JP2020127922A - 液体吐出部材、液体吐出装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インプリント処理時に、ＲＬＴが略均一となり、かつ泡がみの発生を抑制することができる液体吐出部材を提供する。【解決手段】実施形態によれば、加工対象と所定の間隔を置いて配置され、第１方向に前記加工対象に対して相対的に移動されながらスリットから液体を吐出する液体吐出部材が提供される。前記スリットの形成面に、前記第１方向に直交する第２方向に延在し、前記液体の吐出量を調整する吐出量調整部を有する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、液体吐出部材、液体吐出装置および半導体装置の製造方法に関する。

微細なパターンを形成する方法の一つにインプリント方法がある。インプリント方法では、加工対象上にインクジェット法でレジストが滴下され、テンプレートをレジストに接触させた状態で、テンプレートの凹部にレジストが充填され、その後に、レジストを硬化してレジストパターンが形成される。

インクジェット法で滴下されたレジストを用いて形成されるレジストパターンでは、テンプレートのパターン形成面の凸部と加工対象との間のレジストパターン（以下、残膜という）の厚さであるＲＬＴ（Residual Layer Thickness）が略均一となる。しかしながら、インクジェット法で滴下されたレジストの液滴（以下、レジストドロップという）にテンプレートを押し付けると、レジストドロップとレジストドロップとが合わさる部分で、レジストが充填されない泡がみ欠陥が発生しやすい。

特開２０１２−１１３１０号公報

本発明の一つの実施形態は、インプリント処理時に、ＲＬＴが略均一となり、かつ泡がみの発生を抑制することができる液体吐出部材、液体吐出装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一つの実施形態によれば、加工対象と所定の間隔を置いて配置され、第１方向に前記加工対象に対して相対的に移動されながらスリットから液体を吐出する液体吐出部材が提供される。前記スリットの形成面に、前記第１方向に直交する第２方向に延在し、前記液体の吐出量を調整する吐出量調整部を有する。

図１は、第１の実施形態による液体吐出装置の構成の一例を模式的に示す図である。 図２は、第１の実施形態による液体吐出部材の構成の一例を示す断面図である。 図３は、第１の実施形態による液体吐出装置でのレジストの吐出量の制御の一例を示す図である。 図４は、第１の実施形態による液体吐出装置でのレジストの吐出量の制御の一例を示す図である。 図５は、第１の実施形態による液体吐出装置でのレジストの吐出量の制御の一例を示す図である。 図６は、第１の実施形態による加工対象へのレジストの塗布の一例を示す図である。 図７は、第１の実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図８は、第２の実施形態による液体吐出部材のスリット位置でのスリットに平行な方向の構成の一例を示す断面図である。 図９は、第２の実施形態による加工対象へのレジストの塗布の一例を示す図である。 図１０は、第３の実施形態による液体吐出部材のスリットに垂直な方向の断面図である。 図１１は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる液体吐出部材、液体吐出装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態による液体吐出装置の構成の一例を模式的に示す図である。図２は、第１の実施形態による液体吐出部材の構成の一例を示す断面図であり、（ａ）は液体吐出部材のスリットに垂直な方向の断面図であり、（ｂ）は液体吐出部材のスリット位置でのスリットに平行な方向の断面図である。

液体吐出装置１０は、ステージ１１と、液体貯蔵部１２と、液体吐出部材１３と、配管１４と、ポンプ１５と、制御装置１６と、を備える。

ステージ１１は、加工対象１００を載置する。加工対象１００は、例えばシリコン基板などの半導体基板、半導体基板上に形成された金属膜、半導体膜、絶縁膜などである。

液体貯蔵部１２は、液体を貯蔵する。液体は、例えば光硬化性樹脂などからなるレジストである。以下では、液体がレジストである場合を例に挙げて説明する。レジストは、加工対象１００上に吐出された後に、加工対象１００上で厚さを維持することができる程度の粘性を有する。

液体吐出部材１３は、例えば、幅方向に延在するスリット状の開口部１３３ａを有し、レジストを開口部１３３ａから加工対象１００上に吐出するスリットコータダイである。液体吐出部材１３と液体貯蔵部１２とは、配管１４によって接続されている。液体吐出部材１３は、液体貯蔵部１２と配管１４を介して接続され、加工対象１００上に液体貯蔵部１２からのレジストを連続した状態で吐出する。

