JPH01227440A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 ゛本発明は、プラズマ処理技術、特に、プラズマにより
実施される処理の進行−ｉ況を検出する技術に関し、例
えば、半導体装置の製造工程比おいて、ウェハにエツチ
ング処理を施すのに利用して有効な技術に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程において、ウェハ上の薄膜に工７
チング処理を施すドライエツチング装置として、上下に
配された平行平板電極の下部電極でウェハｉ保持すると
ともに、両電極間に高周波電ｈ４印加することにより、
両電極間に形成されるプラズマと、処理室に供給される
エツチングガスとによるプラズマ反応、および電界内で
加速されたイオンによってエツチング処理を施すように
構成されているドライエツチング装置がある。

−触に、ドライエツチング装置においては、エツチング
の終点を検出するためのエツチング終点検出装−が設備
されており、この種のエッチング終点検出装置として、
ガスプラズマ中に存在する被エツチング物の状態の変化
と関係づけられた化学種（原子、分子、イオン等）から
の発光線（以下、主発光線という、）の発光強度を検出
するように構成されているものが知られている。

なお、このようなエツチング終点検出装置を述べである
例としては、特開昭５５−５９７２６号公報、および、
特開昭５５−６３８３０号公報がある。

また、ドライエツチング技術を述べである例としては、
株式会社工業調査会発行「電子材料１９８５年１１月号
別冊」昭和６０年１１月２０日発行Ｐ１１９〜Ｐ１２４
、がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

このようなエツチング終点検出装置を備えているドライ
エツチング装置においては、ウェハ上におけるプラズマ
発光の一部分のみを採取するように構成されているため
、回路パターンの微細化に伴ってエツチング面積が減少
したり、プラズマ発光を抑えてエツチング処理する場合
において、エツチング終了時点における測定値の変化が
小さ過ぎて終点の判定が困難になり、その結果、終点検
出精度が低下するという問題点があることが、零　　　
゛−発明者によって明らかにされた。

本発明の目的は、プラズマ処理の進行状況についての検
出精度を向上させることができるプラズマ処理装置を提
供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、被処理物について処理を施すプラズマを生成
するプラズマ生成手段と、プラズマの発光線を測定する
ことにより、プラズマ処理の進行状況を検出する処理進
行状況検出装置とを備えているプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマの発光線を広い領域で集光し、前記処
理進行状況検出装置に導く光学系を設けたものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、プラズマの発光線が広い領域に
おいて集光されることにより、その発光線の変化量は狭
い領域において集光される場合に比べて増大化されるた
め、処理進行状況の判定は実行し易くなり、誤差、また
は、ばらつきが低減され、その結果、検出精度が向上さ
れることになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるマグネトロン放電形ド
ライエツチング装置を示す横断面図、第２図はその縦断
面図、第３図はその作用を説明するための他のドライエ
ツチング装置を示す横断面図、第４図、第５図および第
６図はその作用を説明するための各線図である。

本実施例において、本発明に係るプラズマ処理装置はマ
グネトロン放電形ドライエツチング装置として構成され
ており、このドライエツチング装置は被処理物としての
ウェハｌを処理するための処理室２を構成するチャンバ
３を備えている。チャンバ３はステンレス鋼等から上下
面が閉塞した略円筒形状に形成されており、その側壁に
はウェハ搬入口４およびウェハ搬出口５が互いに離間し
た位置にそれぞれ配されて、ウェハｌを搬入および搬出
し得るように、かつ、ゲートにより開閉されるようにそ
れぞれ開設されている。また、チャンバ３の側壁におけ
る他の箇所には処理ガス供給管６が処理ガスとしてのエ
ツチングガス（例えば、ＣＨＦ３、ＣＦ＝　、ＣＣ１４
等）を供給するように接続されており、供給管６の吹き
出し口であるエツチングガス導入口は後記する平行平板
電極間に、その空間にエツチングガスを導入するように
臨まされている。一方、チャンバ３の底壁には処理室２
内を排気するための排気ロアが開設されており、排気ロ
アは真空排気手段（図示せず）に接続されている。

