JP2015233101A - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に目標量のインプリント材を供給するために有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板上に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置は、前記インプリント材の液滴を前記基板に向けてそれぞれ吐出する複数のノズルを有し、各ノズルからの液滴の吐出によって前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部と、前記供給部から前記基板上に供給される液滴の前記基板上における配置を示すマップに従って、各ノズルにおける液滴の吐出を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記マップに従って前記基板上に実際に供給された前記インプリント材の総量に関する情報に基づいて、各ノズルから吐出される各液滴の理想体積と前記供給部から前記基板上に供給される液滴の数との積が前記情報における前記インプリント材の総量に近づくように前記マップを更新する。
【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。

基板上のインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置は、インプリント材の液滴を基板に向けて吐出する複数のノズルを含む。そして、インプリント装置は、基板上に供給させる液滴の基板上における配置を示すマップに従って各ノズルにおける液滴の吐出をそれぞれ制御することにより、基板上にインプリント材を供給する。

インプリント装置では、ノズルの製造ばらつきなどにより、各ノズルから実際に吐出される各液滴の体積が理想体積（目標体積）と異なる場合がある。この場合、モールドによって成形された後のインプリント材の膜厚が許容範囲に収まらないことがありうる。特許文献１には、各ノズルから液滴として吐出されるインプリント材の吐出量を個別に調整することができるインプリント装置が提案されている。

特開２０１３−６５６２４号公報

特許文献１に記載されたインプリント装置では、各ノズルから吐出される各液滴の体積が理想体積になるように各ノズルの駆動電圧が個別に制御される。しかしながら、この場合、各ノズルを制御するための回路構成や、インプリント材を基板上に供給する際における各ノズルの制御が複雑化しうる。

そこで、本発明は、基板上に目標量のインプリント材を供給するために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置であって、前記インプリント材の液滴を前記基板に向けてそれぞれ吐出する複数のノズルを有し、各ノズルからの液滴の吐出によって前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部と、前記供給部から前記基板上に供給される液滴の前記基板上における配置を示すマップに従って、各ノズルにおける液滴の吐出を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記マップに従って前記基板上に実際に供給された前記インプリント材の総量に関する情報に基づいて、各ノズルから吐出される各液滴の理想体積と前記供給部から前記基板上に供給される液滴の数との積が前記情報における前記インプリント材の総量に近づくように前記マップを更新する、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板上に目標量のインプリント材を供給するために有利なインプリント装置を提供することができる。

第１実施形態のインプリント装置を示す概略図である。 マップを作成する方法を示すフローチャートである。 供給量分布の一例を示す図である。 供給量分布に基づいて作成されたマップを示す図である。 第１実施形態におけるインプリント処理を示すフローチャートである。 第１実施形態におけるマップの更新についてのフローチャートである。 インプリント材の膜厚分布を示す図である。 補正分布を示す図である。 新たに作成されたマップを示す図である。 第２実施形態におけるマップの更新についてのフローチャートである。 第１モールドおよび第２モールドを示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について説明する。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用され、モールド１を用いて基板上のインプリント材６を成形するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置１００は、凹凸のパターンが形成されたモールド１を基板上のインプリント材６に接触させた状態で当該インプリント材６を硬化させる。そして、インプリント装置１００は、モールド１と基板４との間隔を広げ、硬化したインプリント材６からモールド１を剥離（離型）することによって基板上にインプリント材６で構成されたパターンを形成することができる。インプリント材６を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、第１実施形態では光硬化法を採用する例について説明する。光硬化法とは、インプリント材６として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールド１とインプリント材６とを接触させた状態でインプリント材６に紫外線を照射することにより当該インプリント材６を硬化させる方法である。ここでは、光として紫外線を用いる場合について説明するが、それとは異なる波長の光を用いてもよい。

［インプリント装置の構成について］
図１は、第１実施形態のインプリント装置１００を示す概略図である。インプリント装置１００は、モールド１を保持するモールドステージ２と、基板４を保持する基板ステージ５と、基板上のインプリント材６に光を照射して当該インプリント材６を硬化させる硬化部３とを含みうる。また、インプリント装置１００は、インプリント材６を基板４に供給する供給部７と、制御部８とを含みうる。制御部８は、例えばＣＰＵやメモリなどを有し、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。

モールド１は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域１ａ）には、基板上のインプリント材６を成形するための凹凸のパターンが形成されている。また、基板４には、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられうる。基板４の上面（被処理面）には、後述する供給部７によってインプリント材６が供給される。