図２に示されるように、液体吐出部材１３は、第１ブロック１３１と第２ブロック１３２とがスリット１３３を形成するように接合された構造を有する。第１ブロック１３１および第２ブロック１３２は、例えばステンレス鋼などからなる。第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のスリット１３３の形成面間の距離は、任意に設定可能であるが、例えば数μｍ〜数十μｍ程度とすることができる。

第１の実施形態では、第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のスリット１３３の形成面側に、吐出量調整部３０が設けられる。吐出量調整部３０は、スリット１３３の幅方向に沿って設けられる。吐出量調整部３０は、制御装置１６からの指示に従ってレジストの吐出量を調整する。制御装置１６から指示を受けてからレジストの吐出量の調整を短時間で実行するために、吐出量調整部３０は、液体吐出部材１３の先端付近、すなわち開口部１３３ａ付近に設けられることが望ましい。

吐出量調整部３０は、第１ブロック１３１および第２ブロック１３２の先端付近のスリット１３３の形成面上に、第１電極３２、圧電素子３３および第２電極３４が順に積層された構造を有する。なお、第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のスリット１３３の形成面の全面には、絶縁層３１が配置される。第１電極３２および第２電極３４は、アルミニウム、銅などの導電性材料からなり、圧電素子に直流電圧を印加する際の電極となる。

圧電素子３３は、電界が印加されると変形する逆圧電効果を有する材料によって構成される。圧電素子３３は、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃）、メタニオブ酸鉛（ＰｂＮｂ₂Ｏ₆）、チタン酸ビスマス（Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）などによって構成される。圧電素子３３は、電圧を印加した際に、第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のスリット１３３の形成面に垂直な方向に伸縮するように配置される。圧電素子３３の厚さは、圧電素子３３を最大限に伸長させた場合に、開口部１３３ａを閉じることができる厚さとされる。

第１電極３２および第２電極３４にはそれぞれ配線３５が接続される。配線３５は、例えばアルミニウム、銅などの導電性材料からなる。図２（ｂ）に示されるように、第１電極３２には、第１配線３５ａが接続され、第２電極３４には第２配線３５ｂが接続される。第１配線３５ａおよび第２配線３５ｂは、図示しない電源に接続される。吐出量調整部３０および配線３５が配置された絶縁層３１上の全面には、保護膜３６が設けられる。保護膜３６は、有機系の膜であってもよいし、シリコン酸化膜などの無機系の膜であってもよい。なお、図２（ｂ）では、絶縁層３１、第２電極３４および保護膜３６の図示を省略している。

液体吐出部材１３の開口部１３３ａの幅Ｗは、例えば加工対象１００の幅と同じである。図１に示されるように、液体吐出部材１３と加工対象１００とを幅方向に直交する走査方向Ｓに相対的に移動させることで、加工対象１００の全面にレジストを塗布することができる。ステージ１１および液体吐出部材１３は、相対的に位置を変えることができるように構成されている。液体吐出部材１３は、制御装置１６からの指示に従って、加工対象１００に液体貯蔵部１２からのレジストを塗布する。液体吐出部材１３では、流体にかかる圧力でレジストが吐出され、圧電素子３３はレジストの流量制御に使用されるので、連続的にも離散的にもレジストの吐出が可能である。

ポンプ１５は、液体貯蔵部１２中のレジストを液体吐出部材１３に送り出す。

制御装置１６は、液体吐出装置１０全体を制御する。制御装置１６は、例えばステージ１１と液体吐出部材１３とを相対的に移動させたり、液体吐出部材１３から吐出するレジストの量を制御したり、ポンプ１５の動作を制御したりする。

制御装置１６は、記憶部１６１と、制御部１６２と、を有する。記憶部１６１は、走査速度および液体吐出部材制御情報を含むレシピを記憶する。レシピは、例えば加工対象１００の種類ごとあるいは半導体装置の製造工程ごとに設けられる。液体吐出部材制御情報は、加工対象１００の各位置で塗布するレジスト量を規定する情報である。液体吐出部材制御情報は、例えば、加工対象１００の走査方向Ｓの各位置で、所定のレジストの吐出量となる開口部１３３ａの間隔（以下、スリットギャップという）を実現するために必要な圧電素子３３への印加電圧を規定した情報である。なお、各位置でのレジストの吐出量は、インプリント処理でレジストを硬化させたときに、ＲＬＴが加工対象１００上で均一な値となるように定められる。

制御部１６２は、記憶部１６１から加工対象１００のレシピを取得して、レシピにしたがって、ステージ１１、液体吐出部材１３およびポンプ１５の動作を制御する。ここでは、ステージ１１上の加工対象１００の位置に応じて、液体吐出部材１３の圧電素子３３に印加する電圧を変化させることによってスリットギャップを変化させ、レジストを吐出させる。