処理室２内の上部および下部には一対の電極が互いに平
行平板電極を構成するようにそれぞれ水平に配設されて
おり、この平行平板電極によりプラズマ生成手段が実質
的に構成されている。一方の上部電極８はチャンバ３に
絶縁材料からなるホルダ９により固定的に吊持されてお
り、上部電極８はアースに接続されている。

他方の下部電極ｌＯはチャンバ３の底壁に絶縁体１２を
介して挿入された支軸１１により支持されており、下部
電極１０には高周波電源１３が支軸１１を介してカソー
ド結合されている。下部電極ｌＯはその上面においてウ
ェハｌを載置状態に保持し得るように形成されている。

したがって、下部電極１０により被処理物としてのウェ
ハｌを載置されて保持するための処理ステージが実質的
に構成されている。また、下部電極１０にはガイド孔１
４が複数本、同心円上において周方向に等間隔に配され
て垂直方向に開設されており、各ガイド孔１４には支持
ピン１５が摺動自在にそれぞれ挿通されている。支持ピ
ン１５はチャンバ３の底壁に摺動自在に挿通されており
、チャンバ３の外部に設置されたシリンダ装置等のよう
な適当な手段（図示せず）により上下動されるように構
成されている。

チャンバ３の天井壁には回転軸１６が画電極の中心線上
において処理室２内に挿入されて回転自在に支承されて
おり、回転軸１６はチャンバ３の外部に設置された回転
手段としてのモータ１７により回転駆動されるようにな
っている。そして、回転軸１６の挿入端部には偏心軸１
８が平行に配されて、連結ロッド１８ａを介して回転軸
と一体回転するように固定されており、偏心軸１８の下
端にはマグネット保持プレート１９が同心的に配されて
水平に吊持されている。保持プレート１９にはマグネッ
ト２０が保持されており、マグネット２０は画電極８お
よび１０間に形成されるプラズマ２５をその磁界によっ
て拘束することにより、その密度を部分的に高めるよう
に構成されている。

マグネット保持プレート１９が偏心回転されるのに伴っ
て、マグネット２０によってその密度を部分的に高めら
れたプラズマ２５は偏心回転されるようになっている。

回転軸１６には同期信号を発生するための同期信号発生
装置２１が設備されている。すなわち、回転軸１６には
円板形状に形成されたスリット板２２が同心的、かつ、
直角に配されて一体回転するように固着されており、ス
リット板２２の外周には一対のスリット２３が中心を挟
んで互いに対峙する位置に配されて開設されている。ス
リット板２２の近傍には同期信号発生源としてのホトセ
ンサ２４が後記するエツチング終点検出装置と直交する
位置に配されて設備されており、ホトセンサ２４はスリ
ット２３の位置を検出するように構成されている。ホト
センサ２４は後記するエツチング終点検出装置のコント
ローラに接続されており、その検出結果をコントローラ
に送信するように構成されている。

チャンバ３の側壁外部には処理進行状況検出装置として
のエツチング終点検出装置３０が設備されており、チャ
ンバ３の側壁には検出窓３１が設けられている。すなわ
ち、チャンノで３の側壁には窓孔３２がウェハ搬入口４
およびウェハ搬出口５と干渉しない位置であって、前記
同期信号発生装置２１におけるホトセンサ２４と直交す
る位置に配されて開設されており、窓孔３２には石英ガ
ラス等からなる透明部材３３が嵌め込まれている。

検出窓３１の外側には光学フィルタ３４が凹レンズ３５
および光学絞り３６を介して配設されており、この光学
フィルタ３４は所定の主発光線についての波長、すなわ
ち、本実施例においては、−酸化炭素（Ｃｏ）のスペク
トル波長に相当する５６１ｎｍまたは４８４ｎｍの波長
のみを透過するように構成されている。プラズマの発光
線を広い領域で集光する光学系としての凹レンズ３５は
ウェハｌ上面全領域をカバーするように構成されている
。光学フィルタ３４の光学的後方には光学フィルタ３４
を透過した主光線を受光する受光器３７が配設されてお
り、この受光器３７は受光量を測定し、測定量に対応し
た電気信号を平滑化処理部３８に送信するように構成さ
れている。平滑化処理部３８にはエツチング終点判定部
３９が接続されており、終点判定部３９は平滑化信号の
出力値が予め設定された設定値以下になった時に終点と
判定するように構成されている。