モールドステージ２は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールド１を保持し、モールド１のパターン領域１ａと基板上のインプリント材６とを接触させたり剥離させたりするようにモールド１をＺ方向に駆動する。モールドステージ２は、Ｚ方向にモールド１を駆動する機能だけでなく、ＸＹ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）におけるモールド１の位置を調整する調整機能や、モールド１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していてもよい。また、基板ステージ５は、例えば真空吸着力や静電力などにより基板４を保持し、基板４のＸＹ方向における位置決めを行う。基板ステージ５は、ＸＹ方向に基板４を移動させる機能だけでなく、Ｚ方向に基板４を移動させる機能やθ方向における基板４の位置を調整する調整機能などを有していてもよい。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００では、モールド１と基板４との間の距離を変える動作がモールドステージ２によって行われるが、それに限られるものではなく、基板ステージ５によって行われてもよいし、双方で相対的に行われてもよい。

硬化部３は、インプリント処理の際に、基板上に供給されたインプリント材６に光（紫外線）を照射し、当該インプリント材６を硬化する。硬化部３は、例えば、インプリント材６を硬化させる光（紫外線）を射出する光源を有する。さらに、光源から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整するための光学素子を含んでいてもよい。ここで、第１実施形態では光硬化法が採用されているため、紫外線を射出する光源が用いられているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、インプリント材６としての熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源が光源の代わりに用いられる。

供給部７は、インプリント材６を収容するタンク７ａと、タンク７ａに収容されたインプリント材６を基板に供給するディスペンサ７ｂとを含みうる。ディスペンサ７ｂは、インプリント材６の液滴を基板４に向けてそれぞれ吐出する複数のノズル７ｃを有する。供給部７は、基板４と供給部７とが相対的に移動している状態で各ノズル７ｃからインプリント材６の液滴を吐出させることにより、基板上にインプリント材６を供給する。例えば、複数のノズル７ｃがＹ方向に沿って配列している場合、各ノズル７ｃからインプリント材６の液滴を基板４に供給する工程は、複数のノズル７ｃの配列方向と異なる方向（例えばＸ方向）に基板４が移動している状態で行われる。このとき、各ノズル７ｃにおける液滴の吐出または非吐出（吐出のタイミング）は、基板上に供給させるインプリント材６の液滴の基板上における配置を示すマップに従って制御部８により制御される。マップは、モールド１のパターン領域１ａに形成された凹凸のパターンの設計情報、および各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積に基づいて制御部８によって事前に作成される。各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積とは、各ノズル７ｃに製造誤差や目詰まりなどの異常が生じていない状態において各ノズル７ｃから吐出されるべき各液滴の体積のことを示す。

［マップの作成方法について］
ここで、制御部８がマップを作成する方法について説明する。図２は、各ノズル７ｃによるインプリント材６の液滴の吐出を制御するためのマップを作成する方法を示すフローチャートである。Ｓ２１では、制御部８は、モールド１に形成された凹凸のパターンの設計情報（パターンの位置および凹部の深さを示す情報）に基づいて、当該パターンに必要なインプリント材６の供給量分布１１を求める。例えば、制御部８は、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積を用いて、モールド１によって凹凸のパターンに成形されたインプリント材６の膜厚が許容範囲に収まるように供給量分布１１を求める。ここで、インプリント材６の膜厚としては、例えば、インプリント材６で構成された凹凸のパターンの凹部と基板４との間のインプリント材６の厚さのことを示す。一般に、この膜厚は、残膜（ＲＬＴ）と呼ばれている。残膜の代わりに、基板上に形成されたインプリント材６のパターンの高さを用いてもよい。図３は、モールド１に形成されたパターンの設計情報に基づいて求められた供給量分布１１の一例を示す図である。ここでは、供給量分布１１は、色の濃淡による多値の画像データで表されており、色が濃い方がインプリント材６の供給量が多いことを示している。例えば、図３に示される供給量分布１１おいて、領域１１ａは、モールド上のパターン領域１ａに対応する領域であり、インプリント材６が領域１１ｂより多く供給される。

Ｓ２２では、制御部８は、Ｓ２１で求めた供給量分布１１に対してハーフトーン処理による二値化を行い、インプリント材６の液滴を供給させる基板上の位置を示すマップを作成する。ハーフトーン処理としては、例えば、誤差拡散法が用いられうる。図４は、供給量分布１１に基づいて作成されたマップ１２を示す図であり、ディスペンサ７ｂにおける複数のノズル７ｃの配列も併せて示している。マップ１２は、Ｙ方向における複数の画素とディスペンサ７ｂにおける複数のノズル７ｃとが同じ数になるように作成されうる。ここで、Ｓ２２で作成されるマップ１２は、基板上における１つのショット領域に供給させるべきインプリント材６の液滴の配置を表すものである。ショット領域とは、１回のインプリント処理によってモールド１のパターンを転写させる基板上の領域のことである。また、図４に示すマップ１２において、黒い画素１２ａはインプリント材６の液滴を供給させるショット領域上の位置を表し、白い画素１２ｂはインプリント材６の液滴を供給させないショット領域上の位置を表す。Ｓ２３では、制御部８は、Ｓ２２で作成したマップを記憶する。

