回り込むのを最小限におさえている。さら
に検出穴3の大きさは円板4を回転したときの検出穴3
の軌跡にくらべて非常に小さいため、エツチング中に発
生する反応生成物や反応ガスによって検出窓2が汚染さ
れることが非常に少ない。
一回転につき1回の割合で行われ、パルス状に入射され
るプラズマからの光を検出器1でとらえる。円板4は真
空処理室7の隔壁7aとわずかなりリアランスを保って
回転し、真空処理室7の雰囲気が円板4の周囲から隔壁
7aとの間に回り込むのを最小限におさえている。さら
に検出穴3の大きさは円板4を回転したときの検出穴3
の軌跡にくらべて非常に小さいため、エツチング中に発
生する反応生成物や反応ガスによって検出窓2が汚染さ
れることが非常に少ない。
(実施例2)
第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
電源9によって2つの電極11a、 llb間に作られ
た電界中にガス導入ロアbからガスを導入してプラズマ
を発生させ、電極11aに装着したターゲット12にイ
オンを衝突させることにより、ターゲット12から金属
原子を飛び出させ、金属原子を基板13に付着させるス
パ゛ツタ装置に適用した例である。
た電界中にガス導入ロアbからガスを導入してプラズマ
を発生させ、電極11aに装着したターゲット12にイ
オンを衝突させることにより、ターゲット12から金属
原子を飛び出させ、金属原子を基板13に付着させるス
パ゛ツタ装置に適用した例である。
この実施例では検出穴を有した円板4により金属原子が
検出窓2に付着するのを最小限に抑えることができるた
め、電極11aからの発光スペクトルが正確に検出でき
、ターゲット12の終点を検出することができるという
利点がある。
検出窓2に付着するのを最小限に抑えることができるた
め、電極11aからの発光スペクトルが正確に検出でき
、ターゲット12の終点を検出することができるという
利点がある。
以上説明したように本発明は回転する円板で検出窓を反
応生成物の汚れなどから保護することにより、必要とす
るスペクトルの透過率が変化することなく、正確なモニ
タリングを行うことができ。
応生成物の汚れなどから保護することにより、必要とす
るスペクトルの透過率が変化することなく、正確なモニ
タリングを行うことができ。
エツチングの終点検出精度を向上できる効果がある。
第1図は本発明の実施例1を示す縦断面図、第2図は本
発明の実施例2の縦断面図、第3図は従来の終点検出装
置の使用例を示す縦断面図である。
発明の実施例2の縦断面図、第3図は従来の終点検出装
置の使用例を示す縦断面図である。
Claims (1)
- (1)真空処理室内での発光スペクトルを光学的に検出
器で検出する終点検出装置において、真空処理室に設け
られた検出窓の真空処理室側に該検出窓を遮へいする円
板を回動可能に設け、検出器の光軸と一致する該円板の
半径上に検出穴を設けたことを特徴とする終点検出装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27609486A JPS63128719A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27609486A JPS63128719A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 終点検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63128719A true JPS63128719A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17564718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27609486A Pending JPS63128719A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 終点検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63128719A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008521241A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | セミシスコ・カンパニー・リミテッド | ボッシュプロセスに用いる乾式エッチング装置、乾式エッチング終了点検出装置及びその電気素子の形成方法 |
US9314824B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
CN104217916B (zh) * | 2014-08-20 | 2017-07-28 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀终点探测方法 |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27609486A patent/JPS63128719A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008521241A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | セミシスコ・カンパニー・リミテッド | ボッシュプロセスに用いる乾式エッチング装置、乾式エッチング終了点検出装置及びその電気素子の形成方法 |
US9314824B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-04-19 | Mks Instruments, Inc. | Powder and deposition control in throttle valves |
CN104217916B (zh) * | 2014-08-20 | 2017-07-28 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀终点探测方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6077387A (en) | Plasma emission detection for process control via fluorescent relay | |
US20080097627A1 (en) | Monitoring method of processing state and processing unit | |
KR0147041B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 장치 | |
JPS63128719A (ja) | 終点検出装置 | |
JP3111609B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置 | |
JPH05179467A (ja) | エッチング終点検出方法 | |
US6165334A (en) | Dry etching apparatus | |
EP0562874A1 (en) | Bandpass photon detector for inverse photoemission spectroscopy | |
WO2024103895A1 (zh) | 一种终点检测装置及离子束刻蚀系统 | |
JPH0314775Y2 (ja) | ||
JPH0837175A (ja) | 汚染測定方法 | |
JPS62113425A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4005882B2 (ja) | エッチング装置 | |
JPH01227439A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPS6216515A (ja) | プラズマ装置用監視装置 | |
JPS63148636A (ja) | イオンミリング装置用終点検出機 | |
JPH01227440A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR0132085Y1 (ko) | 광학적 발광 분광법을 이용한 식각물질의 공간적 분포 상태 측정장치 | |
RU2091905C1 (ru) | Устройство для контроля окончания процесса сухого травления | |
JP2908949B2 (ja) | 終点モニタリング装置を備えたイオンビームミリング装置 | |
JPH0343775B2 (ja) | ||
JPH05226296A (ja) | スパッタエッチング装置の異常放電監視方法 | |
JPH07130708A (ja) | エッチング終点検出機構 | |
KR200198456Y1 (ko) | 식각종료점 검출장비의 윈도우 | |
JPH0786258A (ja) | 反応検出装置 |