JP2008502157A - ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術 - Google Patents

ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術 Download PDF

Info

Publication number
JP2008502157A
JP2008502157A JP2007515597A JP2007515597A JP2008502157A JP 2008502157 A JP2008502157 A JP 2008502157A JP 2007515597 A JP2007515597 A JP 2007515597A JP 2007515597 A JP2007515597 A JP 2007515597A JP 2008502157 A JP2008502157 A JP 2008502157A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
droplets
volume
pattern
region
spaced
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007515597A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4792028B2 (ja
Inventor
ラド,パンカジ・ビイ
マックマッキン,イアン・エム
トルスケット,ヴァン・エヌ
シューメーカー,ノーマン・イー
スリニーヴァッサン,シトルガタ・ヴイ
ヴォーズ,ドゥアン
シューメーカー,フィリップ・ディ
フレッチャー,エドワード・ビイ
Original Assignee
モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド filed Critical モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
Publication of JP2008502157A publication Critical patent/JP2008502157A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4792028B2 publication Critical patent/JP4792028B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J3/00Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed
    • B41J3/28Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed for printing downwardly on flat surfaces, e.g. of books, drawings, boxes, envelopes, e.g. flat-bed ink-jet printers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Abstract

本発明は、一定の全容積の液体を基板上に分配する方法であって、とりわけ、各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる液滴を基板のある領域上に配置するステップを含み、その領域内の液滴の合計容積がその領域に形成しようとするパターンの容積の関数である方法である。