また、このエツチング終点検出装置３０はコンピュータ
等から構成されているコントローラ４０を備えており、
コントローラ４０はエツチング終点判定部３９をして平
滑化処理部３８からの電気信号に基づきエツチング終点
を判定させるように構成されている。また、コントロー
ラ３０は前記同期信号発生装置２１におけるホトセンサ
２４からの検出結果に基づき、平滑化処理部３８をして
後述するようなサンプリン作動を実行させるようになっ
ている。

次に作用を説明する。

被処理物としてのウェハ１の処理室２への搬入時、支持
ピン１５が駆動装置により上昇されると、ウェハ１が保
持アーム等のような適当な保持手段（図示せず）により
保持されて支持ピン１５上に載置される。続いて、支持
ピン１５が下降されることにより、ウェハ１は処理ステ
ージとしての下部電極１０上に移載される。

次いで、チャンバ３の搬入口４と搬出口５とが閉じられ
た後、処理室２内が排気ロアにより排気されると、上部
電極８および下部電極１０間に高周波電力が高周波電源
１３により印加されるとともに、マグネット保持プレー
ト１９がモータ１７により回転軸１６、連結ロッド１８
ａおよび偏心軸１８を介して偏心回転される。これによ
り、上部電極８と下部電極１０との間の空間にプラズマ
２５が生成されるとともに、プラズマ２５はプレート１
９に保持されたマグネット２０の磁界によりその密度を
部分的に高められる。かつまた、プレート１９が偏心回
転されるため、これと一体回転するマグネット２０の磁
界に拘束されてその密度を部分的に高められたプラズマ
２５は、第２図に示されているように、ウェハ１に対し
て偏心回転されることになる。

このように生成されたプラズマ２５が安定したところで
、処理ガス供給路６にエツチングガス（例えば、ＣＨＦ
、　、ＣＦ、　、ＣＣ１，等）が供給されてその吹出口
から吹き出される。これにより、プラズマエツチング反
応およびイオンスパッタリングが惹起され、ウェハ１上
に被着されたレジスト（図示せず）と下地（例えば、５
ｉ０３）との選択比により所望のエツチング処理が施さ
れる。このとき、マグネット２０の磁界によりプラズマ
２５はその密度が局所的に集中されているため、エツチ
ング処理がきわめて効果的に実行されるとともに、プラ
ズマ２５が集中された箇所が偏心回転されるため、エツ
チング処理がウェハ１全面にわたって均一に実行される
ことになる。

所望のエンチング処理の終了が、エツチング終点検出装
置３０による後述する作用により確認されると、処理室
２内が安全な雰囲気に設定された後、チャンバ３のウェ
ハ搬出口５が開けられ、支持ピン１５が上昇されること
により、ウェハ１が支持ピン１５上に移載される０次い
で、処理済みのウェハ１は適当なハンドラにより保持さ
れて搬出口５から搬出されて行く。

以降、前記作動が繰り返されることにより、ウェハ１に
ついてのドライエツチング処理が枚葉処理されて行く。

次に、エツチング終点検出装置３０によるエツチング終
点検出作動について説明する。

今、エツチングガスとして、ＣＨＦ５を用いてレジスト
に被覆された下地としてのＳｉｎ、をエツチング処理す
る場合、次式のような化学反応によりＣＯが発生する。

ＣＨＦ５＋ＳｉＯ□→Ｃｏ　＋Ｓ　ｉ　Ｆ４　＋ＨＩ　
ＯこのＣＯはＳ１０．のエツチング処理が終了すると、
急激に低下するため、このＣＯの変化をそのスペクトル
光により測定すれば、エツチングの終了時点を検出する
ことができる。