図３〜図５は、第１の実施形態による液体吐出装置でのレジストの吐出量の制御の一例を示す図である。これらの図で、（ａ）は印加電圧とスリットギャップとの関係を模式的に示す図であり、（ｂ）は吐出されるレジストの様子を模式的に示す図である。なお、これらの図では、説明の容易化のために、吐出量調整部３０として圧電素子３３のみを図示している。

図３は、印加電圧が０の場合を示している。図３（ａ）に示されるように、印加電圧が０の場合には、圧電素子３３は伸縮していない状態にあり、スリットギャップＧは最大値となる。そのため、図３（ｂ）に示されるように、レジストが加工対象１００上に吐出されることによって形成されるレジスト膜１０１の厚さＴｍａｘは最大となる。

図４は、スリットギャップが０となる大きさの電圧を印加した場合である。図４（ａ）に示されるように、圧電素子３３への印加電圧を大きくすると、第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のそれぞれの圧電素子３３は接触するように伸長する。その結果、スリットギャップＧは０になる。そのため、図４（ｂ）に示されるように、加工対象１００上には、レジストは吐出されない。すなわち、加工対象１００上のレジスト膜の厚さは０となる。

図５は、スリットギャップが０とならない程度の比較的小さい電圧を印加した場合である。図５（ａ）に示されるように、圧電素子３３への印加電圧が図４の場合に比較して小さい場合には、第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のそれぞれの圧電素子３３は伸長し、０よりも大きく最大値よりも小さいスリットギャップＧが形成される。そのため、図５（ｂ）に示されるように、加工対象１００上に形成されるレジスト膜１０１の厚さＴは、図３（ｂ）の場合のレジスト膜１０１の厚さＴｍａｘよりも小さくなる。

このように、圧電素子３３への印加電圧を変化させることで、Ｔｍａｘまでの間の任意の厚さＴを有するレジスト膜１０１を連続的に形成することができる。

図６は、第１の実施形態による加工対象へのレジストの塗布の一例を示す図である。加工対象１００と液体吐出部材１３とを走査方向Ｓに沿って相対的に移動させて、レジスト膜１０１を形成する場合について説明する。まず、領域Ｒ１では、例えば厚さＴ１のレジスト膜１０１が形成されるように、制御部１６２は圧電素子３３への印加電圧を制御する。ついで、液体吐出部材１３の位置が領域Ｒ２に達すると、制御部１６２はスリットギャップＧが０となるように圧電素子３３への印加電圧を制御する。これによって、領域Ｒ２では、レジスト膜１０１が形成されない。その後、液体吐出部材１３の位置が領域Ｒ３に達すると、例えば厚さＴ１よりも薄い厚さＴ２のレジスト膜１０１が形成されるように、制御部１６２は、圧電素子３３への印加電圧を制御する。そして、液体吐出部材１３の位置が領域Ｒ３を過ぎると、制御部１６２は、加工対象１００上へのレジストの吐出を終了する。

このようにして、加工対象１００上に、厚さの異なるレジスト膜１０１を形成することができる。また、レジスト膜１０１を形成した位置（領域Ｒ１，Ｒ３）では、レジスト膜１０１は連続的に形成されることになる。

また、制御部１６２は、加工対象１００上のレジスト膜１０１を硬化したレジストパターンのＲＬＴの計測結果を取得し、ＲＬＴが基準値から外れている部分について、ＲＬＴが基準値内に収まるようにレシピ中の液体吐出部材制御情報を変更する。変更されたレシピは次の加工対象１００へのレジストの塗布の際に使用される。このように、加工対象１００上のレジスト膜１０１を硬化して得られるレジストパターンのＲＬＴが基準値内に収まるようにフィードバック制御がなされる。

次に、このような液体吐出装置における液体吐出方法を含む半導体装置の製造方法について説明する。図７は、第１の実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。まず、液体吐出装置１０のステージ１１上に、加工対象１００を載置する（ステップＳ１１）。

ついで、制御装置１６の制御部１６２は、加工対象１００に対応するレシピを記憶部１６１から取得し、レシピにしたがってステージ１１、液体吐出部材１３およびポンプ１５の動作を制御する。ここでは、制御部１６２は、ステージ１１と液体吐出部材１３とを走査方向Ｓに相対的に移動させながら、レシピの液体吐出部材制御情報に定められる電圧を圧電素子３３に印加して、加工対象上にレジストを塗布する（ステップＳ１２）。