Description

本発明は、広義には、インプリントリソグラフィの技術分野に関するものである。より詳しくは、本発明は、インプリントリソグラフィプロセスにおいてテンプレートのフィーチャを埋めるのに必要な時間を短縮するよう基板上に一定の容積の液体を分配する方法に関する。
超微細加工技術は、例えば、マイクロメートル台以下のフィーチャを設けるなど、非常に小さな構造の作製技術を伴う。超微細加工技術が大きな影響を及ぼしてきたひとつの分野に、集積回路の加工技術がある。半導体加工工業が、基板上に形成する単位面積当たりの回路数を増やしながらより高い製造歩留まりを達成しようと懸命な努力を続ける中にあって、超微細加工技術はますます重要になって来つつある。超微細加工技術は、より優れたプロセス制御をもたらす一方で、基板に形成される構造の最小フィーチャサイズのより大幅な縮小を可能にする。超微細加工技術が採り入れられている他の開発分野としては、バイオテクノロジー、光技術、機械システム等がある。
典型的な超微細加工技術として、Willsonらに与えられた米国特許第6,334,960号記載の技術がある。この特許で、Willsonらは構造中にレリーフ像を形成する方法を開示している。この方法は、転写層を有する基板を設けるステップを含む。そして、転写層を重合可能な流体組成物で被覆する。重合可能な流体にモールドを機械的に接触させる。モールドはレリーフ構造を持ち、そのレリーフ構造に重合可能な流体組成物を埋める。次に、重合可能な流体組成物を固化条件と重合条件に曝すことによって、モールドのレリーフ構造と相補形のレリーフ構造を持つ固化ポリマー材層を転写層上に形成する。そして、固化ポリマー材からモールドを分離させて、モールドのレリーフ構造の複製構造を固化ポリマー材に形成したものを得る。次に、転写層と固化ポリマー材層を固化ポリマー材層に対して転写層を選択的にエッチングするための環境に曝すことによって、転写層にレリーフ像を形成する。このような従来の技術による必要時間と最小フィーチャサイズは、とりわけ、重合可能な流体材料の組成によって決まる。
したがって、現在、インプリントリソグラフィ・テンプレートのフィーチャを埋めるのに必要な時間を短縮する技術を提供することが要望されている。
本発明は、液体の全容積を基板上に分配する方法であって、とりわけ、各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる液滴を基板のある領域上に配置するステップを含み、その領域内の液滴の合計容積がその領域に形成しようとするパターンの容積の関数である方法を提供するものである。これらおよびその他の実施態様について、以下より詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態のリソグラフィシステム10を斜視図で示し、図示システムは、互いに相隔たる一対のブリッジ状のサポート12とこれらのサポート間に渡したブリッジ14と支持台16を備えている。ブリッジ14と支持台16とは互いに相隔たる。ブリッジ14にはインプリントヘッド18を取り付け、このインプリントヘッドはブリッジ14から支持台15に向けて突き出ており、2軸方向に移動可能である。支持台16上にインプリントヘッド18に対向させて、移動台20が配設してある。移動台20は、支持台16に対してX軸、Y軸方向に移動可能に構成する。当然理解されるように、インプリントヘッド18は、X軸、Y軸沿いに、またZ軸沿いにも移動することが可能であり、移動台20もX軸、Y軸沿いに移動可能である上、Z軸沿いにも移動可能である。典型的な移動台としては、2002年7月11日出願の「ステップ・アンド・リピートインプリント・リソグラフィシステム(Step and Repeat Imprint Lithography Systems)」という名称の米国特許出願第10/194,414号に開示された移動台がある(なお、同特許出願は本願譲受人に譲渡されており、その全体を参照により本願に援用する)。システム10には、化学線を移動台20に入射させるための放射線源22が結合されている。図示のように、放射線源22は、ブリッジ14に取り付けられ、放射線源22に接続された発電機23を含む。システム10の動作は、通常、これとデータ通信するプロセッサ25によって制御する。
図1、2において、インプリントヘッド18には、モールド28を有するテンプレート26が取り付けられている。モールド28は、互いに相隔たる複数の凹部28aと凸部28bによって画成される複数のフィーチャを備える。これらの複数のフィーチャは、移動台20に載置された基板30に転写する原パターンである。そのために、インプリントヘッド18または移動台20あるいはこれらの両方によってモールド28と基板30との間の「距離d」を変える。このようにして、モールド28上のフィーチャは基板30の流動性領域にインプリントされる。これについて以下にさらに詳しく説明する。放射線源22は、モールド28が放射線源22と基板30との間となる位置に配置される。それ故、モールド28は、放射線源22より発生する放射線に対して実質的に透過性を持つ材料で作製される。そのため、モールド28は、水晶、溶融石英、シリコン、サファイヤ、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ素樹脂あるいはこれらの組合せを含む材料で形成される。さらに、テンプレート26も、金属のみならず上記のような材料で形成することができる。
図2、3において、インプリント層34のような流動性領域は、基板30の輪郭が実質的に平面である面32の部分に配置する。一つの典型的な流動性領域は、基板30上に材料36aの互いに相隔たる複数の離散状液滴36として被着したインプリント層34で構成され、これについて以下にさらに詳しく説明する。液滴36を被着するための典型的なシステムとしては、2002年7月9日出願の「液体を分配するためのシステムおよび方法(System and Method for Dispensing Liquids)」という名称の米国特許出願第10/191,749号に開示されたシステムがある(なお、同特許出願は本願譲受人に譲渡されており、その全体を参照により本願に援用する)。インプリント層34は、原パターンをインプリント層に記録し、記録パターンを形成することが可能な材料36aで形成するために、選択的に重合され、架橋される。材料36aの典型的な組成物としては、2004年2月27日出願の「ケイ素含有材料からなるエッチングマスク用組成物(Composition for an Etching Mask Comprising a Silicon-Containing Material)」という名称の米国特許出願第10/789,319号に開示された組成物がある(同特許出願はその全体を参照により本願に援用する)。図4に示すように、材料36aは多くの箇所36bで架橋されて、架橋ポリマー材36cを形成する。
図2、3、5に示すように、インプリント層34に記録されたパターンは、部分的には、モールド28との機械的接触によって作り出される。そのためには、距離「d」を縮めてインプリント液滴36をモールド28と機械的に接触させ、液滴36を押し広げることによって、基板の面32の全体を材料36aが覆う連続した構造を持つインプリント層34を形成する。一実施形態においては、距離「d」を縮めることによってインプリント層34の小部分34aを凹部28aに入り込ませ、そこを埋めさせる。
凹部28aを埋めやすくするために、材料36aは、面32を材料36aの連続構造で覆いかつ完全に凹部28aを埋めるのに必要な特性を有する。この実施形態においては、所望の距離(通常は最小距離)「d」に達すると、凸部28bと重なるインプリント層34の小部分34bが残り、結局小部分34aは厚さt1として、小部分34bは厚さt2として残る。厚さt1とt2は、用途に応じて任意の所望の厚さとすることができる。通常、t1は、図5により詳しく示すように、t1−t2≦3μとなるよう選択する。小部分34bは、通常、残留層と称する。
図2、3、4を参照して、所望の距離「d」になったならば、放射線源22から材料36aを重合させ、架橋させる化学線を照射して、架橋ポリマー材36cを形成する。結果として、インプリント層34の組成物は、材料36aから固体の架橋ポリマー材36cに転化する。具体的に言うと、図5に比較的明確に示すように、架橋ポリマー材36cは固化して、インプリント層34の面34cをモールド28の面28cの形状と合致する形状にする。インプリント層34が、図4に示す架橋ポリマー材36cに転化したならば、図2に示すインプリントヘッド18を距離「d」が大きくなる向きに移動させて、モールド28とインプリント層34とを引き離す。
図5において、基板30のパターニングを完成させるために、さらに他の処理を行うことが可能である。例えば、基板30とインプリント層34をエッチングしてインプリント層34のパターンを基板30に転写し、パターン化面を得ることができる。エッチングを容易にするため、インプリント層34を形成する材料をいろいろ変えることにより、基板30に対する相対エッチング速度を所望の通りに設定することも可能である。
図2、3、6を参照して、ナノメートル台のフィーチャ、例えば凹部28aや凸部28b等を非常に高密度で有するモールドの場合、モールド28と重なる基板30の領域40の全面を覆うように液滴36を押し広げて凹部28aを埋める作業は、長い時間が必要な場合があり、これによってインプリントプロセスのスループットが低下することがある。インプリントプロセスのスループットを高めやすくするために、液滴36は、基板30の全面にわたって押し広げかつ凹部28aを埋めるのに必要な時間を最小にするよう分配する。液滴36をS1とS2として示す相隣る液滴36間の間隔が最小となるように二次元行列アレイ42として分配することによって行われる。図示のように、この例の場合、行列アレイ42の液滴36は、6行m1〜m6と6列n1〜n6として配列させる。しかしながら、液滴36は、基板30上で実際上どのような二次元配列にすることも可能である。ここで求められるのは、インプリント層34を形成するのに必要な材料36aの全容積をVtとして、行列アレイ42中の液滴36の数を最大にすることである。これは、相隣る液滴36間の間隔S1とS2を最小にすることでもある。さらに、液滴の部分集合中の各液滴36の材料36aの量はそれぞれに対応した実質的に同一の量、すなわち規定の単位容積Vuであることが望ましい。これらの基準条件に基づいて、行列アレイ42中の液滴36の総数nは次式で求められる。
n=Vt/Vu (1)
式中、VtとVuの意味は上に定義した通りである。ここで、液滴36の総数nが次式で定義される液滴36の正方行列アレイを仮定する。
n=n1×n2 (2)
式中、n1は第1の方向に数えた液滴数であり、n2は第2の方向に数えた液滴数である。第1の方向、すなわち一次元で相隣る液滴36間の間隔S1は次式で求められる。
1=L1/n1 (3)
式中、L1は領域40の第1の方向の長さである。同様にして、上記第1の方向を横切る第2の方向で相隣る液滴36間の間隔S2は次式で求められる。
2=L2/n2 (4)
式中、L2は領域40の第2の方向の長さである。
材料36aの各液滴36に対応した単位容積が分配装置によって決まることを考慮すると、上記間隔S1とS2は液滴36を形成するために使用する液滴分配装置(図示省略)の分解能、すなわち動作制御によって左右されるということが分かる。詳しく言うと、分配装置(図示省略)は、液滴36を精密に制御できるように、各液滴36に最小量の材料36aを備えることが望ましい。このようにして、各液滴36中の材料36aを移動させなければならない領域40上の面積が最小になる。これによって、凹部28を埋め、かつ材料36aの連続層で基板を覆うのに必要な時間が短縮される。
液滴36の分配は、基板30の全面に材料を一回で供給するか、または米国特許出願第10/194,414号開示のフィールド・ツー・フィールド分配法(これは米国特許出願公開公報第2004/0008334号記載の発明である)、あるいはこれら2つの方法の組合せによって達成することができる。そのためには、ピエゾインクジェットベースの技術またはマイクロソレノイドベースの技術による分配システムを使用することが可能である。その結果、分配システムは、材料36aを分配するのにシングルノズルでも、リニアノズルアレイでも、あるいは方形ノズルアレイでも使用することができ、リニアノズルアレイや方形ノズルアレイではノズル数が100を超える。これらのノズルアレイのノズルは、最高4kHzで分配動作を行うことができる。ノズルアレイのノズルは、オン・オフ容積制御機能付きあるいはグレースケール容積制御機能付きのものが入手可能であり、グレースケール容積制御機能付きのものでは、容積1〜42ピコリットル(pL)の液滴を分配することができる。フィールド・ツー・フィールド分配法を用いる場合は、ノズルアレイの各ノズルは、実質的に同じ組成物の材料36aを分配することができるが、他の実施形態においては、ノズルアレイの各ノズルが異なる組成物の材料36aを分配するようにすることも可能である。
インクジェットノズルの例としては、英国ケンブリッジに本拠を置くザール・コーポレーション(Xaar Corporation)より入手可能なOmnidotや、米国ニューハンプシャー州レバノンに本部を置くディマトリクス・コーポレーション(Dimatix Corporation)の一部門であるスペクトラ(Spectra)社から入手可能なインクジェットノズルを用いることができる。典型的なノズルアレイとしては、126ノズルを備えたマルチジェットノズルシステムがあり、これは上記ザール・コーポレーションが部品番号XJ126で販売している。さらに、超音波スプレーヘッド用いて液滴36を分配する噴霧スプレープロセスを使用することも可能である。さらに、材料36aが例えば20センチポアズ以上というような高い粘度を持つ場合は、ザール・コーポレーションから入手可能なLeopardを用いることができ、このスプレーノズルでは、材料36aを加熱して粘度を噴射可能範囲まで下げることも可能である。
薄くて一様な残留層を得、これによってフィールドをインプリントするのに要する時間を最小にするために、本発明ではいくつかの技術的方法を用いることができる。
図1〜3と図7のフローチャートを参照して説明する。例えば、液滴36は、テンプレート26の設計の関数として、またインプリント層34に閉じ込められたガスを除去するための適切な環境ガス(Heのような)を用いて分配することが可能である。ここでは、材料36aをテンプレート26の設計の関数として分配する一実施形態について説明する。液滴36は、例えば1〜1,000pL台の小さい容積Vsを持つ。まず、フィーチャがないテンプレート26の場合を考える。基板30上に所与の厚さの残留層を得るには、テンプレート26が材料36aの全量をテンプレート26のアクティブエリアに閉じ込めるものと仮定して、ステップ100で、必要となる材料36aの全容積V1を計算する。「m」行×「n」列の格子配列を仮定して、ステップ102でm×n×Vs=V1となるような「m」と「n」を計算する。「m」と「n」が決まったならば、ステップ104で、各格子点の回りでテンプレート26のアクティブフィールドのほぼ総面積を(m×n)で割った面積を持つ制御領域Acに相当する多角形エリアを見つける。ステップ106で、テンプレート26が制御領域Ac全体にわたって凹所をなしていない(フィーチャなし)各格子位置に、容積=Vsの材料を分配する。ステップ108で、制御領域Acがテンプレート26上で全面的に凹所をなしている格子点には、容積=(Vs+Ac×d)の材料を分配する(ただし、dはテンプレート26のエッチング深さである)。ステップ110で、制御領域Acの一部(例えばJ%)がテンプレート26で凹所をなしている格子点には、容積=(Vs+Ac×d×J/100)の材料を分配する(ただし、dはテンプレート26のエッチング深さである)。
図2、7において、インプリントヘッド18の動作と液滴36の分配はこれとデータ通信を行うプロセッサ21により制御することが可能である。メモリ23はプロセッサ21とデータ通信を行う。メモリ23は、コンピュータ可読プログラムを実装したコンピュータ可読媒体よりなる。コンピュータ可読プログラムには、図7に示す上記計算のアルゴリズム、あるいはこれと同様に各格子点で分配する材料の容積を計算するための何らかのものを実行する命令が含まれる。このようなソフトウェアプログラムは、テンプレート26を作製するために用いられるテンプレート設計ファイル(GDS IIファイルのような)を処理できるものを用いることも可能である。
図2、3、7を参照して説明すると、各制御領域Acで分配するべき材料の容積は、複数の液滴36中の1液滴当たりの容積が与えられている場合は、各制御領域Ac内の液滴36のパターンを変えることにより、または液滴36のパターンが与えられている場合は、各制御領域Ac内の複数の液滴36中の1液滴当たりの容積を変えることにより、あるいはこれら2つの方法を組み合わせることによって得ることができる。さらに、液滴パターンおよび/または液滴当たり容積の経験的定量法を用いて、相隣る制御領域Ac間に形成される移行領域についての所望の特性を得ることも可能である。
上記の方法では、基板30の一定領域における材料36aの必要量が得られ、しかも複数の液滴36中の1つの液滴の材料36aがそれらの液滴36中の隣の1つの液滴の材料36aと合わさるまでに移動する距離を最小限に抑えられ、その結果液滴36が凹部28aを埋めるのに必要な時間が短くなる。2つ以上の液滴36が合わさるとき、インプリント層34の材料36aが合わさる境界の近傍にガスポケットが生じる可能性がある。
液滴36が凹部28aを埋めるのに要する時間(テンプレート26の「フィルタイム」と定義する)を最小にする一方で、インプリント層34を実質的に無ボイドにすることが求められる。テンプレート26のフィルタイムを最小にするには、例えば、互いに合わさる材料36a間の上記ガスポケットを材料36aが追い出すのに必要な時間を最小にすればよい。そのためには、各液滴36が実質的に同じ容積を持つと仮定して、例えばガスポケットの容積の平均値と分散を最小にすればよい。その結果として、互いに合わさる材料36aによってガスポケットをより迅速に追い出すことができるガスポケット容積の平均値と分散を最小にするための液滴36のパターン例としては、六角形と三角形があるが、特にこれらに限定されるものではない。さらに、残留層の厚さが30〜40nm以下の一定の事例で、テンプレート26のフィルタイムが許容可能であることが確認されている。
その上、複数の液滴36中の1つの液滴の材料36aがそれらの液滴36中の隣の1つの液滴の材料36aと合わさるまでに移動する上記の距離を最小にすることは、材料36aの粘性抵抗を小さくし、その結果材料36aの速度がより大きくなると共により大きな力でガスポケットを追い出すことになり、したがってテンプレート26のフィルタイムがさらに短くなる。さらに、ガスポケットは、幅がミクロン台、厚さがサブミクロン台の小さな容積の領域ならば、迅速に消散し、高速インプリントプロセスが可能になる。
フィルタイムをさらに短くするため、互いに合わさる材料36aがガスポケットをより高速で追い出すことができるように、ガスポケットの移動速度を高めることも可能である。そのためには、ガスポケットの移動速度はこれにかかる流体圧力に比例するということを利用する。この流体圧力は、毛管作用力と液滴36に作用するすべての外力の関数であり得る。流体圧力を大きくするには、毛管作用力を大きくすればよく、毛管作用力は図5に示す厚さt2を最小にすることにより最大化することができる。
ここで留意しなければならないのは、液滴36で分配される容積は温度の関数として変化するということである。例えば、材料36aの粘度、そして材料36aをノズルから駆出するポンプを作動させるPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)材料の寸法は温度によって変化し、これらはどちらも液滴36中の所与の液滴の容積を変化させる。ピエゾマイクロジェットノズルには、ザール社の126モールドリニアアレイの場合のように、ポンプ温度を連続的に制御する組み込みモールド温度センサを備えることが可能である。温度と電圧を関連づける較正曲線を作成することにより、特定容積のノズル出力を維持することができる。この較正曲線は、実測される温度変動に対応して電圧レベルを調整するべくリアルタイムで使用することができる。
さらに、散発的・偶発的な材料の供給失敗によって液滴36が欠落してしまうことがないようにするため、材料36aを同じ位置で複数回ノズルから供給することによって複数の液滴36の部分集合または各液滴を形成し、その合計量として各液滴36が所望の容積を備えるようにした分配技術を用いることも可能である。とりわけ、複数の液滴36中の所与の液滴の容積は、同じ位置でノズルから分配される複数の材料容積の平均とすることができる。
さらに、基板30上の所与の領域について、複数の液滴36を液滴の局所膜厚が液滴36のN以上の平均となるように合着させ、これによって、複数の液滴36中の1つの液滴が全く分配されなくても、その液滴の局所膜厚が理想値と(所望膜厚/N)nmしか異ならないようにする。したがって、Nが十分に大きければ(例えば100)、複数の液滴36中で欠落した液滴は無視可能になる。一例として、フィールドサイズがXmm×Xmmの場合、膜厚100nmの残留層を得るためには、テンプレート26にフィーチャが全くない場合、材料の必要最小容積は(0.1×X2)nL(ナノリットル)になる。テンプレート26にフィーチャがある場合は、より多くの材料36aが必要となり、それだけNをさらに大きくすることになろう。したがって、フィーチャなしのテンプレート26は最悪の場合を想定した事例である。ピエゾジェットでは、1pL(ピコリットル)というような非常に小容積の材料を供給することができる。ここで、基本滴量単位が80pLであるとすると、RLT誤差(単位nm)はフィールドサイズの代表長さ(lf、単位mm)(多角形フィールド領域を含むmm2単位のフィールド面積の平方根と定義する)の2乗に反比例する。これはをグラフで示すと次のようになる。