そして、エツチング処理中、ＣＯのスペクトル光は主発
光線として受光器３７により検出窓３１、凹レンズ３５
、絞り３６およびフィルタ３４を介して測定される。受
光器３７の検出信号は電気信号として平滑化処理部３８
に送信される。平滑化処理部３日においては、後述する
ような作用により、第５図に破線で示されているような
平滑化信号４２が作成され、この信号がエツチング終点
判定部３９に送信される。この判定部３９においては、
その信号の出力値が予め設定された設定値以下になった
時に、エツチング処理の終了時点であると判定され、そ
の判定結果はコントローラ４０に送信される。コントロ
ーラ４０はこの判定結果に基づき高周波電源１３の出力
停止等により、エツチング処理を終了させる。

ところで、一般的なエツチング終点検出装置３０′は、
第３図に示されているように、プラズマ２５の主光線を
狭い範囲で採光するように構成されている。このような
エツチング終点検出装置がマグネトロン放電形ドライエ
ツチング装置に使用された場合、エツチング終点検出装
置３０．′における受光器３７′からの出力波形は、第
４図に示されているように、ハンチング現象を発生する
。

このハンチング現象はエツチング終点検出装置３０′が
チャンバ３の側壁の１カ所に設置されているとともに、
マグネトロン放電形ドライエツチング装置においては前
述したように、その密度が部分的に高いプラズマが偏心
回転されるために発生する。すなわち、プラズマ密度の
高い部分がエツチング終点検出装置３０′に接近した時
に受光器３７′における出力が高くなり、それが離反し
た時、および狭い採光領域からはみ出した時に出力が低
くなる。

ところで、このハンチング波形４１′を平滑化する方法
としては、第４図（ａ）に示されているように、ハンチ
ング波形４１’のピーク値Ａ＋　、Ａｍ、Ａｓを順次サ
ンプリングして平滑化する方法と、第４図（ロ）に示さ
れているように、ハンチング波形４１′のボトム値Ｂｔ
　、Ｂｚ　、Ｂ、を順次サンプリングして平滑化する方
法と、第４図（Ｃ）に示されているように、ハンチング
波形４１′の平均値Ｃ１、Ｃヨ、Ｃ８を順次サンプリン
グして平滑化する方法とが、一般的に考えられる。

しかし、このような平滑化方法においては、平滑化のた
めにハンチングの１周期に相当する時間Ｔが必要になる
ため、１周期時間Ｔの範囲内において終点検出時点に最
大１時間の遅れ、または、ばらつき等の誤差が発生し、
その結果、エツチング処理の精度低下が発生する。

例えば、偏心回転が約２Ｑｒｐｍである場合、ハンチン
グ波形における１周期の時間Ｔは約３秒となり、Ｓｉｎ
ｇについてのエツチング速度が１秒間当たり約８０人で
あると、最大１周期分の時間３秒間の遅れにより、最大
約２４０人のエツチング量の過不足、または、各ウェハ
相互間においてその範囲内でエツチング量のばらつきが
発生することになる。

そこで、本実施例においては、第５図に示されているよ
うに、平滑化のためのサンプリング時間をハンチング波
形４１の１周期時間の半分（１／２×Ｔ）に設定するこ
とにより、エツチング処理の精度低下が抑制される。

すなわち、ハンチング現象が依存するプラズマ２５の偏
心回転はモータ１７の駆動によるため、回転軸１６に固
着されたスリット板２２の回転はハンチング波形４１に
同期していることになる。

したがって、ホトセンサ２４がスリット板２２の一対の
スリット２３を検出することにより、ハンチング波形４
１に１／２周期をもって同期した信号４３が得られるこ
とになる。この同期信号はホトセンサ２４からコントロ
ーラ４０に送信される。

第６図に示されているように、コントローラ４０は同期
信号４３をサンプリング信号として使用することにより
、平滑化処理部３８において、サンプリング信号４３の
発生時におけるハンチング波形４１の出力値を順次採取
せしめる。これにより、第５図に破線で示されているよ
うな平滑化信号４２が得られる。

そして、この平滑化信号４２１よハンチング波形４１に
対して１／２Ｔ時間の周期をもってサンプリングされて
いるため、最大検出遅れ時間は、１／２Ｔ時間に抑制さ
れることになる。したがツ下、前述した例の場合につい
てのエツチング量の誤差、または、ばらつきは最大約１
２０人になり、前述の半分に低減されることになる。