その後、テンプレートの凹凸パターンが配置されたパターン配置面を加工対象１００上のレジストに接触させる（ステップＳ１３）。パターン配置面の凹パターンにレジストを充填させた後、レジストを硬化しレジストパターンを形成する（ステップＳ１４）。例えば、レジストが光硬化性樹脂からなる場合には、紫外線などの光を照射することによって、レジストが硬化され、レジストパターンが形成される。ついで、レジストパターンからテンプレートを離型する（ステップＳ１５）。なお、加工対象１００上のレジストの塗布領域の面積がテンプレートのパターン形成面よりも大きい場合には、硬化されなかったレジストの塗布領域について、ステップＳ１３〜ステップＳ１５までの処理を繰り返し実行する。

その後、加工対象１００上のレジストパターンのＲＬＴを計測する（ステップＳ１６）。ＲＬＴの計測は、例えば図示しないレーザ干渉計などの膜厚計測装置を用いて行われる。ＲＬＴの計測結果は、膜厚計測装置から制御装置１６へと出力される。

ついで、制御部１６２は、加工対象１００上の各位置におけるＲＬＴと基準値とを比較し、ＲＬＴが基準値から外れている部分があるかを判定する（ステップＳ１７）。基準値は、加工対象１００上で望ましいとされるＲＬＴの範囲を示す。

ＲＬＴが基準値から外れている部分がある場合（ステップＳ１７でＹｅｓの場合）には、制御部１６２は、ＲＬＴが基準内に収まるレジストの吐出量となるように、レシピの液体吐出部材制御情報に定められる電圧を変更する（ステップＳ１８）。このとき、ＲＬＴが基準値から外れている位置での圧電素子３３への印加電圧が変更される。

その後、またはステップＳ１７でＲＬＴが基準値から外れている部分がない場合（ステップＳ１７でＮｏの場合）には、ステージ１１上に新たな加工対象１００が載置される（ステップＳ１９）。そして、新たな加工対象１００について、ステップＳ１２からの処理が実行される。なお、ステップＳ１８でレシピが変更されている場合には、ステップＳ１２では、変更されたレシピに従った処理が行われる。

上記した説明では、図２（ａ）に示されるように、液体吐出部材１３の第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のスリット１３３の形成面に吐出量調整部３０が設けられる場合を示したが、実施形態はこれに限定されない。例えば、１つの圧電素子３３の変形だけでスリット１３３を閉じることができる場合には、吐出量調整部３０が第１ブロック１３１および第２ブロック１３２のいずれか一方のスリット１３３形成面に設けられる構成としてもよい。

第１の実施形態では、液体吐出部材１３のスリット１３３内に印加電圧によってスリットギャップＧを調整することができる吐出量調整部３０を設けた。制御部１６２は、レシピにしたがって、液体吐出部材１３の加工対象１００上での位置に応じてスリットギャップＧを変化させる。これによって、液体吐出部材１３の加工対象１００上での位置によってレジストの吐出量を変えることができる。また、加工対象１００上に形成されたレジスト膜は、連続的な膜となる。その結果、インプリント処理時に、泡がみの発生を抑制することができるとともに、レジストを硬化した後のＲＬＴを加工対象１００上の全面で略均一にすることができる。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、液体吐出部材の幅方向の全体にわたって、同じスリットギャップとなるように吐出量調整部が設けられた。第２の実施形態では、液体吐出部材の幅方向でスリットギャップを変更することができる場合を説明する。

図８は、第２の実施形態による液体吐出部材のスリット位置でのスリットに平行な方向の構成の一例を示す断面図である。なお、図８では、絶縁層３１、第２電極３４および保護膜３６の図示を省略している。この図に示されるように、液体吐出部材１３の幅Ｗよりも短い幅ｗを有する複数の圧電素子３３がスリット１３３の形成面の幅方向に配置されている。各圧電素子３３には、第１電極３２および第２電極３４が接続される。また、それぞれの第１電極３２には、第１配線３５ａが接続され、それぞれの第２電極３４には、第２配線３５ｂが接続される。このように、複数の圧電素子３３を幅方向に配置することによって、圧電素子３３の幅ｗの単位でレジストの吐出量を変えることができる。