Figure 2008502157
複数の液滴36中の1つの液滴欠落による膜厚の許容変動が5nmであるとすると、lfは約4mmとなり、これはインプリント層34の結果の厚さには無関係である。
ここで留意しなければならないのは、液滴36の容積が小さくなると蒸発の影響が増大するということである。これについては、液滴36における蒸発量を精密に測定することにより、蒸発分を補償するよう材料の分配容積を増やすことができる。例えば、最初に液滴36を分配した基板30の領域では、最後に液滴36を供給した領域と比較してより多量の材料36aが必要になることがある。最初に分配した液滴36は、テンプレート26と基板30がこれらの間に液体を捕捉するまでにより長い時間が経過するので、より多く蒸発する。
図3、5を参照して説明すると、さらに他の実施形態においては、液滴36は界面活性剤プレコンディショニング溶液を含むことも可能である。界面活性剤プレコンディショニング溶液は、例えば、液滴36がテンプレート26に接触するとき界面活性剤プレコンディショニング溶液の一部がテンプレートに付着するようにして用いることができる。界面活性剤プレコンディショニング溶液を含む液滴36は、上に説明したような方法を用いてテンプレート26のフィルタイムを短くするようなパターンで基板30上に配置することが可能である。しかしながら、さらに他の実施形態においては、液滴36は、相隣る液滴36が合わさるとき起こり得る界面活性剤の蓄積を抑制すると共に、液滴36が凹部28aを埋めやすくするようなパターンで基板30上に配置することができる。
さらに他の実施形態においては、基板30と液滴36との間にアンダーレイヤ(図示省略)を置くことが望ましい場合がある。このアンダーレイヤ(図示省略)は、テンプレート26に対しては低い面エネルギー相互作用を示し、かつ液滴36に対しては高い面エネルギー相互作用を示す組成物で構成することができる。アンダーレイヤ(図示省略)の組成物は、そのスピンオン被着を容易にするために、最小の蒸発速度と約10〜100センチポアズ(cps)の粘度を持った組成物を用いることができる。アンダーレイヤ(図示省略)と液滴36とは互いに混和性でもよく、またアンダーレイヤ(図示省略)は、液滴36の溶剤であってもよい。
以上、本発明の代表的な実施形態について説明した。上に記載した開示技術に対しては、本発明の範囲を逸脱することなく多くの変更および修正をなすことが可能である。したがって、本発明の範囲は、上記説明によって限定するべきではなく、特許請求の範囲と共にその全般的均等物に基づいて決定するべきである。
本発明のリソグラフィシステムの斜視図である。 図1に示すリソグラフィシステムの概略立面図である。 図2に示すインプリント層をなす材料の重合および架橋前の状態を示す概略図である。 図3に示す材料を放射被曝により転化した架橋ポリマー材の概略図である。 図1に示すインプリント層からそのパターニング後にモールドを引き離した状態を示す概略立面図である。 本発明の第1の実施形態において、上の図2に示す基板の一定領域上に被着したインプリント材の液滴アレイを示す上面図である。 液滴を基板の一定領域上にテンプレート設計の関数として分配する方法を示すフローチャートである。