ここで、本発明に係るエツチング終点検出装置３０にお
いては凹レンズ３５がウェハ１全面の領域にわたって集
光するように、プラズマ２５と受、光器３７との間に介
設されているため、プラズマ２５の主発光線はプラズマ
２５の偏心回転にかかわらず、常に全体的に集光される
ことになる。したがって、偏心回転するプラズマ２５の
エツチング終点検出装置３０に対する位置関係による影
響が減少されるため、プラズマ２５の偏心回転によって
発生するハンチング波形４１の振幅りは、第４図に示さ
れている場合におけるハンチング波形４１″の振幅Ｄ′
に比べて、第５図に示されているように、抑制されるこ
とになる。ハンチング波形４１の振幅りが小さく抑制さ
れることにより、前記した平滑化処理の精度が一層高め
られ、要求される精度の厳格性の条件等、場合によって
は平滑化処理を省略することも可能になる。

そして、凹レンズ３５によりプラズマ２５の主発光線が
常に全体に集光されることにより、エツチング終点時に
おける平滑化信号４２の変化量は、第３図に示されてい
るような狭い範囲で採光される場合に比べて、温かに増
大化される。すなわち、エツチング処理が終点に達した
時、ｃｏの発生が急激に減少するが、この減少量はウェ
ハ全域において最大になるため、ＣＯからの主発光線を
ウェハの全領域について集光することにより、その減少
時点を最も明確に確定することができる。

このようにして、本実施例においては、第５図に示され
ているように、平滑化信号４３の終点時における変化量
がきわめて大きく、かつ、急峻に現れるため、エツチン
グ終点判定部３９における終点判定が容易、かつ、精度
よく実行されることになる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　プラズマの発光線を測定することにより、プ
ラズマ処理の進行状況を検出する処理進行状況検出装置
を備えているプラズマ処理装置において、プラズマの発
光線を広い領域で集光し、前記処理進行状況検出装置に
導く光学系を設けることにより、前記処理進行状況検出
装置におけるプラズマの発光線の光量変化を増大化させ
ることができるため、処理進行状況検出の精度を高める
ことができる。

（２）プラズマの発光線を測定することにより、エツチ
ングの終点を検出するエツチング終点検出装置を備えて
いるドライエツチング装置において、凹レンズをプラズ
マの発光線を広い領域で集光し、エツチング終点検出装
置に導くように設けることにより、エツチング終点時に
おけるプラズマの発光線の光量変化を増大化させること
ができるため、エツチング終点検出精度を高めることが
できる。

（３）マグネトロン放電形ドライエツチング装置におい
て、凹レンズをプラズマの主発光線をウェハ全域にわた
って集光するように設けることにより、プラズマの偏心
回転によるハンチング波形の振幅を抑制させることがで
きるため、平滑化処理を省略ないしは簡単化させること
ができ、その結果、エツチング検出精度を一層高めるこ
とができる。

（４）マグネトロン放電形ドライエツチング装置におい
て、マグネットを偏心回転させる回転軸に同期信号発生
手段を設け、この手段からの信号を、エツチング終点検
出装置において平滑化処理部のサンプリング信号として
使用することにより、エツチング終点検出における最大
誤差、または、ばらつきを抑制することができるため、
エツチング量の過不足、または、各被処理物相互間のエ
ツチング量のばらつきを抑制させることができる。

（５）　　エツチングの終点精度を高めて、エツチング
量の過不足、およびばらつきを抑制することにより、エ
ツチング精度の低下を抑制することができるため、製品
の品質および信頼性を高めることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、プラズマの発光線を集光し、処理進行状況検出
装置に導（光学系としては、凹レンズをプラズマと、処
理進行状況検出装置との間に介設して成る構成を使用す
るに限らず、第７図または第８図にそれぞれ示されてい
る構成を使用してもよい。