図９は、第２の実施形態による加工対象へのレジストの塗布の一例を示す図である。液体吐出部材１３の幅方向の位置、および液体吐出部材１３の走査方向Ｓの位置に応じて、各圧電素子３３のスリットギャップを制御することで、種々のレジスト膜１０１を形成することができる。例えば、図９（ａ）に示されるように、加工対象１００上の全面に均一な厚さのレジスト膜１０１を塗布することもできるし、図９（ｂ）に示されるように、幅方向に厚さの異なるレジスト膜１０１を塗布することもできる。図９（ｂ）の場合には、領域Ｒ１１のレジスト膜１０１の厚さＴ１は、領域Ｒ１２のレジスト膜１０１の厚さＴ２よりも厚くなっている。

図９（ｃ）は、走査方向Ｓに延在するライン状のパターンが幅方向に配列されたストライプ状のレジスト膜１０１を加工対象１００上に塗布した場合を示している。図９（ｄ）は、所定の大きさの矩形状のパターンを幅方向および走査方向Ｓに周期的に配置したチェッカ状のレジスト膜１０１を加工対象１００上に塗布した場合を示している。図９（ｅ）は、さらにサイズおよび厚さの異なる矩形状のパターンが幅方向および走査方向Ｓに配置されたレジスト膜１０１を加工対象１００上に塗布した場合を示している。図９（ｅ）では、領域Ｒ１１では、レジスト膜１０１の厚さはＴ１であり、領域Ｒ１２では、レジスト膜１０１の厚さはＴ２（＜Ｔ１）であり、領域Ｒ１３では、レジスト膜１０１が形成されていない場合を示している。この他にも、圧電素子３３の幅ｗの単位で種々のパターンを有するレジスト膜１０１を加工対象１００上に塗布することができる。

なお、図８では、複数の圧電素子３３を液体吐出部材１３のスリット１３３の形成面の幅方向に配置される場合を説明したが、実施形態はこれに限定されない。例えば、液体吐出部材１３のスリット１３３の形成面の幅方向にわたって１つの圧電素子を配置し、液体吐出部材１３の幅Ｗよりも短い幅ｗを有する複数の第１電極３２および第２電極３４がスリット１３３の形成面の幅方向に配置されるようにしてもよい。すなわち、吐出量の調整単位をスリット１３３の形成面の幅方向に分割できればよい。

第２の実施形態では、液体吐出部材１３のスリット１３３の形成面に配置される吐出量調整部３０を幅方向に分割した。これによって、走査方向Ｓだけでなく、幅方向の位置に応じてレジストの吐出量を制御することができる。例えば、加工対象１００が円形状である場合に、加工対象１００の周縁部でのレジストの吐出量を制御することが可能になる。

（第３の実施形態）
第１および第２の実施形態では、スリットギャップの調整を吐出量調整部の伸縮によって行っていた。例えば、スリットギャップを０にしたい場合には、吐出量調整部同士を接触させている。この場合、吐出量調整部間の接触が完全でない場合には、微量のレジストが漏れてしまう可能性がある。第３の実施形態では、スリットギャップを０にした場合のレジストの漏れを抑制することができる場合を説明する。

図１０は、第３の実施形態による液体吐出部材のスリットに垂直な方向の断面図である。なお、第１および第２の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、第１および第２の実施形態と異なる部分について説明する。

図１０に示されるように、第３の実施形態による液体吐出部材１３は、吐出量調整部３０を覆う弾性膜３７をさらに備える。弾性膜３７は、スリットギャップを０にしたときに接触した吐出量調整部３０間からのレジストの漏れを抑制する機能を有する。なお、弾性膜３７は、薬品に対する耐性を有することが望ましい。弾性膜３７は、例えばゴムによって構成される。また、圧電素子３３は、弾性膜３７を潰せる荷重性能を有することが望ましい。

なお、弾性膜３７を設ける場合には、第２電極３４上に配置される保護膜３６を省略してもよい。

第３の実施形態では、吐出量調整部３０を覆う弾性膜３７をさらに設けた。これによって、スリットギャップを０にしたときに接触した吐出量調整部３０間からのレジストの漏れを抑制することができる。

なお、上記した説明では、液体吐出部材１３の幅Ｗは加工対象１００の幅と同じ場合を例に挙げたが、加工対象１００内の加工単位の幅と同じとしてもよい。例えば、インプリント処理では、ショット領域単位で実行されるので、矩形状のショット領域の幅方向および長さ方向のいずれかと同じサイズとしてもよい。