制御部８は、このように作成されたマップに従い、基板４と供給部７を相対的にＸ方向に移動させながら、各ノズル７ｃにおける液滴の吐出を制御する。しかしながら、インプリント装置１００では、ノズル７ｃの製造ばらつきなどにより、各ノズル７ｃから実際に吐出される各液滴の体積が理想体積と異なる場合がある。この場合、上述の方法で作成されたマップを用いて各ノズル７ｃの吐出を制御してしまうと、供給部７によって基板上に実際に供給されたインプリント材６の総量が、インプリント材６の膜厚を目標膜厚にするために必要なインプリント材６の総量と異なりうる。その結果、モールド１を用いて成形されたインプリント材６の膜厚が目標膜厚に近づけることが困難になりうる。そこで、本実施形態のインプリント装置１００は、マップに従って基板上に実際に供給されたインプリント材６の総量に関する情報を取得する。そして、インプリント装置１００は、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積と供給部７から基板上に供給される液滴の数との積が、当該情報におけるインプリント材６の総量に近づくように当該マップを更新する。以下に、第１実施形態のインプリント装置１００におけるインプリント処理について説明する。

［インプリント処理について］
図５は、第１実施形態におけるインプリント処理を示すフローチャートである。Ｓ５１では、制御部８は、モールド１をモールドステージ２の下に搬送するようにモールド搬送機構（不図示）を制御し、モールド１を保持するようにモールドステージ２を制御する。モールド１（パターン領域１ａ）には、上述のように設計情報に従った凹凸のパターンが形成されており、モールド１に形成されたパターンを識別するための個別ＩＤが設定されている。制御部８は、読み取り機構（不図示）にモールド１の個別ＩＤを読み取らせ、その個別ＩＤを取得する。Ｓ５２では、制御部８は、Ｓ５１で取得したモールド１の個別ＩＤに基づいて、ディスペンサ７ｂが有する複数のノズル７ｃの各々を制御するためのマップを取得する。マップは、モールド１に形成された凹凸のパターンの設計情報に基づいて予め作成されてもよいし、個別ＩＤからパターンの設計情報を読み出して逐次作成されてもよい。Ｓ５３では、制御部８は、基板４を基板ステージ５の上に搬送するように基板搬送機構（不図示）を制御し、基板４を保持するように基板ステージ５を制御する。これにより、基板４がインプリント装置内に配置される。

Ｓ５４では、制御部８は、モールド１のパターンを転写する対象のショット領域にインプリント材６を供給するように供給部７を制御する。例えば、制御部８は、基板４をＸ方向に移動させながら、Ｓ５３で取得したマップに従って各ノズル７ｃにおける液滴の吐出を制御する。Ｓ５５では、制御部８は、基板ステージ５を制御することにより、インプリント材６が供給されたショット領域をモールド１のパターン領域１ａの下に配置させる。そして、制御部８は、モールド１と基板４との距離が短くなるようにモールドステージ２を制御し、モールド１と基板上のインプリント材６とを接触させる。Ｓ５６では、制御部８は、モールド１とインプリント材６とが接触している状態で、モールド１と基板４との位置合わせを行う。例えば、制御部８は、モールド１に設けられたマークと基板４に設けられたマークとをアライメントスコープ（不図示）に検出させ、検出されたモールド１のマークと基板４のマークとを用いてモールド１と基板４との相対位置を制御する。ここで、Ｓ５５およびＳ５６の工程において、基板上のインプリント材６をモールド１のパターンの凹部に十分に充填させるため、モールド１とインプリント材６とを接触させた状態で所定の時間を経過させるとよい。