すなわち、第７図において、検出窓３１Ａは比較的大き
く開放するように形成されており、この検出窓３１Ａの
後方には凸レンズ３５Ａが検出窓３１Ａからの採光が受
光器３７Ａに小さい面積で集光されるように設置されて
いる。

本実施例２においては、凸レンズ３５Ａがウェハｌ上面
の略全域をカバーすることができるため、前記実施例１
と略同様な作用および効果を得ることができる。

また、第８図において、検出窓３１の反対側には光学系
としての凹面鏡３５Ｂが配置されており、この凹面鏡３
５Ｂはウェハｌ上面全域カバーして主光線を反射し検出
窓３１内へ集光するように構成されている。

本実施例においては、ウェハｌ上面全域の主光線が凹面
＊３５Ｂにより反対されて受光器３７に集光されるため
、前記実施例１七′略同様な作用および効果を得ること
ができる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその前景となった利用分野であるマグネトロン放電形
ドライエツチング装置に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、他のドライエツチ
ング装置は勿論、プレーナマグネトロンスパッタリング
装置等のようなプラズマ処理装置全般に適用することが
できる。

特に、プラズマにより微細加工され、かつ、プラズマに
よる処理の進行状況を精密に検出する必要性がある場合
に適用して優れた効果が得られる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

プラズマの発光線を測定することにより、プラズマ処理
の進行状況を検出する処理進行状況検出装置を備えてい
るプラズマ処理装置において、プラズマの発光線を広い
領域で集光し、前記処理進行状況検出装置に導（光学系
を設けることにより、前記処理進行状況検出装置におけ
るプラズマの発光線の光量変化を増大化させることがで
きるため、処理進行状況検出の精度を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるマグネトロン放電形ド
ライエツチング装置を示す横断面図、第２図はその縦断
面図、 第３図はその作用を説明するための他のドライエツチン
グ装置を示す横断面図、 第４図、第５図および第６図はその作用を説明するため
の各線図、 第７図および第８図は光学系の変形例を示す各横断面図
である。 ｌ・・・ウェハ（被処理物）、２・・・処理室、３・・
・チャンバ、４・・・ウェハ搬入口、５・・・ウェハ搬
出口、６・・・エツチングガス供給路、７・・・排気口
、８・・・上部電極、９・・・ホルダ、１０・・・下部
電極、１１・・・支軸、１２・・・絶縁物、ｉ３・・・
高周波電源、１４・・・ガイド孔、１５・・・支持ピン
、１６・・・回転軸、１７モータ、１８・・・偏心軸、
１８ａ・・・連結ロッド、１９・・・マグネット保持プ
レート、２０・・・マグネット、２１・・・同期信号発
生装置、２ｋ・・・スリット板、２３・・・スリット、
２４・・・ホトセンサ（同期信号発生源）、２５・・・
プラズマ、３０・・・エツチング終点検出装置（処理進
行状況検出装置）、３１．３１Ａ・・・検出窓、３２・
・・窓孔、３３・・・透明部材、３４・・・光学フィル
タ、３５・・・凹レンズ（光学系）、３５Ａ−・・凸レ
ンズ（光学系）、３５Ｂ・・・凹面鏡（光学系）、３６
・・・光学絞り、３７・・・受光器、３８・・・平滑化
処理部、３９・・・エツチング終点判定部、４０・・・
コントローラ、４１・・・ハンチング波Ｌ４２・・・平
滑化信号、４３・・・サンプリング信号。 代理人　弁理士　梶　　原　　辰　　也味　　　　　　
　　　　城 Ｃ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、被処理物について処理を施すプラズマを生成するプ
   ラズマ生成手段と、プラズマの発光線を測定することに
   より、プラズマ処理の進行状況を検出する処理進行状況
   検出装置とを備えているプラズマ処理装置であって、前
   記プラズマの発光線を広い領域で集光し、前記処理進行
   状況検出装置に導く光学系を備えていることを特徴とす
   るプラズマ処理装置。 ２、光学系が凹レンズであり、この凹レンズがプラズマ
   と処理進行状況検出装置との間に介設されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装
   置。 ３、光学系が凸レンズであり、この凸レンズがプラズマ
   と処理進行状況検出装置との間に介設されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装
   置。