Claims (28)

  1. ある容積の液体を基板上に分配する方法であって、
    各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる液滴を前記基板のある領域上に配置する配置ステップで、前記領域内の液滴の合計容積が前記領域に形成しようとするパターンの容積の関数である、前記配置ステップ、
    を含む方法。
  2. 前記パターンの前記容積が、前記領域に形成しようとする残留層の厚さによって決まる請求項1に記載の方法。
  3. 前記パターンの前記容積が、前記領域に形成しようとするフィーチャのサイズによって決まる請求項1に記載の方法。
  4. 前記パターンの前記容積が、前記領域に形成しようとする残留層の厚さと、前記領域に形成しようとするフィーチャのサイズによって決まる請求項1に記載の方法。
  5. 前記パターンの前記容積がさらに、前記フィーチャが前記領域に占める割合によって決まる請求項4に記載の方法。
  6. 前記配置ステップがさらに、材料の複数の容積を分配することによって前記複数の互いに相隔たる液滴の中の1つの液滴を形成するステップを含む請求項1に記載の方法。
  7. 前記配置ステップがさらに、パターニングプロセスにおける前記複数の互いに相隔たる液滴の蒸発損を補償するように前記複数の互いに相隔たる液滴を分配するステップを含む請求項1に記載の方法。
  8. 前記配置ステップがさらに、前記複数の互いに相隔たる液滴の中の1つの液滴と前記複数の互いに相隔たる液滴の中の隣の1つの液滴との間の間隔を最小にするステップを含む請求項1に記載の方法。
  9. 前記複数の互いに相隔たる液滴が、基本的に六角形パタ―ンと三角形パターンからなる群より選択されるパターンを有する請求項1に記載の方法。
  10. ある容積の液体を基板上に分配する方法であって、
    各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる第1の組の液滴を前記基板の第1の領域上に配置する配置ステップであって、前記第1の領域内の前記第1の組の液滴の合計容積が前記第1の領域に形成しようとする第1のパターンの容積の関数である、前記配置ステップと、
    各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる第2の組の液滴を前記基板の第2の領域上に配置する配置ステップであって、前記第2の領域内の前記第2の組の液滴の合計容積が前記第2の領域に形成しようとする前記第1のパターンと異なる第2のパターンの容積の関数である、前記配置ステップと、
    を含む方法。
  11. 前記第1のパターンの前記容積が、前記第1の領域に形成しようとする残留層の厚さによって決まる請求項10に記載の方法。
  12. 前記第2のパターンの前記容積が、前記第2の領域に形成しようとする残留層の厚さと前記第2の領域に形成しようとするフィーチャのサイズによって決まる請求項10に記載の方法。
  13. 前記第1および前記第2のパターンの前記容積が、前記第1のおよび第2の領域に形成しようとする残留層の厚さによって決まり、前記第2のパターンがさらに、前記第2の領域に形成しようとするフィーチャのサイズによって決まる請求項10に記載の方法。
  14. 前記第2のパターンの前記容積がさらに、前記フィーチャが前記第2の領域に占める割合によって決まる請求項13に記載の方法。
  15. 前記配置ステップがさらに、複数の容積の材料を分配することによって前記複数の互いに相隔たる液滴の中の1つの液滴を形成するステップを含む請求項10に記載の方法。
  16. 一定の全容積の液体を基板上に分配する方法であって、
    各々対応した単位容積を有する複数の互いに相隔たる液滴を前記基板のある領域上に配置する配置ステップで、前記領域内の液滴の合計容積が前記領域に形成しようとする残留層の厚さの容積および前記残留層に形成しようとするパターンの容積の関数である配置ステップ、
    を含む方法。
  17. 前記パターンの前記容積が、前記領域に形成しようとするフィーチャのサイズによって決まる請求項16に記載の方法。
  18. 前記パターンの前記容積がさらに、前記フィーチャが前記領域に占める割合によって決まる請求項17に記載の方法。
  19. 前記配置ステップがさらに、複数の容積の材料を分配することによって前記複数の互いに相隔たる液滴の中の1つの液滴を形成するステップを含む請求項18に記載の方法。
  20. 前記配置ステップがさらに、パターニングプロセスにおける前記複数の互いに相隔たる液滴の蒸発損を補償するように前記複数の互いに相隔たる液滴を分配するステップを含む請求項19に記載の方法。
  21. 液体を基板上に分配する方法であって、相隣る液滴間にガスポケットが生じる複数の互いに相隔たる液滴のパターンを前記基板上に配置する配置ステップで、前記パターンを前記複数のガスポケットの容積が最小となるように形成するステップ、を含む方法。
  22. 前記パターンをさらに、前記複数の各ガスポケットの前記容積の平均が最小となるように形成する請求項21に記載の方法。
  23. 前記パターンをさらに、前記複数の各ガスポケットの前記容積の平均および分散が最小となるように形成する請求項21に記載の方法。
  24. 前記パターンを配置する配置ステップがさらに、前記複数の互いに相隔たる液滴を基本的に六角形パタ―ンおよび三角形パターンからなる群より選択されるパターンに配置するステップを含む請求項21に記載の方法。
  25. 前記複数の互いに相隔たる各液滴が実質的に同じ容積を有する請求項21に記載の方法。
  26. 前記配置ステップがさらに、複数の容積の材料を分配することによって前記複数の互いに相隔たる液滴の中の1つの液滴を形成するステップを含む請求項21に記載の方法。
  27. 前記配置ステップがさらに、パターニングプロセスにおける前記複数の互いに相隔たる液滴の蒸発損を補償するように前記複数の互いに相隔たる液滴を分配するステップを含む請求項21に記載の方法。
  28. 前記配置ステップがさらに、前記複数の互いに相隔たる液滴の中の1つの液滴と前記複数の互いに相隔たる液滴の中の隣の1つの液滴との間の間隔を最小にするステップを含む請求項27に記載の方法。
JP2007515597A 2004-06-03 2005-06-02 ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術 Active JP4792028B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US57687804P 2004-06-03 2004-06-03
US60/576,878 2004-06-03
PCT/US2005/019509 WO2005120834A2 (en) 2004-06-03 2005-06-02 Fluid dispensing and drop-on-demand dispensing for nano-scale manufacturing