Ｓ５７では、制御部８は、モールド１を接触させたインプリント材６に対して光（紫外線）を照射するように硬化部３を制御し、当該インプリント材６を硬化させる。Ｓ５８では、制御部８は、モールド１と基板４との距離が長くなるようにモールドステージ２を制御し、モールド１をインプリント材６から剥離（離型）させる。Ｓ５９では、制御部８は、基板上に引き続きモールド１のパターンを転写するショット領域（次のショット領域）があるか否かの判定を行う。次のショット領域がある場合はＳ５４に進み、次のショット領域がない場合はＳ６０に進む。Ｓ６０では、制御部８は、基板４を基板ステージ５から回収するように基板搬送機構（不図示）を制御する。Ｓ６１では、制御部８は、マップを更新するか否かを判断する。マップを更新する場合はＳ６２に進み、マップを更新しない場合はＳ６３に進む。制御部８は、例えば、モールド１のパターンが転写されたショット領域の個数や基板４の枚数、前にマップを更新した時期からの経過時間、ディスペンサ７ｂの交換時期などを考慮してマップを更新するか否かの判断を行うとよい。特に、制御部８は、ディスペンサ７ｂを交換したときにマップを更新するように当該判断を行うとよい。また、制御部８は、モールド１を用いて実際に成形されたインプリント材６の膜厚と目標膜厚との差が閾値以上である場合にマップを更新するように当該判断を行ってもよい。Ｓ６２では、制御部８は、後述するように、マップに従って基板上に実際に供給されたインプリント材６の総量に関する情報に基づいてマップを更新する。例えば、制御部８は、マップにおける液滴の数を変更することにより当該マップを更新する。Ｓ６３では、制御部８は、引き続きモールド１のパターンの転写を行う基板４（次の基板４）があるか否かの判定を行う。次の基板４がある場合はＳ５３に進み、次の基板がない場合はインプリント処理を終了する。

［マップの更新について］
次に、Ｓ６２において実施されるマップの更新について説明する。図６は、マップの更新についてのフローチャートである。Ｓ６２−ａ１では、制御部８は、マップに従って基板上に実際に供給されたインプリント材６の体積に関する情報を取得する。当該情報は、例えば、マップに従って基板上に供給され、且つモールド１を用いて成形された後のインプリント材６を用いて取得されうる。モールド１を用いて成形されたインプリント材６の総量（体積Ｖ）は、例えば式（１）によって表される。式（１）において、Ｓｐはモールド１の凹凸パターンにおける凹部のＸＹ方向における面積、Ｄはモールド１の凹凸パターンにおける凹部の深さ、Ｓａはモールド上のパターン領域１ａの面積、ＲＬＴはインプリント材６の膜厚（残膜の厚さ）を示す。即ち、制御部８は、当該インプリント材６の膜厚とモールド１の凹凸パターンの設計情報とに基づいて当該情報を取得することができる。インプリント材６の膜厚は、例えば、インプリント装置１００内に設けられた計測部４０や、インプリント装置１００の外部に設けられた計測装置などによって計測されうる。図７は、基板上（ショット領域上）における複数の箇所の各々で計測されたインプリント材６の膜厚分布１３（残膜の厚さ分布）を示す図である。図７では、各箇所におけるインプリント材６の膜厚が、色の濃淡による多値の画像データによって表される。例えば、図７における箇所１３ａはインプリント材６の膜厚が箇所１３ｂより薄い箇所を示す。
Ａ＝Ｓｐ×Ｄ＋Ｓａ×ＲＬＴ ・・・（１）

Ｓ６２−ａ２では、制御部は、マップにおける液滴の数を補正するための補正係数αを決定する。例えば、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積Ｖｄ、マップにおける液滴の数Ｎ、および取得した情報におけるインプリント材６の体積Ａの関係は、補正係数αを用いて式（２）によって表されうる。したがって、制御部８は、式（２）を満たすように補正係数αを決定する。即ち、制御部８は、各ノズル７ｃからの各液滴の理想体積、およびマップにおける液滴の数を、Ｓ６２−ａ１で取得された情報におけるインプリント材の総量から除することによって補正係数αを決定する。このように決定した補正係数αをマップにおける液滴の数Ｎに乗じた値が、各ノズル７ｃから実際に吐出される各液滴の体積と理想体積との間に差が生じている場合に、マップにおいて必要な液滴の数（必要数Ｎ’）となる。ここで、図７に示すように、モールド１を用いて成形されたインプリント材６の膜厚が各箇所において異なる場合には、各箇所について補正係数αを求めてもよい。この場合、マップにおける液滴の数が各箇所について変更される。
Ｖｄ×Ｎ×α＝Ｓｐ×Ｄ＋Ｓａ×ＲＬＴ ・・・（２）

Ｓ６２−ａ３では、制御部８は、Ｓ６２−ａ２で決定した補正係数αを用いて、基板上に供給される液滴の配置を示すマップを新たに作成する。制御部８は、モールド１の凹凸パターンの設計情報に基づいて求められた供給量分布１１に補正係数αを乗じることにより、供給部７によってインプリント材６を基板上に供給する量が補正された分布（補正分布１４）を作成する。図８は、補正分布１４の例を示す図であり、色の濃淡による多値の画像データで表されている。図８に示す補正分布１４において、領域１４ａは、モールド上のパターン領域１ａに対応する領域であり、インプリント材６が領域１４ｂより多く供給される。また、図８に示す補正分布１４の例では、図３に示す供給量分布１１に比べて全体的に色が濃くなっており、インプリント材６の供給量を全体的に増やすこととなる。

