JP2008504714A - 基板を洗浄及びエッチングするシステム及び方法 - Google Patents

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021535604A (ja) * 2018-09-04 2021-12-16 東京エレクトロン株式会社 ウェットエッチングのための光子的に調整されたエッチング液の反応性
JP2022515349A (ja) * 2018-12-14 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 照射されたエッチング溶液を使用した材料の粗さ低減方法
JP2022515350A (ja) * 2018-12-14 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 照射されたエッチング溶液を使用して材料の粗さを低減するための処理システム及びプラットフォーム
US12112959B2 (en) 2018-09-04 2024-10-08 Tokyo Electron Limited Processing systems and platforms for roughness reduction of materials using illuminated etch solutions

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010236088A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Hitachi High-Technologies Corp マスク部材のクリーニング装置及びクリーニング方法並びに有機elディスプレイ
US20130068264A1 (en) * 2011-09-21 2013-03-21 Nanya Technology Corporation Wafer scrubber apparatus
KR101992422B1 (ko) * 2012-08-14 2019-06-24 주식회사 동진쎄미켐 광분해 고도산화공정을 이용한 금속막의 연마 장치 및 방법
KR102095084B1 (ko) * 2013-11-11 2020-03-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 자외선 처리를 이용하여 금속 하드마스크의 제거를 강화시키는 시스템 및 방법
KR102166974B1 (ko) * 2013-11-11 2020-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 후 폴리머의 제거 및 하드마스크 제거의 향상을 위한 방법 및 하드웨어

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512123A (en) * 1992-05-19 1996-04-30 Maxwell Laboratories Method for using pulsed optical energy to increase the bondability of a surface
US5782986A (en) * 1996-01-11 1998-07-21 Fsi International Process for metals removal using beta-diketone or beta-ketoimine ligand forming compounds
US6631726B1 (en) * 1999-08-05 2003-10-14 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Apparatus and method for processing a substrate
US6503464B1 (en) * 1999-08-12 2003-01-07 Sipec Corporation Ultraviolet processing apparatus and ultraviolet processing method
JP3961240B2 (ja) * 2001-06-28 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021535604A (ja) * 2018-09-04 2021-12-16 東京エレクトロン株式会社 ウェットエッチングのための光子的に調整されたエッチング液の反応性
JP7357845B2 (ja) 2018-09-04 2023-10-10 東京エレクトロン株式会社 ウェットエッチングのための光子的に調整されたエッチング液の反応性
US12112959B2 (en) 2018-09-04 2024-10-08 Tokyo Electron Limited Processing systems and platforms for roughness reduction of materials using illuminated etch solutions
JP2022515349A (ja) * 2018-12-14 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 照射されたエッチング溶液を使用した材料の粗さ低減方法
JP2022515350A (ja) * 2018-12-14 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 照射されたエッチング溶液を使用して材料の粗さを低減するための処理システム及びプラットフォーム
JP7573188B2 (ja) 2018-12-14 2024-10-25 東京エレクトロン株式会社 照射されたエッチング溶液を使用して材料の粗さを低減するための処理システム及びプラットフォーム

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