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011041521A Division JP2011171747A (ja) 2004-06-03 2011-02-28 ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008502157A true JP2008502157A (ja) 2008-01-24
JP4792028B2 JP4792028B2 (ja) 2011-10-12

Family

ID=35503694

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007515597A Active JP4792028B2 (ja) 2004-06-03 2005-06-02 ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術
JP2011041521A Pending JP2011171747A (ja) 2004-06-03 2011-02-28 ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011041521A Pending JP2011171747A (ja) 2004-06-03 2011-02-28 ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20050270312A1 (ja)
EP (1) EP1768846B1 (ja)
JP (2) JP4792028B2 (ja)
KR (1) KR101193918B1 (ja)
CN (1) CN100570445C (ja)
AT (1) ATE477515T1 (ja)
DE (1) DE602005022874D1 (ja)
WO (1) WO2005120834A2 (ja)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091865A (ja) * 2006-06-30 2008-04-17 Asml Netherlands Bv インプリント可能媒体のディスペンサ
JP2009088376A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Toshiba Corp インプリント方法及びインプリントシステム
JP2010183076A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ方法及び装置
JP2011194278A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにインプリントシステム
JP2011220951A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Dainippon Printing Co Ltd 接触角の測定方法およびこれを用いたナノインプリント方法
JP2011529626A (ja) * 2008-06-09 2011-12-08 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング
JP2012004354A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Canon Inc インプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法
WO2012039517A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method and method for producing substrates utilizing the nanoimprinting method
WO2012133955A2 (en) 2011-03-31 2012-10-04 Fujifilm Corporation Simulation method, simulation program, recording medium having the simulation program stored therein, method for producing droplet arrangement patterns utilizing the simulation method, nanoimprinting method, method for producing patterned substrates, and ink jet apparatus
US8485123B2 (en) 2006-03-31 2013-07-16 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2013232452A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Canon Inc 光硬化物の製造方法
JP2014154624A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2014154622A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2014154623A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
US9028022B2 (en) 2012-02-29 2015-05-12 Fujifilm Corporation Liquid ejection apparatus, nanoimprint system, and liquid ejection method
JP2015233101A (ja) * 2014-06-10 2015-12-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2016009798A (ja) * 2014-06-25 2016-01-18 大日本印刷株式会社 インプリント方法及びインプリント装置
JP2016528741A (ja) * 2013-08-19 2016-09-15 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム ナノメータスケール精度を有するユーザ定義プロファイルのプログラム可能な薄膜蒸着
JP2017022414A (ja) * 2016-10-17 2017-01-26 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
JP2017022413A (ja) * 2016-10-17 2017-01-26 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
JP2017135417A (ja) * 2017-04-25 2017-08-03 大日本印刷株式会社 インプリント樹脂滴下順序決定方法及びインプリント方法
US9724916B2 (en) 2011-09-15 2017-08-08 Fujifilm Corporation Ejection volume correction method for inkjet head, ejection volume correction apparatus
JP2017162875A (ja) * 2016-03-07 2017-09-14 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、プログラム、および物品の製造方法
US10175576B2 (en) 2012-09-27 2019-01-08 Fujifilm Corporation Curable composition for photo imprints, method for forming pattern, fine pattern, and method for manufacturing semiconductor device
US10180623B2 (en) 2010-03-30 2019-01-15 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method, and method for producing a droplet arrangement pattern
JP2019532513A (ja) * 2016-10-18 2019-11-07 モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. 構造のマイクロリソグラフィ加工
US10504739B2 (en) 2013-09-30 2019-12-10 Fujifilm Corporation Curable composition for optical imprinting and pattern forming method
JPWO2018164015A1 (ja) * 2017-03-08 2020-01-09 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
WO2020158746A1 (ja) * 2019-01-30 2020-08-06 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置およびプログラム
JP2020123719A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置およびプログラム
JP2020205416A (ja) * 2019-06-11 2020-12-24 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置及びプログラム
US11281097B2 (en) 2017-03-08 2022-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming pattern by using photo-nanoimprint technology, imprint apparatus, and curable composition