制御部８は、図８に示す補正分布１４に対してハーフトーン処理による二値化を行うことにより、供給部７から基板上に供給される液滴の数が必要数Ｎ’になるように新たなマップを作成することができる。即ち、制御部８は、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積と供給部７によって基板上に供給される液滴の数との積が、Ｓ６２−ａ１で取得した情報におけるインプリント材６の総量に近づくようにマップを作成することができる。図９は、新たに作成されたマップ１５を示す図である。図９に示すマップ１５において、黒い画素１５ａはインプリント材６の液滴を供給させるショット領域上の位置を表し、白い画素１５ｂはインプリント材６の液滴を供給させないショット領域上の位置を表す。図９に示す新たなマップ１５では、図４に示すマップ１２と比較して、液滴の数が変更されていることがわかる。Ｓ６２−ａ４では、制御部８は、Ｓ６２−ａ３において新たに作成されたマップを記憶し、マップの更新を行う。

ここで、上述の工程によって決定された補正係数αは、補正係数αを決定するために用いられたマップとは異なるマップ（第４マップ）を作成する際にも用いられうる。この場合、制御部８は、第４マップにおける液滴の数が、各ノズル７ｃから吐出される液滴の理想体積とモールドの凹凸パターンの設計情報とに基づいて求められる液滴の数に補正係数αを乗じた数になるように当該第４マップを作成する。このように、第４マップを作成することにより、第４マップに従って基板上に供給され、モールドを用いて成形されたインプリント材６の膜厚を目標膜厚に近づけることができる。

上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００は、マップに従って基板上に実際に供給されたインプリント材の総量に関する情報に基づいて、マップにおける液滴の数を補正するための補正係数αを決定する。そして、インプリント装置１００は、決定した補正係数αを用いて、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積と供給部７から基板上に供給される液滴の数との積が、当該情報におけるインプリント材６の総量に近づくように当該マップを更新する。これにより、インプリント装置１００は、各ノズル７ｃから実際に吐出される液滴の体積が理想体積と異なる場合であっても、モールド１を用いて成形されたインプリント材の膜厚を目標膜厚に近づけることができる。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態のインプリント装置について説明する。第１実施形態では、１つのマップに従って基板上に実際に供給されたインプリント材６の総量に関する情報に基づいて補正係数αを求める例について説明した。この補正係数αを更に精度よく求めるためには、互いに異なる複数の条件において取得された複数の情報を用いることが好ましい。複数の情報は、例えば、複数のマップの各々に従って基板上に供給されたインプリント材の総量を求めることによって取得されうる。第２実施形態では、複数のマップの各々に従って基板上に供給され、各マップに対応するモールドを用いて成形されたインプリント材の総量（体積）を求めることによって取得された複数の情報に基づいて補正係数α１を求める例について説明する。以下の説明では、第２実施形態のインプリント装置におけるマップの更新について説明する。また、第２実施形態のインプリント装置は、第１実施形態のインプリント装置１００と装置構成が同じであるため、ここでは装置構成についての説明を省略する。

［マップの更新について］
第２実施形態のインプリント装置において実施されるマップの更新（Ｓ６２）について説明する。図１０は、第２実施形態におけるマップの更新についてのフローチャートである。

Ｓ６２−ｂ１では、制御部８は、マップの更新に使用されるモールドを保持するようにモールドステージ２を制御する。Ｓ６２−ｂ２では、制御部８は、基板（例えばダミー基板）を保持するように基板ステージを制御する。Ｓ６２−ｂ３では、制御部８は、モールドのパターンを転写する基板上の領域に、マップに従ってインプリント材を供給するように供給部７を制御する。ここでは、Ｓ６２−ｂ１においてモールドステージ２に保持されたモールドについて図２のフローチャートを実行することによって作成されたマップが用いられることが好ましい。Ｓ６２−ｂ４では、制御部８は、インプリント材が供給された基板上の領域をモールドのパターン領域の下に配置させ、モールドと基板上のインプリント材とを接触させる。Ｓ６２−ｂ５では、制御部８は、モールドを接触させたインプリント材に対して光（紫外線）を照射するように硬化部３を制御し、当該インプリント材を硬化させる。