図１１は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す図である。制御装置１６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３１１と、ＲＯＭ（Read Only Memory）３１２と、主記憶装置であるＲＡＭ（Random Access Memory）３１３と、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）またはＣＤ（Compact Disc）ドライブ装置などの外部記憶装置３１４と、ディスプレイ装置などの表示装置３１５と、キーボードおよびマウスなどの入力装置３１６と、を備えており、これらがバスライン３１７を介して接続された、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。

本実施形態の制御装置１６で実行されるプログラムは、図７に示される方法を実行するものであり、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。

また、本実施形態の制御装置１６で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態の制御装置１６で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。

また、本実施形態のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

［付記］
［付記１］
加工対象と所定の間隔を置いて配置され、第１方向に前記加工対象に対して相対的に移動されながらスリットから液体を吐出する液体吐出部材において、
前記スリットの形成面に、前記第１方向に直交する第２方向に延在し、前記液体の吐出量を調整する吐出量調整部を有する液体吐出部材。
［付記２］
前記吐出量調整部は、前記スリットの前記第１方向に沿ったスリットギャップを変更する付記１に記載の液体吐出部材。
［付記３］
前記吐出量調整部は、前記スリットの前記加工対象側の先端部付近に設けられる付記１または２に記載の液体吐出部材。
［付記４］
前記吐出量調整部は、前記第１方向に直交する前記スリットの形成面のいずれか一方に設けられる付記１から３のいずれか１つに記載の液体吐出部材。
［付記５］
前記吐出量調整部は、前記第１方向に直交する前記スリットの形成面の両方に設けられる付記１から３のいずれか１つに記載の液体吐出部材。
［付記６］
前記吐出量調整部は、前記第２方向に沿った位置で同じスリットギャップとされる付記１から５のいずれか１つに記載の液体吐出部材。

１０ 液体吐出装置、１１ ステージ、１２ 液体貯蔵部、１３ 液体吐出部材、１４ 配管、１５ ポンプ、１６ 制御装置、３０ 吐出量調整部、３１ 絶縁層、３２ 第１電極、３３ 圧電素子、３４ 第２電極、３５ 配線、３５ａ 第１配線、３５ｂ 第２配線、３６ 保護膜、３７ 弾性膜、１００ 加工対象、１０１ レジスト膜、１３１ 第１ブロック、１３２ 第２ブロック、１３３ スリット、１３３ａ 開口部、１６１ 記憶部、１６２ 制御部。

Claims (5)

1. 加工対象と所定の間隔を置いて配置され、第１方向に前記加工対象に対して相対的に移動されながらスリットから液体を吐出する液体吐出部材において、
   前記スリットの形成面に、前記第１方向に直交する第２方向に延在し、前記液体の吐出量を調整する吐出量調整部を有する液体吐出部材。
2. 前記吐出量調整部は、前記第２方向に沿った所定の長さを有する単位でスリットギャップを変更可能とされる請求項１に記載の液体吐出部材。
3. 前記吐出量調整部は、圧電素子を含む請求項１または２に記載の液体吐出部材。
4. 加工対象を載置するステージと、
   液体を貯蔵する液体貯蔵部と、
   配管を介して前記液体貯蔵部からの液体をスリットから前記加工対象上に吐出し、前記ステージに対して第１方向に相対的に移動可能な液体吐出部材と、
   を備え、
   前記液体吐出部材は、前記スリットの形成面に、前記第１方向に直交する第２方向に延在し、前記液体の吐出量を調整する吐出量調整部を有する液体吐出装置。
5. ステージ上に加工対象を載置し、
   加工対象と所定の間隔を置いて配置され、第１方向に前記ステージに対して相対的に移動される液体吐出部材のスリットから、レシピにしたがって前記加工対象上にレジストを吐出し、
   前記加工対象上の前記レジストに、凹凸パターンを有するテンプレートを接触させ、
   前記レジストを硬化させてレジストパターンを形成し、
   前記テンプレートを離型し、
   前記レジストパターンの残膜の厚さを計測し、
   前記残膜の厚さが基準値から外れている部分があるかを判定し、
   前記残膜の厚さが前記基準値から外れている場合に、前記残膜の厚さが前記基準値内に収まるように前記レシピを変更し、
   前記液体吐出部材は、前記スリットの形成面に、前記第１方向に直交する第２方向に延在し、前記レジストの吐出量を調整する吐出量調整部を有し、
   前記レジストの吐出では、前記レシピにしたがって、前記加工対象上の前記第１方向に沿った位置によって前記第１方向に沿ったスリットギャップを変える半導体装置の製造方法。

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