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002006902A2 (en) 2000-07-17 2002-01-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7442336B2 (en) * 2003-08-21 2008-10-28 Molecular Imprints, Inc. Capillary imprinting technique
US8211214B2 (en) 2003-10-02 2012-07-03 Molecular Imprints, Inc. Single phase fluid imprint lithography method
JP4481698B2 (ja) * 2004-03-29 2010-06-16 キヤノン株式会社 加工装置
US20070228593A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Residual Layer Thickness Measurement and Correction
US20060062922A1 (en) 2004-09-23 2006-03-23 Molecular Imprints, Inc. Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor
US7811505B2 (en) * 2004-12-07 2010-10-12 Molecular Imprints, Inc. Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense
US7647214B2 (en) * 2004-12-27 2010-01-12 Seoul National University Industry Foundation Method for simulating stable but non-dissipative water
US7523701B2 (en) 2005-03-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and apparatus
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
JP4987012B2 (ja) 2005-12-08 2012-07-25 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 基板の両面パターニングする方法及びシステム
US7360851B1 (en) 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
US8142850B2 (en) 2006-04-03 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times
US8012395B2 (en) 2006-04-18 2011-09-06 Molecular Imprints, Inc. Template having alignment marks formed of contrast material
US8215946B2 (en) 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
JP4819577B2 (ja) 2006-05-31 2011-11-24 キヤノン株式会社 パターン転写方法およびパターン転写装置
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
WO2008082650A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint fluid control
KR101391807B1 (ko) 2007-01-03 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 프린팅과 나노 임프린팅을 이용한 패턴 형성 방법
US8142702B2 (en) * 2007-06-18 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Solvent-assisted layer formation for imprint lithography
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
US20090014917A1 (en) * 2007-07-10 2009-01-15 Molecular Imprints, Inc. Drop Pattern Generation for Imprint Lithography
US8119052B2 (en) * 2007-11-02 2012-02-21 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation for imprint lithography
US8945444B2 (en) * 2007-12-04 2015-02-03 Canon Nanotechnologies, Inc. High throughput imprint based on contact line motion tracking control
US20090148619A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Molecular Imprints, Inc. Controlling Thickness of Residual Layer
US20090166317A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing substrate by imprinting
JP2009182075A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Canon Inc インプリントによる構造体の製造方法
US8361371B2 (en) * 2008-02-08 2013-01-29 Molecular Imprints, Inc. Extrusion reduction in imprint lithography
US20090212012A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Molecular Imprints, Inc. Critical dimension control during template formation
JP5258635B2 (ja) * 2008-03-18 2013-08-07 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法、ナノインプリントに用いられるモールド及び構造体の製造方法
US8187515B2 (en) * 2008-04-01 2012-05-29 Molecular Imprints, Inc. Large area roll-to-roll imprint lithography
TWI423306B (zh) * 2008-06-09 2014-01-11 Univ Texas 適應性奈米形貌刻蝕技術
JP5361309B2 (ja) * 2008-09-25 2013-12-04 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法
JP2010076219A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Canon Inc ナノインプリントによる基板の加工方法
US20100098847A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Molecular Imprints, Inc. Drop Deposition Materials for Imprint Lithography
US8512797B2 (en) * 2008-10-21 2013-08-20 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation with edge weighting
US8586126B2 (en) 2008-10-21 2013-11-19 Molecular Imprints, Inc. Robust optimization to generate drop patterns in imprint lithography which are tolerant of variations in drop volume and drop placement
US8480933B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-09 Molecular Imprints, Inc. Fluid dispense device calibration
US20100102471A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Fluid transport and dispensing
US20100112220A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Molecular Imprints, Inc. Dispense system set-up and characterization
US20110031650A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Molecular Imprints, Inc. Adjacent Field Alignment
US20110084417A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 Molecular Imprints, Inc. Large area linear array nanoimprinting
US8691134B2 (en) 2010-01-28 2014-04-08 Molecular Imprints, Inc. Roll-to-roll imprint lithography and purging system
JP5283647B2 (ja) 2010-03-03 2013-09-04 富士フイルム株式会社 パターン転写方法及びパターン転写装置
JP5238742B2 (ja) * 2010-03-19 2013-07-17 株式会社東芝 加工方法および加工装置
JP5489887B2 (ja) 2010-06-30 2014-05-14 富士フイルム株式会社 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム
JP2012015324A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Fujifilm Corp 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム
WO2013074796A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermal control of droplets by nanoscale field effect transistors
US9616614B2 (en) 2012-02-22 2017-04-11 Canon Nanotechnologies, Inc. Large area imprint lithography
US20150158242A1 (en) * 2012-06-07 2015-06-11 Tokyo Electron Limited Imprint device and template
JP6395352B2 (ja) * 2013-07-12 2018-09-26 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
US9718096B2 (en) 2013-08-19 2017-08-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Programmable deposition of thin films of a user-defined profile with nanometer scale accuracy
CN107825886B (zh) * 2013-12-12 2020-04-14 科迪华公司 制造电子设备的方法
US9415349B2 (en) * 2014-02-28 2016-08-16 General Electric Company Porous membrane patterning technique
AU2015323940B2 (en) 2014-09-29 2021-05-20 Magic Leap, Inc. Architectures and methods for outputting different wavelength light out of waveguides
JP6887953B2 (ja) 2015-03-16 2021-06-16 マジック リープ,インコーポレイティド 健康を損う疾病を診断して治療する方法及びシステム
JP2016173427A (ja) * 2015-03-16 2016-09-29 株式会社東芝 パターン形成方法
US10120276B2 (en) * 2015-03-31 2018-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP6437387B2 (ja) * 2015-05-25 2018-12-12 東芝メモリ株式会社 基板平坦化方法
KR102359038B1 (ko) 2015-06-15 2022-02-04 매직 립, 인코포레이티드 멀티플렉싱된 광 스트림들을 인-커플링하기 위한 광학 엘리먼트들을 가진 디스플레이 시스템
AU2017246901B2 (en) 2016-04-08 2022-06-02 Magic Leap, Inc. Augmented reality systems and methods with variable focus lens elements
AU2017264780B2 (en) 2016-05-12 2022-05-12 Magic Leap, Inc. Distributed light manipulation over imaging waveguide
JP7116058B2 (ja) 2016-11-18 2022-08-09 マジック リープ, インコーポレイテッド 空間可変液晶回折格子
KR102506485B1 (ko) 2016-11-18 2023-03-03 매직 립, 인코포레이티드 넓은 입사 각도 범위들의 광을 방향전환시키기 위한 다중층 액정 회절 격자들
AU2017363078B2 (en) 2016-11-18 2022-09-29 Magic Leap, Inc. Waveguide light multiplexer using crossed gratings
US11067860B2 (en) 2016-11-18 2021-07-20 Magic Leap, Inc. Liquid crystal diffractive devices with nano-scale pattern and methods of manufacturing the same
AU2017371047B2 (en) 2016-12-08 2021-10-14 Magic Leap, Inc. Diffractive devices based on cholesteric liquid crystal
KR102550742B1 (ko) 2016-12-14 2023-06-30 매직 립, 인코포레이티드 표면 정렬 패턴들의 소프트-임프린트 복제를 이용한 액정들의 패터닝
CN110462460B (zh) 2017-01-23 2022-10-14 奇跃公司 用于虚拟、增强或混合现实系统的目镜
WO2018156784A1 (en) 2017-02-23 2018-08-30 Magic Leap, Inc. Variable-focus virtual image devices based on polarization conversion
WO2018175343A1 (en) 2017-03-21 2018-09-27 Magic Leap, Inc. Eye-imaging apparatus using diffractive optical elements
CA3075096A1 (en) 2017-09-21 2019-03-28 Magic Leap, Inc. Augmented reality display with waveguide configured to capture images of eye and/or environment
IL274977B2 (en) 2017-12-15 2023-10-01 Magic Leap Inc Eyepieces for an augmented reality display system
US11927883B2 (en) 2018-03-30 2024-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus to reduce variation of physical attribute of droplets using performance characteristic of dispensers
JP7443254B2 (ja) * 2018-06-11 2024-03-05 ディーエイチ テクノロジーズ デベロップメント プライベート リミテッド 微小液滴の体積測定
EP3884337A4 (en) 2018-11-20 2022-08-17 Magic Leap, Inc. EYEPIECES FOR AN AUGMENTED REALITY DISPLAY SYSTEM
JP2020127922A (ja) 2019-02-08 2020-08-27 キオクシア株式会社 液体吐出部材、液体吐出装置および半導体装置の製造方法
CN114286962A (zh) 2019-06-20 2022-04-05 奇跃公司 用于增强现实显示系统的目镜
US11562924B2 (en) * 2020-01-31 2023-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517727A (ja) * 1999-10-29 2003-05-27 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム インプリント・リソグラフィのための高精度方向付けアライメントデバイスおよびギャップ制御デバイス
JP2003527248A (ja) * 2000-03-15 2003-09-16 オブデュキャット、アクチボラグ 物体へのパターン転写装置
JP2004504714A (ja) * 2000-07-17 2004-02-12 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
WO2004016406A1 (en) * 2002-07-11 2004-02-26 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography processes and systems