Ｓ６２−ｂ６では、制御部８は、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）させる。Ｓ６２−ｂ７では、制御部８は、凹凸のパターンに成形されたインプリント材の膜厚を計測部４０によって計測し、供給部７によって基板上に実際に供給されたインプリント材の総量に関する情報を取得する。ここでは、インプリント材の膜厚が、インプリント装置内における計測部４０によって計測されるが、インプリント装置の外部に設けられた計測装置などによって計測されてもよい。Ｓ６２−ｂ８では、制御部８は、インプリント材の総量に関する情報の数が規定数に達したか否かを判断する。情報の数が規定数に達した場合はＳ６２−ｂ９に進む。一方で、情報の数が規定数に達していない場合はＳ６２−ｂ１に進み、情報の取得に用いられたモールドとは異なるモールドを用いて情報の取得を開始する。

Ｓ６２−ｂ９では、制御部８は、Ｓ６２−ｂ１〜Ｓ６２−ｂ７の工程を繰り返すことによって取得された複数の情報に基づいて補正係数α１を決定する。例えば、第１モールド１’および第２モールド１”を含む複数のモールド用いて補正係数α１を求める場合を想定する。図１１は、第１モールド１’および第２モールド１”をそれぞれ示す図である。第１モールド１’および第２モールド１”は、図１１に示すように、凹凸のパターンにおける凹部の深さが互いに異なるようにそれぞれ構成されている。この場合、制御部８は、Ｓ６２−ｂ７において、第１マップに従って基板上に供給され且つ第１モールド１’を用いて成形されたインプリント材の膜厚に基づいて第１情報を取得することができる。第１マップは、第１モールド１’について図２のフローチャートを実行することによって作成されることが好ましい。このとき、各ノズル７ｃから吐出される液滴の理想体積Ｖｄ、第１マップにおける液滴の数Ｎ１、および第１情報におけるインプリント材の総量の間における関係は、補正係数α１を用いて式（３）によって表されうる。式（３）における右辺が第１情報におけるインプリント材の総量を示しており、第１モールド１’のパターンの設計情報および第１モールド１’を用いて成形されたインプリント材の膜厚に基づいて算出される。ここで、式（３）において、Ｓｐはモールド（第１モールド１’または第２モールド１”）に形成されたパターンにおける凹部のＸＹ方向における面積、Ｄ１は第１モールドに形成されたパターンにおける凹部の深さを示す。また、Ｓａはモールド上のパターン領域の面積、ＲＬＴ１は第１モールド１’を用いて成形されたインプリント材６の膜厚（残膜の厚さ）を示す。
Ｖｄ×Ｎ１×α１＝Ｓｐ×Ｄ１＋Ｓａ×ＲＬＴ１ ・・・（３）

また、制御部８は、Ｓ６２−ｂ７において、第２マップに従って基板上に供給され且つ第２モールド１”を用いて成形されたインプリント材の膜厚に基づいて第２情報を取得することができる。第２マップは、第２モールド１”について図２のフローチャートを実行することによって作成されることが好ましい。このとき、各ノズルから吐出される液滴の理想体積、第２マップにおける液滴の数、および第２情報におけるインプリント材の総量との関係は、補正係数α１を用いて式（４）によって表されうる。式（４）における右辺が第２情報におけるインプリント材の体積を示しており、第２モールド１”のパターンの設計情報および第２モールド１”を用いて成形されたインプリント材の膜厚に基づいて算出される。そして、制御部８は、式（３）および式（４）を用いることにより、補正係数α１を決定することができる。ここで、式（４）において、Ｎ２は第２マップにおける液滴の数、Ｄ２は第２モールド１”に形成された凹凸のパターンにおける凹部の深さ、ＲＬＴ２は第２モールド１”を用いて成形されたインプリント材６の膜厚（残膜の厚さ）を示す。
Ｖｄ×Ｎ２×α１＝Ｓｐ×Ｄ２＋Ｓａ×ＲＬＴ２ ・・・（４）

Ｓ６２−ｂ１０では、制御部８は、Ｓ６２−ｂ９で決定した補正係数α１を用いて、基板上に供給されるインプリント材の液滴の配置を示すマップを新たに作成する。Ｓ６２−ｂ１０の工程は、上述のＳ６２−ａ３の工程と同様であるため、ここでは説明を省略する。Ｓ６２−ｂ１１では、制御部８は、Ｓ６２−ｂ１０において新たに作成されたマップを記憶し、マップの更新を行う。