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1236304A (en) * 1917-02-03 1917-08-07 Riley L Howell Cushioned hand-stamp.
GB1183056A (en) * 1966-11-29 1970-03-04 Bp Chemicals U K Ltd Formerly Metering Process for Dispensing Measured Quantities of Liquefied Gas
KR900004269B1 (ko) * 1986-06-11 1990-06-18 가부시기가이샤 도시바 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치
FR2604553A1 (fr) * 1986-09-29 1988-04-01 Rhone Poulenc Chimie Substrat polymere rigide pour disque optique et les disques optiques obtenus a partir dudit substrat
US4936465A (en) * 1987-12-07 1990-06-26 Zoeld Tibor Method and apparatus for fast, reliable, and environmentally safe dispensing of fluids, gases and individual particles of a suspension through pressure control at well defined parts of a closed flow-through system
JP2546350B2 (ja) * 1988-09-09 1996-10-23 キヤノン株式会社 位置合わせ装置
US5110514A (en) * 1989-05-01 1992-05-05 Soane Technologies, Inc. Controlled casting of a shrinkable material
DE4031637C2 (de) * 1989-10-06 1997-04-10 Toshiba Kawasaki Kk Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten
DE4029912A1 (de) * 1990-09-21 1992-03-26 Philips Patentverwaltung Verfahren zur bildung mindestens eines grabens in einer substratschicht
US5545367A (en) * 1992-04-15 1996-08-13 Soane Technologies, Inc. Rapid prototype three dimensional stereolithography
US5445195A (en) * 1992-07-15 1995-08-29 Kim; Dae S. Automatic computer-controlled liquid dispenser
JP2837063B2 (ja) * 1993-06-04 1998-12-14 シャープ株式会社 レジストパターンの形成方法
US6279474B1 (en) * 1993-08-13 2001-08-28 Heidelberger Druckmaschinen Ag Method and device for transferring ink in a printing unit of an offset printing press
US5512131A (en) * 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US5776748A (en) * 1993-10-04 1998-07-07 President And Fellows Of Harvard College Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor
US5449117A (en) * 1993-10-04 1995-09-12 Technical Concepts, L.P. Apparatus and method for controllably dispensing drops of liquid
US5542605A (en) * 1994-04-07 1996-08-06 Flow-Rite Controls, Ltd. Automatic liquid dispenser
GB9509487D0 (en) * 1995-05-10 1995-07-05 Ici Plc Micro relief element & preparation thereof
US5820769A (en) * 1995-05-24 1998-10-13 Regents Of The University Of Minnesota Method for making magnetic storage having discrete elements with quantized magnetic moments
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US5747102A (en) * 1995-11-16 1998-05-05 Nordson Corporation Method and apparatus for dispensing small amounts of liquid material
US6355198B1 (en) * 1996-03-15 2002-03-12 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding
US5817376A (en) * 1996-03-26 1998-10-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Free-radically polymerizable compositions capable of being coated by electrostatic assistance
US5942443A (en) * 1996-06-28 1999-08-24 Caliper Technologies Corporation High throughput screening assay systems in microscale fluidic devices
JP3177897B2 (ja) * 1996-04-23 2001-06-18 ザール テクノロジー リミテッド 液滴デポジット装置
US5888650A (en) * 1996-06-03 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Temperature-responsive adhesive article
US6074827A (en) * 1996-07-30 2000-06-13 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic method for nucleic acid purification and processing
US5858580A (en) * 1997-09-17 1999-01-12 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US6048623A (en) * 1996-12-18 2000-04-11 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Method of contact printing on gold coated films
US5948470A (en) * 1997-04-28 1999-09-07 Harrison; Christopher Method of nanoscale patterning and products made thereby
US5812629A (en) * 1997-04-30 1998-09-22 Clauser; John F. Ultrahigh resolution interferometric x-ray imaging
US5974150A (en) * 1997-09-30 1999-10-26 Tracer Detection Technology Corp. System and method for authentication of goods
US6089853A (en) * 1997-12-24 2000-07-18 International Business Machines Corporation Patterning device for patterning a substrate with patterning cavities fed by service cavities
US6027595A (en) * 1998-07-02 2000-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of making optical replicas by stamping in photoresist and replicas formed thereby
US6218316B1 (en) * 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US20020122873A1 (en) * 2000-01-05 2002-09-05 Mirkin Chad A. Nanolithography methods and products therefor and produced thereby
US6274294B1 (en) * 1999-02-03 2001-08-14 Electroformed Stents, Inc. Cylindrical photolithography exposure process and apparatus
US6334960B1 (en) * 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
DE19913076A1 (de) * 1999-03-23 2000-10-19 Hahn Schickard Ges Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen von Mikrotröpfchen auf ein Substrat
US6306467B1 (en) * 1999-06-14 2001-10-23 Ford Global Technologies, Inc. Method of solid free form fabrication of objects
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6623579B1 (en) * 1999-11-02 2003-09-23 Alien Technology Corporation Methods and apparatus for fluidic self assembly
US6234379B1 (en) * 2000-02-28 2001-05-22 Nordson Corporation No-flow flux and underfill dispensing methods
US6528751B1 (en) * 2000-03-17 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma
US6387330B1 (en) * 2000-04-12 2002-05-14 George Steven Bova Method and apparatus for storing and dispensing reagents
US7859519B2 (en) * 2000-05-01 2010-12-28 Tulbert David J Human-machine interface
EP2264522A3 (en) * 2000-07-16 2011-12-14 The Board of Regents of The University of Texas System Method of forming a pattern on a substrate
US20050160011A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Molecular Imprints, Inc. Method for concurrently employing differing materials to form a layer on a substrate
US7322287B2 (en) * 2000-07-18 2008-01-29 Nanonex Corporation Apparatus for fluid pressure imprint lithography
WO2002067055A2 (en) * 2000-10-12 2002-08-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
US6879162B2 (en) * 2000-11-07 2005-04-12 Sri International System and method of micro-fluidic handling and dispensing using micro-nozzle structures
US6955767B2 (en) * 2001-03-22 2005-10-18 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Scanning probe based lithographic alignment
US6517977B2 (en) * 2001-03-28 2003-02-11 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6943036B2 (en) * 2001-04-30 2005-09-13 Agilent Technologies, Inc. Error detection in chemical array fabrication
US6847433B2 (en) * 2001-06-01 2005-01-25 Agere Systems, Inc. Holder, system, and process for improving overlay in lithography
US7049049B2 (en) * 2001-06-27 2006-05-23 University Of South Florida Maskless photolithography for using photoreactive agents
JP2003084123A (ja) * 2001-06-29 2003-03-19 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
US6678038B2 (en) * 2001-08-03 2004-01-13 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting tool-induced shift in microlithography apparatus
US6621960B2 (en) * 2002-01-24 2003-09-16 Oplink Communications, Inc. Method of fabricating multiple superimposed fiber Bragg gratings
US7455955B2 (en) * 2002-02-27 2008-11-25 Brewer Science Inc. Planarization method for multi-layer lithography processing
US7117583B2 (en) * 2002-03-18 2006-10-10 International Business Machines Corporation Method and apparatus using a pre-patterned seed layer for providing an aligned coil for an inductive head structure
US6849558B2 (en) * 2002-05-22 2005-02-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Replication and transfer of microstructures and nanostructures
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US6900881B2 (en) * 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
GB2391385A (en) * 2002-07-26 2004-02-04 Seiko Epson Corp Patterning method by forming indent region to control spreading of liquid material deposited onto substrate
US6916584B2 (en) * 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US7027156B2 (en) * 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US7071088B2 (en) * 2002-08-23 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Method for fabricating bulbous-shaped vias
US6936194B2 (en) * 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US7029529B2 (en) * 2002-09-19 2006-04-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for metallization of large area substrates
US6929762B2 (en) * 2002-11-13 2005-08-16 Molecular Imprints, Inc. Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes
US20040112862A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-17 Molecular Imprints, Inc. Planarization composition and method of patterning a substrate using the same
US6871558B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
US7122079B2 (en) * 2004-02-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US7157036B2 (en) * 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US9725805B2 (en) * 2003-06-27 2017-08-08 Spts Technologies Limited Apparatus and method for controlled application of reactive vapors to produce thin films and coatings
US20050106321A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Molecular Imprints, Inc. Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput
US20050170670A1 (en) * 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US20050156353A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Watts Michael P. Method to improve the flow rate of imprinting material
US8076386B2 (en) * 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US20050189676A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Molecular Imprints, Inc. Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography
US20050230882A1 (en) * 2004-04-19 2005-10-20 Molecular Imprints, Inc. Method of forming a deep-featured template employed in imprint lithography
US7811505B2 (en) * 2004-12-07 2010-10-12 Molecular Imprints, Inc. Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
US8119052B2 (en) * 2007-11-02 2012-02-21 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation for imprint lithography
US8187515B2 (en) * 2008-04-01 2012-05-29 Molecular Imprints, Inc. Large area roll-to-roll imprint lithography
US8512797B2 (en) * 2008-10-21 2013-08-20 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation with edge weighting
US8586126B2 (en) * 2008-10-21 2013-11-19 Molecular Imprints, Inc. Robust optimization to generate drop patterns in imprint lithography which are tolerant of variations in drop volume and drop placement
US20110031650A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-10 Molecular Imprints, Inc. Adjacent Field Alignment
JP6495283B2 (ja) * 2013-08-19 2019-04-03 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム ナノメータスケール精度を有するユーザ定義プロファイルのプログラム可能な薄膜蒸着

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003517727A (ja) * 1999-10-29 2003-05-27 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム インプリント・リソグラフィのための高精度方向付けアライメントデバイスおよびギャップ制御デバイス
JP2003527248A (ja) * 2000-03-15 2003-09-16 オブデュキャット、アクチボラグ 物体へのパターン転写装置
JP2004504714A (ja) * 2000-07-17 2004-02-12 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
WO2004016406A1 (en) * 2002-07-11 2004-02-26 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography processes and systems