上述したように、第２実施形態のインプリント装置は、複数のマップの各々に従って基板上に供給されたインプリント材の総量を求めることによって取得された複数の情報を用いて補正係数α１を求める。そして、第２実施形態のインプリント装置は、補正係数α１を用いて新たなマップを作成することによりマップの更新を行う。このように複数の情報を用いて補正係数α１を求め、マップの更新を行うことにより、モールド１を用いて成形されたインプリント材の膜厚を目標膜厚に更に近づけることができる。ここで、第２実施形態では、２枚のモールド（第１モールド１’および第２モールド１”）を用いてマップの更新を行う例について説明したが、モールドの枚数は２枚に限らず３枚以上でもよい。また、マップの更新に使用される複数のモールドは、図５のフローチャートにおけるＳ５１〜Ｓ６０の工程において使用されたモールド１を含んでもよい。この場合、当該モールド１を用いて成形されたインプリント材６の総量に関する情報が、複数の情報の１つとして用いられうる。

＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態のインプリント装置について説明する。第３実施形態では、複数のマップの各々に従って基板上に供給されたインプリント材の体積を求めることによって取得された複数の情報に基づいて補正係数α２を求める例について説明する。第２実施形態では複数のモールドを用いて複数の情報を取得したが、第３実施形態では１枚のモールド（第３モールド）を用いて複数の情報を取得する。以下に、第３実施形態におけるマップの更新について説明する。第３実施形態におけるマップの更新は、図１０に示すフローチャートに従って行われ、Ｓ６２−ｂ９の工程が第２実施形態におけるマップの更新と異なる。

Ｓ６２−ｂ９では、制御部８は、Ｓ６２−ｂ１〜Ｓ６２−ｂ７の工程をくり返すことによって取得された複数の情報に基づいて補正係数α２を求める。例えば、１枚のモールド（第３モールド）に対して第１マップおよび第２マップを含む複数のマップを用いて補正係数α２を求める場合を想定する。ここで、第１マップにおける液滴の数および第２マップにおける液滴の数は互いに異なっている。この場合、制御部８は、Ｓ６２−ｂ７において、第１マップに従って基板上に供給され且つ第３モールドを用いて成形されたインプリント材の膜厚に基づいて第１情報を取得することができる。このとき、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積Ｖｄ、第１マップにおける液滴の数Ｎ１、および第１情報におけるインプリント材の総量の間における関係は、補正係数α２を用いて式（５）によって表されうる。式（５）における右辺が第１情報におけるインプリント材の総量を示しており、第３モールドのパターンの設計情報および第１マップを用いたときのインプリント材の膜厚に基づいて算出される。ここで、式（５）において、Ｓｐは第３モールドに形成されたパターンにおける凹部のＸＹ方向における面積、Ｄは第３モールドに形成されたパターンにおける凹部の深さを示す。また、Ｓａはモールド上のパターン領域の面積、ＲＬＴ１は第１マップを用いたときのインプリント材６の膜厚（残膜の厚さ）を示す。
Ｖｄ×Ｎ１×α２＝Ｓｐ×Ｄ＋Ｓａ×ＲＬＴ１ ・・・（５）

また、制御部８は、Ｓ６２−ｂ７において、第２マップに従って基板上に供給され且つ第３モールドを用いて成形されたインプリント材の膜厚に基づいて第２情報を取得することができる。このとき、各ノズル７ｃから吐出される各液滴の理想体積Ｖｄ、第２マップにおける液滴の数Ｎ２、および第２情報におけるインプリント材の総量の間における関係は、補正係数α２を用いて式（６）によって表されうる。式（６）における右辺が第２情報におけるインプリント材の総量を示しており、第３モールドのパターンの設計情報および第２マップを用いたときのインプリント材の膜厚に基づいて算出される。そして、制御部８は、式（５）および式（６）を用いることにより補正係数α２を求めることができる。ここで、式（６）において、ＲＬＴ２は第２マップを用いたときのインプリント材の膜厚を示す。
Ｖｄ×Ｎ２×α２＝Ｓｐ×Ｄ＋Ｓａ×ＲＬＴ２ ・・・（６）

上述したように、第３実施形態のインプリント装置は、複数のマップの各々に従って基板上に供給されたインプリント材の総量を求めることによって取得された複数の情報を用いて補正係数α２を求める。そして、第３実施形態のインプリント装置は、補正係数α２を用いて新たなマップを作成することによりマップの更新を行う。このように複数の情報を用いて補正係数α２を求めてマップの更新を行うことにより、第２実施形態と同様に、モールド１を用いて成形されたインプリント材６の膜厚を目標膜厚に更に近づけることができる。ここで、補正係数α２を求めるために用いられる第３モールドは、図５のフローチャートにおけるＳ５１〜Ｓ６０の工程において使用されたモールド１であってもよい。また、マップの更新に使用される複数のマップは、図５のフローチャートにおけるＳ５１〜Ｓ６０の工程において使用されたマップであってもよい。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：モールド、４：基板、６：インプリント材、７：供給部、８：制御部、１００：インプリント装置