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8485123B2 (en) 2006-03-31 2013-07-16 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4704394B2 (ja) * 2006-06-30 2011-06-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. インプリント可能媒体のディスペンサ
JP2008091865A (ja) * 2006-06-30 2008-04-17 Asml Netherlands Bv インプリント可能媒体のディスペンサ
JP2009088376A (ja) * 2007-10-02 2009-04-23 Toshiba Corp インプリント方法及びインプリントシステム
JP2011529626A (ja) * 2008-06-09 2011-12-08 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 適応ナノトポグラフィ・スカルプティング
JP2010183076A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ方法及び装置
US8696969B2 (en) 2009-02-04 2014-04-15 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and apparatus
JP2011194278A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにインプリントシステム
US10180623B2 (en) 2010-03-30 2019-01-15 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method, and method for producing a droplet arrangement pattern
JP2011220951A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Dainippon Printing Co Ltd 接触角の測定方法およびこれを用いたナノインプリント方法
JP2012004354A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Canon Inc インプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法
US10416552B2 (en) 2010-06-17 2019-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method and imprinting apparatus, sample shot extraction method, and article manufacturing method using same
US9651860B2 (en) 2010-06-17 2017-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method and imprinting apparatus, sample shot extraction method, and article manufacturing method using same
WO2012039517A1 (en) 2010-09-24 2012-03-29 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method and method for producing substrates utilizing the nanoimprinting method
US8679357B2 (en) 2010-09-24 2014-03-25 Fujifilm Corporation Nanoimprinting method and method for producing substrates utilizing the nanoimprinting method
US9201990B2 (en) 2011-03-31 2015-12-01 Fujifilm Corporation Simulation method, simulation program, recording medium having the simulation program stored therein, method for producing droplet arrangement patterns utilizing the simulation method, nanoimprinting method, method for producing patterned substrates, and ink jet apparatus
TWI490636B (zh) * 2011-03-31 2015-07-01 Fujifilm Corp 模擬方法、電腦可讀記錄媒體、產生液滴排列圖案的方法、奈米壓印方法、產生圖案化基板的方法以及噴墨裝置
JP2012212833A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Fujifilm Corp シミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体、並びに、それらを利用した液滴配置パターンの作成方法、ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置。
WO2012133955A2 (en) 2011-03-31 2012-10-04 Fujifilm Corporation Simulation method, simulation program, recording medium having the simulation program stored therein, method for producing droplet arrangement patterns utilizing the simulation method, nanoimprinting method, method for producing patterned substrates, and ink jet apparatus
US9724916B2 (en) 2011-09-15 2017-08-08 Fujifilm Corporation Ejection volume correction method for inkjet head, ejection volume correction apparatus
US9028022B2 (en) 2012-02-29 2015-05-12 Fujifilm Corporation Liquid ejection apparatus, nanoimprint system, and liquid ejection method
JP2013232452A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Canon Inc 光硬化物の製造方法
US10150231B2 (en) 2012-04-27 2018-12-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing photo cured material
US10175576B2 (en) 2012-09-27 2019-01-08 Fujifilm Corporation Curable composition for photo imprints, method for forming pattern, fine pattern, and method for manufacturing semiconductor device
JP2014154624A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2014154623A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2014154622A (ja) * 2013-02-06 2014-08-25 Dainippon Printing Co Ltd インプリント方法およびインプリント装置
JP2016528741A (ja) * 2013-08-19 2016-09-15 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム ナノメータスケール精度を有するユーザ定義プロファイルのプログラム可能な薄膜蒸着
US10504739B2 (en) 2013-09-30 2019-12-10 Fujifilm Corporation Curable composition for optical imprinting and pattern forming method
US10197910B2 (en) 2014-06-10 2019-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP2015233101A (ja) * 2014-06-10 2015-12-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2016009798A (ja) * 2014-06-25 2016-01-18 大日本印刷株式会社 インプリント方法及びインプリント装置
US10707078B2 (en) 2016-03-07 2020-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method, imprint apparatus, program, and article manufacturing method
JP2017162875A (ja) * 2016-03-07 2017-09-14 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、プログラム、および物品の製造方法
JP2017022413A (ja) * 2016-10-17 2017-01-26 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
JP2017022414A (ja) * 2016-10-17 2017-01-26 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびインプリント装置
JP2019532513A (ja) * 2016-10-18 2019-11-07 モレキュラー インプリンツ, インコーポレイテッドMolecular Imprints,Inc. 構造のマイクロリソグラフィ加工
US11281097B2 (en) 2017-03-08 2022-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming pattern by using photo-nanoimprint technology, imprint apparatus, and curable composition
JPWO2018164015A1 (ja) * 2017-03-08 2020-01-09 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
JP7066674B2 (ja) 2017-03-08 2022-05-13 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
US11327397B2 (en) 2017-03-08 2022-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method, coating material for imprint pretreatment and substrate pretreatment method
JP2017135417A (ja) * 2017-04-25 2017-08-03 大日本印刷株式会社 インプリント樹脂滴下順序決定方法及びインプリント方法
JP2020123719A (ja) * 2019-01-30 2020-08-13 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置およびプログラム
WO2020158746A1 (ja) * 2019-01-30 2020-08-06 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置およびプログラム
JP7361615B2 (ja) 2019-01-30 2023-10-16 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置およびプログラム
JP2020205416A (ja) * 2019-06-11 2020-12-24 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置及びプログラム
JP7393304B2 (ja) 2019-06-11 2023-12-06 キヤノン株式会社 シミュレーション方法、シミュレーション装置、プログラム及び膜形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
ATE477515T1 (de) 2010-08-15
KR20070038987A (ko) 2007-04-11
EP1768846A2 (en) 2007-04-04
CN101019066A (zh) 2007-08-15
US20050270312A1 (en) 2005-12-08
KR101193918B1 (ko) 2012-10-29
CN100570445C (zh) 2009-12-16
WO2005120834A3 (en) 2007-03-08
WO2005120834A2 (en) 2005-12-22
JP2011171747A (ja) 2011-09-01
DE602005022874D1 (de) 2010-09-23
EP1768846B1 (en) 2010-08-11
JP4792028B2 (ja) 2011-10-12
EP1768846A4 (en) 2008-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4792028B2 (ja) ナノスケール製造技術における流体の分配およびドロップ・オン・デマンド分配技術
US7491637B2 (en) Formation of conductive templates employing indium tin oxide
JP5599356B2 (ja) シミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体、並びに、それらを利用した液滴配置パターンの作成方法、ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置。
KR101743979B1 (ko) 유체 분배 장치 캘리브레이션
US7281919B2 (en) System for controlling a volume of material on a mold
JP4910060B2 (ja) インプリントリソグラフィ
KR101293059B1 (ko) 기판과 몰드 사이에 위치되는 기체를 축출하기 위한 방법
US8556616B2 (en) Template having a varying thickness to facilitate expelling a gas positioned between a substrate and the template
US20050106321A1 (en) Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput
US20120189780A1 (en) Controlling Thickness of Residual Layer
US20220365426A1 (en) System and Method for Controlling the Placement of Fluid Resist Droplets
JP2017502510A (ja) パーシャルフィールドインプリントのための非対称的なテンプレート形状の調節
JP2008091865A (ja) インプリント可能媒体のディスペンサ
EP2250020A2 (en) Critical dimension control during template formation
US20100098847A1 (en) Drop Deposition Materials for Imprint Lithography
US20050160011A1 (en) Method for concurrently employing differing materials to form a layer on a substrate
KR20060126967A (ko) 고속 충전 및 처리량을 달성하기 위한 분배 구조 및 전도성주형
US20100096470A1 (en) Drop volume reduction
US10976657B2 (en) System and method for illuminating edges of an imprint field with a gradient dosage
US20100104747A1 (en) Drop Deposition Control
TWI290665B (en) Fluid dispensing and drop-on-demand dispensing for nano-scale manufacturing

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110722

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4792028

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250