Claims (13)

1. 基板上に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置であって、
   前記インプリント材の液滴を前記基板に向けてそれぞれ吐出する複数のノズルを有し、各ノズルからの液滴の吐出によって前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部と、
   前記供給部から前記基板上に供給される液滴の前記基板上における配置を示すマップに従って、各ノズルにおける液滴の吐出を制御する制御部と、
   を含み、
   前記制御部は、前記マップに従って前記基板上に実際に供給された前記インプリント材の総量に関する情報に基づいて、各ノズルから吐出される各液滴の理想体積と前記供給部から前記基板上に供給される液滴の数との積が前記情報における前記インプリント材の総量に近づくように前記マップを更新する、ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御部は、前記情報における前記インプリント材の総量から前記理想体積と前記マップにおける液滴の数とを除することによって係数を決定し、前記係数を用いて前記マップを更新する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記制御部は、前記供給部から前記基板上に供給される液滴の数が前記マップにおける液滴の数に前記係数を乗じた数になるように前記マップを更新する、ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、複数のマップの各々に従って前記インプリント材を基板上に供給することによって取得された複数の情報を用いて前記係数を決定し、
   前記複数の情報は、前記複数のマップのうち第１マップに従って基板上に実際に供給された前記インプリント材の体積に関する第１情報と、前記複数のマップのうち第２マップに従って基板上に実際に供給された前記インプリント材の体積に関する第２情報とを含み、
   前記第１マップにおける液滴の数および前記第２マップにおける液滴の数は互いに異なる、ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント装置。
5. 前記制御部は、前記第１マップに従って基板上に供給され且つ第１モールドを用いて成形された前記インプリント材の膜厚に基づいて前記第１情報を取得し、前記第２マップに従って基板上に供給され且つ第２モールドを用いて成形された前記インプリント材の膜厚に基づいて前記第２情報を取得し、
   前記第１モールドおよび第２モールドは、凹凸のパターンをそれぞれ含み、前記凹凸のパターンにおける凹部の深さが互いに異なる、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、前記第１マップに従って基板上に供給され且つ第３モールドを用いて成形された前記インプリント材の膜厚に基づいて前記第１情報を取得し、前記第２マップに従って基板上に供給され且つ前記第３モールドを用いて成形された前記インプリント材の膜厚に基づいて前記第２情報を取得する、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記係数を決定するために用いられたマップとは異なる第４マップを、前記第４マップにおける液滴の数が、前記理想体積とモールドのパターンの設計情報とに基づいて求められる液滴の数に前記係数を乗じた数になるように作成する、ことを特徴とする請求項２乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、前記マップに従って前記基板上に供給され且つ前記モールドを用いて成形された前記インプリント材の膜厚と前記モールドのパターンの設計情報に基づいて前記情報を取得する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記マップは、前記理想体積と前記モールドのパターンの設計情報とに基づいて作成されている、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 基板に供給され且つモールドを用いて成形されたインプリント材の膜厚を計測する計測部を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 基板上に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント装置であって、
    前記インプリント材の液滴を前記基板に向けてそれぞれ吐出する複数のノズルを有し、各ノズルからの液滴の吐出によって前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部と、
    前記供給部から前記基板上に供給される液滴の前記基板上における配置を示すマップに従って、各ノズルにおける液滴の吐出を制御する制御部と、
    を含み、
    前記制御部は、
    前記マップに従って前記基板上に実際に供給された前記インプリント材の総量に関する情報に基づいて、各ノズルから吐出される各液滴の理想体積と前記マップにおける液滴の数とを前記情報における前記インプリント材の総量から除することによって係数を決定し、
    前記係数を決定するために用いられたマップとは異なるマップを、前記異なるマップにおける液滴の数が、前記理想体積とモールドのパターンの設計情報とに基づいて求められる液滴の数に前記係数を乗じた数になるように作成する、ことを特徴とするインプリント装置。
12. 基板上に供給されたインプリント材をモールドを用いて成形するインプリント方法であって、
    前記インプリント材の液滴を前記基板に向けてそれぞれ吐出する複数のノズルを用い、前記基板上に供給される液滴の前記基板上における配置を示すマップに従って、各ノズルから液滴を吐出させる吐出工程と、
    前記マップに従って前記基板上に実際に供給された前記インプリント材の体積に関する情報に基づいて、各ノズルから吐出される液滴の理想体積および前記マップにおける液滴の数から決定される前記インプリント材の総量が前記情報における前記体積に近づくように前記マップを更新する更新工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント方法。
13. 請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。